JP2010056543A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
   絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
   前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、
   脱酸素処理を施した後に還元性雰囲気または不活性雰囲気としたチャンバー内において、前記単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射して前記単結晶半導体層の少なくとも表層部を溶融させることにより、前記単結晶半導体層を再単結晶化させ、
   前記単結晶半導体基板として、還元性雰囲気下において１０００℃以上１２５０℃以下で熱処理された単結晶シリコン基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記脱酸素処理として、前記チャンバーにシランガスを用いた処理、または水素ガスを用いた処理を施すことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記チャンバーとして、二重チャンバーを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   フッ素ラジカル処理後に、前記脱酸素処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記レーザー光を照射する前に、前記単結晶半導体層の表面に水素ガス雰囲気下でプラズマ処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記チャンバーは、前記チャンバーの内壁の温度を制御することができるシュラウドで覆われており、前記レーザー光の照射時に、前記シュラウドに冷却した流体を流すことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記脱酸素処理として、モノシランを８ＳＬＭ以上１０ＳＬＭ以下のガス流量で５分以上２０分以下の時間導入し続けることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記不活性雰囲気中の酸素濃度を１００ｐｐｔ未満とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
9. 請求項３において、
   前記二重チャンバーの内側チャンバーを前記還元性雰囲気または前記不活性雰囲気とし、外側チャンバーを前記還元性雰囲気または前記不活性雰囲気とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記レーザー光を照射した後の前記単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を、前記レーザー光を照射する前と同等または前記レーザー光を照射する前より低減することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記レーザー光を照射した後の前記単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。