JP2009152569A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 一面に一導電型の第１不純物半導体層、前記第１不純物半導体層に接する電極、及び質量が水素分子よりも重い水素のクラスターイオンを７０％以上含むイオンビームを一面から注入することによって形成される損傷層を有する単結晶半導体基板と、絶縁表面を有する支持基板と、を接合層を介して接着し、
   熱処理を行って、前記損傷層を劈開させることにより、前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離し、前記支持基板上に前記単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を除去し、
   不活性気体及び酸素を含む雰囲気中で、前記単結晶半導体層の劈開面にパルスレーザビームを照射して、前記単結晶半導体層の表面を凹凸化し、
   前記単結晶半導体層の劈開面側に、前記一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成すること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記第２不純物半導体層の上には、前記一導電型の第３不純物半導体層、非単結晶半導体層、及び前記一導電型と逆の導電型の第４不純物半導体層を堆積すること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記不活性気体及び酸素を含む雰囲気における酸素濃度は、０．１体積％乃至２５体積％であること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記パルスレーザビームの照射時に照射領域の前記単結晶半導体層は、２５０℃から６００℃の温度に加熱されていること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記クラスターイオンは、Ｈ₃ ⁺ であること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記損傷層は、前記単結晶半導体基板の表面から１０μｍ未満の深さに形成されること
   を特徴とする光電変換装置の製造方法。