JPH04199504A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04199504A JPH04199504A JP33583590A JP33583590A JPH04199504A JP H04199504 A JPH04199504 A JP H04199504A JP 33583590 A JP33583590 A JP 33583590A JP 33583590 A JP33583590 A JP 33583590A JP H04199504 A JPH04199504 A JP H04199504A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関するものである
。
。
第４図は、主としてパワートランジスター、ダイオード
などのディスクリート用として用いられる拡散ウェハの
製造方法を例とした工程フローを示す図であり、図にお
いて、１はシリコン単結晶ウェハ、２は該ウェハの表面
、４は該ウェハの裏面、５は該ウェハの表面に形成され
た不純物の拡散層、６は上記ウェハの研削、研磨により
削られる部分である。
などのディスクリート用として用いられる拡散ウェハの
製造方法を例とした工程フローを示す図であり、図にお
いて、１はシリコン単結晶ウェハ、２は該ウェハの表面
、４は該ウェハの裏面、５は該ウェハの表面に形成され
た不純物の拡散層、６は上記ウェハの研削、研磨により
削られる部分である。
次に半導体ウェハの製造方法について説明する。
まず、第４図（ａ）に示すシリコン単結晶ウェハ１に、
第４図（ｂ）に示すように不純物を拡散させる。
第４図（ｂ）に示すように不純物を拡散させる。
ここで上記不純物拡散方法としては、例えば、拡散炉中
の不純物イオン雰囲気中にウェハを入れ、熱を加えるこ
とにより、ウェハに不純物を拡散する方法や、拡散炉内
にウェハと、不純物源としてのウェハ形状の固形物とを
交互に配置し、熱を加えることにより不純物を拡散させ
ていく方法なとがある。
の不純物イオン雰囲気中にウェハを入れ、熱を加えるこ
とにより、ウェハに不純物を拡散する方法や、拡散炉内
にウェハと、不純物源としてのウェハ形状の固形物とを
交互に配置し、熱を加えることにより不純物を拡散させ
ていく方法なとがある。
このようにして製造される拡散ウェハは、不純物の拡散
工程において、ウェハの表面全体に不純物が拡散するこ
とで、ウェハの裏面４にも不純物の拡散層５が形成され
る。このウェハの裏面４の拡散層はデバイス形成に不要
であるため、予め厚いシリコン単結晶ウェハ１を用意し
、第４図（Ｃ）に示すようにウェハの裏面４よりウェハ
ｌの半分の厚さになるまで、部分６を研削、研磨して削
りおとす。
工程において、ウェハの表面全体に不純物が拡散するこ
とで、ウェハの裏面４にも不純物の拡散層５が形成され
る。このウェハの裏面４の拡散層はデバイス形成に不要
であるため、予め厚いシリコン単結晶ウェハ１を用意し
、第４図（Ｃ）に示すようにウェハの裏面４よりウェハ
ｌの半分の厚さになるまで、部分６を研削、研磨して削
りおとす。
従来の半導体装置の製造方法は、以上のようになされて
おり、実際のウェハの厚みの２倍のウェハを用意し、そ
の半分は研削して屑にしており、またこの研削のだめの
時間か長（かかるという問題点かあった。
おり、実際のウェハの厚みの２倍のウェハを用意し、そ
の半分は研削して屑にしており、またこの研削のだめの
時間か長（かかるという問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シリコン単結晶ウェハを有効に利用でき、従
来の２倍に歩留りを向上することができる半導体装置の
製造方法を得ることを目的とする。
たもので、シリコン単結晶ウェハを有効に利用でき、従
来の２倍に歩留りを向上することができる半導体装置の
製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、２枚の半導体
ウェハを貼り合わせ、所望の表面処理を行い、その後貼
り合わせた２つの半導体ウェハを接合面にて剥離するよ
うにしたものである。
ウェハを貼り合わせ、所望の表面処理を行い、その後貼
り合わせた２つの半導体ウェハを接合面にて剥離するよ
うにしたものである。
また、上記２枚の半導体ウェハを貼り合わせる工程にお
いて、２枚のウェハ間を一Ｓｉ−○−８ｉ−の結合によ
り行って、その接合強度か約５０ｋｇ／ａｉ以下となる
ように形成し、該２枚のウェハを各種の表面処理後、フ
ッ酸溶液の剥離液中で剥離するようにしたものである。
いて、２枚のウェハ間を一Ｓｉ−○−８ｉ−の結合によ
り行って、その接合強度か約５０ｋｇ／ａｉ以下となる
ように形成し、該２枚のウェハを各種の表面処理後、フ
ッ酸溶液の剥離液中で剥離するようにしたものである。
また、上記２枚の半導体ウェハを貼り合わせる工程にお
いて、２枚のウェハのオリエンテーションフラット部（
以下、オリフラ部と称す）をずらせて貼り合わせ、剥離
工程において上記オリフラ部に剥かすための力を加えて
剥離するようにしたものである。
いて、２枚のウェハのオリエンテーションフラット部（
以下、オリフラ部と称す）をずらせて貼り合わせ、剥離
工程において上記オリフラ部に剥かすための力を加えて
剥離するようにしたものである。
Ｃ作用〕
この発明においては、２枚の半導体ウェハを貼り合わせ
て、所望の表面処理を行った後、再び剥離するようにし
たから、一連の表面処理により同じウェハか一度に２枚
できることとなり、これによりウェハを有効に利用でき
、歩留りを２倍に向上させることができる。
て、所望の表面処理を行った後、再び剥離するようにし
たから、一連の表面処理により同じウェハか一度に２枚
できることとなり、これによりウェハを有効に利用でき
、歩留りを２倍に向上させることができる。
また、上記２枚の半導体ウェハの接合を、−５ｉ−０−
Ｓｉ−の結合により行って、その接合強度が約５０ｋｇ
／ｃｎｆ以下となるように形成し、該２枚のウェハを各
種の表面処理後、フッ酸溶液の剥離液中で剥離するよう
にしたので、容易に剥がすことができる。
Ｓｉ−の結合により行って、その接合強度が約５０ｋｇ
／ｃｎｆ以下となるように形成し、該２枚のウェハを各
種の表面処理後、フッ酸溶液の剥離液中で剥離するよう
にしたので、容易に剥がすことができる。
また、上記２枚の半導体ウェハの接合を、２枚のウェハ
のオリフラ部をずらせて貼り合わせるようにし、剥離工
程において上記オリフラ部に剥かすだめの力を加えて剥
離するようにしたので、容易に剥がすことができる。
のオリフラ部をずらせて貼り合わせるようにし、剥離工
程において上記オリフラ部に剥かすだめの力を加えて剥
離するようにしたので、容易に剥がすことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示し、図において、第４図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、３は２枚のウェハの接合界面を示してい
る。
法を示し、図において、第４図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、３は２枚のウェハの接合界面を示してい
る。
第２図は２枚のウェハを貼り合わせた時の接合界面のウ
ェハの結合状態を示すものであり、第１図、第４図と同
一符号は同−又は相当部分を示す。
ェハの結合状態を示すものであり、第１図、第４図と同
一符号は同−又は相当部分を示す。
第３図は２枚のウェハを剥離する方法を示し、図中１１
はシリコン単結晶ウェハ、７は該ウェハ１１と貼り合わ
せるもう１つのシリコン単結晶つエバ、８はウェハ１１
のオリフラ部、９はウェハ７のオリフラ部、１０は両ウ
ェハを剥離処理するためのフッ酸溶液槽である。
はシリコン単結晶ウェハ、７は該ウェハ１１と貼り合わ
せるもう１つのシリコン単結晶つエバ、８はウェハ１１
のオリフラ部、９はウェハ７のオリフラ部、１０は両ウ
ェハを剥離処理するためのフッ酸溶液槽である。
次に半導体ウェハの製造方法について説明する。
２枚の半導体ウェハを貼り合わせる第１の工程では、第
１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、２枚のシリコン単
結晶ウェハをウェハの表面２を外にして重ね合わせる。
１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、２枚のシリコン単
結晶ウェハをウェハの表面２を外にして重ね合わせる。
２枚を貼り合わせるには、後で剥離を行うため、接合強
度を約５０ｋｇ／ｃｆｆｌ以下とする。
度を約５０ｋｇ／ｃｆｆｌ以下とする。
ウェハを貼り合わせる接合界面３は、第２図に示したよ
うに、貼り合わせ面の平坦度を故意に悪くさせ、さらに
ウェハを疎水性処理し、水素基（−Ｈ）を付着させる。
うに、貼り合わせ面の平坦度を故意に悪くさせ、さらに
ウェハを疎水性処理し、水素基（−Ｈ）を付着させる。
次に３００〜８００°Ｃで熱処理することにより、前記
のウェハ表面で水素基（−Ｈ）か付着したシリコン原子
以外にわずかに水酸基（−ＯＨ）か付着したものかあり
、この−ＯＨ同志が水素結合し、第２図に示すように脱
水縮合反応して、−Ｓｉ−０−Ｓｉ−の結合か形成され
る。
のウェハ表面で水素基（−Ｈ）か付着したシリコン原子
以外にわずかに水酸基（−ＯＨ）か付着したものかあり
、この−ＯＨ同志が水素結合し、第２図に示すように脱
水縮合反応して、−Ｓｉ−０−Ｓｉ−の結合か形成され
る。
上記のようにウェハか貼り合わされた後、表面処理を施
す第２の工程として、第１図（Ｃ）に示すように不純物
の拡散処理を行う。この不純物の拡散工程として、例え
ばポロンの拡散の場合、ウェハの形状をしているＰ Ｂ
Ｎ （Ｐｙｒｏｌｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ
） ドーパントとウェハを拡散炉内に交互に配置し、そ
して８５０〜１０００°Ｃの拡散温度でウェハにボロン
を拡散させる。
す第２の工程として、第１図（Ｃ）に示すように不純物
の拡散処理を行う。この不純物の拡散工程として、例え
ばポロンの拡散の場合、ウェハの形状をしているＰ Ｂ
Ｎ （Ｐｙｒｏｌｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ
） ドーパントとウェハを拡散炉内に交互に配置し、そ
して８５０〜１０００°Ｃの拡散温度でウェハにボロン
を拡散させる。
次に第１図（ｄ）に示すように該ウェハの剥離する第３
の工程を行う。このウェハの剥離においては、第３図に
示したように、貼り合わせる際に、予めウェハの結晶方
位を違え、オリフラ部をずらせて貼り合わせる。剥離液
はＨＦ溶液（フッ酸溶液）とし、このフッ酸溶液槽１０
中、オリフラ部で２枚のウェハを剥がすための力を加え
ると、そもそもの接合強度は５０ｋｇ／ａ１以下である
ため、容易に剥がすことができる。
の工程を行う。このウェハの剥離においては、第３図に
示したように、貼り合わせる際に、予めウェハの結晶方
位を違え、オリフラ部をずらせて貼り合わせる。剥離液
はＨＦ溶液（フッ酸溶液）とし、このフッ酸溶液槽１０
中、オリフラ部で２枚のウェハを剥がすための力を加え
ると、そもそもの接合強度は５０ｋｇ／ａ１以下である
ため、容易に剥がすことができる。
そして、その剥離面、即ち２枚のウェハの接合界面３を
研磨する。
研磨する。
このように本実施例によれば、２枚のウェハを貼り合わ
せ、不純物拡散処理を行った後、該つエバを剥離し、研
磨するようにしたので、同じウェハが一度に２枚できる
。また、従来のように研削。
せ、不純物拡散処理を行った後、該つエバを剥離し、研
磨するようにしたので、同じウェハが一度に２枚できる
。また、従来のように研削。
研磨する時間か長くかかるということかなく、又研削、
研磨によりウェハの半分を屑にしてしまうということが
ないのでウェハの有効利用ができ、歩留りを２倍にする
ことかできる。
研磨によりウェハの半分を屑にしてしまうということが
ないのでウェハの有効利用ができ、歩留りを２倍にする
ことかできる。
また、接合強度を約５０ｋｇ／ａ＋ｆ以下となるように
接合し、フッ酸溶液の剥離液中で剥離するようにしたの
で、又２枚のウェハのオリフラ部をずらせて貼り合わせ
、剥離工程において上記オリフラ部に剥がすための力を
加えて剥離するようにしたので、容易に剥離できる。
接合し、フッ酸溶液の剥離液中で剥離するようにしたの
で、又２枚のウェハのオリフラ部をずらせて貼り合わせ
、剥離工程において上記オリフラ部に剥がすための力を
加えて剥離するようにしたので、容易に剥離できる。
なお、上記実施例では、ディスクリ−）ＩＣ用の拡散ウ
ェハの製造方法を示したが、その他の半導体ウェハにつ
いても同様の方法を適用でき、同様の効果か得られる。
ェハの製造方法を示したが、その他の半導体ウェハにつ
いても同様の方法を適用でき、同様の効果か得られる。
また、不純物の拡散方法は上記実施例に限るものではな
く、とのような拡散方法をとってもよい。
く、とのような拡散方法をとってもよい。
以上のように本発明に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、２枚のウェハを貼り合わせ、所望の表面処理を行っ
た後、剥離するようにしたので、ウェハが一度に２枚で
きる。また、従来のように研削、研磨する時間が長くか
かるということがなく、又研削、研磨によりウェハの半
分を屑にしてしまうということがないのてウェハの有効
利用ができ、従来の製造方法に比べ歩留りが向上すると
いう効果がある。
ば、２枚のウェハを貼り合わせ、所望の表面処理を行っ
た後、剥離するようにしたので、ウェハが一度に２枚で
きる。また、従来のように研削、研磨する時間が長くか
かるということがなく、又研削、研磨によりウェハの半
分を屑にしてしまうということがないのてウェハの有効
利用ができ、従来の製造方法に比べ歩留りが向上すると
いう効果がある。
また、上記２枚の半導体ウェハの接合を、−８ｉ−０−
Ｓｉ−の結合により行って、その接合強度か約５０ ｋ
ｇ／ＣｉＥ下となるように形成し、該２枚のウェハを各
種の表面処理後、フッ酸溶液の剥離液中で剥離するよう
にしたので、また２枚のウェハのオリフラ部をずらせて
貼り合わせ、剥離工程において上記オリフラ部に剥がす
ための力を加えて剥離するようにしたので、容易に剥か
すことかできるという効果がある。
Ｓｉ−の結合により行って、その接合強度か約５０ ｋ
ｇ／ＣｉＥ下となるように形成し、該２枚のウェハを各
種の表面処理後、フッ酸溶液の剥離液中で剥離するよう
にしたので、また２枚のウェハのオリフラ部をずらせて
貼り合わせ、剥離工程において上記オリフラ部に剥がす
ための力を加えて剥離するようにしたので、容易に剥か
すことかできるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体ウェハの製造
フローを示す図、第２図は２枚のウエハを貼り合わせた
時の接合界面のウェハの結合状態を示す図、第３図は２
枚のウェハを剥離する方法を示す図、第４図は従来の半
導体ウェハの製造フローを示す図である。 図において、１はウェハ、２はウェハの表面、３は２枚
のウェハの接合界面、４はウェハの裏面、５は不純物の
拡散層、６は研削、研磨する部分、７、】１はウェハ、
８はウェハ１１のオリフラ部、９はウェハ７のオリフラ
部、ｌＯはフッ酸溶液槽である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
フローを示す図、第２図は２枚のウエハを貼り合わせた
時の接合界面のウェハの結合状態を示す図、第３図は２
枚のウェハを剥離する方法を示す図、第４図は従来の半
導体ウェハの製造フローを示す図である。 図において、１はウェハ、２はウェハの表面、３は２枚
のウェハの接合界面、４はウェハの裏面、５は不純物の
拡散層、６は研削、研磨する部分、７、】１はウェハ、
８はウェハ１１のオリフラ部、９はウェハ７のオリフラ
部、ｌＯはフッ酸溶液槽である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体ウェハの一主面側に所定の表面処理を施す
表面処理工程を有する半導体装置の製造方法において、 ２枚の半導体ウェハを貼り合わせる第１の工程と、 貼り合わせた両半導体ウェハの露出表面に各種の表面処
理を施す第２の工程と、 上記貼り合わせた２枚の半導体ウェハを剥離する第３の
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）上記第１の工程において、２枚の半導体ウェハ間
の貼り合わせを、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−の結合により行っ
て、両者間の接合強度が約５０ｋｇ／ｃｍ＾２以下とな
るようにし、 上記第３の工程において、貼り合わせた２枚の半導体ウ
ェハを、フッ酸溶液の剥離液中で剥離することを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - （３）上記第１の工程において、２枚の半導体ウェハの
オリエンテーションフラット部をずらせて貼り合わせ、 上記第３の工程において、半導体ウェハの剥離を、上記
オリエンテーションフラット部に剥離力を加えて行うよ
うにしたことを特徴とする請求項１または請求項２記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33583590A JPH04199504A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33583590A JPH04199504A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199504A true JPH04199504A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18292939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33583590A Pending JPH04199504A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199504A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2823599A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| US7713369B2 (en) | 2001-04-13 | 2010-05-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof |
| KR101027424B1 (ko) * | 2001-05-11 | 2011-04-11 | 크리 인코포레이티드 | 높은 항복 전압을 갖는 반도체 장치를 위한 고저항 실리콘카바이드 기판 |
| CN102945897A (zh) * | 2012-11-10 | 2013-02-27 | 长治虹源科技晶片技术有限公司 | 用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法 |
| JP2013138248A (ja) * | 2000-11-06 | 2013-07-11 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP33583590A patent/JPH04199504A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013138248A (ja) * | 2000-11-06 | 2013-07-11 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 |
| FR2823599A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| WO2002084722A3 (fr) * | 2001-04-13 | 2003-11-06 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demontable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| US7713369B2 (en) | 2001-04-13 | 2010-05-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof |
| KR101027424B1 (ko) * | 2001-05-11 | 2011-04-11 | 크리 인코포레이티드 | 높은 항복 전압을 갖는 반도체 장치를 위한 고저항 실리콘카바이드 기판 |
| CN102945897A (zh) * | 2012-11-10 | 2013-02-27 | 长治虹源科技晶片技术有限公司 | 用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法 |
| CN102945897B (zh) * | 2012-11-10 | 2016-09-07 | 长治虹源科技晶片技术有限公司 | 用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法 |
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