JP2015012009A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- ボンドウェーハの表面に、水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面と、ベースウェーハの表面とを直接または絶縁膜を介して貼り合わせた後、熱処理を加えて前記イオン注入層で前記ボンドウェーハの一部を剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記ボンドウェーハおよび／または前記ベースウェーハとして、前記貼り合わせウェーハの製造方法において貼り合わせウェーハを作製する際に副生された剥離ウェーハに、減厚を伴う再生加工を行った再生ウェーハを用い、
前記ボンドウェーハおよび前記ベースウェーハがシリコン単結晶ウェーハからなり、
前記ボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせる前に、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハの厚さを測定し、両ウェーハの厚さの差が５μｍ未満である前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとなる組み合わせを選択して貼り合わせることを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 前記再生ウェーハは、前記減厚を伴う再生加工が２回以上行われたものであることを特徴とする請求項１に記載された貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記再生ウェーハは、前記減厚を伴う再生加工として５μｍ以上の減厚が行われたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記絶縁膜がシリコン酸化膜からなり、前記薄膜がＳＯＩ層であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載された貼り合わせウェーハの製造方法。
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