JPH0766690B2 - 導電ペ−スト - Google Patents
導電ペ−ストInfo
- Publication number
- JPH0766690B2 JPH0766690B2 JP61242590A JP24259086A JPH0766690B2 JP H0766690 B2 JPH0766690 B2 JP H0766690B2 JP 61242590 A JP61242590 A JP 61242590A JP 24259086 A JP24259086 A JP 24259086A JP H0766690 B2 JPH0766690 B2 JP H0766690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- powder
- weight
- type semiconductor
- electrode
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、導電ペースト、特に、太陽電池セルその他
の半導体pn接合素子のｎ型半導体層上にオーミック電極
を形成するのに適した導電ペーストに関する。
の半導体pn接合素子のｎ型半導体層上にオーミック電極
を形成するのに適した導電ペーストに関する。
（従来の技術） 一般に、太陽電池セルその他の半導体pn接合素子では、
ｎ型半導体層表面にオーミック性電極を形成する材料と
して、Ag粉末及びガラス質フリットを有機質ビヒフルに
分散させてなる導電ペーストを用い、これをスクリーン
印刷等によりグリット状に塗布した後、近赤外線炉に入
れ、650℃前後の比較的低い温度で30分程度の短時間焼
き付けることにより電極が形成されている。
ｎ型半導体層表面にオーミック性電極を形成する材料と
して、Ag粉末及びガラス質フリットを有機質ビヒフルに
分散させてなる導電ペーストを用い、これをスクリーン
印刷等によりグリット状に塗布した後、近赤外線炉に入
れ、650℃前後の比較的低い温度で30分程度の短時間焼
き付けることにより電極が形成されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来の導電ペーストでは、オーミック接
触を取りやすくするため、電極の比抵抗が低くなるよう
にガラス質フリットの添加量を少なくする一方、ドープ
剤を添加しているため、接着強度や耐ハンダ溶出性に劣
るという問題があった。しかも、オーミック接触を取り
易くするためには、電極が接触するｎ型半導体層の最表
層のｎ型不純物濃度を十分に高める必要があるため、半
導体pn接合素子の製造法として、ｐ型半導体基板にｎ型
不純物を拡散させる不純物拡散法を採用しなければなら
ず、ｎ型不純物拡散処理に十分な管理が必要で、生産性
が悪いという問題があった。
触を取りやすくするため、電極の比抵抗が低くなるよう
にガラス質フリットの添加量を少なくする一方、ドープ
剤を添加しているため、接着強度や耐ハンダ溶出性に劣
るという問題があった。しかも、オーミック接触を取り
易くするためには、電極が接触するｎ型半導体層の最表
層のｎ型不純物濃度を十分に高める必要があるため、半
導体pn接合素子の製造法として、ｐ型半導体基板にｎ型
不純物を拡散させる不純物拡散法を採用しなければなら
ず、ｎ型不純物拡散処理に十分な管理が必要で、生産性
が悪いという問題があった。
従って、この発明の主目的は、接着強度や耐ハンダ溶出
性に悪影響を及ぼすドープ剤を使用することなく、また
ｎ型半導体表皮層の不純物濃度に関係なく良好なオーミ
ック性電極を形成できる導電ペーストを提供することに
ある。
性に悪影響を及ぼすドープ剤を使用することなく、また
ｎ型半導体表皮層の不純物濃度に関係なく良好なオーミ
ック性電極を形成できる導電ペーストを提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段） この発明は、前記問題を解決する手段として、ｐ型半導
体基板上に形成されたｎ型半導体層上に電極を形成する
ための導電ペーストであって、Ag粉末59.0〜80.0重量
％、ガラス質フリット1.0〜10.0重量％及び有機質ビヒ
クル10.0〜40.0重量％からなる組成物に、シリカ0.1〜
4.0重量％を含有させてなることを特徴とするｎ型半導
体層上への電極形成用導電ペーストを提供するものであ
る。
体基板上に形成されたｎ型半導体層上に電極を形成する
ための導電ペーストであって、Ag粉末59.0〜80.0重量
％、ガラス質フリット1.0〜10.0重量％及び有機質ビヒ
クル10.0〜40.0重量％からなる組成物に、シリカ0.1〜
4.0重量％を含有させてなることを特徴とするｎ型半導
体層上への電極形成用導電ペーストを提供するものであ
る。
この発明の実施態様においては、前記シリカとして比表
面積が50m2/g以上の無定形シリカ微粉末が使用される。
面積が50m2/g以上の無定形シリカ微粉末が使用される。
この発明において使用するAg粉末としては、平均粒径0.
1〜10μｍ、好ましくは、0.1〜５μｍの粉末が使用され
る。このAg粉末は、サブミクロンの球状粉末およびフレ
ーク状粉末を単独で、あるいは混合して使用できるが、
平均粒径0.1〜0.3μｍの球状Ag粉末と平均粒径1.5〜５
μｍのフレーク状Ag粉末とを重量比1:9〜4:9で混合した
混合物を使用するのが好ましい。
1〜10μｍ、好ましくは、0.1〜５μｍの粉末が使用され
る。このAg粉末は、サブミクロンの球状粉末およびフレ
ーク状粉末を単独で、あるいは混合して使用できるが、
平均粒径0.1〜0.3μｍの球状Ag粉末と平均粒径1.5〜５
μｍのフレーク状Ag粉末とを重量比1:9〜4:9で混合した
混合物を使用するのが好ましい。
ガラス質フリットとしては、焼き付け時に基板との良好
な接着強度を得るために、焼付温度条件に合った低融点
ガラス粉末、例えば、PbO−B2O3系、PbO−B2O3−SiO
2系、Bi2O3−PbO−B2O3−SiO2系ガラス質フリットが使
用される。特に、焼付温度で結晶化せず無定形となるガ
ラス質フリットが好ましい。これは、ガラス質フリット
が結晶化すると、電極の基板への接着強度が弱く、特性
のバラツキが大きくなるからである。また、BiOやZnOそ
の他結晶化し易い成分を含む低融点ガラスを使用しても
良いが、この場合、結晶化温度以下の温度で焼き付ける
必要がある。
な接着強度を得るために、焼付温度条件に合った低融点
ガラス粉末、例えば、PbO−B2O3系、PbO−B2O3−SiO
2系、Bi2O3−PbO−B2O3−SiO2系ガラス質フリットが使
用される。特に、焼付温度で結晶化せず無定形となるガ
ラス質フリットが好ましい。これは、ガラス質フリット
が結晶化すると、電極の基板への接着強度が弱く、特性
のバラツキが大きくなるからである。また、BiOやZnOそ
の他結晶化し易い成分を含む低融点ガラスを使用しても
良いが、この場合、結晶化温度以下の温度で焼き付ける
必要がある。
有機質ビヒクルとしては、一般に導電ペーストや抵抗ペ
ーストのビヒクルとして使用されているもの、例えば、
α−テルピネオール溶剤にエチルセルロースを溶解させ
た粘稠性液体を使用すれば良い。
ーストのビヒクルとして使用されているもの、例えば、
α−テルピネオール溶剤にエチルセルロースを溶解させ
た粘稠性液体を使用すれば良い。
シリカとしては、比表面積が50m2/g以上の微粉末無定形
シリカ、例えば、超微粒子状シリカとして市販のアエロ
ジル（登録商標、日本アエロジル（株））等を使用すれ
ば良い。
シリカ、例えば、超微粒子状シリカとして市販のアエロ
ジル（登録商標、日本アエロジル（株））等を使用すれ
ば良い。
この発明において、導電ペーストの成分組成を前記範囲
に限定したのは次の理由による。
に限定したのは次の理由による。
導電ペーストの主成分であるAg粉末の含有量を59.0〜8
0.0重量％としたのは、Ag粉末が59.0重量％未満では、
導電ペーストを印刷塗布後、焼き付けることにより形成
される電極の膜厚が薄くなり、耐ハンダ溶出性が低下
し、後工程のハンダ付け時にハンダ食われを起こして強
度不良を生じ易く、また、80.0重量％を越えると微粉末
シリカを添加するため、導電ペーストの粘度が高くなり
過ぎて印刷性が悪くなるからである。
0.0重量％としたのは、Ag粉末が59.0重量％未満では、
導電ペーストを印刷塗布後、焼き付けることにより形成
される電極の膜厚が薄くなり、耐ハンダ溶出性が低下
し、後工程のハンダ付け時にハンダ食われを起こして強
度不良を生じ易く、また、80.0重量％を越えると微粉末
シリカを添加するため、導電ペーストの粘度が高くなり
過ぎて印刷性が悪くなるからである。
また、Ag粉末の平均粒径を0.1〜10μｍ、好ましくは、
0.1〜５μｍの粉末とし、特に、平均粒径0.1〜0.3μｍ
の球状Ag粉末と平均粒径1.5〜５μｍのフレーク状Ag粉
末との混合物が好ましいのは次の理由による。即ち、一
般に、導電ペーストはAg粉末の平均粒径が小さくなる
程、低温で焼結密度を向上させることができるが、Ag粉
末の平均粒径が0.1μｍ未満のものだけでは、焼付面が
多孔質となって焼結密度が低下しその比抵抗が高くなる
ため良好なオーミック接触が得られず、またハンダ浸漬
時にハンダ食われを生じる恐れがある。逆に、平均粒径
が10μｍを越えると、電極密度及び耐ハンダ溶出性は向
上するが、焼結密度が低くなり十分な接着強度が得られ
ないからである。
0.1〜５μｍの粉末とし、特に、平均粒径0.1〜0.3μｍ
の球状Ag粉末と平均粒径1.5〜５μｍのフレーク状Ag粉
末との混合物が好ましいのは次の理由による。即ち、一
般に、導電ペーストはAg粉末の平均粒径が小さくなる
程、低温で焼結密度を向上させることができるが、Ag粉
末の平均粒径が0.1μｍ未満のものだけでは、焼付面が
多孔質となって焼結密度が低下しその比抵抗が高くなる
ため良好なオーミック接触が得られず、またハンダ浸漬
時にハンダ食われを生じる恐れがある。逆に、平均粒径
が10μｍを越えると、電極密度及び耐ハンダ溶出性は向
上するが、焼結密度が低くなり十分な接着強度が得られ
ないからである。
なお、球状Ag粉末とフレーク状Ag粉末との混合比を重量
比で1:9〜4:9としたのは、低温での焼結度を向上させる
球状Ag粉末が1:9未満では、強度及び耐ハンダ溶出性の
向上が十分に望めず、また、4:9を越えると、焼結面で
の個別凝集によるアイランドの形成を生じる他、比抵抗
が高くなり耐ハンダ溶出性が低下するからである。
比で1:9〜4:9としたのは、低温での焼結度を向上させる
球状Ag粉末が1:9未満では、強度及び耐ハンダ溶出性の
向上が十分に望めず、また、4:9を越えると、焼結面で
の個別凝集によるアイランドの形成を生じる他、比抵抗
が高くなり耐ハンダ溶出性が低下するからである。
ガラス質フリットの含有量を1.0〜10重量％としたの
は、その含有量が1.0重量％未満では十分な接着強度が
得られず、10.0重量％を越えるとハンダ付け性が低下す
るからである。
は、その含有量が1.0重量％未満では十分な接着強度が
得られず、10.0重量％を越えるとハンダ付け性が低下す
るからである。
また、有機質ビヒクルの含有量を10.0〜40.0重量％とし
たのは、その含有量が10.0重量％未満では、導電ペース
トの粘度が高くなり過ぎて印刷ができなくなり、40.0重
量％を越えると、200μｍ程度の細いライン幅の電極を
形成した場合に、十分な耐ハンダ溶出性を有する膜厚が
得られないからである。
たのは、その含有量が10.0重量％未満では、導電ペース
トの粘度が高くなり過ぎて印刷ができなくなり、40.0重
量％を越えると、200μｍ程度の細いライン幅の電極を
形成した場合に、十分な耐ハンダ溶出性を有する膜厚が
得られないからである。
さらに、シリカの添加量を前記Ag粉末、ガラス質フリッ
ト及び有機質ビヒクルからなる組成物に対し0.1〜4.0重
量％としたのは、シリカの添加量が0.1重量％未満で
は、十分なオーミック接触が得られず、4.0重量％を越
えると、その添加効果が飽和するだけでなく、ハンダ付
け性が悪くなるからである。
ト及び有機質ビヒクルからなる組成物に対し0.1〜4.0重
量％としたのは、シリカの添加量が0.1重量％未満で
は、十分なオーミック接触が得られず、4.0重量％を越
えると、その添加効果が飽和するだけでなく、ハンダ付
け性が悪くなるからである。
（作用） この発明に係る導電ペーストは、シリカ粒子表面のシラ
ノール基（SiOH）がｎ型半導体層表面の酸化被膜と大気
中の水分との反応により形成されるシラノール基との間
に水素架橋結合を生じ、これがオーミック接触を向上さ
せる。特に、美粉末無定形シリカは比表面積が50m2/g以
上と非常に大きいため、微量の添加で電極のハンダ付け
性に悪影響を及ぼすこと無く、ｎ型半導体層表面全体に
渡って水素架橋結合を生じ、これにより電極とｎ型半導
体層表面との間に良好なオーミック接触が得られる。
ノール基（SiOH）がｎ型半導体層表面の酸化被膜と大気
中の水分との反応により形成されるシラノール基との間
に水素架橋結合を生じ、これがオーミック接触を向上さ
せる。特に、美粉末無定形シリカは比表面積が50m2/g以
上と非常に大きいため、微量の添加で電極のハンダ付け
性に悪影響を及ぼすこと無く、ｎ型半導体層表面全体に
渡って水素架橋結合を生じ、これにより電極とｎ型半導
体層表面との間に良好なオーミック接触が得られる。
従って、この発明に係る導電ペーストは、ｎ型半導体表
皮層の不純物濃度に関係無くオーミック接触を可能にす
るため、半導体pn接合素子としてはｐ型半導体基板上に
ｎ型不純物を拡散法により拡散してｎ型半導体層を形成
したものに限らず、ｐ型半導体基板上にイオン注入法に
よりｎ型半導体層を形成したものにも適用できる。この
場合、不純物拡散層の厚さは、約0.1〜0.5μｍあれば良
い。
皮層の不純物濃度に関係無くオーミック接触を可能にす
るため、半導体pn接合素子としてはｐ型半導体基板上に
ｎ型不純物を拡散法により拡散してｎ型半導体層を形成
したものに限らず、ｐ型半導体基板上にイオン注入法に
よりｎ型半導体層を形成したものにも適用できる。この
場合、不純物拡散層の厚さは、約0.1〜0.5μｍあれば良
い。
なお、太陽電池セルの受光面側電極形成材料として使用
する場合、受光面となるｎ型半導体層表面がポリッシュ
タイプ（鏡面型）であれば、グリッド電極の形成前又は
形成後にTiO2などの反射防止膜を形成する必要がある
が、ｎ型半導体層表面がテクスチャータイプの場合は、
反射防止膜の形成は必ずしも必要としない。
する場合、受光面となるｎ型半導体層表面がポリッシュ
タイプ（鏡面型）であれば、グリッド電極の形成前又は
形成後にTiO2などの反射防止膜を形成する必要がある
が、ｎ型半導体層表面がテクスチャータイプの場合は、
反射防止膜の形成は必ずしも必要としない。
（実施例） 以下、この発明の導電ペーストを太陽電池セルの格子状
電極形成材料として使用した実施例について説明する。
電極形成材料として使用した実施例について説明する。
球状Ag粉末とフレーク状Ag粉末とを重量比3:7の割合で
配合したAg粉末と、融点が550℃のPbO−SiO2−B2O3系の
ガラス質フリット又は融点が600℃のBi2O3−PbO−SiO2
−B2O3系ガラス質フリットと、α−テレピネオール溶剤
にエチルセルロースを溶解させて調製した有機質ビヒク
ルと、微粉末シリカとを第１表に示す割合で秤量して十
分に混練し、導電ペーストを調製した。
配合したAg粉末と、融点が550℃のPbO−SiO2−B2O3系の
ガラス質フリット又は融点が600℃のBi2O3−PbO−SiO2
−B2O3系ガラス質フリットと、α−テレピネオール溶剤
にエチルセルロースを溶解させて調製した有機質ビヒク
ルと、微粉末シリカとを第１表に示す割合で秤量して十
分に混練し、導電ペーストを調製した。
なお、試料番号12、13については融点が550℃のPbO−Si
O2−B2O3系のガラス質フリットを用い、それ以外の試料
については、融点が600℃のBi2O3−PbO−SiO2−B2O3系
のものを用いた。また、微粉末無定形シリカは、試料番
号８及び９については比表面積が130m2/gのものを用
い、それ以外の試料については比表面積が200m2/gのも
のを使用した。
O2−B2O3系のガラス質フリットを用い、それ以外の試料
については、融点が600℃のBi2O3−PbO−SiO2−B2O3系
のものを用いた。また、微粉末無定形シリカは、試料番
号８及び９については比表面積が130m2/gのものを用
い、それ以外の試料については比表面積が200m2/gのも
のを使用した。
次に、第１図に示す直径４インチ（10.16cm）のpn接合
型シリコンウエハ２のｐ型半導体層2aの表面に、裏側電
極となるAg−Al導電ペーストを全面に塗布する一方、５
〜15μｍの表面荒さとなるように処理を施したｎ型半導
体層2bのテクスチャー表面に、第１表に示す成分組成の
導電ペーストをライン幅200μｍ、ライン間隔5mmで格子
状にスクリーン印刷した後、近赤外線炉を用いて700℃
で４分間焼き付けて、第１図の太陽電池セル１を得た。
図中、３は受光面側格子状電極、４は裏側電極、５は反
射防止膜、６は集電部である。
型シリコンウエハ２のｐ型半導体層2aの表面に、裏側電
極となるAg−Al導電ペーストを全面に塗布する一方、５
〜15μｍの表面荒さとなるように処理を施したｎ型半導
体層2bのテクスチャー表面に、第１表に示す成分組成の
導電ペーストをライン幅200μｍ、ライン間隔5mmで格子
状にスクリーン印刷した後、近赤外線炉を用いて700℃
で４分間焼き付けて、第１図の太陽電池セル１を得た。
図中、３は受光面側格子状電極、４は裏側電極、５は反
射防止膜、６は集電部である。
得られた各太陽電池セルについて、そのフィル・ファク
ター（FF）、並びに格子状電極のハンダ付け性、耐ハン
ダ溶出性及び接着強度を調べた。その結果を第２表に示
す。
ター（FF）、並びに格子状電極のハンダ付け性、耐ハン
ダ溶出性及び接着強度を調べた。その結果を第２表に示
す。
なお、フィル・ファクター（FF）は、電極焼き付け後、
反射防止膜処理をせずハンダ浸漬後の状態で測定した。
反射防止膜処理をせずハンダ浸漬後の状態で測定した。
第２表の結果から明らかなように、この発明に係る導電
ペースト、即ち、試料番号２、５〜８、10、11、13の導
電ペーストを用いて格子状電極を形成した太陽電池セル
は、フィルファクターが0.7以上と従来のものに比べて
著しく向上している。
ペースト、即ち、試料番号２、５〜８、10、11、13の導
電ペーストを用いて格子状電極を形成した太陽電池セル
は、フィルファクターが0.7以上と従来のものに比べて
著しく向上している。
また、この発明に係る導電ペーストで形成した電極は50
0g以上の接着強度を示し、モジュールに組み込むときに
リード線に加わる力に十分対応でき、ライフ特性上も接
着不良の故障を起こす恐れが無いことが判る。
0g以上の接着強度を示し、モジュールに組み込むときに
リード線に加わる力に十分対応でき、ライフ特性上も接
着不良の故障を起こす恐れが無いことが判る。
（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ハ
ンダ付け性を損なうことなく、十分な接着強度を有する
オーミック性電極を形成でき、しかも、太陽電池のフィ
ルファクターを従来の0.5程度から0.7以上に向上させる
ことができる。これは、エネルギ変換効率に換算し５〜
６％台から商業上の採算ライン（約12％）を越える14〜
15％台に向上した、即ち、約３倍に向上したことを意味
し、従って、太陽電池の実用性を著しく高めることがで
きる。
ンダ付け性を損なうことなく、十分な接着強度を有する
オーミック性電極を形成でき、しかも、太陽電池のフィ
ルファクターを従来の0.5程度から0.7以上に向上させる
ことができる。これは、エネルギ変換効率に換算し５〜
６％台から商業上の採算ライン（約12％）を越える14〜
15％台に向上した、即ち、約３倍に向上したことを意味
し、従って、太陽電池の実用性を著しく高めることがで
きる。
また、この発明に係る導電ペーストは、ｎ型不純物の濃
度に左右されることなくｎ型半導体層上にオーミック性
電極を形成できるので、pn接合型半導体ウエハの製造に
量産性に優れたイオン注入法の採用を可能にし、従っ
て、太陽電池等のコストの低減化を可能にするなど、優
れた効果が得られる。
度に左右されることなくｎ型半導体層上にオーミック性
電極を形成できるので、pn接合型半導体ウエハの製造に
量産性に優れたイオン注入法の採用を可能にし、従っ
て、太陽電池等のコストの低減化を可能にするなど、優
れた効果が得られる。
第１図はこの発明に係る導電ペーストを適用した太陽電
池セルの平面図、第２図は第１図のII−II線に於ける拡
大断面図である。 １……太陽電池セル、２……シリコンウエハ、2a……ｐ
型半導体層、2b……ｎ型半導体層、３……受光面側格子
状電極、４……裏側電極、５……反射防止膜、６……集
電部。
池セルの平面図、第２図は第１図のII−II線に於ける拡
大断面図である。 １……太陽電池セル、２……シリコンウエハ、2a……ｐ
型半導体層、2b……ｎ型半導体層、３……受光面側格子
状電極、４……裏側電極、５……反射防止膜、６……集
電部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04
Claims (2)
- 【請求項１】ｐ型半導体基板上に形成されたｎ型半導体
層上に電極を形成するための導電ペーストであって、Ag
粉末59.0〜80.0重量％、ガラス質フリット1.0〜10.0重
量％及び有機質ビヒクル10.0〜40.0重量％からなる組成
物に、シリカ0.1〜4.0重量％を含有させてなることを特
徴とする導電ペースト。 - 【請求項２】前記シリカが50m2/g以上の比表面積を有す
る無定形シリカ微粉末である特許請求の範囲第１項記載
の導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242590A JPH0766690B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 導電ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242590A JPH0766690B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396809A JPS6396809A (ja) | 1988-04-27 |
| JPH0766690B2 true JPH0766690B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17091313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61242590A Expired - Lifetime JPH0766690B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 導電ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766690B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3254044B2 (ja) * | 1993-06-16 | 2002-02-04 | ナミックス株式会社 | 太陽電池用電極 |
| JP3484983B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2004-01-06 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及びガラス回路基板 |
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP2003133567A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 |
| JP3926822B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2007-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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-
1986
- 1986-10-13 JP JP61242590A patent/JPH0766690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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