JP2009212502A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 単結晶半導体基板上に塩素原子を含有する第１の酸化膜を形成し、
   前記第１の酸化膜を介して前記単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、
   バイアス電圧を印加して、前記単結晶半導体基板上の前記第１の酸化膜に対して酸素ガスを用いたプラズマ処理を行って、第２の酸化膜とし、 前記単結晶半導体基板と絶縁体でなるベース基板とを対向させ、前記第２の酸化膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
   前記第２の酸化膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第２の酸化膜を介して単結晶半導体膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の酸化膜は、塩化水素又はトランス−１，２−ジクロロエチレンを含有させた酸化性雰囲気で前記単結晶半導体基板に熱酸化処理を行うことにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 単結晶半導体基板上に塩素原子を含有する第１の酸化膜を形成し、
   絶縁体からなるベース基板上に塩素原子を含有する第３の酸化膜を形成し、
   前記第１の酸化膜を介して前記単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、
   バイアス電圧を印加して、前記単結晶半導体基板上の前記第１の酸化膜に対して酸素ガスを用いたプラズマ処理を行って、第２の酸化膜とし、
   前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを対向させ、前記第２の酸化膜の表面と前記第３の酸化膜の表面とを接合させ、
   前記第２の酸化膜の表面と前記第３の酸化膜の表面とを接合させた後に熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第３の酸化膜及び前記第２の酸化膜を介して単結晶半導体膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記第１の酸化膜は、塩化水素又はトランス−１，２−ジクロロエチレンを含有させた酸化性雰囲気で前記単結晶半導体基板に熱酸化処理を行うことにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記第３の酸化膜は、
   前記ベース基板上に半導体膜を形成し、
   塩化水素又はトランス−１，２−ジクロロエチレンを含有させた酸化性雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、前記ベース基板上に形成された前記半導体膜を酸化することにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２の酸化膜の表面と前記第３の酸化膜の表面とを接合させる前に、バイアス電圧を印加して、前記ベース基板上の前記第３の酸化膜に対してプラズマ処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
7. 請求項１又は請求項２において、
   前記第２の酸化膜は、前記第２の酸化膜と前記単結晶半導体膜の界面側における前記塩素の濃度が高く、前記第２の酸化膜と前記ベース基板の界面側における前記塩素の濃度が低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記熱処理は、ベース基板の歪点以下の温度で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。