JP6032963B2 - Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6032963B2 JP6032963B2 JP2012138384A JP2012138384A JP6032963B2 JP 6032963 B2 JP6032963 B2 JP 6032963B2 JP 2012138384 A JP2012138384 A JP 2012138384A JP 2012138384 A JP2012138384 A JP 2012138384A JP 6032963 B2 JP6032963 B2 JP 6032963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- silicon
- nitrogen concentration
- soi substrate
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 254
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 127
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 127
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 115
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 115
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 92
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76256—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques using silicon etch back techniques, e.g. BESOI, ELTRAN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
また、本発明の一様態は、シリコン板の上の酸化シリコン膜にプラズマ窒化処理を施すことによって形成された絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中、500度より高く1200度以下の温度で熱処理することで前記絶縁膜表面を酸化する工程と、前記シリコン板と基材とを、前記熱処理された前記絶縁膜を介して接合する工程と、を有することを特徴とするSOI基板の製造方法に関する。
本発明の別の一様態は、シリコン板に酸化処理を施すことにより酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜にプラズマ窒化処理を施すことによって絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中、500度より高く1200度以下の温度で熱処理することで前記絶縁膜表面を酸化する工程と、前記シリコン板に半導体素子を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明の別の一様態は、シリコン部と、基部と、前記シリコン部と前記基部の間に設けられ、第1乃至第3の領域を有するシリコン化合物を有する絶縁部と、を有するSOI基板を用意する工程と、前記シリコン部に光電変変換素子を形成する工程と、前記基部及び前記第3の領域を除去する工程と、前記第3の領域が除去された前記絶縁部上に、カラーフィルタ及びマイクロレンズの少なくとも一方を形成する工程と、を有し、
前記絶縁部は、前記シリコン部の側から順に、前記第1領域、前記第2領域、及び前記第3領域とを有し、前記第1領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第1領域の酸素濃度より低く、前記第3領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第3領域の酸素濃度より低く、前記第1領域の厚みが前記第3領域の厚みより大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
第1実施形態として、SOI基板についてその構造の一例を説明する。図1(A)はSOI基板1の断面模式図である。SOI基板1はシリコン部25と、絶縁部20と基部24とを有している。絶縁部20はシリコン部25側から基部24に向かって順に、第1領域21、第2領域22、第3領域23を有している。つまり、第1領域21はシリコン部25と第2領域22の間に位置し、第2領域22は第1領域21と第3領域23の間に位置し、第3領域23は第2領域22と基部24との間に位置する。
第2実施形態として、SOI基板の製造方法の一例を説明する。図2(A)〜(F)は本実施例による半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。第1実施形態にて説明した事項を参照して製造方法を説明する。
図2(A)に示す様に工程Aでは、少なくとも一部がSOI基板のシリコン部25となる単結晶シリコンからなるシリコン板19を用意し、シリコン板19の表面に酸化処理を施す。この酸化処理により、シリコン板19上に絶縁部20の母材となる酸化シリコン膜である絶縁膜201を形成する。
第3実施形態として、第1実施形態および第2実施形態で説明したSOI基板を用いた半導体装置の製造方法の一例を説明する。ここでは、上述したように、不純物の影響が顕著に性能に現れる撮像装置を例に挙げて説明する。撮像装置の中でもいわゆる裏面照射型の撮像装置では、光電変換部となるシリコンを例えば10μm以下に薄くする必要性がある。薄いシリコン部25を有するSOI基板1を用いることでシリコンの薄化工程を簡略化あるいは省略できる。以下、裏面照射型の撮像装置(CMOSイメージセンサ)の製造方法を説明する。
21 第1領域
22 第2領域
23 第3領域
25 シリコン部
Claims (17)
- シリコン部と、基部と、前記シリコン部と前記基部との間に設けられ、シリコン化合物で構成された絶縁部と、を有し、
前記絶縁部は、前記シリコン部の側から順に、第1領域と第2領域と第3領域とを有し、
前記第1領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第1領域の酸素濃度より低く、
前記第3領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第3領域の酸素濃度より低く、
前記第3領域は酸素濃度分布において極大値を示し、
前記第1領域の厚みが前記第3領域の厚みより大きいことを特徴とするSOI基板。 - 下記の条件(1)〜(2)の少なくともいずれか
(1)前記第1領域は酸素濃度分布の極大値を示す。
(2)前記第2領域は酸素濃度分布の極小値を示す。
を満たす請求項1に記載のSOI基板。 - 前記絶縁部の厚みは50nm未満である請求項1または2に記載のSOI基板。
- 前記第2領域の少なくとも一部は、窒素濃度が酸素濃度よりも高い請求項1乃至3のいずれか1項に記載のSOI基板。
- 前記第1領域の窒素濃度および前記第2領域の窒素濃度は1原子%未満であり、前記前記第2領域の窒素濃度は1原子%未満であって、前記第2領域における窒素濃度の最大値が2原子%以上30原子%以下である請求項1乃至4のいずれか1項に記載のSOI基板。
- 前記第3領域の厚みは5nm未満である請求項1乃至5のいずれか1項に記載のSOI基板。
- 前記基部はホウ素を含有するシリコンで構成されている請求項1乃至6のいずれか1項に記載のSOI基板。
- シリコン板の上の酸化シリコン膜にプラズマ窒化処理を施すことによって形成された絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中、500度より高く1200度以下の温度で熱処理することで、前記絶縁膜の表面を酸化する工程と、
前記シリコン板と基材とを、前記熱処理された前記絶縁膜を介して接合する工程と、を有することを特徴とするSOI基板の製造方法。 - 接合する工程の後、前記シリコン板を薄くする請求項8に記載のSOI基板の製造方法。
- 前記基材はホウ素を含有するシリコン板である請求項9に記載のSOI基板の製造方法。
- シリコン板に酸化処理を施すことにより酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜にプラズマ窒化処理を施すことによって絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中、500度より高く1200度以下の温度で熱処理することにより、前記絶縁膜の表面を酸化する工程と、
前記シリコン板に半導体素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程の後の前記絶縁膜は、
前記シリコン部の側から順に、前記第1領域、前記第2領域、及び前記第3領域とを有し、
前記第1領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第1領域の酸素濃度より低く、
前記第3領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第3領域の酸素濃度より低く、
前記第1領域の厚みが前記第3領域の厚みより大きい請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体素子が光電変換素子である請求項11または12に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン部と、基部と、前記シリコン部と前記基部の間に設けられ、第1乃至第3の領域を有するシリコン化合物を有する絶縁部と、を有するSOI基板を用意する工程と、
前記シリコン部に光電変変換素子を形成する工程と、
前記基部及び前記第3の領域を除去する工程と、
前記第3の領域が除去された前記絶縁部上に、カラーフィルタ及びマイクロレンズの少なくとも一方を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁部は、前記シリコン部の側から順に、前記第1領域、前記第2領域、及び前記第3領域とを有し、
前記第1領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第1領域の酸素濃度より低く、
前記第3領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第3領域の酸素濃度より低く、
前記第1領域の厚みが前記第3領域の厚みより大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁部は、
前記シリコン部に酸化処理を施すことにより酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜にプラズマ窒化処理を施すことによって絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中で熱処理することで前記絶縁部を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3領域は酸素濃度分布において極大値を示すことを特徴とする請求項11乃至15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも、前記第1領域が酸素濃度分布の極大値を示す、または前記第2領域が酸素濃度分布の極小値を示す、のいずれか一方を満たす請求項11乃至16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012138384A JP6032963B2 (ja) | 2012-06-20 | 2012-06-20 | Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
US13/921,063 US9059087B2 (en) | 2012-06-20 | 2013-06-18 | SOI substrate, method for manufacturing SOI substrate, and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012138384A JP6032963B2 (ja) | 2012-06-20 | 2012-06-20 | Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014003194A JP2014003194A (ja) | 2014-01-09 |
JP2014003194A5 JP2014003194A5 (ja) | 2015-07-23 |
JP6032963B2 true JP6032963B2 (ja) | 2016-11-30 |
Family
ID=49773715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012138384A Expired - Fee Related JP6032963B2 (ja) | 2012-06-20 | 2012-06-20 | Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9059087B2 (ja) |
JP (1) | JP6032963B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106611697B (zh) * | 2015-10-26 | 2019-11-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
JP6299835B1 (ja) | 2016-10-07 | 2018-03-28 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6583440B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-06-24 | Seiko Epson Corporation | Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus |
JP4507395B2 (ja) | 2000-11-30 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用素子基板の製造方法 |
JP4048048B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
US7906441B2 (en) * | 2003-05-13 | 2011-03-15 | Texas Instruments Incorporated | System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric |
JP2005079389A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 貼り合わせウェーハの分離方法及びその分離用ボート |
JP2006278531A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 工程管理システム、工程管理方法及び半導体装置の製造方法 |
KR101440930B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작방법 |
US8617954B2 (en) * | 2007-10-09 | 2013-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Formation of nitrogen containing dielectric layers having an improved nitrogen distribution |
US7799658B2 (en) | 2007-10-10 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
JP5700617B2 (ja) | 2008-07-08 | 2015-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の作製方法 |
JP5478166B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2010114409A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Sony Corp | Soi基板とその製造方法、固体撮像装置とその製造方法、および撮像装置 |
JP5356872B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 個体撮像装置の製造方法 |
JP2011014673A (ja) | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Panasonic Corp | Soi基板とその製造方法およびそれを用いた固体撮像装置の製造方法 |
JP2011077504A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP5306123B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 裏面照射型固体撮像装置 |
JP5715351B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-05-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに固体撮像装置 |
-
2012
- 2012-06-20 JP JP2012138384A patent/JP6032963B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-18 US US13/921,063 patent/US9059087B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014003194A (ja) | 2014-01-09 |
US9059087B2 (en) | 2015-06-16 |
US20130341755A1 (en) | 2013-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9190481B2 (en) | Transistors and fabrication methods thereof | |
US9147614B2 (en) | Transistor device and fabrication method | |
US7279369B2 (en) | Germanium on insulator fabrication via epitaxial germanium bonding | |
JP4718425B2 (ja) | 複合基板の作製方法 | |
TWI523230B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
US20030211704A1 (en) | Thermally stable crystalline defect-free germanium bonded to silicon and silicon dioxide | |
US20110147810A1 (en) | Method of fabricating strained structure in semiconductor device | |
US20070020828A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor apparatus and the semiconductor apparatus | |
TW201203453A (en) | Trench structure in multilayer wafer | |
US12062539B2 (en) | Semiconductor-on-insulator (SOI) substrate and method for forming | |
US9548212B2 (en) | Semiconductor devices and fabrication method thereof | |
CN103545186A (zh) | 一种制造金属栅半导体器件的方法 | |
JP6032963B2 (ja) | Soi基板、soi基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
US9859329B2 (en) | Imaging device manufacturing method | |
US9984882B2 (en) | Semiconductor structures and fabrication method thereof | |
CN106856189B (zh) | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | |
CN108206160B (zh) | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | |
CN107919347B (zh) | 鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法 | |
KR20060068104A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
JP5278132B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI543268B (zh) | 電晶體的結構及其製作方法 | |
US10490451B2 (en) | Process for fabricating a transistor structure including a plugging step | |
JP2006253258A (ja) | 半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
TW201331992A (zh) | 對淺溝槽隔離區減少損害的半導體裝置製造方法 | |
US20150372049A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150605 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161025 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6032963 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |