JP2014033036A - 太陽電池電極用ペースト組成物 - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明によれば、導電性ペーストに上記した特定のシリカを添加することにより、混合時の流動性が改善され、作業性が良好となり、また、印刷特性にも優れた太陽電池電極用ペースト組成物を提供することが可能になる。
【選択図】なし
Description
また、特許文献2(特開2007−194581号公報)には、「結晶子径が58nm以上である第1銀粉末、前記銀粉末と結晶子径の異なる第2銀粉末、ガラスフリット、及び樹脂バインダーを含む、太陽電池電極用ペースト」が記載されている。
特許文献3(特開2007−235082号公報)には、「比表面積が0.20〜0.60m2/gである銀粒子、ガラスフリット、樹脂バインダー、及びシンナーを含む、太陽電池受光面電極用ペースト」が記載されている。
特許文献4(特許第3800108号公報)には、「銀粉と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含んだ、太陽電池用半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストであって、上記銀粉は、BET径が0.10μmより大きく、0.50μm以下であり、平均粒子径(D50)が0.2μmより大きく、2.0μm未満であり、平均粒子径(D50)/BET径が10以下であることを特徴とする導電性ペースト」が記載されている。
(A1)一般式(I):
Si(OR3)4 (I)
(但し、R3は同一又は異種の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示される4官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を塩基性物質の存在下、親水性有機溶媒と水の混合液中で加水分解、縮合することによって実質的にSiO2単位からなる親水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液を得、
(A2)得られた親水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液に、一般式(II):
R1Si(OR4)3 (II)
(但し、R1は置換又は非置換の炭素原子数1〜20の1価炭化水素基、R4は同一又は異種の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示される3官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を添加して親水性球状シリカ微粒子表面をこれにより処理することにより、前記親水性球状シリカ微粒子の表面にR1SiO3/2単位(但し、R1は前記の通り)を導入し、第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液を得、
(A3)次いで該第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液から親水性有機溶媒と水の一部を除去し濃縮することにより第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒濃縮分散液を得、
(A4)得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒濃縮分散液に、一般式(III):
R2 3SiNHSiR2 3 (III)
(但し、R2は同一又は異種の置換又は非置換の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示されるシラザン化合物、一般式(IV):
R2 3SiX (IV)
(但し、R2は一般式(III)に同じ。XはOH基又は加水分解性基である。)
で示される1官能性シラン化合物又はこれらの混合物を添加し、前記第一の疎水性球状シリカ微粒子表面をこれにより処理して該第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面にR2 3SiO1/2単位(但し、R2は一般式(III)で定義の通り)を導入することにより第二の疎水性シリカ微粒子として得られる疎水性球状シリカ微粒子であることを特徴とするシリカを使用した太陽電池電極用ペースト組成物を提供する。
本発明に係る太陽電池電極用ペースト組成物は、導電粉体と、ガラスフリットと、バインダーと、4官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を加水分解、縮合することによって得られた親水性シリカを疎水化してなるシリカとを含有する太陽電池電極用ペースト組成物である。以下に各成分について説明する。
導電粉体としては、従来から使用されているものであれば、特にその種類は制限されない。このような導電粉体としては、金、銀、銅、すず、白金又はパラジウム等の金属の導電粉体が挙げられ、具体的には、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉、金粉、鉛粉、すず粉、白金粉、パラジウム粉、アルミニウム粉、はんだ粒子等が挙げられる。特に好ましくは銀粉末である。これらは、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
無機バインダーとしての用途であり、適切に焼結及び湿潤され、更に適切にシリコン基体へ接着が行われるように、450〜550℃の軟化点を有するガラスフリットが好適である。例えば、PbO−B2O3−SiO2系ガラスやBi2O3−B2O3−SiO2系ガラス、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス等を用いることができる。また、これらのガラスを混合して用いてもよい。特に好ましくはPbO−B2O3−SiO2系ガラスである。
有機ビヒクルは、バインダー機能を有する樹脂を有機溶剤に溶解したものであり、導電性ペーストに印刷性を付与できるものであれば特に限定されるものではない。上記樹脂としては、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂及びフェノール樹脂等が挙げられる。特に好ましくはエチルセルロース樹脂である。また、上記有機溶剤としては、α−テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ジアセトンアルコール及びメチルイソブチルケトン等が挙げられる。特に好ましくはα−テルピネオールである。
シリカは上記導電粉体の他成分との混合性や流動性を改善するために用いる。シリカとしてはかさ比重が300g/L以上のものである。特に好ましくは300〜500g/Lが好ましい。かさ比重が300g/Lより小さいと同じ性能を発現させるのに添加量が増えてしまい、コスト的に好ましくない場合がある。
該方法によると、本発明の疎水性球状シリカ微粒子は、
工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程、
工程(A2):3官能性シラン化合物による表面処理工程、
工程(A3):濃縮工程、
工程(A4):1官能性シラン化合物による表面処理工程
によって得られる。以下、各工程を順を追って説明する。
一般式(I):
Si(OR3)4 (I)
(但し、R3は同一又は異種の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示される4官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を塩基性物質を含む親水性有機溶媒と水の混合液中で加水分解、縮合することによって親水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液を得る。
R3で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、特に好ましくは、メチル基、エチル基が挙げられる。
R5OH (V)
(式中、R5は炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示されるアルコールが挙げられる。
工程(A1)において得られた親水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液に、一般式(II):
R1Si(OR4)3 (II)
(但し、R1は置換又は非置換の炭素原子数1〜20の1価炭化水素基、R4は同一又は異種の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示される3官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を添加して親水性球状シリカ微粒子表面をこれにより処理することにより、前記親水性球状シリカ微粒子の表面にR1SiO3/2単位(但し、R1は前記の通り)を導入し、第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液を得る。
工程(A2)で得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液から親水性有機溶媒と水の一部を除去し濃縮することにより、第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒濃縮分散液を得る。この際、疎水性有機溶媒をあらかじめ、あるいは工程中に加えてもよい。この際、使用する疎水性溶媒としては、炭化水素系、ケトン系溶媒が好ましい。具体的には、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられ、好ましくはメチルイソブチルケトンが好ましい。親水性有機溶媒と水の一部を除去する方法としては、例えば留去、減圧留去等が挙げられる。得られる濃縮分散液はシリカ微粒子濃度が15〜40質量%であることが好ましく、20〜35質量%であることがより好ましく、25〜30質量%であることが特に好ましい。15質量%より少ないと後工程の表面処理がうまくゆかず、40質量%より大きいとシリカ微粒子の凝集が生じてしまう場合がある。
工程(A3)で得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒濃縮分散液に、一般式(III):
R2 3SiNHSiR2 3 (III)
(但し、R2は同一又は異種の置換又は非置換の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示されるシラザン化合物、一般式(IV):
R2 3SiX (IV)
(但し、R2は一般式(III)に同じ。XはOH基又は加水分解性基である。)
で示される1官能性シラン化合物又はこれらの混合物を添加し、これにより前記第一の疎水性球状シリカ微粒子表面を処理し、該微粒子の表面にR2 3SiO1/2単位(但し、R2は一般式(III)で定義の通り)を導入することにより第二の疎水性球状シリカ微粒子を得る。この工程では、上記の処理により第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面に残存するシラノール基をトリオルガノシリル化する形でR2 3SiO1/2単位が該表面に導入される。
このとき、導電粉体の量が70質量部より少ないと導電性が悪化するおそれがある。また、この量が85質量部より多いと流動性が悪化したり、経済的に不利になる場合がある。
予め、有機溶剤に樹脂を溶解させて有機ビヒクルを調製する。得られた有機ビヒクルの一部と導電粉体とガラスフリット及びシリカを混錬機に投入し、残りの有機ビヒクルを少しずつ加えながら混錬する。次いで、得られた混合物を所望のギャップに調整した三本ロール等に通過させ、太陽電池電極用ペースト組成物を得ることができる。
[疎水性球状シリカ微粒子の合成]
・工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程
撹拌機と、滴下ロートと、温度計とを備えた3リットルのガラス製反応器にメタノール989.5gと、水135.5gと、28質量%アンモニア水66.5gとを入れて混合した。この溶液を35℃となるように調整し、撹拌しながらテトラメトキシシラン436.5g(2.87モル)を6時間かけて滴下した。この滴下が終了した後も、更に0.5時間撹拌を継続して加水分解を行うことにより、親水性球状シリカ微粒子の懸濁液を得た。
上で得られた懸濁液に室温でメチルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)を0.5時間かけて滴下し、滴下後も12時間撹拌を継続し、シリカ微粒子表面を疎水化処理することにより、疎水性球状シリカ微粒子分散液を得た。
次いで、ガラス製反応器にエステルアダプターと冷却管とを取り付け、前工程で得られた分散液を60〜70℃に加熱してメタノールと水の混合物1,021gを留去し、疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒濃縮分散液を得た。このとき、濃縮分散液中の疎水性球状シリカ微粒子含有量は28質量%であった。
前工程で得られた濃縮分散液に、室温において、ヘキサメチルジシラザン138.4g(0.86モル)を添加した後、この分散液を50〜60℃に加熱し、9時間反応させることにより、分散液中のシリカ微粒子をトリメチルシリル化した。次いで、この分散液中の溶媒を130℃、減圧下(6,650Pa)で留去することにより、疎水性球状シリカ微粒子〔1〕186gを得た。
1.工程(A1)で得られた親水性球状シリカ微粒子の粒子径測定
メタノールにシリカ微粒子懸濁液を、シリカ微粒子が0.5質量%となるように添加し、10分間超音波にかけることにより、該微粒子を分散させた。このように処理した微粒子の粒度分布を、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA−EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。なお、メジアン径とは粒度分布を累積分布として表した時の累積50%に相当する粒子径である。
メタノールにシリカ微粒子を、0.5質量%となるように添加し、10分間超音波にかけることにより、該微粒子を分散させた。このように処理した微粒子の粒度分布を、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA−EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。
また、粒度分布D90/D10の測定は、上記粒子径を測定した際の分布において小さい側から累積が10%となる粒子径をD10、小さい側から累積が90%となる粒子径をD90とし、測定された値からD90/D10を計算した。
電子顕微鏡(株式会社日立製作所製、商品名:S−4700型、倍率:10万倍)によって観察を行い、形状を確認した。「球状」とは、真球だけでなく、若干歪んだ球も含む。なお、このような粒子の形状は、粒子を二次元に投影した時の円形度で評価し、円形度が0.8〜1の範囲にあるものとする。ここで円形度とは、(粒子面積と等しい円の周囲長)/(粒子周囲長)である。
シリカを1.0mm以上の目開きを持つ篩を通し、0.1%の精度で秤量した約100gの試料を圧密せずに乾いた250mLメスシリンダー(最小目盛単位:2mL)に静かに入れる。必要ならば,粉体層の上面を圧密せずに注意深くならし,ゆるみかさ体積を最小目盛単位まで読み取る。かさ比重=100(g)/体積(L)で計算する。
実施例1において、工程(A1)でメタノール、水、及び28質量%アンモニア水の量をメタノール1,045.7g、水112.6g、28質量%アンモニア水33.2gに代えたこと以外は同様にして、疎水性球状シリカ微粒子〔2〕188gを得た。この疎水性球状シリカ微粒子を用いて合成例1と同様に測定した。この結果を表1に示す。
撹拌機、滴下ロート、温度計を備えた3リットルのガラス製反応器にメタノール623.7g、水41.4g、28質量%アンモニア水49.8gを添加して混合した。この溶液を35℃に調整し、撹拌しながらテトラメトキシシラン1,163.7g及び5.4質量%アンモニア水418.1gを同時に添加開始し、前者は6時間、そして後者は4時間かけて滴下した。テトラメトキシシラン滴下後も0.5時間撹拌を続け加水分解を行い、シリカ微粒子の懸濁液を得た。
こうして得られた懸濁液に室温でメチルトリメトキシシラン11.6g(テトラメトキシシランに対してモル比で0.01相当量)を0.5時間かけて滴下し、滴下後も12時間撹拌し、シリカ微粒子表面の処理を行った。
該ガラス製反応器にエステルアダプターと冷却管を取り付け、上記の表面処理を施したシリカ微粒子を含む分散液にメチルイソブチルケトン1,440gを添加した後、80〜110℃に加熱し、メタノール水を7時間かけて留去した。
こうして得られた分散液に室温でヘキサメチルジシラザン357.6gを添加し、120℃に加熱し、3時間反応させ、シリカ微粒子をトリメチルシリル化した。その後溶媒を減圧下で留去して球状疎水性シリカ微粒子〔3〕472gを得た。
こうして得られたシリカ微粒子について合成例1と同様の試験を行った。結果を表1に示す。
シリカ微粒子の合成の際にテトラメトキシシランの加水分解温度を35℃の代わりに45℃とした以外は合成例3と同様にして各工程を行ったところ、疎水性球状シリカ微粒子〔4〕469gを得た。この疎水性球状シリカ微粒子を用いて合成例1と同様に測定した。この結果を表1に示す。
撹拌機と温度計とを備えた0.3リットルのガラス製反応器に爆燃法シリカ(商品名:SOC1、アドマテクス社製)100gを仕込み、純水1gを撹拌下で添加し、密閉後、更に60℃で10時間撹拌した。次いで、室温まで冷却した後、ヘキサメチルジシラザン2gを撹拌下で添加し、密閉後、更に24時間撹拌した。120℃に昇温し、窒素ガスを通気しながら残存原料及び生成したアンモニアを除去し、疎水性球状シリカ微粒子〔5〕100gを得た。
得られたシリカ微粒子について合成例1と同様の試験を行った。結果を表1に示す。
撹拌機と温度計とを備えた0.3リットルのガラス製反応器に爆燃法シリカ(商品名:SOC1、アドマテクス社製)100gを仕込み、純水1gを撹拌下で添加し、密閉後、更に60℃で10時間撹拌した。次いで、室温まで冷却した後、メチルトリメトキシシラン1gを撹拌下で添加し、密閉後、更に24時間撹拌した。次にヘキサメチルジシラザン2gを撹拌下で添加し、密閉後、更に24時間撹拌した。120℃に昇温し、窒素ガスを通気しながら残存原料及び生成したアンモニアを除去し、疎水性球状シリカ微粒子〔6〕101gを得た。得られたシリカ微粒子について合成例1と同様の試験を行った。結果を表1に示す。
更に、近赤外炉を用いて、800℃で、導電性ペースト組成物からなる電極を加熱硬化させた。この硬化後の電極を、光学顕微鏡を用いて観察した。その時、にじみ、たれの有無も観察した。その結果も表2に示す。
また、形成された各電極の接触抵抗値RcをTLM(Transmission Line Model)法により測定した。その結果も表2に示す。なお、接触抵抗値Rcの上限値は3.0Ωである。この値以下であれば、上記電極は、十分実用的である。
Claims (6)
- 導電粉体と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、4官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を加水分解、縮合することによって得られた親水性シリカを疎水化してなるシリカとを含む太陽電池電極用ペースト組成物であって、前記シリカがかさ比重300g/L以上のものであることを特徴とする太陽電池電極用ペースト組成物。
- 前記シリカが疎水性球状シリカ微粒子である請求項1記載の太陽電池電極用ペースト組成物。
- 疎水性球状シリカ微粒子の体積基準メジアン径が0.005〜5.0μmであり、D90/D10の粒度分布の値が3.0以下であり、平均円形度が0.8〜1である請求項2記載の太陽電池電極用ペースト組成物。
- 前記シリカが、実質的にSiO2単位からなる親水性球状シリカ微粒子の表面にR1SiO3/2単位(R1は置換又は非置換の炭素原子数1〜20の1価炭化水素基)が導入され、更にR2 3SiO1/2単位(R2は同一又は異なり、置換又は非置換の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基)が導入されたものである請求項1〜3のいずれか1項記載の太陽電池電極用ペースト組成物。
- 前記シリカが、
(A1)一般式(I):
Si(OR3)4 (I)
(但し、R3は同一又は異種の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示される4官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を塩基性物質の存在下、親水性有機溶媒と水の混合液中で加水分解、縮合することによって実質的にSiO2単位からなる親水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液を得、
(A2)得られた親水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液に、一般式(II):
R1Si(OR4)3 (II)
(但し、R1は置換又は非置換の炭素原子数1〜20の1価炭化水素基、R4は同一又は異種の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示される3官能性シラン化合物又はその部分加水分解生成物又はこれらの混合物を添加して親水性球状シリカ微粒子表面をこれにより処理することにより、前記親水性球状シリカ微粒子の表面にR1SiO3/2単位(但し、R1は前記の通り)を導入し、第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液を得、
(A3)次いで該第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒分散液から親水性有機溶媒と水の一部を除去し濃縮することにより第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒濃縮分散液を得、
(A4)得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子混合溶媒濃縮分散液に、一般式(III):
R2 3SiNHSiR2 3 (III)
(但し、R2は同一又は異種の置換又は非置換の炭素原子数1〜6の1価炭化水素基である。)
で示されるシラザン化合物、一般式(IV):
R2 3SiX (IV)
(但し、R2は一般式(III)に同じ。XはOH基又は加水分解性基である。)
で示される1官能性シラン化合物又はこれらの混合物を添加し、前記第一の疎水性球状シリカ微粒子表面をこれにより処理して該第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面にR2 3SiO1/2単位(但し、R2は一般式(III)で定義の通り)を導入することにより第二の疎水性シリカ微粒子として得られる疎水性球状シリカ微粒子であることを特徴とする請求項4記載の太陽電池電極用ペースト組成物。 - 導電粉体を70〜85質量部、ガラスフリットを3〜8質量部、有機ビヒクルを構成する樹脂を10〜20質量部、シリカを0.5〜3質量部、合計100質量部の範囲内の割合で含む請求項1〜5のいずれか1項記載の太陽電池電極用ペースト組成物。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017041471A (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セル電極の製造方法及び太陽電池セル電極作成用導電性ペースト組成物の製造方法 |
KR20170021198A (ko) | 2015-08-17 | 2017-02-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 도전성 페이스트, 그 제조방법 및 그것을 사용한 태양전지 전극 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3689498A4 (en) * | 2017-09-27 | 2021-03-24 | DOWA Electronics Materials Co., Ltd. | MIXTURE OF SILVER POWDER, ITS PRODUCTION PROCESS, AND CONDUCTIVE PASTE |
JP6905103B1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-21 | Dowaエコシステム株式会社 | 金属回収方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396809A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | 株式会社村田製作所 | 導電ペ−スト |
JP2010080933A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-04-08 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜及びその透明導電膜用組成物、多接合型太陽電池 |
JP2011138928A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池 |
JP2011521018A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-07-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | アルミニウムペーストおよびシリコン太陽電池の製造におけるその使用 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100629923B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2006-09-29 | 돗빤호무즈가부시기가이샤 | 도전성페이스트와 도전성페이스트의 경화방법, 및 도전성페이스트를 이용한 비접촉형 데이터송수신체용 안테나의 형성방법과, 비접촉형 데이터송수신체 |
JP2003171117A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 疎水性シリカ微粉末及びその製造方法 |
JP3800108B2 (ja) | 2002-02-27 | 2006-07-26 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
JP4126215B2 (ja) | 2002-10-23 | 2008-07-30 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
US7186440B2 (en) * | 2005-07-04 | 2007-03-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing hydrophobic silica powder |
JP5323307B2 (ja) | 2005-12-21 | 2013-10-23 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 太陽電池電極用ペースト |
JP2007235082A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-13 | E I Du Pont De Nemours & Co | 太陽電池電極用ペースト |
JP5192888B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-05-08 | シャープ株式会社 | 色素増感型太陽電池の透明性絶縁膜用ペースト、色素増感型太陽電池用透明性絶縁膜、色素増感型太陽電池、及び色素増感型太陽電池の製造方法 |
WO2010027232A2 (ko) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 주식회사 엘지화학 | 페이스트 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
-
2012
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396809A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | 株式会社村田製作所 | 導電ペ−スト |
JP2011521018A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-07-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | アルミニウムペーストおよびシリコン太陽電池の製造におけるその使用 |
JP2010080933A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-04-08 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜及びその透明導電膜用組成物、多接合型太陽電池 |
JP2011138928A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017041471A (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セル電極の製造方法及び太陽電池セル電極作成用導電性ペースト組成物の製造方法 |
KR20170021198A (ko) | 2015-08-17 | 2017-02-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 도전성 페이스트, 그 제조방법 및 그것을 사용한 태양전지 전극 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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