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- ガラス基板に第１の加熱処理を行い、
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、第２の加熱処理を前記ガラス基板の歪み点近傍の温度で行い、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離し、前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成し、
前記第１の加熱処理は前記第２の加熱処理より高い温度で行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - ガラス基板に第１の加熱処理を行い、
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、第２の加熱処理を前記ガラス基板の歪み点±５０℃の範囲における温度で行い、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離し、前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成し、
前記第１の加熱処理は前記第２の加熱処理より高い温度で行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - ガラス基板に第１の加熱処理を行い、
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、第２の加熱処理を５８０℃以上６８０℃以下の温度で行い、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離し、前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成し、
前記第１の加熱処理は前記第２の加熱処理より高い温度で行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成した後、前記ガラス基板及び前記単結晶半導体層に、前記第１の加熱処理より低い温度で第３の加熱処理を行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化シリコン膜を有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成し、前記酸化シリコン膜を形成する温度が前記分離層に添加した元素が離脱しない温度であり、前記第２の加熱処理が、前記分離層に添加した元素が離脱する温度で行われることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化シリコン膜を有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成し、前記酸化シリコン膜を形成する温度が３５０℃以下であり、前記第２の加熱処理が４００℃以上の温度で行われることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化シリコン膜を有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成し、前記有機シランガスに、珪酸エチル、トリメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、トリスジメチルアミノシランから選ばれた一種を用いることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の加熱処理は前記ガラス基板の歪み点乃至歪み点＋５０℃以上の温度で行い、前記第１の加熱処理後に２℃／分以下の速度で前記ガラス基板の歪み点以下の温度まで徐冷することを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の表面から水素イオン種を照射して前記分離層を形成し、前記水素イオン種はＨ ＋ 、Ｈ ２ ＋ 、及びＨ ３ ＋ を含み、前記Ｈ ３ ＋ の割合は５０％以上であることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の表面からフッ素イオンを照射した後に、水素イオンを照射して前記分離層を形成することを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板との接合は、ダイアフラムによって加圧室と試料室とに分けられたチャンバー内で行われ、
前記単結晶半導体基板及び前記ガラス基板は前記試料室に配置され、
前記加圧室と前記試料室を減圧状態とした後、前記加圧室を大気開放して前記ダイアフラムが前記試料室の方に凹むことで前記接合を行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。 - 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の単結晶半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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