JP2001118425A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、受光面電極を５００〜６５０
℃で低温焼成する場合において、反射防止膜をファイア
スルーして半導体基板と受光面電極が互いにオーミック
接触し、かつ接着強度を十分に確保することが可能な受
光面電極を形成し得る導電性ペーストを提供することに
ある。 【解決手段】本発明の導電性ペーストは、半導体基板上
に電極を形成するための導電性ペーストであって、Ａ
ｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも１種からなる導電
性粉末と、ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を含有
し、前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１０
０体積％に対して０．４５〜１５．３８体積％であるこ
とを特徴とする。
℃で低温焼成する場合において、反射防止膜をファイア
スルーして半導体基板と受光面電極が互いにオーミック
接触し、かつ接着強度を十分に確保することが可能な受
光面電極を形成し得る導電性ペーストを提供することに
ある。 【解決手段】本発明の導電性ペーストは、半導体基板上
に電極を形成するための導電性ペーストであって、Ａ
ｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも１種からなる導電
性粉末と、ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を含有
し、前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１０
０体積％に対して０．４５〜１５．３８体積％であるこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜電極の形成に
用いられる導電性ペーストに関するもので、特に多結晶
Ｓｉ太陽電池のｎ型半導体層上にオーミック性の受光面
電極を形成するのに適した導電性ペーストに関する。
用いられる導電性ペーストに関するもので、特に多結晶
Ｓｉ太陽電池のｎ型半導体層上にオーミック性の受光面
電極を形成するのに適した導電性ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より結晶系Ｓｉ太陽電池１は、例え
ば図１に示すように、半導体基板２、受光面電極３、反
射防止膜４、裏面電極５とからなり、半導体基板２は、
ｐ型半導体層２ａ、ｎ型半導体層２ｂとからなる。低コ
ストの太陽電池における受光面電極３の形成方法として
は、一般的に厚膜形成法が用いられている。この時、受
光面電極３を形成する材料としては、例えば、空気中で
焼成可能なＡｇ粉末、ガラスフリットおよび各種添加材
料を有機ビヒクルに分散させた導電性ペーストを用いて
いる。受光面電極３は、スクリーン印刷法等により、上
記導電性ペーストをＴｉＯ2、ＳｉＯ2やＳｉＮ等からな
る絶縁性の反射防止膜４上にグリッド状に塗布し乾燥さ
せた後、近赤外炉によって７００〜８５０℃で焼成して
得られる。この時、導電性ペーストに含有されているガ
ラスフリットの作用により反射防止膜４を溶解・除去し
て、受光面電極３とｎ型半導体層２ｂの電気的接触が形
成される。これをファイアスルーという。
ば図１に示すように、半導体基板２、受光面電極３、反
射防止膜４、裏面電極５とからなり、半導体基板２は、
ｐ型半導体層２ａ、ｎ型半導体層２ｂとからなる。低コ
ストの太陽電池における受光面電極３の形成方法として
は、一般的に厚膜形成法が用いられている。この時、受
光面電極３を形成する材料としては、例えば、空気中で
焼成可能なＡｇ粉末、ガラスフリットおよび各種添加材
料を有機ビヒクルに分散させた導電性ペーストを用いて
いる。受光面電極３は、スクリーン印刷法等により、上
記導電性ペーストをＴｉＯ2、ＳｉＯ2やＳｉＮ等からな
る絶縁性の反射防止膜４上にグリッド状に塗布し乾燥さ
せた後、近赤外炉によって７００〜８５０℃で焼成して
得られる。この時、導電性ペーストに含有されているガ
ラスフリットの作用により反射防止膜４を溶解・除去し
て、受光面電極３とｎ型半導体層２ｂの電気的接触が形
成される。これをファイアスルーという。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】多結晶Ｓｉ基板を用い
た太陽電池では、半導体基板の粒界における活性なＳｉ
未結合手が光エネルギーにより生成した電荷担体を電極
に到達する前にトラップするため、単結晶Ｓｉ基板を用
いた太陽電池よりも発電特性が劣る。これを改善する目
的で半導体基板の水素処理がなされる場合がある。この
水素処理を行なった場合、粒界に入り込んだ水素がＳｉ
の未結合手と結合し、未結合手が不活性化される。この
ように水素処理した多結晶Ｓｉ太陽電池に上述のプロセ
スにより７００〜８５０℃で焼成して受光面電極３を形
成すると、半導体基板の結晶粒界の水素が放出されるた
め太陽電池としての発電特性が劣化する。他方７００℃
以下の温度で焼成するとガラスフリットによる十分なフ
ァイアスルー性が発揮されず、ｎ型半導体層２ｂと受光
面電極３との間で電気的接触が得られず、さらに、ｎ型
半導体層２ｂと受光面電極３の接着強度も弱く、後工程
で電極剥がれ等の不具合が生じる。
た太陽電池では、半導体基板の粒界における活性なＳｉ
未結合手が光エネルギーにより生成した電荷担体を電極
に到達する前にトラップするため、単結晶Ｓｉ基板を用
いた太陽電池よりも発電特性が劣る。これを改善する目
的で半導体基板の水素処理がなされる場合がある。この
水素処理を行なった場合、粒界に入り込んだ水素がＳｉ
の未結合手と結合し、未結合手が不活性化される。この
ように水素処理した多結晶Ｓｉ太陽電池に上述のプロセ
スにより７００〜８５０℃で焼成して受光面電極３を形
成すると、半導体基板の結晶粒界の水素が放出されるた
め太陽電池としての発電特性が劣化する。他方７００℃
以下の温度で焼成するとガラスフリットによる十分なフ
ァイアスルー性が発揮されず、ｎ型半導体層２ｂと受光
面電極３との間で電気的接触が得られず、さらに、ｎ型
半導体層２ｂと受光面電極３の接着強度も弱く、後工程
で電極剥がれ等の不具合が生じる。
【０００４】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、半導体基板を水素処理したことによ
り粒界に導入された水素の放出を防ぐために、受光面電
極を５００〜６５０℃で低温焼成する場合において、反
射防止膜をファイアスルーして半導体基板と受光面電極
が互いにオーミック接触し、かつ接着強度を十分に確保
することが可能な導電性ペーストを提供することにあ
る。
くなされたもので、半導体基板を水素処理したことによ
り粒界に導入された水素の放出を防ぐために、受光面電
極を５００〜６５０℃で低温焼成する場合において、反
射防止膜をファイアスルーして半導体基板と受光面電極
が互いにオーミック接触し、かつ接着強度を十分に確保
することが可能な導電性ペーストを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストは、半導体基板上に電極を
形成するための導電性ペーストであって、Ａｇ，Ｃｕお
よびＮｉのうち少なくとも１種からなる導電性粉末と、
ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を含有し、前記ハロ
ゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１００体積％に対
して０．４５〜１５．３８体積％であることを特徴とす
る。
に、本発明の導電性ペーストは、半導体基板上に電極を
形成するための導電性ペーストであって、Ａｇ，Ｃｕお
よびＮｉのうち少なくとも１種からなる導電性粉末と、
ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を含有し、前記ハロ
ゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１００体積％に対
して０．４５〜１５．３８体積％であることを特徴とす
る。
【０００６】また、本発明の導電性ペーストは、半導体
基板上に電極を形成するための導電性ペーストであっ
て、Ａｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも１種からな
る導電性粉末と、ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を
含有し、前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性ペー
スト１００体積％に対して０．１〜３．０体積％である
ことを特徴とする。
基板上に電極を形成するための導電性ペーストであっ
て、Ａｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも１種からな
る導電性粉末と、ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を
含有し、前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性ペー
スト１００体積％に対して０．１〜３．０体積％である
ことを特徴とする。
【０００７】また、本発明の導電性ペースト中に含有す
る前記ハロゲン化物は、フッ化物であることを特徴とす
る。
る前記ハロゲン化物は、フッ化物であることを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明の導電性ペースト中に含有す
る前記ハロゲン化物は、ＢｉＦ3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2の
うち少なくとも１種からなることを特徴とする。
る前記ハロゲン化物は、ＢｉＦ3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2の
うち少なくとも１種からなることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の導電性ペースト中に含有す
る前記ハロゲン化物は、ＰｂＣｌ2であることを特徴と
する。
る前記ハロゲン化物は、ＰｂＣｌ2であることを特徴と
する。
【００１０】また、本発明の導電性ペーストは、前記導
電性ペースト１００体積％のうち２．０体積％以下のガ
ラスフリットを含有することを特徴とする。
電性ペースト１００体積％のうち２．０体積％以下のガ
ラスフリットを含有することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】ハロゲン化物は、ガラスフリット
や酸化物に比べて５００〜６５０℃における活性が高
い。したがって、これを含有した導電性ペーストを焼成
する際の焼成温度を低温化しても十分なファイアスルー
性を発揮し、太陽電池の受光面電極を形成した場合に半
導体基板との間でオーミック接触が得られ、かつ接着強
度も十分に確保することが可能となる。
や酸化物に比べて５００〜６５０℃における活性が高
い。したがって、これを含有した導電性ペーストを焼成
する際の焼成温度を低温化しても十分なファイアスルー
性を発揮し、太陽電池の受光面電極を形成した場合に半
導体基板との間でオーミック接触が得られ、かつ接着強
度も十分に確保することが可能となる。
【００１２】また、ハロゲン化合物の含有量は、導電性
粉末１００体積％に対して０．４５〜１５．３８体積％
であることが好ましい。ハロゲン化物の含有量が０．４
５体積％未満であると、導電性ペーストを焼成する際に
ハロゲン化物のファイアスルー性が十分に発揮されな
い。また、含有量が１５．３８体積％を超えると、焼成
して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇し好ましくな
い。
粉末１００体積％に対して０．４５〜１５．３８体積％
であることが好ましい。ハロゲン化物の含有量が０．４
５体積％未満であると、導電性ペーストを焼成する際に
ハロゲン化物のファイアスルー性が十分に発揮されな
い。また、含有量が１５．３８体積％を超えると、焼成
して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇し好ましくな
い。
【００１３】また、ハロゲン化物の含有量は、導電性ペ
ースト１００体積％に対して０．１〜３．０体積％であ
ることが好ましい。含有量が０．１体積％未満である
と、含有効果が得られない。含有量が３．０体積％を超
えると、焼成して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇
し好ましくない。
ースト１００体積％に対して０．１〜３．０体積％であ
ることが好ましい。含有量が０．１体積％未満である
と、含有効果が得られない。含有量が３．０体積％を超
えると、焼成して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇
し好ましくない。
【００１４】また、ハロゲン化物としては、ＴｉＯ2、
ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる反射防止膜に対する反応性
が高く、ファイアスルー性に優れる材料、例えばＢｉＦ
3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2等のフッ化物、あるいはＰｂＣｌ2
等の塩化物が好ましく、なかでも、ＢｉＦ3はオーミッ
ク接触性に優れ特に好ましい。なお、ＢｉＣｌ3やＺｎ
Ｃｌ2等の一部の塩化物は潮解性を持つため、導電性ペ
ーストがゲル化し、印刷性を損なうため好ましくない。
ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる反射防止膜に対する反応性
が高く、ファイアスルー性に優れる材料、例えばＢｉＦ
3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2等のフッ化物、あるいはＰｂＣｌ2
等の塩化物が好ましく、なかでも、ＢｉＦ3はオーミッ
ク接触性に優れ特に好ましい。なお、ＢｉＣｌ3やＺｎ
Ｃｌ2等の一部の塩化物は潮解性を持つため、導電性ペ
ーストがゲル化し、印刷性を損なうため好ましくない。
【００１５】また、導電性粉末としては、従来より太陽
電池の受光面電極形成に用いられてきた導電性ペースト
を構成する金属粉末、例えばＡｇ、あるいは従来より一
般的な導電性ペーストを構成する金属粉末、例えばＣ
ｕ，Ｎｉ等を適宜選択して用いることができるが、空気
中での焼成が可能であることから、Ａｇを選択すること
が好ましい。
電池の受光面電極形成に用いられてきた導電性ペースト
を構成する金属粉末、例えばＡｇ、あるいは従来より一
般的な導電性ペーストを構成する金属粉末、例えばＣ
ｕ，Ｎｉ等を適宜選択して用いることができるが、空気
中での焼成が可能であることから、Ａｇを選択すること
が好ましい。
【００１６】また、有機ビヒクルとしては、一般に導電
性ペーストや抵抗ペーストのビヒクルとして使用されて
いるもの、例えば、α−テルピネオール溶剤にエチルセ
ルロースを溶解させた粘稠性液体等を適宜用いることで
きる。
性ペーストや抵抗ペーストのビヒクルとして使用されて
いるもの、例えば、α−テルピネオール溶剤にエチルセ
ルロースを溶解させた粘稠性液体等を適宜用いることで
きる。
【００１７】また、本発明の導電性ペーストには、ガラ
スフリットを適宜添加することが好ましく、導電性ペー
ストに対して２．０体積％以下であることが好ましい。
導電性ペーストにガラスフリットを添加することによ
り、焼成して得られる受光面電極と半導体基板との接着
強度が増すが、含有量が２．０体積％を超えると、焼成
して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇し好ましくな
い。ガラスフリットとしては、焼成時に基板との良好な
接着強度を得るために、焼成温度条件の合った低軟化点
ガラス粉末、例えば、Ｂ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｐｂ
−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ
−Ｏ系ガラスフリット等を適宜用いることができる。
スフリットを適宜添加することが好ましく、導電性ペー
ストに対して２．０体積％以下であることが好ましい。
導電性ペーストにガラスフリットを添加することによ
り、焼成して得られる受光面電極と半導体基板との接着
強度が増すが、含有量が２．０体積％を超えると、焼成
して得られる受光面電極の固有抵抗が上昇し好ましくな
い。ガラスフリットとしては、焼成時に基板との良好な
接着強度を得るために、焼成温度条件の合った低軟化点
ガラス粉末、例えば、Ｂ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｐｂ
−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ
−Ｏ系ガラスフリット等を適宜用いることができる。
【００１８】
【実施例】まず、粒径１．０〜３．０μｍのＡｇ粉から
なる導電性粉末と、粒径１．０〜５．０μｍのそれぞれ
ＢｉＦ3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2，ＰｂＣｌ2からなるハロゲ
ン化物と、αテルピネオールに１５．０重量％のエチル
セルロースを溶解させた有機ビヒクルと、Ｐｂ−Ｂ−Ｓ
ｉ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系のガラスフリットを準
備した。
なる導電性粉末と、粒径１．０〜５．０μｍのそれぞれ
ＢｉＦ3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2，ＰｂＣｌ2からなるハロゲ
ン化物と、αテルピネオールに１５．０重量％のエチル
セルロースを溶解させた有機ビヒクルと、Ｐｂ−Ｂ−Ｓ
ｉ−Ｏ系、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系のガラスフリットを準
備した。
【００１９】次に、導電性粉末、有機ビヒクル、ハロゲ
ン化物、ガラスフリットを表１に示す割合で添加し混合
し、これを３本ロールで分散し混練して、それぞれ試料
１〜３６の導電性ペーストを得た。
ン化物、ガラスフリットを表１に示す割合で添加し混合
し、これを３本ロールで分散し混練して、それぞれ試料
１〜３６の導電性ペーストを得た。
【００２０】次に、導電性粉末、有機ビヒクル、ガラス
フリット、添加物を表１に示す割合で添加し混合し、こ
れを３本ロールで分散し混練して、本発明と比較する従
来技術である試料３７〜４２の導電性ペーストを得た。
フリット、添加物を表１に示す割合で添加し混合し、こ
れを３本ロールで分散し混練して、本発明と比較する従
来技術である試料３７〜４２の導電性ペーストを得た。
【００２１】次に、ｎ型半導体層上に反射防止膜を形成
したＳｉウエハを準備し、試料１〜４２の導電性ペース
トをＳｉウエハの反射防止膜上にスクリーン印刷して、
それぞれ試料１〜４２の塗布膜を形成した。
したＳｉウエハを準備し、試料１〜４２の導電性ペース
トをＳｉウエハの反射防止膜上にスクリーン印刷して、
それぞれ試料１〜４２の塗布膜を形成した。
【００２２】次に、塗布膜を形成したＳｉウエハを１５
０℃で５分間乾燥した後、近赤外焼成炉で５５０℃で焼
成し、試料１〜４２の電極を形成した。なお、接触抵
抗、発電特性、接着強度の測定に際して、それぞれ別の
試料１〜４２の電極を作成した。
０℃で５分間乾燥した後、近赤外焼成炉で５５０℃で焼
成し、試料１〜４２の電極を形成した。なお、接触抵
抗、発電特性、接着強度の測定に際して、それぞれ別の
試料１〜４２の電極を作成した。
【００２３】接触抵抗は、長さ１０ｍｍ×巾７ｍｍのＳ
ｉウエハの受光面に、６ｍｍ×２００μｍの電極を６本
を形成し、ＴＬＭ法によって測定した。
ｉウエハの受光面に、６ｍｍ×２００μｍの電極を６本
を形成し、ＴＬＭ法によって測定した。
【００２４】発電特性は、１４ｍｍ角のＳｉウエハの受
光面に巾２００μｍで片側の櫛数が７本からなる櫛形電
極を形成し、Ｓｉウエハの裏面に全面電極を形成して太
陽電池を作製し、ソーラーシュミレーターを用いて、２
５℃、Ａｍ−１．５の条件でＦＦ値を測定した。なお、
ＦＦ値とは、Ｉ−Ｖ特性曲線から求められる曲線因子を
指し、電極の接触抵抗や配線抵抗が高い場合に小さい値
となる。最大値は１．００で、最小値は０となる。
光面に巾２００μｍで片側の櫛数が７本からなる櫛形電
極を形成し、Ｓｉウエハの裏面に全面電極を形成して太
陽電池を作製し、ソーラーシュミレーターを用いて、２
５℃、Ａｍ−１．５の条件でＦＦ値を測定した。なお、
ＦＦ値とは、Ｉ−Ｖ特性曲線から求められる曲線因子を
指し、電極の接触抵抗や配線抵抗が高い場合に小さい値
となる。最大値は１．００で、最小値は０となる。
【００２５】接着強度は、Ｓｉウエハの受光面に２ｍｍ
角の電極を形成して、この電極に導線を半田付けした後
に、導線をＳｉウエハの受光面に対して垂直方向に引張
り、基板から電極を引き剥がすのに要する力を測定し
た。
角の電極を形成して、この電極に導線を半田付けした後
に、導線をＳｉウエハの受光面に対して垂直方向に引張
り、基板から電極を引き剥がすのに要する力を測定し
た。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１から明らかであるように、フッ化物で
あるＢｉＦ3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2をそれぞれ０．１〜
３．０体積％含有した実施例２〜６，９〜１３，１６〜
２０、ならびに塩化物であるＰｂＣｌ2を０．１〜３．
０体積％含有した実施例２３〜２７、さらにガラスフリ
ットを０．５〜３．０体積％含有した実施例２９〜３
１，３３〜３５、塩化物とフッ化物の両ハロゲン化物を
組み合わせた３６は、接触抵抗が０．０１〜０．１５Ω
／ｃｍで低く優れ、発電特性のＦＦ値が０．６６〜０．
８０で高く優れ、接着強度が２．５〜７．０ｋｇｆで実
用的な強度を示した。
あるＢｉＦ3、ＰｂＦ2、ＺｎＦ2をそれぞれ０．１〜
３．０体積％含有した実施例２〜６，９〜１３，１６〜
２０、ならびに塩化物であるＰｂＣｌ2を０．１〜３．
０体積％含有した実施例２３〜２７、さらにガラスフリ
ットを０．５〜３．０体積％含有した実施例２９〜３
１，３３〜３５、塩化物とフッ化物の両ハロゲン化物を
組み合わせた３６は、接触抵抗が０．０１〜０．１５Ω
／ｃｍで低く優れ、発電特性のＦＦ値が０．６６〜０．
８０で高く優れ、接着強度が２．５〜７．０ｋｇｆで実
用的な強度を示した。
【００２８】ハロゲン化物を０．０５体積％含有した実
施例１，８，１５，２２は、接触抵抗が０．７１〜１．
３０Ω／ｃｍと高く劣った。
施例１，８，１５，２２は、接触抵抗が０．７１〜１．
３０Ω／ｃｍと高く劣った。
【００２９】また、ハロゲン化物を５．０体積％含有し
た実施例７，１４，２１，２８は、接着強度は高く優れ
るものの発電特性のＦＦ値が０．４７〜０．５３で何れ
も０．６未満と低く劣った。
た実施例７，１４，２１，２８は、接着強度は高く優れ
るものの発電特性のＦＦ値が０．４７〜０．５３で何れ
も０．６未満と低く劣った。
【００３０】また、ハロゲン化物を含有せずにガラスフ
リットやＢｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4，ＺｎＯといった酸化物を
０．５体積％含有した実施例３７〜４２は、接触抵抗が
０．６５〜１．１３Ω／ｃｍで高く劣り、発電特性のＦ
Ｆ値も０．６を下回り低く劣った。
リットやＢｉ2Ｏ3，Ｐｂ3Ｏ4，ＺｎＯといった酸化物を
０．５体積％含有した実施例３７〜４２は、接触抵抗が
０．６５〜１．１３Ω／ｃｍで高く劣り、発電特性のＦ
Ｆ値も０．６を下回り低く劣った。
【００３１】また、ハロゲン化物を０．５体積％、ガラ
スフリットを３．０体積％含有した実施例３２は、接触
抵抗０．４８Ω／ｃｍで高く劣り、ＦＦ値は０．６を下
回り低く劣った。
スフリットを３．０体積％含有した実施例３２は、接触
抵抗０．４８Ω／ｃｍで高く劣り、ＦＦ値は０．６を下
回り低く劣った。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、受光面電
極を５００〜６５０℃で低温焼成する場合においても、
反射防止膜をファイアスルーして半導体基板と受光面電
極が互いにオーミック接触し、かつ接着強度を十分に確
保することが可能な受光面電極を形成することができ
る。
極を５００〜６５０℃で低温焼成する場合においても、
反射防止膜をファイアスルーして半導体基板と受光面電
極が互いにオーミック接触し、かつ接着強度を十分に確
保することが可能な受光面電極を形成することができ
る。
【図１】本発明に係る一つの実施の形態の導電性ペース
トを用いて受光面電極を形成した多結晶Ｓｉ太陽電池の
断面図である。
トを用いて受光面電極を形成した多結晶Ｓｉ太陽電池の
断面図である。
２ 半導体基板 ３ 受光面電極
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に電極を形成するための導
電性ペーストであって、Ａｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少
なくとも１種からなる導電性粉末と、ハロゲン化物と、
有機ビヒクルと、を含有し、 前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１００体
積％に対して０．４５〜１５．３８体積％であることを
特徴とする導電性ペースト。 - 【請求項２】 半導体基板上に電極を形成するための導
電性ペーストであって、Ａｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少
なくとも１種からなる導電性粉末と、ハロゲン化物と、
有機ビヒクルと、を含有し、 前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性ペースト１０
０体積％のうち０．１〜３．０体積％であることを特徴
とする導電性ペースト。 - 【請求項３】 前記ハロゲン化物は、フッ化物であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導電性
ペースト。 - 【請求項４】 前記ハロゲン化物は、ＢｉＦ3、Ｐｂ
Ｆ2、ＺｎＦ2のうち少なくとも１種からなることを特徴
とする請求項３に記載の導電性ペースト。 - 【請求項５】 前記ハロゲン化物は、ＰｂＣｌ2である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導電
性ペースト。 - 【請求項６】 前記導電性ペースト１００体積％のうち
２．０体積％以下のガラスフリットを含有することを特
徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載の導電性ペ
ースト。
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