JP2017005201A5 - - Google Patents
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Claims (2)
- シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンのうち少なくとも１種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハの前記イオン注入した表面と、シリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを、該ベースウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行って前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することにより、前記ベースウェーハ上に埋め込み酸化膜層とＳＯＩ層とを有するＳＯＩウェーハを作製し、該ＳＯＩウェーハに対してアルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記剥離熱処理後に、他の熱処理を挟まずに、前記ＳＯＩウェーハのテラス部のシリコン酸化膜上に存在するシリコン薄片を除去する処理を行った後に、前記アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハの製造方法であり、
前記シリコン薄片を除去する処理として、ＨＦを含有する水溶液を用い、前記テラス部のシリコン酸化膜を減厚するエッチングを行う、又は、物理的作用で洗浄を行うことで前記シリコン薄片を除去することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 - 前記シリコン薄片を除去する処理を行った後、前記アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行う前に、前記ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層に犠牲酸化処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
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