JP2013138248A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. （ａ）ガス種を初期基板へ導入することによって薄層を形成して、前記初期基板の残りから膜を分離する弱化層を形成する段階を備え、前記薄層は第１の接触面と称する自由面を有するものであり、
   （ｂ）分子結合によって薄層の第１の接触面を介在基板の面に結合させる段階と、
   （ｃ）初期基板において弱化層で破面を行う段階であって、第２の接触面と称されかつ第１の接触面の反対側の面である薄層の自由面を露出し、前記破面が前記初期基板と前記介在基板とからなるアセンブリに熱処理を行うことを含む段階と、
   （ｄ）ターゲット基板の面を第２の接触面の少なくとも一部と結合させる段階と、
   （ｅ）積層構造を得るために介在基板の少なくとも一部を除去する段階と、を備え、
   段階（ｅ）における前記除去が機械的及び／又は化学的攻撃により実施される、
   ターゲット基板に結合された少なくとも１つの薄層を備えた積層構造を作製する方法。
2. 段階（ｅ）における前記除去が、研磨、及び介在基板の化学的攻撃を含む、請求項１に記載の方法。
3. 化学的攻撃が水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）又はカリ溶液で実施される、請求項２に記載の方法。
4. 段階（ｃ）の後にさらなる熱処理を含む、請求項１に記載の方法。
5. さらなる熱処理は、犠牲酸化によって薄層を薄化するための高温熱処理である、請求項４に記載の方法。
6. 段階（ａ）及び（ｃ）は、薄層及び／又は介在基板の第１の接触面のラフネスが第２の接触面及び／又はターゲット基板のラフネスより小さくなるように実施し、段階ｄ）において結果的に得られた構造は、第２の接触面の少なくとも一部をターゲット基板の面に結合することによって、及び介在基板を除去することによって、介在基板の全て又は一部のその後の除去を可能にすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
7. ターゲット基板は薄層のための一時的な支持体に過ぎず、前記方法における前記段階は全て又はその一部を繰り返し、ターゲット基板は初期基板又は介在基板として扱われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 薄層及び／又は介在基板及び／又はターゲット基板が１つ以上の接触面を有する少なくとも１つの付加層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 段階（ｄ）の前の付加層は、少なくとも１つのコンポーネントの全て又はその一部を備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
10. 付加層は、酸化物又は多結晶シリコン又はアモルファスシリコンから成ることを特徴とする請求項８に記載の方法。
11. 薄層の第１の接触面及び／又は第２の接触面の結合接触は、機械化学的及び／又はイオン研磨、薄層の接触面と、対応する介在基板又はターゲット基板との間への介在層の挿入、熱処理、及び化学的処理を含む処理の中から単独で又は組み合わせて選択される結合接触を可能とする処理を行って形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
12. 段階（ｄ）で実現される薄層の第２の接触面とターゲット基板との結合接触の結合エネルギーは、段階（ｅ）の後のターゲット基板の除去を可能とする、請求項１に記載の方法。
13. 中間段階は段階（ｃ）と段階（ｄ）との間に実施され、薄層の第２の接触面及び／又はターゲット基板に要素を形成することを備え、段階（ｄ）の後に得られる構造は前記要素の存在によって可能となる、請求項１に記載の方法。
14. 中間段階は段階ｄ）の前に実施され、第２の接触面の少なくとも１つの領域を孤立させるためのトリミング作業から成り、段階ｄ）はこれらの領域の少なくとも１つの領域をターゲット基板に結合接触させる、請求項１に記載の方法。
15. 段階（ａ）は、少なくとも１つの材料層（３）で被覆された基板（１）から始めて実施する、請求項１に記載の方法。
16. 段階（ｅ）の後に、段階（ａ）において基板（１）を被覆する材料層（３）を除去する段階を備える請求項１に記載の方法。
17. 初期基板（１）はシリコンから成り、それを被覆する材料層（３）は酸化シリコンから成る、請求項１５又は１６に記載の方法。
18. 段階（ｅ）の終了時に得られる積層構造は、第１の接触面側を薄化する、請求項１に記載の方法。
19. 単結晶シリコンから成る初期基板、単結晶シリコンから成る介在基板、多結晶又は初期基板のシリコンより低質の単結晶シリコンから成るターゲット基板を用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
20. ＳｉＣもしくはＧａＡｓ初期基板、ＳｉＣもしくはＧａＡｓ介在基板、初期基板材料より低質のＳｉＣもしくはＧａＡｓターゲット基板、初期基板を起源とするＳｉＣもしくはＧａＡｓを含む薄層を用いることを特徴とする請求項１に記載の方法。
21. 薄層が、Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＬｉＮｂＯ _３ 、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア及び半導体から成る群から選択された材料の層であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。