JP5478166B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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-
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Description
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、ボンド基板である半導体基板から分離させた半導体膜をベース基板に接合してSOI基板を製造する。そして、製造されたSOI基板を元に半導体装置を製造する。以下、図1乃至図6、図8を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一つについて説明する。
O2+hν(λ1nm)→O(3P)+O(3P) (1)
O(3P)+O2→O3 (2)
O3+hν(λ2nm)→O(1D)+O2 (3)
O2+hν(λ3nm)→O(1D)+O(3P) (4)
O(3P)+O2→O3 (5)
O3+hν(λ3nm)→O(1D)+O2 (6)
本実施の形態では、実施の形態1とは異なり、サイドウォールを形成することによって、半導体膜中に高濃度不純物領域、低濃度不純物及びチャネル形成領域を形成する半導体装置の製造方法について図7を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製した半導体装置の具体的な態様について、図9及び図10を参照しながら、説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した半導体装置を適用して作製した表示装置について、図11及び図12を参照しながら、説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した半導体装置を適用して作製した電子機器について、図13及び図14を参照しながら、説明する。
102 絶縁膜
104 脆化層
106 絶縁膜
108 ガラス基板
110 分離後のボンド基板
112 半導体膜
114 レジストマスク
116 半導体膜
118 半導体膜
120 ゲート絶縁膜
122 第1の導電膜
124 第2の導電膜
125 積層導電膜
126 レジストマスク
128 レジストマスク
130 第1の導電膜
132 第1の導電膜
134 第2の導電膜
136 第2の導電膜
138 第2の導電膜
140 第2の導電膜
142 ゲート電極
144 ゲート電極
146 レジストマスク
148 p型不純物元素
150 高濃度不純物領域
152 低濃度不純物領域
154 チャネル形成領域
156 レジストマスク
158 n型不純物元素
160 高濃度不純物領域
162 低濃度不純物領域
164 チャネル形成領域
166 絶縁膜
168 第1の層間絶縁膜
170 第2の層間絶縁膜
172 配線
174 配線
200 第1の導電膜
202 第1の導電膜
204 第2の導電膜
206 第2の導電膜
208 ゲート電極
210 ゲート電極
212 低濃度不純物領域
214 チャネル形成領域
216 低濃度不純物領域
218 チャネル形成領域
220 サイドウォール
222 サイドウォール
224 高濃度不純物領域
226 低濃度不純物領域
228 チャネル形成領域
230 高濃度不純物領域
232 低濃度不純物領域
234 チャネル形成領域
302 単結晶半導体膜
320 単結晶半導体膜
322 走査線
323 信号線
324 画素電極
325 TFT
327 層間絶縁膜
328 電極
329 柱状スペーサ
330 配向膜
332 対向基板
333 対向電極
334 配向膜
335 液晶層
340 チャネル形成領域
341 高濃度不純物領域
401 選択用トランジスタ
402 表示制御用トランジスタ
403 半導体膜
404 半導体膜
405 走査線
406 信号線
407 電流供給線
408 画素電極
410 電極
411 電極
412 ゲート電極
413 電極
427 層間絶縁膜
428 隔壁層
429 EL層
430 対向電極
431 対向基板
432 樹脂層
451 チャネル形成領域
452 高濃度不純物領域
500 マイクロプロセッサ
501 演算回路
502 演算回路制御部
503 命令解析部
504 制御部
505 タイミング制御部
506 レジスタ
507 レジスタ制御部
508 バスインターフェース
509 専用メモリ
510 ROMインターフェース
511 RFCPU
512 アナログ回路部
513 デジタル回路部
514 共振回路
515 整流回路
516 定電圧回路
517 リセット回路
518 発振回路
519 復調回路
520 変調回路
521 RFインターフェース
522 制御レジスタ
523 クロックコントローラ
524 インターフェース
525 中央処理ユニット
526 ランダムアクセスメモリ
527 専用メモリ
528 アンテナ
529 容量部
530 電源管理回路
700 携帯電話
701 筐体
702 筐体
703 表示部
704 スピーカ
705 マイクロフォン
706 操作キー
707 ポインティングデバイス
708 表面カメラ用レンズ
709 外部接続端子ジャック
710 イヤホン端子
711 キーボード
712 外部メモリスロット
713 裏面カメラ
714 ライト
801 筐体
802 支持台
803 表示部
804 スピーカー部
805 ビデオ入力端子
812 筐体
813 表示部
814 キーボード
815 外部接続ポート
816 マウス
822 表示部
824 外部接続ポート
825 リモコン受信部
826 受像部
829 操作キー
900 ガラス基板
902 絶縁膜
904 積層導電膜
906 ガラス基板が露出している部分
910 ガラス基板
912 絶縁膜
914 ガラス基板が露出している部分
920 ガラス基板
922 半導体膜
924 積層導電膜
930 ガラス基板
932 半導体膜
Claims (9)
- ボンド基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、
ガラス基板上に第2の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板を、前記第1の絶縁膜を介して前記ガラス基板上の前記第2の絶縁膜と貼り合わせ、
前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、
前記半導体膜の表面をエッチングして平坦化し、
前記半導体膜の表面にレーザ光を照射して当該半導体膜の結晶性を回復させ、
前記半導体膜に500℃以上700℃以下の加熱処理を行い、
前記半導体膜をエッチングして、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜、前記第1の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に接して2層構造の積層導電膜を形成し、
前記2層構造の積層導電膜として、上層に引っ張り応力を有する導電膜、下層に圧縮応力を有する導電膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記引っ張り応力を有する導電膜は、タングステン膜であり、前記圧縮応力を有する導電膜は、窒化タンタル膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ボンド基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、
ガラス基板上に第2の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板を、前記第1の絶縁膜を介して前記ガラス基板上の前記第2の絶縁膜と貼り合わせ、
前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、
前記半導体膜の表面をエッチングして平坦化し、
前記半導体膜の表面にレーザ光を照射して当該半導体膜の結晶性を回復させ、
前記半導体膜に500℃以上700℃以下の加熱処理を行い、
前記半導体膜をエッチングして、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜、前記第1の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に接して積層導電膜を形成し、
前記積層導電膜の有する応力の大きさが0.1GPa以下となる条件で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3において、
前記積層導電膜は、上層をタングステン膜とし、下層を窒化タンタル膜とする2層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ボンド基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、
ガラス基板上に第2の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板を、前記第1の絶縁膜を介して前記ガラス基板上の前記第2の絶縁膜と貼り合わせ、
前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、
前記半導体膜の表面をエッチングして平坦化し、
前記半導体膜の表面にレーザ光を照射して当該半導体膜の結晶性を回復させ、
前記半導体膜に500℃以上700℃以下の加熱処理を行い、
前記半導体膜をエッチングして、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜、前記第1の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に接して2層構造の積層導電膜を形成し、
前記2層構造の積層導電膜として、上層にタングステン膜、下層に窒化タンタル膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記周辺領域は、前記第2の絶縁膜の最外縁から、前記半導体膜の最外縁の1mm乃至10mm内側までの帯状の領域とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜若しくは窒化酸化シリコン膜から選ばれた単数の膜又は複数の膜の積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第2の絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜若しくは窒化酸化アルミニウム膜から選ばれた膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記ボンド基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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