JP2001160540A - 半導体装置の製造方法、液相成長法及び液相成長装置、太陽電池 - Google Patents

半導体装置の製造方法、液相成長法及び液相成長装置、太陽電池

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素を含む基体であっても、欠陥の非常に少
ない半導体層を成長させる。 【解決手段】 酸素が含まれている基体に半導体層を成
長させる液相成長法において、前記酸素による欠陥が前
記基体の表面に１０００個／ｃｍ2未満になるような温
度のメルトに前記基体を接触させることにより第１の半
導体層を成長させることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸素が含まれてい
る基体に半導体層を成長させる液相成長法及び液相成長
装置、太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電気機器を駆動するための独
立電源や、商用電力と系統連系させる電源として太陽電
池が普及しつつある。太陽電池を構成する半導体として
は一般にシリコンやガリウム砒素が用いられる。高い光
電変換効率（光エネルギーを電力に変換する効率）を得
るには、これらの単結晶又は多結晶を用いるのがよい。
【０００３】また、近年、バイポーラＬＳＩやＣＭＯＳ
−ＬＳＩの製造にあたって、エピタキシャルシリコン基
体の使用が極めて好ましいと認識されている。まず、エ
ピタキシャル基体では、バルク部分とエピタキシャル層
（活性層）の部分との不純物濃度の独立制御が容易であ
る。この特徴を生かすとバイポーラＬＳＩの個々のトラ
ンジスタ間を容易に遮断でき、個別のトランジスタ間の
電気的な干渉を防止できる。またＣＭＯＳ−ＬＳＩのラ
ッチアップ現象を防止できる。
【０００４】さらに、エピタキシャル基体は、従来使用
されてきたチョクラルスキー法シリコン基体に多く見ら
れるａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥が少ないため、ＣＭＯＳ−Ｌ
ＳＩでは酸化膜の耐圧が改善され信頼性の高いデバイス
が製造できる。また、高濃度にボロン（Ｂ）を含む基体
を用いたエピタキシャル基体では、ゲッタリング処理に
よる重金属不純物除去が極めて効果的に行われるので、
エピタキシャル基体を用いたデバイスは一般に動作特性
が優れていることが知られている。
【０００５】また、太陽電池やエピタキシャル基体への
応用では、しばしば厚さ１０μｍ〜１００μｍのシリコ
ン層が必要とされる。ＣＶＤ法でもこの様な厚さのエピ
タキシャル層を成長することは可能であるが、１バッチ
当りの投入可能枚数が限られる、あるいは１バッチ毎に
装置のメンテナンスが必要となる等、製造上のスループ
ットが低い。
【０００６】製造上のスループット向上のためには、液
相成長法によるシリコン層の成長が有利である。特開平
１０−１８９９２４号公報には、液相成長法による太陽
電池の製造について詳細な開示がある。この技術は太陽
電池ばかりでなく、エピタキシャル基体の製造にも基本
的に応用できるが、現状では成長したシリコン層の欠陥
密度や、少数キャリアライフタイムに改善の余地があっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、従来の技術で
は、インジウム、ガリウム、錫、アルミニウム、銅等の
比較的融点の低い金属を溶解し、この中にシリコン等の
半導体原料を溶かし込んで溶媒（以下、「メルト」と称
する。）を形成し、このメルトの中に基体を浸漬し、溶
けきれなくなった半導体原料を基体上に析出させ結晶を
成長する。厚い膜を高速で成長するには、予め、なるべ
く多くの半導体原料をメルトに溶かすことが必要であ
る。
【０００８】一般に、液体中への固体の溶解度は温度が
高い程大きくなる。そのため、メルトとして使用可能な
金属の中でも、融点が低く高品質なシリコン結晶が成長
できるインジウムを例にとると、メルトの温度がたとえ
ば７５０℃未満では０．１μ／分以上の成長速度を得る
ことが困難で、太陽電池や厚いエピタキシャル層が必要
なエピタキシャル基体の製造に支障を来たす場合もあ
る。大量生産を行うためスループットを上げるには、メ
ルトの温度をたとえば８５０〜１０５０℃とすることが
望ましい。
【０００９】ところで、エピタキシャル基体の製造には
チョクラルスキー（Ｃｚ）法により製造されたシリコン
ウェハが広く使用される。Ｃｚシリコンウェハは、石英
ガラス製の坩堝中でシリコンを１４００℃以上の高温に
し溶融させるという製法のため、不可避的に過剰な酸素
を含む。
【００１０】図７（ａ）は、基体２００に酸素２０１が
含有されている様子を示す断面図である。このように、
基体２００に酸素２０１が含有されると、シリコン結晶
に粘りが出て製造工程中に基体が破損することを防止で
きるという利点がある。また、酸素２０１がゲッタリン
グシンクとして機能し、重金属原子による汚染の悪影響
を低減するともいわれ、また比較的低価格であるなどメ
リットが多い。
【００１１】しかし、Ｃｚシリコンウェハでは、含有さ
れる酸素によりその上に成長したエピタキシャル膜の品
質が低下する場合がある。図８は、面方位（１１１）の
Ｃｚシリコン基体を一定時間熱処理した後、化学エッチ
ングした表面の顕微鏡写真である（志村史夫著、「半導
体シリコン結晶工学」丸善刊、図６．５８より引用）。
図８に示すように、メルトの温度が上昇するにつれて顕
在化する欠陥密度が増加し、７５０℃以上では急激に増
加する。
【００１２】これは、図７（ｂ）に示すように、基体２
００を７５０℃以上の温度のメルトにより処理すると、
基体２００の中に含まれる酸素２０１が析出して欠陥２
０２として顕在化するためである。基体２００表面にあ
らわれた欠陥２０２は半導体層２０３に生じる積層欠陥
２０４の核となり、その上に成長したエピタキシャル膜
は、積層欠陥２０４を多く含むことになる（図７
（ｃ））。
【００１３】積層欠陥２０４は、半導体デバイスの様々
の特性を劣化させることが知られており、太陽電池への
応用にとってもエピタキシャル基体への応用にとっても
極めて有害である。そのため、実用的な成長速度を得よ
うとメルトの温度を高めるとエピタキシャル膜の品質を
犠牲にせざるを得ないという問題があった。
【００１４】また、一般にＣＶＤ装置や液相成長装置の
様な、高温で使用されるエピタキシャル成長装置は、反
応管や坩堝などの主要部が石英ガラスからなるが、これ
らの部材は若干ながら重金属を含む。また電気炉の構成
部材の重金属は、高温度では反応管の管壁を透過すると
もいわれる。
【００１５】さらに、量産用の大型の装置では、強い荷
重の掛かる部材、配管、バルブ類などはステンレスなど
の金属を使用せざるを得ない。そのため、基体が装置に
投入された後、エピタキシャル成長が開始される迄に基
体の表面には、重金属原子などによる汚染が生じる可能
性がある。さらに、時間が経過すると鉄、クロム、銅な
どの重金属原子が凝集し、基体２００の表面にシリサイ
ド等の欠陥４０３が生じる。これを図９（ａ）〜図９
（ｃ）に示す。
【００１６】重金属原子４０１，４０２で汚染された基
体２００に、エピタキシャル成長を行うと、欠陥４０３
が核となってエピタキシャル層４０４に積層欠陥４０５
が生じたり、エピタキシャル層４０４に重金属原子４０
６が拡散することがある（図９（ｄ））。積層欠陥４０
５や拡散した重金属原子４０６はエピタキシャル層４０
４の品質を著しく低下させる。
【００１７】そこで、本発明は、酸素を含む基体であっ
ても、欠陥の非常に少ない半導体層を成長させることを
課題とする。
【００１８】また、本発明は、基体表面が汚染されても
欠陥の非常に少ない半導体層を成長させることを課題と
する。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、酸素が含まれている基体に半導体層を成
長させる液相成長法において、前記酸素による欠陥が前
記基体の表面に１０００個／ｃｍ2未満になるような温
度のメルトに前記基体を接触させることにより第１の半
導体層を成長させる。
【００２０】また、本発明の太陽電池は、上記液相成長
法により作成した第１の半導体層を備える。
【００２１】さらに、本発明のエピタキシャル基体の製
造方法は、上記液相成長法により作成した第１の半導体
層をエピタキシャル層として用いる。
【００２２】また、本発明の半導体基体の製造方法は、
基体上に７５０℃未満の温度で第１の半導体層を液相成
長させる工程と、前記第１の半導体層上に７５０℃以上
の温度で第２の半導体層を液相成長させる工程とを含む
ことを特徴とする。
【００２３】さらに、本発明のエピタキシャル基体の製
造方法では、上記第１の半導体層が形成された基体を、
より高い温度のメルト接触させて、より高速で第２のエ
ピタキシャル層を成長する。
【００２４】さらにまた、本発明の液相成長装置は、メ
ルトを貯める手段と、前記貯められたメルトの温度を変
更する手段と、前記メルトに酸素を含む基体を接触させ
る手段とを備え、前記基体の表面に１０００個／ｃｍ2
未満になるような温度の前記メルトに、前記基体を接触
させることにより第１の半導体層を成長させる。
【００２５】また、本発明の太陽電池は、基体上に７５
０℃未満の温度で第１の半導体層を液相成長させる工程
と、前記第１の半導体層上に７５０℃以上の温度で第２
の半導体層を液相成長させる工程と、前記第２の半導体
層の表面を陽極化成する工程とを含むことにより製造さ
れることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態について説明する。
【００２７】（実施形態１）図１は、本実施形態の液相
成長法の原理図である。図１に示すように、たとえば、
基体１００に酸素１０１が含まれていても、たとえばイ
ンジウム、ガリウム、錫、アルミニウム、銅等の融点の
低い金属溶液に、シリコン（半導体）を含むメルトの温
度をたとえば７５０℃未満にし、基体１００上に第１の
シリコン層１０２を成長させると（図１（ｂ））、基体
１００では酸素１０１による欠陥１０４が顕在化しにく
いので、第１のシリコン層１０２には積層欠陥が生じ難
い。
【００２８】一般に、積層欠陥が「１０００個／ｃ
ｍ2」未満であれば、良質な結晶であると考えられてい
る。このため、積層欠陥が「１０００個／ｃｍ2」未満
となるような温度で、第１のシリコン層１０２を成長さ
せればよい。この温度は、実験の結果７５０℃未満であ
った。下限の温度は、液相成長できれば何度でもよい
が、５００℃以上であることが好ましい。
【００２９】つぎに、たとえば７５０℃以上の温度で第
２のシリコン層１０３を成長させる。こうすれば、シリ
コン層の成長速度を０．１μｍ／分以上とすることがで
き、太陽電池やエピタキシャル層が厚いエピタキシャル
基体の量産も容易に可能となる。
【００３０】基体１００の温度がたとえば７５０℃以上
となると、基体１００内部では酸素１０１による欠陥１
０４が顕在化するが、第１のシリコン層１０２がバッフ
ァー層となり、第２のシリコン層１０３の表面には、欠
陥１０４の影響はあらわれない。
【００３１】また、第１のシリコン層１０２は、一般に
基体１００よりも酸素の含有量が２桁程度少ないので、
第２のシリコン層１０３を成長させるときのメルトの温
度をたとえば７５０℃以上としても、欠陥がほとんど顕
在化しない。上記のような手順により、基体１００に第
１、第２のシリコン層１０２、１０３を成長させるに
は、たとえば、シリコンが飽和状態にあるたとえば７５
０℃未満の温度のメルトと、シリコンが飽和状態にある
たとえば７５０℃以上の温度のメルトとを用意して、こ
れらのメルトに順次基体１００を浸せばよい。
【００３２】図２は、本実施形態の液相成長装置を示す
図である。図２に示すように、石英ガラス又はカーボン
を材料とした坩堝５００に、インジウムや錫等のメルト
５０１を入れる。また、基体１００などを備えられる一
定の間隔で形成された溝を有する基体保持手段５０２に
は、メルト５０１中にシリコンなどを溶かすための溶か
し込み基体５０４及び基体１００を取り付けている。
【００３３】ここで、基体保持手段５０２に形成されて
いる溝の間隔は、たとえば０．５〜１．５ｃｍ程度が好
ましい。１バッチ当りの生産量を向上させるにはこの間
隔は狭い方がよく、またメルトを基体に十分に接触させ
るには、あまり狭すぎない方がよい。これらのことから
実験的に上記のような間隔が好ましいと確認した。
【００３４】基体保持手段５０２は、基体１００及び溶
かし込み基体５０４をメルト５０１中の任意の位置に保
持することができる。また、坩堝５００及び基体保持手
段５０２は、図示しない反応炉中に収められ、酸化を防
ぐため水素気流中に保持される。さらにメルト５０１
は、図示しない電気炉により制御され、たとえば、一定
の温度に保たれる。
【００３５】つづいて、この装置の使用方法について説
明する。まず、図２（ａ）に示すように、基体保持手段
５０２の溝のたとえば最下段に溶かし込み基体５０４を
取り付け、その上の段に基体１００を取り付ける。そし
て、メルト５０１を電気炉によりたとえば７５０℃未満
に保持して、基体１００はメルト５０１に浸からない
が、溶かし込み基体５０４はメルト５０１に浸かる程度
に基体保持手段５０２を下降させる。こうすると、溶か
し込み基体５０４からシリコンがメルト５０１中に溶け
出す。
【００３６】また、メルト５０１のうちシリコン濃度が
高い部分は、他より比重が小さくなるため、メルト５０
１の表面の方へ移動する。そのため、シリコンがメルト
５０１の表面近くに偏在しやすい。そこで、図示しない
メルト撹拌手段により、メルト５０１を十分撹拌して、
メルト５０１全体のシリコン濃度を均一にする。
【００３７】シリコン濃度が均一になった後に、メルト
５０１を５〜３０℃程度冷却する。これにより、メルト
５０１中では、シリコンが過飽和の状態となる。その
後、図２（ｂ）に示すように、基体保持手段５０２を下
降させ、基体１００もメルト５０１に浸かるようにす
る。こうして、基体１００の表面に第１のシリコン層１
０２を成長させる。その後、基体保持手段５０２を上昇
させて、溶かし込み基体５０４をメルト５０１中に残す
ようにして基体１００をメルト５０１の中から引き上げ
る。
【００３８】ここで、第１のシリコン層１０２は、０．
０１μｍ程度の厚さまで成長させればよいので、メルト
５０１の温度が７５０℃未満であっても、第１のシリコ
ン層１０２の成長には、１０分程度しか要しない。
【００３９】つぎに、メルト５０１の温度をたとえば７
５０℃以上、望ましくは８５０〜１０５０℃程度とし
て、溶かし込み基体５０４からメルト５０１中にシリコ
ンを溶出させる。その後、メルト５０１を５〜３０℃程
度冷却して、再度メルト５０１中にシリコンを飽和させ
る。
【００４０】そして、再び基体１００をメルト５０１に
浸し、第２のシリコン層１０３を成長する。メルト５０
１の温度を上げたことに伴い、メルト５０１中のシリコ
ン濃度が高まり、そのためシリコンの成長速度が速ま
る。これにより、１０〜１００μｍの厚さの第２のシリ
コン層１０３を形成するのに要する時間は１時間以内と
なる。
【００４１】なお、第１のシリコン層１０２は、既述の
ようにバッファー層として機能する厚さであればよい
が、好ましくは０．０１μｍ〜１μｍである。
【００４２】（実施形態２）つぎに、酸素の影響のみな
らず、基体１００への重金属汚染の影響も除ける方法に
ついて説明する。
【００４３】図３は、重金属３０２などにより表面が汚
染された基体１００に、たとえばシリコン層を成長させ
る手順を示す図である。また液相成長には実施形態１と
同じく図２に示す装置を使用している。図３（ａ）に示
すように基体１００の表面には、液相成長装置を構成す
る石英管を通じて侵入した金属、又は液相成長装置を構
成する金属部材から揮発した鉄、クロム、銅等の重金属
原子３０２が付着する。
【００４４】そこで、図３（ｂ）に示す様に、この基体
１００を未飽和のメルト５０１に接触させ、重金属３０
２で汚染された表面を溶かし出す。もちろん、このとき
のメルトの温度はたとえば７５０℃未満に維持する。ま
たメルト５０１に含まれるシリコンが過少な状態で基体
１００を接触させると、基体１００から溶け出すシリコ
ンの量が多くなりすぎ、また基体１００の表面が荒れる
ので、予めメルト５０１には適度にシリコンを溶かすの
が望ましい。
【００４５】たとえば、メルト５０１の温度を６００℃
として、溶かし込み基体５０４を浸した後に、溶かし込
み基体５０４をメルト５０１から引き上げ、メルト５０
１の温度を６５０℃にするとよい。こうして、メルト５
０１中にシリコンが飽和していない状態とする。これに
より、基体１００の表面の平滑性を保持することができ
る。
【００４６】その後、基体１００を、７５０℃未満の温
度で過飽和となったメルトに接触させ、図３（ｃ）に示
す様に第１のシリコン層を成長し、次いで温度７５０℃
以上のメルトに接触させることにより、基体１００に含
まれる酸素１０１や重金属原子３０２の影響なく、実質
的に高い成長速度でエピタキシャル成長を行うことがで
きる。
【００４７】（実施形態３）実施形態２によると、第１
のシリコン層の成長前に、基体１００を未飽和のメルト
に接触させた後、成長を開始するまでの間に基体１００
をメルトから引き上げる必要がある。短い時間とはい
え、この間に基体１００の表面が再汚染される可能性が
ある。
【００４８】そこで、本実施形態においては、基体１０
０と溶かし込み基体５０４とを、７５０℃未満の温度で
シリコンが飽和していないメルト５０１に浸し、基体１
００の表面を溶かし出してから、基体１００をメルト５
０１に浸したままメルト５０１の温度を下げ、メルト５
０１中にシリコンが飽和した状態にする。
【００４９】メルト５０１が飽和すると、これに浸した
表面が溶け出した後の基体１００上に、第１のシリコン
層１０２が成長する。このとき、基体１００の表面から
未飽和のメルトに溶け出した重金属が、基体１００の表
面に再度析出するのを防ぐために、溶け出した金属が基
板表面近傍から持ち去られるように十分メルトを撹拌す
るとよい。
【００５０】その後、第１のシリコン層１０２が形成さ
れた基体１００を、７５０℃以上の温度のメルト５０１
に浸し、第２のシリコン層１０３を高速度で成長すれば
よい（図３（ｄ））。このときも若干未飽和のメルト５
０１に浸してから、メルト５０１の温度を下げ成長を行
うことにより、汚染の影響を避けることができる。第１
のシリコン層１０２の厚さが、未飽和のメルト５０１へ
の溶かし出しによって０．０１μｍ以下にならないよう
調整されていれば、このときのメルト５０１の温度が７
５０℃以上になっていても、基体１００に含まれる酸素
１０１の悪影響を避けることができる。
【００５１】（実施形態４）実施形態３によれば、基体
１００に含まれる酸素１０１や、重金属原子３０２の悪
影響を避けることができるが、第１のシリコン層１０２
の成長の後、第２のシリコン層１０３の成長までの間、
基体１００をメルト５０１から一旦引き上げる必要があ
る。工程の簡略化のため、本実施形態においては、基体
１００をメルト５０１に浸し、メルト５０１中のシリコ
ンを飽和状態を維持したまま、メルト５０１の温度を上
げエピタキシャル層の成長を行う。
【００５２】なお、シリコン成長を開始する前に、基体
１００の表面を、シリコンが飽和状態にないメルト５０
１に接触させ、重金属原子３０２をメルト５０１中に溶
出するとさらに効果的である。ただし、この場合にも、
基体１００の表面に一旦シリサイド層が形成されると、
メルトに対して溶解し難くなるため、メルト５０１はな
るべく低温とするのがよい。
【００５３】なぜなら、第１のシリコン層１０２を成長
させた後、一旦メルトから引き上げ、そして再度メルト
中に浸す場合は、引き上げた際に第１のシリコン層１０
２の表面が重金属原子などにより汚染される可能性があ
る。そして、汚染された基体１００を再度メルト中に浸
すと、重金属とシリコンとによりシリサイドが形成さ
れ、シリコン層中に欠陥が発生するおそれがあるからで
ある。
【００５４】すなわち、メルト５０１に全くシリコンが
含まれていない状態で、基体１００を接触させると、基
体１００から溶け出すシリコンの量が多くなりすぎるの
で、予めメルト５０１には適度にシリコンを溶かす。そ
こで、たとえば、メルト５０１の温度を６００℃とし
て、溶かし込み基体５０４を浸した後に、溶かし込み基
体５０４をメルト５０１から引き上げ、メルト５０１の
温度を６５０℃にするとよい。こうして、メルト５０１
中にシリコンが飽和していない状態とする。これによ
り、基体１００の表面の平滑性を担保することができ
る。
【００５５】図３は、重金属３０２などにより表面が汚
染された基体１００に、たとえばシリコン層を成長させ
る手順を示す図である。基体１００の表面には、液相成
長装置を構成する石英管を通じて侵入した金属又は液相
成長装置を構成する金属部材から揮発した鉄、クロム、
銅等の重金属原子３０２が付着して、汚染される場合が
ある。
【００５６】重金属原子３０２は、高温になるとシリコ
ンと反応してシリサイドを形成する。シリサイドが核と
なってエピタキシャル成長した半導体層の中に欠陥を生
じる場合がある。このシリサイドの形成を避けるため
に、シリコン層の成長が始まるまでに、基体１００の温
度をなるべく低くするのがよい。特に、基体１００の酸
素１０１による欠陥１０４を防止することを考慮する
と、基体１００の温度はたとえば７５０℃未満に抑える
ことが望ましい。
【００５７】（実施形態５）つぎに、本実施形態の液相
成長法について説明する。なるべく基体１００をメルト
５０１に浸したまま、メルト５０１中のシリコンを飽和
状態としながら、メルト５０１の温度を上げることが望
ましい。
【００５８】図４は、本実施形態に係る液相成長装置を
示す図である。なお、図２と同様の部材には同一の符号
を付している。溶かし込み基体５０４と基体１００との
対が複数ある場合は、図４のように、溶かし込み基体５
０４と基体１００との裏面どうしを密着させて保持する
と、不要な部分への成長や、不要な部分からの溶出が抑
えられ好都合である。
【００５９】この装置では、まずメルト５０１の温度を
たとえば７５０℃未満に保ち、溶かし込み基体５０４と
基体１００とをメルト５０１中に浸す。このときメルト
５０１はシリコンに対して飽和でも未飽和でもよい。未
飽和の場合は、基体１００の表面近傍のシリコンが溶出
し、表面の重金属原子３０２などによる汚染も除去され
る。
【００６０】やがて、メルト５０１中に溶かし込み基体
５０４の表面からシリコンが溶出し始めるが、シリコン
の濃度が高くなり比重が軽くなった部分は、メルト５０
１の表面の方へ流れる。その結果、基体１００の下面で
は、シリコンの濃度が高まり過飽和となり、シリコン層
の成長が始まる。
【００６１】さらに、坩堝５００の底面に配置された加
熱手段６０５でメルト５０１を加熱すると、その分溶か
し込み基体５０４からのメルト５０１中に溶出するシリ
コンの量が多くなる。一方、メルト５０１の比重差によ
り、相対的にシリコン濃度が高い上、対向する溶かし込
み基体５０４より温度の低い基体１００の表面では過飽
和が維持され成長速度が高まる。
【００６２】時間の経過とともに、メルト５０１の温度
がたとえば７５０℃以上になるが、それまでにシリコン
層が０．０１μｍ以上の厚さで成長していれば、酸素１
０１を起因とする欠陥が顕在化されても、成長するシリ
コン層にその影響はあらわれない。しかも、メルト５０
１の温度を７５０℃とすることによって、成長の速度を
十分高めることができる。そして、第２のシリコン層１
０３が形成された後に、基体保持手段５０２を引き上げ
てシリコン層の成長を終了する。
【００６３】以上、本実施形態等では、メルト５０１と
して、インジウムなどの比較的融点の低い金属を用い、
メルト５０１中に溶出して、基体１００の表面に成長さ
せる半導体層をシリコン層として説明したが、たとえば
半導体層として、これらの組み合わせに限定されるもの
ではなく、他の物質を使用してもよい。
【００６４】また、基体１００の材料をシリコンからな
る場合を例に説明したが、材料はシリコンに限定されな
い。なお、シリコン以外の材料からなる基体を用いる
と、メルト５０１の温度は、上記の例示しているものと
異なるが、要するに、冒頭で説明したように、一般に良
質な結晶といえる表面に顕在化された欠陥が「１０００
個／ｃｍ2」未満とするような温度で第１の半導体層を
成長させればよい。さらに、２つの坩堝のメルト中に溶
かした半導体材料を変更することにより、第１の半導体
層と第２の半導体層とを違う物質により成長させてもよ
い。
【００６５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。
【００６６】［実施例１］図５は、本実施例の液相成長
装置を示す図である。図５に示す装置を用いて、欠陥の
極めて少ないエピタキシャル基体を製造する手法につい
て説明する。なお、図２で説明した部材と同様のものに
は同一の符号を付している。まず、基体１００などを交
換するため、基体保持手段５０２をロードロック室７０
８内に上昇させ、ロードロック室７０８と石英ガラス製
の反応管７０６とを仕切るゲートバルブ７１０を閉じ
た。
【００６７】その後、ガス導入管７１１から窒素を導入
して、ロードロック室７０８内の雰囲気を窒素に置換し
た。そして、基体交換扉７０９を開け、洗浄済みの表面
方位（１００）のｐ+ ６インチφのシリコンからなる基
体１００を基体保持手段５０２に保持した。その後、ガ
ス排気管７１２でロードロック室７０８内を排気しつ
つ、ガス導入管７１１から水素を注入して、ロードロッ
ク室７０８内の雰囲気を水素に置換した。
【００６８】一方、坩堝５００内には、予めたとえば６
００℃で飽和となるまでシリコンを溶かし込んだインジ
ウムからなるメルト５０１を電気炉７０７により加熱し
て６５０℃に保持した。また、メルト５０１や基体１０
０が酸化されるのを防止するため、反応管７０６内をガ
ス排気管７１４にて排気しつつ、ガス導入管７１３より
水素ガスを導入し、反応管７０６内を大気圧程度の圧力
とした。
【００６９】そして、ゲートバルブ７１０を開き、基体
上下機構７０５を作動させ、一旦基体保持手段５０２を
坩堝５００の上の位置まで下降してそのまま保持し、反
応管７０６の温度がメルト５０１と同じ温度になるのを
待った。その後、基体１００及び溶かし込み基体５０４
をメルト５０１に浸し、たとえば５分保持し基体１００
の表面を、若干メルト５０１中に溶出した。
【００７０】その後、一旦基体１００をメルト５０１か
ら引き上げ、そのままの状態で３０分保持し、溶かし込
み基体５０４からシリコンをメルト５０１中に溶かし
た。その間、図示しないメルト撹拌手段でメルト５０１
の撹拌を続け、メルト５０１全体を一様に飽和とした。
【００７１】その後、メルト５０１の温度を、たとえば
−０．５℃／分の割合で徐冷し、過飽和にして、６３５
℃となったところで、再び基体１００及び溶かし込み基
体５０４をメルト５０１に浸し、１０分間放置し、第１
のシリコン層１０２を成長した。再度基体１００及び溶
かし込み基体５０４をメルト５０１から引き上げ、メル
ト５０１を９５０℃とした。
【００７２】この状況で溶かし込み基体５０４のみをメ
ルト５０１に浸し、３０分間保持し溶かし込み基体５０
４からシリコンをメルト中に溶かしだした。その間、基
体保持手段５０２を毎分１０回転させ、基体保持手段５
０２に装着されたメルト撹拌機構によりメルト５０１を
撹拌し、メルト５０１内のシリコンの濃度を均一にし
た。
【００７３】その後、メルト５０１の温度をたとえば−
１℃／分の割合で徐冷して過飽和として、９３５℃とな
ったところ、再び基体１００及び溶かし込み基体５０４
をメルト５０１に浸し、３０分放置して第２のシリコン
層１０３を成長させた。その後、基体保持手段５０２を
ロードロック室７０８に上昇させ、ゲートバルブ７１０
を閉じ、基体１００を冷却し、ガス導入管７１１から窒
素を導入した後、基体交換扉７０９を開けて、液相成長
装置から基体１００を取り出した。
【００７４】こうしてシリコン層を成長させた基体１０
０には、目視ではメルト５０１の残留は認められなかっ
たが、念のため塩酸に１０分浸して残留金属分を除去し
た。
【００７５】そして、成長の終わった基体１００表面の
欠陥を評価するため、ＳＥＣＣＯエッチを行い、欠陥を
ピットとして可視化してから金属顕微鏡で積層欠陥を探
したところ、正方形の特徴ある形態の積層欠陥が１〜２
個／ｃｍ2 程度観察された。
【００７６】また、表面粗さ計により測定した平均の表
面粗さは５ｎｍ以下であった。比較のため、同一の液相
成長装置により、第１のシリコン層１０２を成長させ
ず、第２のシリコン層１０３のみを９３５℃でシリコン
層を成長させた場合には、シリコン層の表面には、積層
欠陥が平均１０3 個／ｃｍ2程度観察された。また表面
粗さは２０ｎｍ程度であった。
【００７７】［実施例２］本実施例においては、まず特
開平１０−１８９９２４号公報に記載された薄膜単結晶
シリコン太陽電池の製造方法を説明し、引き続きこの製
造方法に本発明の方法を適用する例について説明する。
【００７８】図６は、薄膜単結晶シリコン太陽電池の製
造工程の概略図である。まず、比抵抗０．０１Ωｃｍの
ｐ+ 型のシリコンからなる基体８００と、これと同じ大
きさの白金電極（図示せず）とを、５ｃｍの間隔で対向
させ、図示しないテフロン（登録商標）のバットの中に
保持した。
【００７９】この中に、フッ酸とエタノールとの混合液
を満たし、基体８００を陽極として電流を流し陽極化成
を行うと、基体８００の表面に数１００Å程度の太さを
持った微細孔が複雑に絡まりあった多孔質層８０１が形
成された。
【００８０】つづいて、この基体８００を、水素気流雰
囲気中で１０００〜１１００℃に加熱し１０分程度放置
したところ、多孔質層８０１の表面が改質された。この
表面に、ｐ-シリコン層８０２を成長した。
【００８１】このように、基体１００は、実用的な成長
速度を得るには８５０℃以上の温度で成長することが望
ましい。つぎに、ｐ-シリコン層８０２の表面に、リン
を含む拡散剤を塗布し、拡散炉に入れたとえば８００〜
１０００℃程度で窒素雰囲気で熱拡散を行い表面をｎ+
層８０３として半導体接合を形成した。
【００８２】さらに、その表面に銀ペーストを櫛の歯状
のパターンに印刷・焼成して、グリッド電極８０４を形
成した。表面再結合を抑えるために、パッシベーション
層（図示せず）をｎ+ シリコン層８０３の表面に設け
た。この後、ポリカーボネート等の透明な支持部材８０
５を透明接着剤８０６で貼り付けた。
【００８３】つぎに、透明支持部材８０５に基体８００
から引き剥がす様に力を加えると、微細孔の形成によっ
て脆くなった多孔質層８０１が破壊され、ｐ-シリコン
層８０２が基体８００から剥離した。剥離したｐ-シリ
コン層８０２の裏面に、裏面電極８０７を導電性接着剤
８０８で貼り付け、薄膜単結晶シリコン太陽電池とし
た。
【００８４】ｐ-シリコン層８０２が剥離された基体８
００は、表面に残る多孔質層８０１をエッチング等で除
去すると再使用できるので、１枚の基体８００から多数
の薄膜単結晶シリコン太陽電池が製造できた。
【００８５】以上の工程に使用するシリコンからなる基
体８００は、価格はやすいが酸素含有量の高いＣｚ基体
を用いることが多い。前述したとおり、薄膜単結晶シリ
コン太陽電池の製造工程の中には、多孔質層８０１の表
面の改質や熱拡散により、基体８００を８００〜１１０
０程度℃に加熱する工程が含まれるため、１枚のＣｚ基
体を繰り返し使用すると、基体８００中に潜在化してい
た酸素が次第に欠陥として顕在化した。
【００８６】ここで、欠陥が顕在化すると次回の工程で
陽極化成を行った際に、多孔質層８０１が形成されるの
を局所的に妨害し、その上に成長するｐ-シリコン層８
０２に欠陥が生じる。そのため、１枚の基体８００を繰
り返し使用すると、製造される薄膜単結晶シリコン太陽
電池の特性が次第に低下する傾向が見られる。他方で
は、酸素含有量の高いＣｚ基体は単結晶特有の脆さが少
なく、特に、力を加えて多孔質層８０１を破壊し、基体
８００からｐ-シリコン層８０２を引き剥がす際に、基
体８００が破損し難いという長所がある。
【００８７】ここで本実施例を適用したところ、脆さが
少ないというＣｚ基体の特徴を生かしつつ、基体８００
の繰り返し使用による欠陥の増加を抑え、ひいては太陽
電池特性の低下が防止された。すなわち、予めＣｚ基体
の表面に、液相法により酸素濃度が低いｐ+シリコン層
を、欠陥を含まないよう成長しておき、このｐ+シリコ
ン層の中に多孔質層８０１を形成した。
【００８８】つづいて、図５に示す装置を用いて、上記
手順により薄膜単結晶シリコン太陽電池を製造する方法
について説明する。まず基体保持手段５０２をロードロ
ック室７０８内に上昇させ、ゲートバルブ７１０を閉め
た。ロードロック室７０８内の雰囲気を窒素に置換し、
基体交換扉７０９を開け、比抵抗１Ωｃｍの６インチφ
Ｃｚシリコンウェハからなる基体１００を基体保持手段
５０２に保持した。
【００８９】基体保持手段５０２の一番下の位置にはｐ
+ 型の溶かし込み基体５０４が保持されている。坩堝５
００内には予め６００℃で飽和となるまでシリコンを溶
かし込んだインジウムからなるメルト５０１が電気炉７
０７により加熱して６５０℃に保持した。
【００９０】そして、ゲートバルブ７１０を開き、基体
上下機構７０５を作動させ、一旦基体保持手段５０２を
坩堝５００の上の位置で保持し、メルト５０１と同じ温
度になるのを待った。その後、基体１００及び溶かし込
み基体５０４をメルト５０１に浸し、５分保持し基体１
００の表面を、メルト５０１中に溶出した。
【００９１】その後、一旦基体１００をメルト５０１か
ら引き上げ、メルト５０１の温度を７００℃として３０
分保持し、溶かし込み基体５０４からシリコンをメルト
５０１中に溶かした。その間、図示しないメルト撹拌手
段でメルト５０１を撹拌し、メルト５０１を一様に飽和
とした。
【００９２】その後、メルト５０１の温度を、−０．５
℃／分の割合で徐冷して過飽和とし、６８５℃となった
ところで、再び基体１００及び溶かし込み基体５０４を
メルト５０１に浸し、１０分放置し、第１のシリコン層
１０２を成長した。再度基体１００及び溶かし込み基体
５０４をメルト５０１から引き上げ、メルト５０１を１
０００℃とした。
【００９３】この状況で溶かし込み基体５０４のみをメ
ルト５０１に浸し、３０分間保持し溶かし込み基体５０
４からシリコンをメルト中に溶かしだした。その間、基
体保持手段５０２を毎分１０回転させ、基体保持手段５
０２に装着されたメルト撹拌機構によりメルト５０１を
撹拌し、メルト５０１内のシリコンの濃度を均一にし
た。
【００９４】その後、メルト５０１の温度を−１℃／分
の割合で徐冷し過飽和として、９８５℃となったところ
で、再び基体１００及び溶かし込み基体５０４をメルト
５０１に浸し、２時間放置して第２のシリコン層１０３
を成長させた。その後、基体保持手段５０２をロードロ
ック室７０８に上昇させ、ゲートバルブ７１０を閉じ、
第１のシリコン層１０２、第２のシリコン層１０３を積
層した基体８００を取り出した。基体８００には、目視
ではメルト５０１の付着は見られなかったが、念のため
塩酸に１０分浸して残留金属分を除去した。
【００９５】成長したシリコン層はｐ+型で比抵抗はほ
ぼ０．０１Ωｃｍになった。一般に多孔質層８０１を形
成するには、比抵抗０．０１〜０.０２Ωｃｍ程度のｐ+
基体１００が使用されるが、本実施例のように基体その
ものが低抵抗でなくとも、陽極化成反応の起こる基体表
面が所望の抵抗値になっていれば、低価格な比抵抗０.
１〜１０Ωｃｍ程度のｐ-型基体１００が使用できる。
また基体８００は、当初の厚さを増加してから使用する
ので使用可能回数が伸び、コスト面のメリットが多い。
【００９６】つぎに表面にｐ+層を成長した基体８００
の表面に陽極化成と呼ばれる方法で、多孔質層８０１を
形成した。すなわち、まず基体８００とこれと同じ大き
さの白金電極（図示せず）とを、５ｃｍの間隔で対向さ
せ、図示しないテフロンのバットの中に保持し、バット
の中にフッ酸とエタノールとの混合液を満たし、基体８
００を陽極として電流を流すと、基体８００の表面のｐ
+層の中に数１００Å程度の太さを持った微細孔が複雑
に絡まりあった多孔質層８０１が形成された。つづい
て、この基体８００を、水素気流雰囲気中で１０００〜
１１００℃に加熱し１０分程度放置したところ、多孔質
層８０１の表面が改質された。
【００９７】つづいて多孔質層８０１の表面にｐ-シリ
コン層８０２を成長した。その成長には再び図５に示し
た装置を使用した。まず、基体保持手段５０２をロード
ロック室７０８内に上昇させ、ゲートバルブ７１０を閉
めた。ロードロック室７０８内の雰囲気を窒素に置換
し、基体８００を基体保持手段５０２に保持した。
【００９８】坩堝５００内には予め９５０℃で飽和とな
るまでシリコンを溶かし込んだインジウムを保持した。
その後、メルト５０１を−１℃／分の割合で徐冷し過飽
和とし、９３５℃となったところで、再び基体８００を
メルト５０１に浸し、約３０分で厚さ３０μｍのｐ-シ
リコン層８０２を成長した。成長の終わった基体８００
には、目視ではメルト５０１の付着は見られなかった
が、念のため塩酸に１０分浸して残留金属分を除去し
た。成長したシリコン層の比抵抗はほぼ１Ωｃｍであっ
た。
【００９９】以上の様に、ここでも実用的な成長速度を
得るには７５０℃以上の温度で成長することが好まし
い。なお、多孔質層８０１上への成長の場合には、基体
８００に含まれる酸素が７５０℃以上の温度で積層欠陥
の原因になる現象は見られない。多孔質層８０１を形成
した液層成長層には、酸素含有量が少ないためと考えら
れる。
【０１００】つぎに、ｐ-シリコン層８０２の表面に、
リンを含む拡散剤を塗布し、拡散炉に入れたとえば８０
０〜１０００℃程度で窒素雰囲気で熱拡散を行い表面を
ｎ+シリコン層８０３として半導体接合を形成した。
【０１０１】さらに、その表面に銀ペーストを櫛の歯状
のパターンに印刷・焼成して、グリッド電極８０４を形
成した。表面再結合を抑えるために、図示しないパッシ
ベーション層をｎ+シリコン層８０３の表面に設けた。
この後、ポリカーボネート等の透明な支持部材８０５を
透明接着剤８０６で貼り付けた。
【０１０２】つぎに、透明支持部材８０５に基体８００
から引き剥がすように力を加えると、微細孔の形成によ
って脆くなった多孔質層８０１が破壊され、ｐ-シリコ
ン層８０２が基体８００から剥離した。剥離したｐ-シ
リコン層８０２の裏面に、裏面電極８０７を導電性接着
剤８０８で貼り付け、薄膜単結晶シリコン太陽電池とし
た。
【０１０３】ｐ-シリコン層８０２が剥離された基体８
００は、表面に残る多孔質層８０１をエッチング等で除
去すると再使用できるので、１枚の基体８００から多数
の薄膜単結晶シリコン太陽電池が製造できた。
【０１０４】ところで、基体１００としては、低価格だ
が酸素含有量の高いＣｚ基体を用いることが多い。Ｃｚ
基体は単結晶特有の脆さが少なく、特に薄膜単結晶太陽
電池の製造工程において、力を加えて多孔質層８０１を
破壊し、基体８００からｐ-シリコン層８０２を引き剥
がす際に、基体８００が破損し難いという長所もある。
【０１０５】しかし、前述したとおり、薄膜単結晶シリ
コン太陽電池の製造工程の中には、液相成長や熱拡散に
より、基体８００を８００〜１１００℃程度に加熱する
工程が含まれ、その際に基体１００に含まれる酸素が次
第に欠陥として顕在化する。
【０１０６】欠陥が顕在化すると、次回の工程で陽極化
成を行った際に、多孔質層８０１の形成を局所的に妨害
し、その上に成長するｐ-シリコン層８０２に欠陥が生
じる。そのため、１枚の基体１００を繰り返し使用する
と、製造される薄膜単結晶シリコン太陽電池の特性が次
第に低下すると予想される。
【０１０７】しかし、基体８００の製造に本実施形態で
説明した方法を適用した場合には、陽極化成により多孔
質層が形成されるのは、酸素含有量の少ない第２のシリ
コン層１０３であるため、基体１００を繰り返し使用し
ても酸素が原因となる欠陥が生じる恐れがない。
【０１０８】この基体を用いて図６に示した工程を繰り
返して、１０枚の薄膜単結晶シリコン太陽電池を作成し
た。ＡＭ１．５のソーラーシミュレーターを用いてその
変換効率を測定したところ、１回目に作成した太陽電池
で１５．０％、１０回目に作成した太陽電池でも１４．
８％であり、ほとんど低下が見られなかった。
【０１０９】比較のため、比抵抗たとえば０．０１Ωｃ
ｍのｐ+ 型Ｃｚ基体に、事前に液相成長をせず、そのま
ま図６に示した工程により、１０枚の薄膜単結晶シリコ
ン太陽電池を作成した。この場合は１回目に作成した太
陽電池では１４．８％の変換効率が得られたが、１０回
目に作成した太陽電池では１４．０％の変換効率とな
り、低下が見られた。
【０１１０】なお、多孔質層８０１の代わりに、表面に
液相エピタキシャル層を有する基体に、水素イオン注入
層を形成し、そのイオン注入層を剥離に用いてもよい。
水素イオンの注入は、通常のイオン注入の他に、プラズ
マイオン注入を行ってもよい。
【０１１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、酸素に
よる欠陥が基体の表面に１０００個／ｃｍ2未満になる
ような温度のメルトに基体を接触させることにより半導
体層を成長させるため、酸素を含む基体であっても、欠
陥の非常に少ない半導体層を成長させることができる。
【０１１２】また、本発明の液相成長装置は、メルトを
貯める手段と、メルトの温度を変更する手段と、メルト
に酸素を含む基体を接触させる手段とを備え、基体の表
面に１０００個／ｃｍ2未満になるような温度のメルト
に、基体を接触させることにより半導体層を成長させる
ため、酸素を含む基体であっても、欠陥の非常に少ない
半導体層を成長させることができる。
【０１１３】さらに、本発明によると、基体は、半導体
原料が飽和していないメルトに接触させ、その後、半導
体原料に対して金属溶液を飽和させて第１の半導体層を
成長させるため、基体表面が重金属で汚染されても、半
導体成長させる前に汚染を基体から除去するため、欠陥
の非常に少ない半導体層を成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の液相成長法の原理図であ
る。
【図２】図１の基体を作成するための液相成長装置の図
である。
【図３】基体中表面に付着した重金属原子及びそれを除
去する工程の説明図である。
【図４】本発明の実施形態５の液相成長装置の図であ
る。
【図５】本発明の実施例１の液相成長装置の図である。
【図６】本発明の実施例２の薄膜単結晶シリコン太陽電
池の製造工程図である。
【図７】従来の液相成長法による基体の製造工程図であ
る。
【図８】種々の温度の熱処理により基体表面に酸素が欠
陥として顕在化した様子を示す図である。
【図９】従来の基体中表面に重金属原子が付着した状態
でシリコン層を成長させる様子を示す図である。
【符号の説明】
１００，２００，８００ 基体 １０１，２０１ 基体に含有される酸素 １０２ 第１のシリコン層 １０３ 第２のシリコン層 １０４，２０２ 顕在化した欠陥 ２０３ 半導体層 ２０４ 積層欠陥 ３０２，４０１，４０６ 重金属原子 ２０４，４０５ 積層欠陥 ５００ 坩堝 ５０１ メルト ５０２ 基体保持手段 ５０４ 溶かし込み基体 ６０５ 加熱手段 ７０５ 基体上下機構 ７０６ 反応管 ７０７ 電気炉 ７０８ ロードロック室 ７０９ 基体交換扉 ７１０ ゲートバルブ ７１１ ガス導入管 ７１２ ガス排気管 ８０１ 多孔質層 ８０２ ｐ- シリコン層 ８０３ ｎ+ シリコン層 ８０４ グリッド電極 ８０５ 透明支持部材 ８０６ 透明接着材 ８０７ 裏面電極板 ８０８ 導電性接着材

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体上に７５０℃未満の温度で第１の半
    導体層を液相成長させる工程と、 前記第１の半導体層上に７５０℃以上の温度で第２の半
    導体層を液相成長させる工程とを含むことを特徴とする
    半導体基体の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記基体は、チョクラルスキーシリコン
    ウェハからなることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体基体の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の半導体層は、５００℃以上の
    温度で液相成長させることを特徴とする請求項１に記載
    の半導体基体の製造方法。
  4. 【請求項４】 基体上に７５０℃未満の温度で第１の半
    導体層を液相成長させる工程と、 前記第１の半導体層上に７５０℃以上の温度で第２の半
    導体層を液相成長させる工程と、 前記第２の半導体層の表面を陽極化成する工程とを含む
    ことにより製造されることを特徴とする太陽電池。
  5. 【請求項５】 酸素が含まれている基体に半導体層を成
    長させる液相成長法において、 前記酸素による欠陥が前記基体の表面に１０００個／ｃ
    ｍ2未満になるような温度のメルトに前記基体を接触さ
    せることにより第１の半導体層を成長させることを特徴
    とする液相成長法。
  6. 【請求項６】 前記第１の半導体層を、該第１の半導体
    層の表面に前記酸素による欠陥が生じない厚さまで成長
    させた後に、前記メルトの温度を上昇させて、さらに第
    ２の半導体層を成長させることを特徴とする請求項５に
    記載の液相成長法。
  7. 【請求項７】 前記第１の半導体層の厚さは０．０１μ
    ｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の液相成
    長法。
  8. 【請求項８】 前記第１の半導体層は、前記第２の半導
    体層と同じ導電型で、より高濃度にドープされることを
    特徴とする請求項６又は７に記載の液相成長法。
  9. 【請求項９】 前記基体の材質を、シリコンとした場合
    に、前記温度を７５０℃未満とすることを特徴とする請
    求項５に記載の液相成長法。
  10. 【請求項１０】 前記第１の半導体層を、該第１の半導
    体層の表面に前記酸素による欠陥が生じない厚さまで成
    長させた後に、前記基体を前記メルトから取り出して、
    他のメルトに接触させることにより前記第１の半導体層
    上に第２の半導体層を成長させることを特徴とする請求
    項５に記載の液相成長法。
  11. 【請求項１１】 前記基体は、チョクラルスキー法によ
    り製造されたものであることを特徴とする請求項５に記
    載の液相成長法。
  12. 【請求項１２】 請求項５又は６に記載した液相成長法
    により作成した第１の半導体層を備えることを特徴とす
    るエピタキシャル基体の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項５に記載した液相成長法により
    作成した第１の半導体層をエピタキシャル層として用い
    ることを特徴とするエピタキシャル基体の製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項５又は６に記載した液相成長法
    により作成した第１の半導体層上に成長した半導体層を
    備える太陽電池。
  15. 【請求項１５】 前記基体を半導体原料が飽和していな
    いメルトに接触させて、前記基体表面の汚染を除去した
    後に、前記メルトの半導体原料に対して金属溶液を飽和
    させて前記第１の半導体層を成長させることを特徴とす
    る請求項５に記載の液相成長法。
  16. 【請求項１６】 メルトを貯める手段と、前記貯められ
    たメルトの温度を変更する手段と、前記メルトに酸素を
    含む基体を接触させる手段とを備え、前記基体の表面に
    半導体層を成長したときの該半導体層に含まれる積層欠
    陥が１０００個／ｃｍ2未満になるような温度の前記メ
    ルトに、前記基体を接触させることを特徴とする液相成
    長装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１に記載の半導体基体を製造す
    る液相成長装置であって、 シリコンが溶解したメルトを貯める手段と、 前記メルトの温度を変更する手段と、 前記メルトを溶かし込むための半導体材料と前記基体と
    を同時に保持する保持部材と、 前記保持部材を上下に移送する移送手段とを有すること
    を特徴とする液相成長装置。
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