JP2009135453A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、
   前記単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層と、ベース基板とを接合させ、
   前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成し、
   前記単結晶半導体層の一部の領域にパルスレーザー光を照射することにより、前記単結晶半導体層の欠陥を低減し、且つ、表面の平坦性を向上させ、
   前記パルスレーザー光の端部以外における光強度は、前記単結晶半導体層が完全溶融する光強度未満、且つ、完全溶融と部分溶融との境界となる光強度の８５％以上であり、
   前記パルスレーザー光の端部における光強度は、前記境界となる光強度の８５％未満であり、
   前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子のチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、
   ベース基板上に絶縁層を形成し、
   前記単結晶半導体基板の前記主表面と、前記絶縁層とを接合させ、
   前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成し、
   前記単結晶半導体層の一部の領域にパルスレーザー光を照射することにより、前記単結晶半導体層の欠陥を低減し、且つ、表面の平坦性を向上させ、
   前記パルスレーザー光の端部以外における光強度は、前記単結晶半導体層が完全溶融する光強度未満、且つ、完全溶融と部分溶融との境界となる光強度の８５％以上であり、
   前記パルスレーザー光の端部における光強度は、前記境界となる光強度の８５％未満であり、
   前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子のチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層表面の平均面粗さは１．５ｎｍ未満であり、二乗平方根粗さは２ｎｍ未満であり、
   前記パルスレーザー光の端部が照射された領域の前記単結晶半導体層表面の平均面粗さは１．５ｎｍ以上であり、二乗平方根粗さは２ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層のラマンピークの波数は５２０．４ｃｍ^−１以上であり、
   前記パルスレーザー光の端部が照射された領域の前記単結晶半導体層のラマンピークの波数は５２０．４ｃｍ^−１未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ベース基板は、絶縁体でなる絶縁性基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ベース基板は、導電体でなる導電性基板、または半導体でなる半導体基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域は、前記パルスレーザー光が１回のみ照射された領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域は、前記パルスレーザー光の端部以外が複数回照射された領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
   前記絶縁層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される絶縁層を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一において、
    前記絶縁層は、積層構造で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、
    前記パルスレーザー光は、エキシマレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、
    前記パルスレーザー光は、線状の形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。