JP2009111373A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 表面に接合層が形成され、所定の深さに剥離層が形成された半導体基板と、歪点が７００℃以下のベース基板とを用意し、
   前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記接合層の表面と前記ベース基板とを接合し、
   熱処理を行うことにより前記剥離層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
   前記ベース基板として、前記熱処理により等方的に収縮する基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 表面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所定の深さに剥離層が形成された半導体基板と、歪点が７００℃以下のベース基板とを用意し、
   前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記接合層の表面と前記ベース基板とを接合し、
   熱処理を行うことにより前記剥離層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
   前記ベース基板として、前記熱処理により等方的に収縮する基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項２において、
   前記絶縁層として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記接合層として、窒素含有層を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 表面に接合層が形成され、所定の深さに剥離層が形成された半導体基板と、表面に絶縁層が形成され歪点が７００℃以下のベース基板とを用意し、
   前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記接合層の表面と前記絶縁層の表面とを接合し、
   熱処理を行うことにより前記剥離層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
   前記ベース基板として、前記熱処理により等方的に収縮する基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記接合層として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜を用い、
   前記絶縁層として、窒素含有層を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記熱処理を、４００℃以上７００℃以下で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記ベース基板として、前記半導体基板と熱膨張係数が同等又は前記半導体基板より熱膨張係数が大きい基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
9. 請求項８において、
   前記ベース基板の熱膨張係数を、前記半導体基板の熱膨張係数の０．８５倍〜２．０倍とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
10. 請求項８において、
    前記半導体基板としてシリコン基板を用い、
    前記ベース基板として熱膨張係数が、２．３×１０^-6〜５．０×１０^-6／℃である基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
12. 請求項１１において、
    前記ガラス基板として、表面が研磨されたものを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
13. 請求項１１又は請求項１２において、
    前記ガラス基板として、表面粗さが０．３ｎｍ以下のものを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
    前記ベース基板の表面と平行な面において、Ｘ軸方向とＹ軸方向における収縮率は、Ｘ軸方向の収縮率とＹ軸方向の収縮率とを平均した値から、それぞれ１０％以内であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。