JP2010500761A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 界面結合エネルギーを促進するための方法において、
   酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第１の基板及び第２の基板を準備するステップと、
   上記第１の基板の上記酸化シリコン層及び上記第２の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行うステップと、
   上記クリーニングされた酸化シリコン表面を上記第２の基板の上記クリーニングされた表面に対して結合するステップと、
   を含む方法。
2. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   プラズマ浸漬イオン注入処理を行う段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
3. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   上記基板をハロゲン含有ガスに曝す段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
4. 上記ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ_２、Ｆ_２、Ｂｒ_２、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＳＦ_６及びＮＦ_３のうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。
5. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   約５００ボルトより低い高周波バイアス電力を維持する段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
6. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   上記基板表面から５０Åより浅い深さに上記ドライクリーニング処理を制御する段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
7. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   上記基板を、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＮ_２のうちの少なくとも１つを含む不活性ガスに曝す段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
8. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   上記第１の基板及び上記第２の基板の表面から粒子及び／又は汚染物質を除去する段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
9. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
   上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を活性化する段階、
   を含む、請求項１に記載の方法。
10. 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
    上記基板を酸素ガスに曝す段階、
    を含む、請求項１に記載の方法。
11. 上記基板を酸素ガスに曝す段階は、更に、
    上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を酸化する手順と、
    上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を親水性状態へと変更する手順と、
    を含む、請求項１０に記載の方法。
12. 上記クリーニングされた表面を結合するステップは、更に、
    上記結合される基板を約８００℃より高い温度まで加熱する段階、
    を含む、請求項１に記載の方法。
13. 上記第１の基板を上記劈開面に沿って分離するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
14. 上記第２の基板にシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
15. 界面結合エネルギーを促進するための方法において、
    酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第１の基板及び第２の基板を準備するステップと、
    プラズマ浸漬イオン注入リアクタにおいてハロゲン含有ガスを供給することにより、上記酸化シリコン層の表面及び上記第２の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行うステップと、
    上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を活性化するステップと、
    上記酸化シリコン表面を上記第２の基板の表面に対して結合するステップと、
    を含む方法。