JP2014187166A5 - - Google Patents

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以上の工程により、第２電極６７と第２絶縁膜６９とが露出された平坦な貼合せ面７１を有する第２基板７が、回路基板として作製される。
ここまでの工程は、通常の工程手順で行えばよく、また特に工程手順が限定されることはなく、適宜の手順で行うことができる。ただし、貼り合わせ面となる第２電極６７の形成において、銅（Ｃｕ）の成膜温度は例えば100℃程度に低くし、貼り合わせ後の熱処理温度（例えば400℃）との温度差を可能な限り大きくする。本開示では、次の絶縁性薄膜の成膜、および基板の貼り合わせが特徴的な工程となる。

Claims (13)

  1. 第１電極および第１絶縁膜を露出させた貼合せ面を有する第１基板と、
    前記第１基板の貼合せ面を覆う絶縁性薄膜と、
    第２電極および第２絶縁膜を露出させた貼合せ面を有し、前記貼合せ面と前記第１基板の貼合せ面との間で前記絶縁性薄膜を挟持して貼り合わせられると共に、前記第１電極と当該第２電極が前記絶縁性薄膜の一部を変形・破壊して直接電気的に接続された状態の、前記第１基板に貼り合わせられた第２基板と
    を備える半導体装置。
  2. 前記絶縁性薄膜は酸化膜である
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記絶縁性薄膜は窒化膜である
    請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記絶縁性薄膜は、積層構造である
    請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 前記絶縁性薄膜は、前記各貼合せ面の全面を覆う状態で設けられた後、貼り合わせ面の電極間のみが変形・破壊されている
    請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 前記第１基板の貼合せ面、および前記第２基板の貼合せ面は、平坦化面である
    請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 半導体装置の製造方法において、
    電極および絶縁膜が露出された貼合せ面を有する２枚の基板のうち少なくとも一方の貼合せ面を覆う状態で、絶縁性薄膜を成膜し、
    前記絶縁性薄膜を介して前記２枚の基板の貼合せ面同士を対向配置し、
    前記２枚の基板の電極同士が前記絶縁性薄膜を介して電気的に接続される状態に位置合わせをして、前記２枚の基板を貼り合わせることを行なう
    製造方法。
  8. 貼り合わされた前記２枚の基板を熱処理して、第１電極および第２電極で狭持された絶縁性薄膜を、電極を構成する金属の変形・移動によって破壊し、前記第１電極と前記第２電極同士を直接接触させる
    請求項７に記載の製造方法。
  9. 前記熱処理の温度は、前記第１電極または前記第２電極の少なくとも一方の成膜温度よりも十分低い
    請求項８に記載の製造方法。
  10. 前記２枚の基板の両方に、前記絶縁性薄膜を成膜する
    請求項７に記載の製造方法。
  11. 前記２枚の基板の両方に、同じ材料からなる前記絶縁性薄膜を成膜する
    請求項７から１０のいずれかに記載の製造方法。
  12. 原子層堆積法により前記絶縁性薄膜を成膜する
    請求項７から１１のいずれかに記載の製造方法。
  13. 前記２枚の基板の貼合せ面は、平坦化処理によって形成されている
    請求項７から１２のいずれかに記載の製造方法。
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