JPS6396809A - 導電ペ−スト - Google Patents
導電ペ−ストInfo
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、導電ペースト、特に、太陽電池セルその他
の半導体ｐｎ接合素子のｎ型半導体層上にオーミック電
極を形成するのに適した導電ペーストに関する。
の半導体ｐｎ接合素子のｎ型半導体層上にオーミック電
極を形成するのに適した導電ペーストに関する。
（従来の技術）
一般に、太陽電池セルその他の半導体ｐｎ接合素子では
、口型半導体層表面にオーミック性電極を形成する材料
として、Ａｇ粉末及びガラス質フリットを有機質ビヒフ
ルに分散させてなる導電ペーストを用い、これをスクリ
ーン印刷等によりグリッド状に塗布した後、近赤外線炉
に入れ、６５０℃前後の比較的低い温度で３０分程度の
短時間焼き付けることにより電極が形成されている。
、口型半導体層表面にオーミック性電極を形成する材料
として、Ａｇ粉末及びガラス質フリットを有機質ビヒフ
ルに分散させてなる導電ペーストを用い、これをスクリ
ーン印刷等によりグリッド状に塗布した後、近赤外線炉
に入れ、６５０℃前後の比較的低い温度で３０分程度の
短時間焼き付けることにより電極が形成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の導電ペーストでは、オーミック接
触を取りやすくするため、電極の比抵抗が低くなるよう
にガラス質フリットの添加量を少なくする一方、ドープ
剤を添加しているため、接着強度や耐ハンダ溶出性に劣
るという問題があった。しかも、オーミック接触を取り
易くするためには、電極が接触するｎ型半導体層の最表
層のｎ型不純物濃度を十分に高める必要があるため、半
導体ｐｎ接合素子の製造法として、ｐ型半導体基板にｎ
型不純物を拡散させる不純物拡散法を採用しなければな
らず、ｎ型不純物拡散処理に十分な管理が必要で、生産
性が悪いという問題があった。
触を取りやすくするため、電極の比抵抗が低くなるよう
にガラス質フリットの添加量を少なくする一方、ドープ
剤を添加しているため、接着強度や耐ハンダ溶出性に劣
るという問題があった。しかも、オーミック接触を取り
易くするためには、電極が接触するｎ型半導体層の最表
層のｎ型不純物濃度を十分に高める必要があるため、半
導体ｐｎ接合素子の製造法として、ｐ型半導体基板にｎ
型不純物を拡散させる不純物拡散法を採用しなければな
らず、ｎ型不純物拡散処理に十分な管理が必要で、生産
性が悪いという問題があった。
従って、この発明の主目的は、接着強度や耐ハンダ溶出
性に悪影響を及ぼすドープ剤を使用することなく、また
ｎ型半導体表皮層の不純物濃度に関係なく良好なオーミ
ック性電極を形成できる導電ペーストを提供することに
ある。
性に悪影響を及ぼすドープ剤を使用することなく、また
ｎ型半導体表皮層の不純物濃度に関係なく良好なオーミ
ック性電極を形成できる導電ペーストを提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、前記問題を解決する手段として、ｐ型半導
体基板上に形成されたｎ型半導体層上に電極を形成する
ための導電ペーストであって、Ａｇ粉末５９０〜８０．
０重量％、ガラス質フリット１．０〜１０．０重量％及
び有機質ビヒクル１０゜０〜４０．０重量％からなる組
成物に、シリカ０゜１〜４．０重量％を含有させてなる
ことを特徴とするｎ型半導体層上への電極形成用導電ペ
ーストを提供するものである。
体基板上に形成されたｎ型半導体層上に電極を形成する
ための導電ペーストであって、Ａｇ粉末５９０〜８０．
０重量％、ガラス質フリット１．０〜１０．０重量％及
び有機質ビヒクル１０゜０〜４０．０重量％からなる組
成物に、シリカ０゜１〜４．０重量％を含有させてなる
ことを特徴とするｎ型半導体層上への電極形成用導電ペ
ーストを提供するものである。
この発明の実施態様においては、前記シリカとして比表
面積が５０ｍ”７ｇ以上の無定形シリカ微粉末が使用さ
れる。
面積が５０ｍ”７ｇ以上の無定形シリカ微粉末が使用さ
れる。
この発明において使用するＡｇ粉末としては、平均粒径
０．１−１０μｍ、好ましくは、０．１〜５μｍの粉末
が使用される。このＡｇ粉末は、サブミクロンの球状粉
末およびフレーク状粉末を単独で、あるいは混合して使
用できるが、平均粒径Ｏ１１〜０．３μｍの球状Ａｇ粉
末と平均粒径１．５〜５μｍのフレーク状Ａｇ粉末とを
重量比１：９〜４：９で混合した混合物を使用するのが
好ましい。
０．１−１０μｍ、好ましくは、０．１〜５μｍの粉末
が使用される。このＡｇ粉末は、サブミクロンの球状粉
末およびフレーク状粉末を単独で、あるいは混合して使
用できるが、平均粒径Ｏ１１〜０．３μｍの球状Ａｇ粉
末と平均粒径１．５〜５μｍのフレーク状Ａｇ粉末とを
重量比１：９〜４：９で混合した混合物を使用するのが
好ましい。
ガラス質フリットとしては、焼き付は時に基板との良好
な接着強度を得るために、焼付温度条件に合った低融点
ガラス粉末、例えば、ＰｂＯＢ２Ｏ２系、Ｐｂ０−Ｂｔ
Ｏ＋−８ｉｆｔ系、ＢｉｔＯａ−ＰｂＯ−ＢｉＯ３−５
ｉｆｔ系ガラス質フリツトが使用される。特に、焼付温
度で結晶化せず無定形となるガラス質フリットが好まし
い。これは、ガラス質フリットが結晶化すると、電極の
基板への接着強度が弱く、特性のバラツキが大きくなる
からである。また、ＢｉＯやＺｎＯその他結晶化し易い
成分を含む低融点ガラスを使用しても良いが、この場合
、結晶化温度以下の温度で焼き付ける必要があ有機質ビ
ヒクルとしては、一般に導電ペーストや抵抗ペーストの
ビヒクルとして使用されているもの、例えば、α−テル
ピネオール溶剤にエチルセルロースを溶解させた粘稠性
液体を使用すれば良い。
な接着強度を得るために、焼付温度条件に合った低融点
ガラス粉末、例えば、ＰｂＯＢ２Ｏ２系、Ｐｂ０−Ｂｔ
Ｏ＋−８ｉｆｔ系、ＢｉｔＯａ−ＰｂＯ−ＢｉＯ３−５
ｉｆｔ系ガラス質フリツトが使用される。特に、焼付温
度で結晶化せず無定形となるガラス質フリットが好まし
い。これは、ガラス質フリットが結晶化すると、電極の
基板への接着強度が弱く、特性のバラツキが大きくなる
からである。また、ＢｉＯやＺｎＯその他結晶化し易い
成分を含む低融点ガラスを使用しても良いが、この場合
、結晶化温度以下の温度で焼き付ける必要があ有機質ビ
ヒクルとしては、一般に導電ペーストや抵抗ペーストの
ビヒクルとして使用されているもの、例えば、α−テル
ピネオール溶剤にエチルセルロースを溶解させた粘稠性
液体を使用すれば良い。
シリカとしては、比表面積が５０ｍ”７ｇ以上の微粉末
無定形シリカ、例えば、超微粒子状シリカとして市販の
アエロジル（登録商標、日本アエロジル（昧））等を使
用すれば良い。
無定形シリカ、例えば、超微粒子状シリカとして市販の
アエロジル（登録商標、日本アエロジル（昧））等を使
用すれば良い。
この発明において、導電ペーストの成分組成を前記範囲
に限定したのは次の理由による。
に限定したのは次の理由による。
導電ペーストの主成分であるＡｇ粉末の含有量を５９．
０〜８０，０重量％とじたのは、Ａｇ粉末が５９．０重
信％未満では、導電ペーストを印刷塗布後、焼き付ける
ことにより形成される電極の膜厚が薄くなり、耐ハンダ
溶出性が低下し、後工程のハンダ付は時にハンダ食われ
を起こして強度不良を生じ易く、また、８０．０重量％
を越えると微粉末シリカを添加するため、導電ペースト
の粘度が高くなり過ぎて印刷性が悪くなるからである。
０〜８０，０重量％とじたのは、Ａｇ粉末が５９．０重
信％未満では、導電ペーストを印刷塗布後、焼き付ける
ことにより形成される電極の膜厚が薄くなり、耐ハンダ
溶出性が低下し、後工程のハンダ付は時にハンダ食われ
を起こして強度不良を生じ易く、また、８０．０重量％
を越えると微粉末シリカを添加するため、導電ペースト
の粘度が高くなり過ぎて印刷性が悪くなるからである。
また、Ａｇ粉末の平均粒径を０．１〜１０μｍ、好まし
くは、０．１〜５μｍの粉末とし、特に、平均粒径Ｏ９
１〜０．３μｍの球状Ａｇ粉末と平均粒径１．５〜５μ
ｍのフレーク状Ａｇ粉末との混合物が好ましいのは次の
理由による。即ち、一般に、導電ペーストはＡｇ粉末の
平均粒径が小さくなる程、低温で焼結密度を向上させる
ことができるが、Ａｇ粉末の平均粒径が００１μｍ未満
のものだけでは、焼付面が多孔質となって焼結密度が低
下しその比抵抗が高くなるため良好なオーミック接触が
得られず、またハンダ浸漬時にハンダ食われを生じる恐
れがある。逆に、平均粒径が１０μｍを越えると、電極
密度及び耐ハンダ溶出性は向上するが、焼結密度が低く
なり十分な接着強度が得られないからである。
くは、０．１〜５μｍの粉末とし、特に、平均粒径Ｏ９
１〜０．３μｍの球状Ａｇ粉末と平均粒径１．５〜５μ
ｍのフレーク状Ａｇ粉末との混合物が好ましいのは次の
理由による。即ち、一般に、導電ペーストはＡｇ粉末の
平均粒径が小さくなる程、低温で焼結密度を向上させる
ことができるが、Ａｇ粉末の平均粒径が００１μｍ未満
のものだけでは、焼付面が多孔質となって焼結密度が低
下しその比抵抗が高くなるため良好なオーミック接触が
得られず、またハンダ浸漬時にハンダ食われを生じる恐
れがある。逆に、平均粒径が１０μｍを越えると、電極
密度及び耐ハンダ溶出性は向上するが、焼結密度が低く
なり十分な接着強度が得られないからである。
なお、球状Ａｇ粉末とフレーク状Ａｇ粉末との混合比を
重量比で１：９〜４：９としたのは、低温での焼結度を
向上させる球状Ａｇ粉粉末旬月：９未満は、強度及び耐
ハンダ溶出性の向上が十分に望めず、また、４：９を越
えると、焼結面での個別凝集によるアイランドの形成を
生じる他、比抵抗が高くなり耐ハンダ溶出性が低下する
からである。
重量比で１：９〜４：９としたのは、低温での焼結度を
向上させる球状Ａｇ粉粉末旬月：９未満は、強度及び耐
ハンダ溶出性の向上が十分に望めず、また、４：９を越
えると、焼結面での個別凝集によるアイランドの形成を
生じる他、比抵抗が高くなり耐ハンダ溶出性が低下する
からである。
ガラス質フリットの含有量を１．０〜ＩＯ重爪％とじた
のは、その含有量り月、０重量％未満では十分な接着強
度が得られず、１０．０重量％を越えるとハンダ付は性
が低下するからである。
のは、その含有量り月、０重量％未満では十分な接着強
度が得られず、１０．０重量％を越えるとハンダ付は性
が低下するからである。
また、有機質ビヒクルの含有量をｌ０１０〜４０．０重
里％としたのは、その含有量り月０，０重量％未満では
、導電ペーストの粘度が高くなり過ぎて印刷ができなく
なり、４０．０重世％を越えると、２００μｍ程度の細
いライン幅の電極を形成した場合に、十分な耐ハンダ溶
出性を有する膜厚が得られないからである。
里％としたのは、その含有量り月０，０重量％未満では
、導電ペーストの粘度が高くなり過ぎて印刷ができなく
なり、４０．０重世％を越えると、２００μｍ程度の細
いライン幅の電極を形成した場合に、十分な耐ハンダ溶
出性を有する膜厚が得られないからである。
さらに、シリカの添加量を前記Ａｇ粉末、ガラス質フリ
ット及び有機質ビヒクルからなる組成物に対し０．１〜
４．０重量％とじたのは、シリカの添加量が０，１重量
％未満では、十分なオーミック接触が得られず、４．０
重量％を越えると、その添加効果が飽和するだけてなく
、ハンダ付は性が悪くなるからである。
ット及び有機質ビヒクルからなる組成物に対し０．１〜
４．０重量％とじたのは、シリカの添加量が０，１重量
％未満では、十分なオーミック接触が得られず、４．０
重量％を越えると、その添加効果が飽和するだけてなく
、ハンダ付は性が悪くなるからである。
（作用）
この発明に係る導電ペーストは、シリカ粒子表面のシラ
ノール基（ＳｉＯＨ）がｎ型半導体層表面の酸化被膜と
大気中の水分との反応により形成されるシラノール基と
の間に水素架橋結合を生じ、これがオーミック接触を向
上させる。特に、微粉末無定形シリカは比表面積が５０
ｍ”７ｇ以上と非常に大きいため、微１の添加で電極の
ハンダ付は性に悪影響を及ぼすこと無く、ｎ型半導体層
表面全体に渡って水素架橋結合を生じ、これにより電極
とｎ型半導体層表面との間に良好なオーミック接触が得
られる。
ノール基（ＳｉＯＨ）がｎ型半導体層表面の酸化被膜と
大気中の水分との反応により形成されるシラノール基と
の間に水素架橋結合を生じ、これがオーミック接触を向
上させる。特に、微粉末無定形シリカは比表面積が５０
ｍ”７ｇ以上と非常に大きいため、微１の添加で電極の
ハンダ付は性に悪影響を及ぼすこと無く、ｎ型半導体層
表面全体に渡って水素架橋結合を生じ、これにより電極
とｎ型半導体層表面との間に良好なオーミック接触が得
られる。
従って、この発明に係る導電ペーストは、ｎ型半導体表
皮層の不純物濃度に関係無くオーミック接触を可能にす
るため、半導体ｐｎ接合素子としてはｐ型半導体基板上
にｎ型不純物を拡散法により拡散してｎ型半導体層を形
成したものに限らず、ｐ型半導体基板上にイオン注入法
によりｎ型半導体層を形成したものにも適用できる。こ
の場合、不純物拡散層の厚さは、約０，１〜０．５μｍ
あれば良い。
皮層の不純物濃度に関係無くオーミック接触を可能にす
るため、半導体ｐｎ接合素子としてはｐ型半導体基板上
にｎ型不純物を拡散法により拡散してｎ型半導体層を形
成したものに限らず、ｐ型半導体基板上にイオン注入法
によりｎ型半導体層を形成したものにも適用できる。こ
の場合、不純物拡散層の厚さは、約０，１〜０．５μｍ
あれば良い。
なお、太陽電池セルの受光面側電極形成材料として使用
する場合、受光面となるｎ型半導体層表面がポリッシュ
タイプ（鏡面型）であれば、グリッド電極の形成前又は
形成後にＴ ’ｔ Ｏｔなどの反射防止膜を形成する必
要があるが、ｎ型半導体層表面がテクスチャータイプの
場合は、反射防止膜の形成は必ずしも必要としない。
する場合、受光面となるｎ型半導体層表面がポリッシュ
タイプ（鏡面型）であれば、グリッド電極の形成前又は
形成後にＴ ’ｔ Ｏｔなどの反射防止膜を形成する必
要があるが、ｎ型半導体層表面がテクスチャータイプの
場合は、反射防止膜の形成は必ずしも必要としない。
（実施例）
以下、この発明の導電ペーストを太陽電池セルの格子状
電極形成材料として使用した実施例について説明する。
電極形成材料として使用した実施例について説明する。
球状Ａｇ粉末とフレーク状Ａｇ粉末とを重量比３ニアの
割合で配合したＡ４粉末と、融点が５５０℃のＰｂＯ−
８ｉＯｚ−Ｂｔｕｓ系のガラス質フリット又は融点が６
００℃のＢ１２Ｏ３Ｐｂｏ ５ｌｏｔ−Ｂ ｔ Ｏ３
系ガラス質フリツトと、α−テレピネオール溶剤にエチ
ルセルロースを溶解させて調製した有機質ビヒクルと、
微粉末シリカとを第１表に示す割合で秤量して十分に混
練し、導電ペーストを調製した。
割合で配合したＡ４粉末と、融点が５５０℃のＰｂＯ−
８ｉＯｚ−Ｂｔｕｓ系のガラス質フリット又は融点が６
００℃のＢ１２Ｏ３Ｐｂｏ ５ｌｏｔ−Ｂ ｔ Ｏ３
系ガラス質フリツトと、α−テレピネオール溶剤にエチ
ルセルロースを溶解させて調製した有機質ビヒクルと、
微粉末シリカとを第１表に示す割合で秤量して十分に混
練し、導電ペーストを調製した。
なお、試料番号１２．１３については融点が５５０℃の
ＰｂＯＰｂＯ−９ｔｏ！０３系のガラス質フリットを用
い、それ以外の試料については、融点が６００℃のＩ３
ｉｔｏ ｓ Ｐ ｂｏ、 Ｓ ｊｏ ！−Ｂ ！
０３系のものを用いた。また、微粉末無定形シリカは、
試料番号８及び９については比表面積が１３０ｍ”７ｇ
のものを用い、それ以外の試料については比表面積が２
００ ｍ”７ｇのものを使用した。
ＰｂＯＰｂＯ−９ｔｏ！０３系のガラス質フリットを用
い、それ以外の試料については、融点が６００℃のＩ３
ｉｔｏ ｓ Ｐ ｂｏ、 Ｓ ｊｏ ！−Ｂ ！
０３系のものを用いた。また、微粉末無定形シリカは、
試料番号８及び９については比表面積が１３０ｍ”７ｇ
のものを用い、それ以外の試料については比表面積が２
００ ｍ”７ｇのものを使用した。
次に、第１図に示す直径４インチ（１０，１６ｃｍ）の
ｐｎ接合型シリコンウェハ２のｐ型半導体層２ａの表面
に、裏側電極となるＡｇ−Ａｌ導電ペーストを全面に塗
布する一方、５〜１５μｍの表面荒さとなるように処理
を施したｎ型半導体層２ｂのテクスチャー表面に、第１
表に示す成分組成の導電ペーストをライン幅２００μｍ
１ライン間隔５ｍｎ＋で格子状にスクリーン印刷した後
、近赤外線炉を用いて７００℃で４分間焼き付けて、第
１図の太陽電池セル１を得た。図中、３は受光面側格子
状電極、４は裏側電極、５は反射防止膜、６は集電部で
ある。
ｐｎ接合型シリコンウェハ２のｐ型半導体層２ａの表面
に、裏側電極となるＡｇ−Ａｌ導電ペーストを全面に塗
布する一方、５〜１５μｍの表面荒さとなるように処理
を施したｎ型半導体層２ｂのテクスチャー表面に、第１
表に示す成分組成の導電ペーストをライン幅２００μｍ
１ライン間隔５ｍｎ＋で格子状にスクリーン印刷した後
、近赤外線炉を用いて７００℃で４分間焼き付けて、第
１図の太陽電池セル１を得た。図中、３は受光面側格子
状電極、４は裏側電極、５は反射防止膜、６は集電部で
ある。
第１表
試料 基本組成（重量％） 添加剤番号
Ａｇ フリット ビヒクル（重量％）シリカ １ ５５．０ ２．０ ４３．０ ０．１２ ５
９．０’ １．０ ４０．０ ０．１３ ７０．
０ ５．０ ２５．０ ０４、 ７０．０ ５
．０ ２５．０ ０．０５５ ７０．０ ５．０
２５．０ ０．１６ ７０．０ ５．０ ２
５．０ １．０７ ７０．０ ５．０ ２５．０
２．０８ ７０．０ ５．０ ２５．０ ４
．０９ ７０．０ ５．０ ２５．０ ５．０１
０ ７０．０ １０．０ ２０．０ １．０１＋
８０．０ ２．０ １８．０ ０．２１２ ７
５．０ ３．０ ２２．０ ０得られた各太陽電
池セルについて、そのフィル・ファクター（ＦＦ）、並
びに格子状電極のハンダ付は性、耐ハンダ溶出性及び接
着強度を調べた。
Ａｇ フリット ビヒクル（重量％）シリカ １ ５５．０ ２．０ ４３．０ ０．１２ ５
９．０’ １．０ ４０．０ ０．１３ ７０．
０ ５．０ ２５．０ ０４、 ７０．０ ５
．０ ２５．０ ０．０５５ ７０．０ ５．０
２５．０ ０．１６ ７０．０ ５．０ ２
５．０ １．０７ ７０．０ ５．０ ２５．０
２．０８ ７０．０ ５．０ ２５．０ ４
．０９ ７０．０ ５．０ ２５．０ ５．０１
０ ７０．０ １０．０ ２０．０ １．０１＋
８０．０ ２．０ １８．０ ０．２１２ ７
５．０ ３．０ ２２．０ ０得られた各太陽電
池セルについて、そのフィル・ファクター（ＦＦ）、並
びに格子状電極のハンダ付は性、耐ハンダ溶出性及び接
着強度を調べた。
その結果を第２表に示す。
なお、フィル・ファクター（ＦＦ）は、電極焼き付は後
、反射防止膜処理を仕ずハンダ浸漬後の状態で測定した
。
、反射防止膜処理を仕ずハンダ浸漬後の状態で測定した
。
第２表
試料 ＦＦ ハンダ付性 耐ハンダ 接着強度
溶出性 ｇ １ ０．６７２ ◎ × ２５５
２ ０．７２０ ◎ ０ ５７０３
０．５３３ ◎ ０ ８３０４
０．７１８ ◎ ０ ８１０５ ０
．７３１ ◎ ０ ９１５６ ０．７
５５ ０ ０ １０２０７ ０．７６２
０ ０ １０１５８ ０．７４７ ０
０ ９８５９ ０．６８５ ｘ
○ ４８０１０ ０．７２５ ０
Ｑ １２４５１１ ０．７３９
◎ ０ ８２５１２ ０．５０４ ０
０ １０４０１３ ０．７４０ ０
０ ９９０第２表の結果から明らかなように、
この発明に係る導電ペースト、即ち、試料番号２．５〜
８、ｌＯ１工１．１３の導電ペーストを用いて格子状電
極を形成した太陽電池セルは、フィルファクターが０．
７以上と従来のものに比べて昔しく向上している。
溶出性 ｇ １ ０．６７２ ◎ × ２５５
２ ０．７２０ ◎ ０ ５７０３
０．５３３ ◎ ０ ８３０４
０．７１８ ◎ ０ ８１０５ ０
．７３１ ◎ ０ ９１５６ ０．７
５５ ０ ０ １０２０７ ０．７６２
０ ０ １０１５８ ０．７４７ ０
０ ９８５９ ０．６８５ ｘ
○ ４８０１０ ０．７２５ ０
Ｑ １２４５１１ ０．７３９
◎ ０ ８２５１２ ０．５０４ ０
０ １０４０１３ ０．７４０ ０
０ ９９０第２表の結果から明らかなように、
この発明に係る導電ペースト、即ち、試料番号２．５〜
８、ｌＯ１工１．１３の導電ペーストを用いて格子状電
極を形成した太陽電池セルは、フィルファクターが０．
７以上と従来のものに比べて昔しく向上している。
また、この発明に係る導電ペーストで形成した電極は５
００ｇ以上の接着強度を示し、モジュールに組み込むと
きにリード線に加わる力に十分対応でき、ライフ特性上
も接着不良の故障を起こす恐れが無いことが判る。
００ｇ以上の接着強度を示し、モジュールに組み込むと
きにリード線に加わる力に十分対応でき、ライフ特性上
も接着不良の故障を起こす恐れが無いことが判る。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ハ
ンダ付は性を損なうことなく、十分な接着強度を有する
オーミック性電極を形成でき、しかも、太陽電池のフィ
ルファクターを従来の０゜５得度から０．７以上に向上
させることができる。
ンダ付は性を損なうことなく、十分な接着強度を有する
オーミック性電極を形成でき、しかも、太陽電池のフィ
ルファクターを従来の０゜５得度から０．７以上に向上
させることができる。
これは、エネルギ変換効率に換算し５〜６％台から商業
上の採算ライン（約Ｉ２％）を越える１４〜１５％台に
向上した、即ち、約３倍に向」二したことを意味し、従
って、太陽電池の実用性を著しく高めることができる。
上の採算ライン（約Ｉ２％）を越える１４〜１５％台に
向上した、即ち、約３倍に向」二したことを意味し、従
って、太陽電池の実用性を著しく高めることができる。
また、この発明に係る導電ペーストは、ｎ型不純物の濃
度に左右されることなくｎ型半導体層上にオーミック性
電極を形成できるので、ｐｎ接合型半導体ウェハの製造
に量産性に優れたイオン注入法の採用を可能にし、従っ
て、太陽電池等のコストの低減化を可能にするなど、優
れた効果が得られる。
度に左右されることなくｎ型半導体層上にオーミック性
電極を形成できるので、ｐｎ接合型半導体ウェハの製造
に量産性に優れたイオン注入法の採用を可能にし、従っ
て、太陽電池等のコストの低減化を可能にするなど、優
れた効果が得られる。
第１図はこの発明に係る導電ペーストを適用した太陽電
池セルの平面図、第２図は第１図のｎ−■線に於ける拡
大断面図である。 １〜太陽電池セル、２〜シリコンウエハ、２ａ〜ｐ型半
導体層、２ｂ−ｎ型半導体層、３〜受光面側格子状？（
を題、４〜裏側電極、５〜反射防止膜、６〜集電部。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 前出 葆 ほか２名第１図 １１−Ｉ
池セルの平面図、第２図は第１図のｎ−■線に於ける拡
大断面図である。 １〜太陽電池セル、２〜シリコンウエハ、２ａ〜ｐ型半
導体層、２ｂ−ｎ型半導体層、３〜受光面側格子状？（
を題、４〜裏側電極、５〜反射防止膜、６〜集電部。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 前出 葆 ほか２名第１図 １１−Ｉ
Claims (2)
- （１）ｐ型半導体基板上に形成されたｎ型半導体層上に
電極を形成するための導電ペーストであって、Ａｇ粉末
５９．０〜８０．０重量％、ガラス質フリット１．０〜
１０．０重量％及び有機質ビヒクル１０．０〜４０．０
重量％からなる組成物に、シリカ０．１〜４．０重量％
を含有させてなることを特徴とする導電ペースト。 - （２）前記シリカが５０ｍ＾２／ｇ以上の比表面積を有
する無定形シリカ微粉末である特許請求の範囲第１項記
載の導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242590A JPH0766690B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 導電ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242590A JPH0766690B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396809A true JPS6396809A (ja) | 1988-04-27 |
| JPH0766690B2 JPH0766690B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17091313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61242590A Expired - Lifetime JPH0766690B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 導電ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766690B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715022A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Hokuriku Toryo Kk | 太陽電池用電極 |
| JP2000048643A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びガラス回路基板 |
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP2003133567A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 |
| JP2005184025A (ja) * | 2005-02-03 | 2005-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2009157727A3 (en) * | 2008-06-25 | 2010-04-15 | Sscp Co., Ltd. | Conductive paste composition and method of preparing electrode using the same |
| JP2013058471A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-28 | Giga Solar Materials Corp | 導電性組成物および製造法 |
| JP2014033036A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
| JP2015165515A (ja) * | 2011-07-29 | 2015-09-17 | ギガ ソーラー マテリアルズ コーポレーション | 太陽電池およびその電極 |
| JP2016515302A (ja) * | 2013-05-06 | 2016-05-26 | ハンワ ケミカル コーポレイション | 太陽電池の電極の製造方法およびこれを用いた太陽電池 |
| JP2016538708A (ja) * | 2013-03-27 | 2016-12-08 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 太陽電池電極形成用組成物およびそれにより製造された電極 |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP61242590A patent/JPH0766690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715022A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Hokuriku Toryo Kk | 太陽電池用電極 |
| JP2000048643A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びガラス回路基板 |
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| WO2009157727A3 (en) * | 2008-06-25 | 2010-04-15 | Sscp Co., Ltd. | Conductive paste composition and method of preparing electrode using the same |
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| JP2014033036A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
| JP2016538708A (ja) * | 2013-03-27 | 2016-12-08 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 太陽電池電極形成用組成物およびそれにより製造された電極 |
| JP2016515302A (ja) * | 2013-05-06 | 2016-05-26 | ハンワ ケミカル コーポレイション | 太陽電池の電極の製造方法およびこれを用いた太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766690B2 (ja) | 1995-07-19 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |