JP2006302891A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ａ）導電性銀粉末と、
   ｂ）マンガン含有添加剤と、
   ｃ）軟化点が３００℃から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、
   ｄ）有機媒体中に分散されている
   ことを特徴とする厚膜導電性組成物。
2. 請求項１に記載の組成物は、前記有機媒体が除去されるように、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように、処理されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物を含む基板。
3. 請求項１に記載の組成物は、前記有機媒体が除去されるように、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように処理されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物から形成された電極。
4. ｐ−ｎ接合を有する半導体と、半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から、半導体デバイスを製造する方法であって、（ａ）前記絶縁膜上に、請求項１に記載の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
5. 請求項４に記載の方法によって形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
6. 前記組成物は、前記有機媒体が除去され、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように処理されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物から形成された半導体デバイス。