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  1. 半導体ウェーハをハロゲンが添加された酸化性雰囲気下で熱酸化処理して前記半導体ウェーハ表面に酸化層を形成し、
    イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを前記半導体ウェーハの一表面に垂直な方向から６°±４°の角度で照射することにより、前記半導体ウェーハに分離層を形成し、
    絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側と、を前記酸化層を間に挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理を行うことにより、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記半導体ウェーハを分離させ、前記絶縁表面を有する基板上に前記酸化層を間に介して半導体層が接合されたＳＯＩ基板と、前記半導体ウェーハから前記半導体層が分離された剥離ウェーハと、を得る工程Ａと、
    前記工程Ａで得られた前記剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、
    前記工程Ｂにより再生処理した前記剥離ウェーハを、工程Ａの半導体ウェーハとして用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  2. イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、前記半導体ウェーハに分離層を形成し、
    絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側と、を重ね合わせて接合し、
    熱処理を行うことにより、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記半導体ウェーハを分離させ、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層が接合されたＳＯＩ基板と、前記半導体ウェーハから前記半導体層が分離された剥離ウェーハと、を得る工程Ａと、
    前記工程Ａで得られた前記剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、
    前記工程Ｂにより再生処理した前記剥離ウェーハを、工程Ａの半導体ウェーハとして用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  3. イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、前記半導体ウェーハに分離層を形成し、
    絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側と、をＣＶＤ法を用いて形成した絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理を行うことにより、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記半導体ウェーハを分離させ、前記絶縁表面を有する基板上に前記絶縁層を間に介して半導体層が接合されたＳＯＩ基板と、前記半導体ウェーハから前記半導体層が分離された剥離ウェーハと、を得る工程Ａと、
    前記工程Ａで得られた前記剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、
    前記工程Ｂにより再生処理した前記剥離ウェーハを、工程Ａの半導体ウェーハとして用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  4. 請求項３において、
    前記絶縁層は、窒素を含有する層と接合層として機能する層との積層構造で形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  5. 請求項３又は請求項４において、
    前記絶縁層を、前記半導体ウェーハの一表面側に形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  6. 請求項３又は請求項４において、
    前記絶縁層を、前記絶縁表面を有する基板に形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  7. 請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
    前記クラスターイオンの照射を、前記半導体ウェーハの一表面に垂直な方向から６°±４°の角度で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記クラスターイオンとしてはＨ３ ＋イオンを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  9. 請求項８において、
    前記Ｈ３ ＋イオンは、前記半導体ウェーハに照射した際に３つのＨ＋イオンまたは３つのＨに分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    前記工程Ａで得られた前記絶縁表面を有する基板上に接合された前記半導体層は、膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記工程Ｂにおける再生処理を、研磨処理、エッチング処理、熱処理、又はレーザビームの照射から選ばれた一或いは複数の方法により行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記剥離ウェーハを再生処理する前記工程Ｂを行った後、再度工程Ａを行い、前記再度行う工程Ａの半導体ウェーハとして、前記剥離ウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  13. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記工程Ａと、前記工程Ｂと、を順に行う工程を１セットとしてｎ回（ｎは２以上の整数）行うことでｎ枚のＳＯＩ基板を製造し、
    前記ＳＯＩ基板の製造に伴い生じる前記剥離ウェーハを、前記工程Ａにおける半導体ウェーハとして（ｎ−１）回用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
    前記絶縁表面を有する基板に、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、またはバリウムホウケイ酸ガラスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
    前記絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側との接合面の一方又は双方に対し、原子ビーム若しくはイオンビームを照射し、又は、プラズマ照射若しくはラジカル処理を行い、前記接合面を活性化した後、前記接合を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
  16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
    前記絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側との接合面の一方又は双方に対し、オゾン添加水、酸素添加水、又は純水で洗浄処理して前記接合面の親水性を増大させた後、前記接合を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
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