JP2010272851A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ボンド基板にイオンを照射して、前記ボンド基板中に脆化領域を形成する第１の工程と、
   絶縁層を介して前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせる第２の工程と、
   前記脆化領域において前記ボンド基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して半導体層を形成する第３の工程と、
   前記第３の工程後の前記ボンド基板に対して、アルゴン雰囲気において第１の熱処理を施した後に、酸素及び窒素の混合雰囲気において第２の熱処理を施すことにより再生ボンド基板を形成する第４の工程と、を有し、
   前記再生ボンド基板を前記第１の工程におけるボンド基板として再び使用するＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の工程から前記第３の工程をｎ回（ｎ≧２）繰り返した後、前記第４の工程を行うＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の熱処理において前記再生ボンド基板表面に形成された酸化膜を、ベース基板との貼り合わせの際の絶縁層として用いるＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第３の工程と前記第４の工程の間に、前記脆化領域で分離された前記ボンド基板の表面を研磨する工程を有するＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の熱処理における酸素濃度を５体積％未満とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第２の熱処理の雰囲気は、酸素及び窒素に加えて塩素を含有するＳＯＩ基板の作製方法。
7. ボンド基板に対して、アルゴン雰囲気において第１の熱処理を施した後に、酸素及び窒素の混合雰囲気において第２の熱処理を施す第１の工程と、
   前記ボンド基板にイオンを照射して、前記ボンド基板中に脆化領域を形成する第２の工程と、
   絶縁層を介して前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせる第３の工程と、
   前記脆化領域において前記ボンド基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して半導体層を形成する第４の工程と、を有し、
   前記第１の工程を一回行った後、前記第２の工程から前記第４の工程をｎ回（ｎ≧２）繰り返すＳＯＩ基板の作製方法。