JP2010109361A5 - 半導体基板の作製方法 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１乃至第ｎ（ｎ≧２）の単結晶半導体基板表面にイオンを照射して、前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化層を形成し、
   前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板と、第１乃至第ｎのベース基板とを、前記単結晶半導体基板または前記ベース基板の少なくとも一方に設けられた絶縁層を介して、それぞれ貼り合わせ、
   熱処理によって、前記脆化層を境として前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板を分離することにより、前記第１乃至第ｎのベース基板上に第１乃至第ｎの単結晶半導体層をそれぞれ固定し、
   前記第１の単結晶半導体層の複数の領域に対して、互いに異なる複数のエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、
   マイクロ波光導電減衰法によって、前記レーザ光を照射した第１の単結晶半導体層の反射マイクロ波の検出信号のピーク値を検出し、
   前記ピーク値が極大となる前記レーザ光のエネルギー密度を、Ｅ１ｍａｘとするとき、エネルギー密度Ｅが以下の式（１）を満たすレーザ光を前記第２乃至第ｎの単結晶半導体層へ照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
   

   

   （但し、式（１）において、σは以下の式（２）を満たす。）
   

   

   （但し、式（２）において、σｔはｎ層の単結晶半導体層のそれぞれにおいて反射マイクロ波の強度が極大となるエネルギー密度の標準偏差を示し、σｅは、照射されるレーザ光のエネルギー密度の半導体基板毎の標準偏差を示す。）
2. 第１乃至第ｎ（ｎ≧２）の単結晶半導体基板表面にイオンを照射して、前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化層を形成し、
   前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板と、第１乃至第ｎのベース基板とを、前記単結晶半導体基板または前記ベース基板の少なくとも一方に設けられた絶縁層を介して、それぞれ貼り合わせ、
   熱処理によって、前記脆化層を境として前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板を分離することにより、前記第１乃至第ｎのベース基板上に第１乃至第ｎの単結晶半導体層をそれぞれ固定し、
   ｎ層の単結晶半導体層の膜厚の中央値を有する前記第１の単結晶半導体層の複数の領域に対して、互いに異なる複数のエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、
   マイクロ波光導電減衰法によって、前記レーザ光を照射した第１の単結晶半導体層の反射マイクロ波の検出信号のピーク値を検出し、
   前記ピーク値が極大となる前記レーザ光のエネルギー密度を、Ｅ１ｍａｘとするとき、エネルギー密度Ｅが以下の式（３）を満たすレーザ光を前記第２乃至第ｎの単結晶半導体層へ照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
   

   

   （但し、式（３）において、σは以下の式（４）を満たす。）
   

   

   （但し、式（４）において、σｄはｎ層の単結晶半導体層の膜厚の標準偏差を示し、σｅは、照射されるレーザ光のエネルギー密度の標準偏差を示す。）
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２乃至第ｎの単結晶半導体層を部分溶融状態とするエネルギー密度で、前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。