JP2009260295A5 - 半導体基板の作製方法 - Google Patents

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  1. 単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
    前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
    熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
    前記単結晶半導体層の表面に対して第１のドライエッチング処理を行い、
    前記第１のエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層の表面に対して第２のドライエッチング処理を行い、
    前記第２のドライエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  2. 単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
    前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
    熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
    前記単結晶半導体層表面に形成された第１の酸化膜、及び前記単結晶半導体層に残存する脆化領域を第１のドライエッチング処理により除去し、
    前記第１の酸化膜及び前記脆化領域が除去された前記単結晶半導体層表面に形成された第２の酸化膜を第２のドライエッチング処理により除去し、
    前記第２の酸化膜が除去された単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  3. 単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
    単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
    前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
    熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
    前記単結晶半導体層の表面に対して第１のドライエッチング処理を行い、
    前記第１のエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層の表面に対して第２のドライエッチング処理を行い、
    前記第２のドライエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  4. 単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
    単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
    前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
    熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
    前記単結晶半導体層表面に形成された第１の酸化膜、及び前記単結晶半導体層に残存する脆化領域を第１のドライエッチング処理により除去し、
    前記第１の酸化膜及び前記脆化領域が除去された前記単結晶半導体層表面に形成された第２の酸化膜を第２のドライエッチング処理により除去し、
    前記第２の酸化膜が除去された単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記単結晶半導体基板上に絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜上に前記接合層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  6. 請求項１乃至請求項５にいずれか一において、
    前記支持基板表面の超音波洗浄を行った後に、前記貼り合わせを行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記貼り合わせ後に加熱処理を行い、
    前記加熱処理後に前記分離を行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記レーザ光を照射した後に、薄膜化処理を行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
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