JP5340934B2 - シリコン・オン・インシュレータ構造に使用されるプラズマ浸漬イオン注入処理による表面活性化のための方法 - Google Patents
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Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、半導体製造処理及び装置の分野に関し、より特定すると、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造に使用されるプラズマ浸漬イオン注入処理による表面活性化の方法に関する。
Claims (15)
- シリコンオンインシュレータ(SOI)構造を形成するために界面結合エネルギーを促進するための方法において、
酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第1の基板及び第2の基板をプラズマ浸漬イオン注入処理チャンバにおいて準備するステップと、
上記プラズマ浸漬イオン注入処理チャンバ内の上記第1の基板の上記酸化シリコン層、及び上記第2の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行うステップと、
上記クリーニングされた酸化シリコン層を上記第2の基板の上記クリーニングされた表面に対して結合するステップと、
を含む方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記プラズマ浸漬イオン注入処理チャンバにおいて、プラズマ浸漬イオン注入処理を行う段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板をハロゲン含有ガスに曝す段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記ハロゲン含有ガスは、Cl2、F2、Br2、HCl、HBr、SF6及びNF3のうちの少なくとも1つを含む、請求項3に記載の方法。
- 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
500ボルトより低い高周波バイアス電力を維持する段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記ドライクリーニング処理中のイオンの侵入を上記基板表面から50Åより浅い深さに制御する段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板を、Ar、He、Kr、Xe及びN2のうちの少なくとも1つを含む不活性ガスに曝す段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記第1の基板及び上記第2の基板の表面から粒子及び/又は汚染物質を除去する段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記第1の基板及び上記第2の基板の表面を活性化する段階、
を含む、請求項1又は8に記載の方法。 - 上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板を酸素ガスに曝す段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記基板を酸素ガスに曝す段階は、更に、
上記第1の基板及び上記第2の基板の表面を酸化する手順と、
上記第1の基板及び上記第2の基板の表面を親水性状態へと変更する手順と、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 上記クリーニングされた表面を結合するステップは、更に、
上記結合される基板を800℃より高い温度まで加熱する段階、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 上記第1の基板を上記劈開面に沿って分離するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 上記第2の基板にシリコンオンインシュレータ(SOI)構造を形成するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- シリコンオンインシュレータ(SOI)構造を形成するために界面結合エネルギーを促進するための方法において、
酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成された第1の基板及び第2の基板をプラズマ浸漬イオン注入処理チャンバにおいて準備するステップと、
プラズマ浸漬イオン注入処理チャンバにおいてハロゲン含有ガスを供給することにより、上記酸化シリコン層の表面及び上記第2の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行うステップと、
プラズマ浸漬イオン注入処理チャンバにおいて上記酸化シリコン層及び上記第2の基板の表面から粒子及び/又は汚染物質を除去するステップと、
上記第1の基板上の上記酸化シリコン層及び第2の基板の表面を活性化するステップと、
上記ドライクリーニング処理中に粒子を除去しながら、上記酸化シリコン層を上記活性化された第2の基板の表面に対して結合するステップと、
を含む方法。
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