JP2016046530A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、
   前記酸化物を除去し、
   前記酸化物を除去した後、前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に接する領域を有する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記酸化物の除去は、前記第１の絶縁層の平坦化処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、且つ前記酸化物を除去する工程をｎ回（ｎ≧２）行った後、
   前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に接する領域を有する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   ｎ回目の前記酸化物の除去は、前記第１の絶縁層の平坦化処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項２または請求項４において、
   前記平坦化処理は、化学機械研磨法によって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 基板上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に接する領域を有する絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、
   前記酸化物を除去し、
   前記酸化物を除去した後、前記絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 基板上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に接する領域を有する絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、且つ前記酸化物を除去する工程をｎ回（ｎ≧２）行い、
   前記絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記酸化物は、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記酸化物は、酸化アルミニウムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。