JP2009212503A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と半導体基板の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と前記単結晶半導体基板の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
半導体基板の表面に熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と前記絶縁膜の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 単結晶半導体基板に熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と前記絶縁膜の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
前記脆化層が形成された側の前記ハロゲンを含む絶縁膜上に第１の絶縁膜を形成し、
バイアス電圧を印加して前記第１の絶縁膜に対して酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
半導体基板の表面に熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記接着させる前に該接着表面にオゾン水洗浄とフッ酸による洗浄を複数回繰り返す表面処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記脆化層の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、Ｈ３ ＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に照射することで、前記脆化層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記ハロゲンを含む絶縁膜は、酸化シリコンを主成分とする絶縁膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記ハロゲンを含む絶縁膜は、ハロゲンの濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記ハロゲンは、塩素であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記ハロゲンは、塩素及びフッ素であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板または太陽電池級シリコン基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
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