JP2009177145A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 単結晶シリコン基板の一表面側からイオン又はクラスターイオンを照射して前記一表面
   側から所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面側に第
   １不純物シリコン層および第１の電極を形成し、
   支持基板の一表面側と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面側と、を対向させ、前記
   支持基板の一表面側と前記第１電極とを重ね合わせて貼り合わせ、
   熱処理を行い、前記脆化層を境として前記単結晶シリコン基板を分離させ、前記支持基
   板上に単結晶シリコン層を形成し、
   前記単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、
   シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成した
   プラズマにより前記原料ガスを活性化させ、前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長
   させ、
   前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層および第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
2. 単結晶シリコン基板の一表面側からイオン又はクラスターイオンを照射して前記一表面
   側から所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面側に第
   １不純物シリコン層、第１電極および絶縁層を形成し、
   支持基板の一表面側と、前記単結晶シリコン基板の一表面側と、を対向させ、前記支持
   基板の一表面側と前記絶縁層とを重ね合わせて貼り合わせ、
   熱処理を行い、前記脆化層を境として前記単結晶シリコン基板を分離させ、前記支持基
   板上に単結晶シリコン層を形成し、
   前記単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、
   シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成した
   プラズマにより前記原料ガスを活性化させ、前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長
   させ、
   前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層および第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   大気圧或いは大気圧近傍とは、０．１気圧乃至１０気圧の範囲とすることを特徴とする
   光電変換装置の製造方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理としては、レーザ処理、ＲＴＡ処理、フラ
   ッシュランプ処理、炉を用いた熱処理、エッチング処理、又はＣＭＰ処理を適用すること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記シラン系ガスとしては、シラン、ジシラン又はトリシランを用いることを特徴とす
   る光電変換装置の製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記原料ガスに希ガス又は水素を添加することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   照射する前記イオン又はクラスターイオンとしては、Ｈ₃ ⁺イオンの割合を多くするこ
   とを特徴とする光電変換装置の製造方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させた領域は、真性半導体とすることを特
   徴とする光電変換装置の製造方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記第２不純物シリコン層上に一導電型の第３不純物シリコン層、非単結晶シリコン層
   、及び前記一導電型とは逆の導電型の第４不純物シリコン層を形成することを特徴とする
   光電変換装置の製造方法。