JP2016538708A - 太陽電池電極形成用組成物およびそれにより製造された電極 - Google Patents
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Abstract
本発明は、銀粉末；ヒュームドシリカ；ガラスフリット；および有機ビヒクルを含む組成物に関するものであり、前記太陽電池電極形成用組成物は、特定のヒュームドシリカを取り入れて電極とウエハとの接触性を改善し、前記組成物で製造された太陽電池電極はシリーズ抵抗（Ｒｓ）が最小化されてフィルファクターおよび変換効率に優れる。
Description
本発明は、太陽電池電極形成用組成物およびそれにより製造された電極に関する。
太陽電池は、太陽光のフォトン（ｐｈｏｔｏｎ）を電気に変換させるｐｎ接合の光電効果を用いて電気エネルギーを発生させる。太陽電池は、ｐｎ接合が構成される半導体ウエハまたは基板上・下面にそれぞれ前面電極と後面電極が形成されている。太陽電池は、半導体ウエハに入射される太陽光によってｐｎ接合の光電効果が誘導され、これにより発生した電子が電極を通じて外部に流れる電流を提供する。このような太陽電池の電極は、電極用ペースト組成物の塗布、パターニングおよび焼成によって、ウエハ表面に形成することができる。
近年、太陽電池の効率を増加させるためにエミッター（ｅｍｉｔｔｅｒ）の厚さが持続的に薄くなっていることにより、太陽電池の性能を低下させ得るシャンティング（ｓｈｕｎｔｉｎｇ）現象を誘発させる場合がある。また、太陽電池の効率を高めるために太陽電池の面積を徐々に増加させているが、これは太陽電池の接触抵抗を高めて太陽電池の効率を減少させ得る。
よって、ウエハとの接触性を向上させてシリーズ抵抗（Ｒｓ）を最小化させて変換効率に優れた太陽電池電極を製造できる組成物の早急な開発が要求されている。
本発明の目的は、電極とウエハ表面のオーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）に優れた太陽電池電極形成用組成物を提供することである。
本発明の別の目的は、シリーズ抵抗（Ｒｓ）を最小化できる太陽電池電極形成用組成物を提供することである。
本発明のまた別の目的は、変換効率およびフィルファクター値に優れた太陽電池電極を提供することである。
本発明のまた別の目的は、前記組成物から製造された電極を提供することである。
本発明の前記およびその他の目的は、下記で説明する本発明によって全て達成することができる。
本発明の観点の一つは、銀粉末；ヒュームドシリカ；ガラスフリット；および有機ビヒクルを含む組成物であり、前記ヒュームドシリカは組成物全重量に対して０．０１重量％ないし０．１重量％で含まれることを特徴とする太陽電池電極形成用組成物に関するものである。
前記組成物は、前記銀粉末６０重量％ないし９５重量％；前記ヒュームドシリカ０．０１重量％ないし０．１重量％；前記ガラスフリット０．５重量％ないし２０重量％；および前記有機ビヒクル１重量％ないし３０重量％を含んでもよい。
前記ヒュームドシリカの比表面積（ＢＥＴ）は、２０ｍ２／ｇないし３００ｍ２／ｇでもよい。
前記ガラスフリットは、Ｐｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｐ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｚｎ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｂｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｂｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｌｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｔｅ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｔｅ―Ｓｉ―Ｏ系またはＢｉ―Ｔｅ―Ｌｉ―Ｏ系ガラスフリットでもよい。
前記ガラスフリットは、ＢｉとＴｅのモル比が１：０．１ないし１：５０のＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリットでもよい。
前記ガラスフリットは、鉛（Ｐｂ）、テルル（Ｔｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、アンチモン（Ｓｂ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、セレニウム（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、リン（Ｐ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）、セシウム（Ｃｓ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ヒ素（Ａｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）の酸化物からなる群から選ばれた１種以上の金属酸化物から形成されたものでもよい。
前記ガラスフリットは、平均粒径（Ｄ５０）が０．１μｍないし２０μｍでもよい。
前記組成物は、分散剤、揺変剤（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｉｃ ａｇｅｎｔ；チキソトロープ剤ないしチキソトロピー剤。以下同様。）、可塑剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤およびカップリング剤からなる群から選ばれる添加剤を１種以上さらに含んでもよい。
本発明の別の観点は、前記太陽電池電極形成用組成物で製造された太陽電池電極に関するものである。
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、特定のヒュームドシリカを取り入れて電極とウエハとの接触性を改善し、前記組成物で製造された太陽電池電極はシリーズ抵抗（Ｒｓ）が最小化されてフィルファクターおよび変換効率に優れる。
太陽電池電極形成用組成物
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、銀粉末；ヒュームドシリカ；ガラスフリット；および有機ビヒクルを含む太陽電池電極形成用組成物であって、特定のヒュームドシリカを取り入れて電極とウエハとの接触性を改善し、前記組成物で製造された太陽電池電極はシリーズ抵抗（Ｒｓ）が最小化されてフィルファクターおよび変換効率に優れる。
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、銀粉末；ヒュームドシリカ；ガラスフリット；および有機ビヒクルを含む太陽電池電極形成用組成物であって、特定のヒュームドシリカを取り入れて電極とウエハとの接触性を改善し、前記組成物で製造された太陽電池電極はシリーズ抵抗（Ｒｓ）が最小化されてフィルファクターおよび変換効率に優れる。
以下、本発明を詳しく説明する。
（Ａ）銀粉末
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、導電性粉末として銀（Ａｇ）粉末を使用する。前記銀粉末は、ナノサイズまたはマイクロサイズの粒径を有する粉末でもよいが、例えば、数十ないし数百ナノメートルの銀粉末、数ないし数十マイクロメートルの銀粉末でもよく、２以上の相違する大きさを有する銀粉末を混合して使用してもよい。
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、導電性粉末として銀（Ａｇ）粉末を使用する。前記銀粉末は、ナノサイズまたはマイクロサイズの粒径を有する粉末でもよいが、例えば、数十ないし数百ナノメートルの銀粉末、数ないし数十マイクロメートルの銀粉末でもよく、２以上の相違する大きさを有する銀粉末を混合して使用してもよい。
銀粉末は、粒子形状が球形、板状、無定形を有してもよい。
銀粉末は、平均粒径（Ｄ５０）が、好ましくは０．１μｍないし１０μｍであり、より好ましくは０．５μｍないし５μｍである。前記平均粒径は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に導電性粉末を超音波によって２５℃で３分間分散させた後、ＣＩＬＡＳ社で製作された１０６４ＬＤモデルを使用して測定されたものである。前記範囲内で、接触抵抗と線抵抗が低くなる効果を有することができる。
銀粉末は、組成物全重量に対して６０重量％ないし９５重量％で含んでもよい。前記範囲で、抵抗の増加により変換効率が低くなることを防ぐことができる。好ましくは、７０重量％ないし９０重量％で含むことができる。
（Ｂ）ヒュームドシリカ
図１を参考すると、太陽電池電極の形成のための焼成段階でガラスフリット１１２はｐ層（又はｎ層）１０１およびエミッターとしてのｎ層（又はｐ層）１０２を含むウエハの反射防止膜をエッチングし、銀（Ａｇ）粒子１１１を溶融させ、前記の溶融された銀粒子がウエハ表面を浸透して銀結晶（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）１１３を形成することにより電極が形成されるが、銀結晶が形成される深さ（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）と銀結晶粒子がウエハと接触する面積を確保することが重要になる。
図１を参考すると、太陽電池電極の形成のための焼成段階でガラスフリット１１２はｐ層（又はｎ層）１０１およびエミッターとしてのｎ層（又はｐ層）１０２を含むウエハの反射防止膜をエッチングし、銀（Ａｇ）粒子１１１を溶融させ、前記の溶融された銀粒子がウエハ表面を浸透して銀結晶（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）１１３を形成することにより電極が形成されるが、銀結晶が形成される深さ（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）と銀結晶粒子がウエハと接触する面積を確保することが重要になる。
本発明では、焼成過程でガラスフリットの反射防止膜のエッチングの程度を調節して最適なオーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎａｔａｃｔ）を形成し、ガラスフリットのエッチングによって不純物として作用するガラスフリットのウエハ内に拡散することを最小化するための流れを形成するためにヒュームドシリカ（Ｆｕｍｅｄ Ｓｉｌｉｃａ）を取り入れた。
ヒュームドシリカは、乾式法によって製造された合成シリカであって、９９．９％以上の高純度物質であり、塩化シラン化合物を気相熱分解して製造することができる。
本発明において、前記ヒュームドシリカの比表面積は、２０ｍ２／ｇないし５００ｍ２／ｇ、好ましくは５０ｍ２／ｇないし２００ｍ２／ｇのヒュームドシリカを使用することで焼成過程中にエッチング調節または不純物拡散防止の流れを適切に確保することができ、これによって不純物拡散によるシリーズ抵抗を減少させることができ、フィルファクターおよび変換効率を向上させることができる。
前記ヒュームドシリカは、組成物全重量に対して、０．１重量％以下で含まれてもよく、好ましくは０．０１重量％ないし０．１重量％で含まれる。０．１重量％を超えると粘度が大幅に増加して印刷性が低下し得る。
（Ｃ）ガラスフリット
ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）は、電極ペーストの焼成工程中反射防止膜をエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）し、銀粒子を溶融させて抵抗が低くなるようにエミッター領域に銀結晶粒子を生成させ、電導性粉末とウエハ間の接着力を向上させ、焼結時に軟化して焼成温度をより下げる効果を誘導する。
ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）は、電極ペーストの焼成工程中反射防止膜をエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）し、銀粒子を溶融させて抵抗が低くなるようにエミッター領域に銀結晶粒子を生成させ、電導性粉末とウエハ間の接着力を向上させ、焼結時に軟化して焼成温度をより下げる効果を誘導する。
太陽電池の効率を増加させるために太陽電池の面積を増加させると、太陽電池の接触抵抗が高くなり得るため、ｐｎ接合（ｐｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）に対する被害を最小化させると同時に直列抵抗を最小化させなければならない。また、多様な面抵抗のウエハの増加により、焼成温度の変動幅が大きくなるため、幅広い焼成温度でも熱安定性を十分に確保できるガラスフリットを使用することが好ましい。
前記ガラスフリットは、通常、太陽電池電極形成用組成物に使用される有鉛ガラスフリット又は無鉛ガラスフリットのいずれか一つ以上が使用できる。
前記ガラスフリットは、鉛（Ｐｂ）、テルル（Ｔｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、アンチモン（Ｓｂ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、セレニウム（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、リン（Ｐ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）、セシウム（Ｃｓ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ヒ素（Ａｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）の酸化物からなる群から選ばれた１種以上の金属酸化物から形成できる。
一具体例として、前記ガラスフリットは、Ｐｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｐ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｚｎ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｂｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｂｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｌｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｔｅ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｔｅ―Ｓｉ―Ｏ系またはＢｉ―Ｔｅ―Ｌｉ―Ｏ系ガラスフリットでもよい。本発明において、Ｐｂ―Ｓｉ―Ｏ系ガラスフリットは、鉛（Ｐｂ）酸化物およびケイ素（Ｓｉ）酸化物を含む金属酸化物から形成されたものであり、鉛元素とケイ素元素を含むガラスフリットと定義し、前記の羅列したガラスフリットは全て同様の方法で定義する。
別の具体例として、前記ガラスフリットが酸化ビスマスおよび酸化テルルを含む金属酸化物から形成されたＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリットの場合、前記Ｂｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリットはビスマス（Ｂｉ）およびテルル（Ｔｅ）元素を含んでもよく、ガラスフリット内に存在するＢｉとＴｅのモル比は１：０．１ないし１：５０でもよく、好ましくは１：０．５ないし１：３０、より好ましくは１：１ないし１：２０である。前記範囲で低い直列抵抗および接触抵抗を確保することができる。本発明において、モル比は各金属成分の元素モル比を意味する。
前記ガラスフリットは、平均粒径（Ｄ５０）が０．１μｍないし２０μｍであるものを使用することができ、組成物全重量を基準に０．５重量％ないし２０重量％含んでもよい。前記ガラスフリットの形状は、球形や不定形でも構わない。
また別の具体例として、前記ガラスフリットは、転移点（ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；ガラス転移温度。以下同様。）が異なる２種のガラスフリットを含んでもよい。例えば、転移点が２００℃ないし３２０℃の第１ガラスフリットと、転移点が３００℃ないし５５０℃の第２ガラスフリットを、１：０．２ないし１の重量比で混合して使用してもよい。
また、前記ガラスフリットは、商用の製品を購入して使用したり、目的とする組成を得るために、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、ホウ素酸化物（Ｂ２Ｏ３）、ビスマス酸化物（Ｂｉ２Ｏ３）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を選択的に溶融して製造してもよい。
（Ｄ）有機ビヒクル
有機ビヒクルは、太陽電池電極形成用組成物の無機成分と機械的混合によりペースト組成物に、印刷に適した粘度および流変学的特性（ｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ；流動学的特性ないしレオロジー的特性）を付与する。
有機ビヒクルは、太陽電池電極形成用組成物の無機成分と機械的混合によりペースト組成物に、印刷に適した粘度および流変学的特性（ｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ；流動学的特性ないしレオロジー的特性）を付与する。
前記有機ビヒクルは、通常、太陽電池電極形成用組成物に使用される有機ビヒクルが使用できるが、通常、バインダー樹脂と溶媒等を含んでもよい。
前記バインダー樹脂としては、アクリレート系またはセルロース系樹脂等が使用でき、エチルセルロースが一般的に使用される樹脂である。しかし、エチルヒドロキシエチルセルロース、ニトロセルロース、エチルセルロースとフェノール樹脂の混合物、アルキド樹脂、フェノール系樹脂、アクリル酸エステル系樹脂、キシレン系樹脂、ポリブテン系樹脂、ポリエステル系樹脂、尿素系樹脂、メラミン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、木材ロジン（ｒｏｓｉｎ）又はアルコールのポリメタクリレート等を使用してもよい。
前記溶媒としては、例えば、ヘキサン、トルエン、エチルセロソルブ、シクロヘキサノン、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール（ジエチレングリコールモノブチルエーテル）、モノイソブチレート、ジブチルカルビトール（ジエチレングリコールジブチルエーテル）、ブチルカルビトールアセテート（ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート）、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ヘキシレングリコール、テルピネオール（Ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、メチルエチルケトン、ベンジルアルコール、ガンマブチロラクトンまたは乳酸エチル等を単独または２種以上混合して使用してもよい。
前記有機ビヒクルの配合量は、組成物全重量に対して、１重量％ないし３０重量％でもよい。前記範囲で十分な接着強度と優れた印刷性を確保することができる。
（Ｅ）添加剤
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、前記の構成要素以外に流動特性、工程特性および安定性を向上させるために必要に応じて通常の添加剤をさら含んでもよい。前記添加剤は、分散剤、揺変剤、可塑剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤、カップリング剤等を単独または２種以上混合して使用することができる。これらは組成物全重量に対して、０．１重量％ないし５重量％で添加できるが、必要に応じて変更してもよい。
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、前記の構成要素以外に流動特性、工程特性および安定性を向上させるために必要に応じて通常の添加剤をさら含んでもよい。前記添加剤は、分散剤、揺変剤、可塑剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤、カップリング剤等を単独または２種以上混合して使用することができる。これらは組成物全重量に対して、０．１重量％ないし５重量％で添加できるが、必要に応じて変更してもよい。
＜太陽電池電極およびそれを含む太陽電池＞
本発明の別の観点は、前記太陽電池電極形成用組成物から形成された電極およびそれを含む太陽電池に関するものである。図２は、本発明の一具体例にかかる太陽電池の構造を示したものである。
本発明の別の観点は、前記太陽電池電極形成用組成物から形成された電極およびそれを含む太陽電池に関するものである。図２は、本発明の一具体例にかかる太陽電池の構造を示したものである。
図２を参照すると、ｐ層１０１およびエミッターとしてのｎ層１０２を含むウエハ１００または基板上に前記太陽電池電極形成用組成物を印刷し、焼成して後面電極２１０および前面電極２３０を形成することができる。例えば、太陽電池電極形成用組成物をウエハの後面に印刷塗布した後、２００℃ないし４００℃の温度で１０秒ないし６０秒程度乾燥して後面電極のための事前準備ステップを行ってもよい。また、ウエハの前面に太陽電池電極形成用組成物を印刷した後、乾燥して前面電極のための事前準備ステップを行ってもよい。その後、４００℃ないし９５０℃、好ましくは８５０℃ないし９５０℃で３０秒ないし５０秒程度焼成する焼成過程を行い前面電極および後面電極を形成してもよい。
以下、実施例を通じて本発明をより具体的に説明するが、このような実施例は単に説明の目的のためのものであり、本発明を制限するものと解釈してはならない。
＜実施例１ないし５および比較例１ないし８＞
（実施例１）
有機バインダーとして、エチルセルロース（Ｄｏｗ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏｍｐａｎｙ，ＳＴＤ４）１．０重量％を溶媒であるテキサノール（Ｅａｓｔｍａｎ社，Ｔｅｘａｎｏｌ ｅｓｔｅｒ―ａｌｃｏｈｏｌ）６．６９重量％に６０℃で十分に溶解した後、平均粒径が２．０μｍの球形の銀粉末（Ｄｏｗａ Ｈｉｇｈｔｅｃｈ ＣＯ．ＬＴＤ，ＡＧ―４―８）８９重量％、平均粒径が１．０μｍで、転移点が３５０℃のＰｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系低融点有鉛ガラス粉末２．５重量％、ＢＥＴ比表面積が２００±２５ｍ２／ｇのヒュームドシリカ（Ｅｖｏｎｉｋ社，Ａｅｒｏｓｉｌ(登録商標) ２００）０．０１重量％、分散剤（ＢＹＫ―ｃｈｅｍｉｅ，ＢＹＫ１０２）０．４重量％、揺変剤（Ｅｌｅｍｅｎｔｉｓ社，Ｔｈｉｘａｔｒｏｌ(登録商標) ＳＴ）０．４重量％を投入して均等に混ぜた後、３ロール混練機で混合分散させて太陽電池電極形成用組成物を製造した。
（実施例１）
有機バインダーとして、エチルセルロース（Ｄｏｗ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏｍｐａｎｙ，ＳＴＤ４）１．０重量％を溶媒であるテキサノール（Ｅａｓｔｍａｎ社，Ｔｅｘａｎｏｌ ｅｓｔｅｒ―ａｌｃｏｈｏｌ）６．６９重量％に６０℃で十分に溶解した後、平均粒径が２．０μｍの球形の銀粉末（Ｄｏｗａ Ｈｉｇｈｔｅｃｈ ＣＯ．ＬＴＤ，ＡＧ―４―８）８９重量％、平均粒径が１．０μｍで、転移点が３５０℃のＰｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系低融点有鉛ガラス粉末２．５重量％、ＢＥＴ比表面積が２００±２５ｍ２／ｇのヒュームドシリカ（Ｅｖｏｎｉｋ社，Ａｅｒｏｓｉｌ(登録商標) ２００）０．０１重量％、分散剤（ＢＹＫ―ｃｈｅｍｉｅ，ＢＹＫ１０２）０．４重量％、揺変剤（Ｅｌｅｍｅｎｔｉｓ社，Ｔｈｉｘａｔｒｏｌ(登録商標) ＳＴ）０．４重量％を投入して均等に混ぜた後、３ロール混練機で混合分散させて太陽電池電極形成用組成物を製造した。
前記太陽電池電極形成用組成物を８５Ω／ｓｑ．の面抵抗を有するウエハ（Ｗａｆｅｒ）の前面に一定のパターンでスクリーンプリントして印刷し、赤外線乾燥炉を用いて乾燥させた。その後、ウエハの後面にアルミニウムペーストを印刷した後、同様の方法で乾燥した。前記過程で形成されたセルをベルト型焼成炉を用いて４００℃ないし９００℃の間で３０秒から５０秒間焼成し、こうして製造が完了したセルは太陽電池効率測定装備（Ｐａｓａｎ社，ＣＴ―８０１）を用いて太陽電池のフィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に示した。
（実施例２ないし３）
下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に併せて示した。
下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に併せて示した。
（実施例４）
Ｐｂ対Ｔｅのモル比が１：２のＰｂ―Ｔｅ―Ｂｉ系ガラスフリットを使用し、下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に併せて示した。
Ｐｂ対Ｔｅのモル比が１：２のＰｂ―Ｔｅ―Ｂｉ系ガラスフリットを使用し、下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に併せて示した。
（実施例５）
Ｐｂ対Ｔｅのモル比が１：１．５のＰｂ―Ｔｅ―Ｂｉ系ガラスフリットを使用し、下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表に併せて示した。
Ｐｂ対Ｔｅのモル比が１：１．５のＰｂ―Ｔｅ―Ｂｉ系ガラスフリットを使用し、下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表に併せて示した。
（比較例１ないし８）
下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に併せて示した。
下記表１の組成で各成分を使用したことを除いては、前記実施例１と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表１に併せて示した。
前記表１から分かるように、特定比表面積を有する極微細ヒュームドシリカを使用した実施例１ないし５は、ヒュームドシリカ以外の無機物を使用した比較例１ないし６および無機物を使用していない比較例７に比べてフィルファクター値が著しく増加したことが分かり、これによって変換効率もまた優れることが分かる。これは、実施例で使用したヒュームドシリカによって焼成過程で最適なオーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）が形成され、ガラスフリット状不純物がウエハ内に浸透したり拡散することを最小化させることができたためである。また、比較例８は、ヒュームドシリカを過量使用した例であり、組成物の粘度が大幅に増加したため印刷性が低下し、フィルファクターおよび変換効率が低下したことが分かる。
＜実施例６ないし８および比較例９ないし１０＞
（実施例６）
有機バインダーとしてエチルセルロース（Ｄｏｗ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏｍｐａｎｙ，ＳＴＤ４）１重量％を溶媒であるテキサノール（Ｅａｓｔｍａｎ社，Ｔｅｘａｎｏｌ ｅｓｔｅｒ―ａｌｃｏｈｏｌ）６．６９重量％に６０℃で十分に溶解した後、平均粒径が２．５μｍの球形の銀粉末（Ｄｏｗａ Ｈｉｇｈｔｅｃｈ ＣＯ．ＬＴＤ，ＡＧ―５―１１Ｆ）８９重量％、下記表２の組成を有するＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリット２．５重量％、ＢＥＴ比表面積が２００±２５ｍ２／ｇのヒュームドシリカ（Ｅｖｏｎｉｋ社、Ａｅｒｏｓｉｌ(登録商標) ２００）０．０１重量％、分散剤（ＢＹＫ―ｃｈｅｍｉｅ，ＢＹＫ１０２）０．４重量％、揺変剤（Ｅｌｅｍｅｎｔｉｓ社，Ｔｈｉｘａｔｒｏｌ(登録商標) ＳＴ）０．４重量％を投入して均等に混ぜた後、３ロール混練機で混合分散させて太陽電池電極形成用組成物を製造した。
（実施例６）
有機バインダーとしてエチルセルロース（Ｄｏｗ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｃｏｍｐａｎｙ，ＳＴＤ４）１重量％を溶媒であるテキサノール（Ｅａｓｔｍａｎ社，Ｔｅｘａｎｏｌ ｅｓｔｅｒ―ａｌｃｏｈｏｌ）６．６９重量％に６０℃で十分に溶解した後、平均粒径が２．５μｍの球形の銀粉末（Ｄｏｗａ Ｈｉｇｈｔｅｃｈ ＣＯ．ＬＴＤ，ＡＧ―５―１１Ｆ）８９重量％、下記表２の組成を有するＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリット２．５重量％、ＢＥＴ比表面積が２００±２５ｍ２／ｇのヒュームドシリカ（Ｅｖｏｎｉｋ社、Ａｅｒｏｓｉｌ(登録商標) ２００）０．０１重量％、分散剤（ＢＹＫ―ｃｈｅｍｉｅ，ＢＹＫ１０２）０．４重量％、揺変剤（Ｅｌｅｍｅｎｔｉｓ社，Ｔｈｉｘａｔｒｏｌ(登録商標) ＳＴ）０．４重量％を投入して均等に混ぜた後、３ロール混練機で混合分散させて太陽電池電極形成用組成物を製造した。
前記太陽電池電極形成用組成物を８５Ω／ｓｑ．の面抵抗を有するウエハ（Ｗａｆｅｒ）前面に一定のパターンでスクリーンプリントして印刷し、赤外線乾燥炉を用いて乾燥させた。その後、ウエハの後面にアルミニウムペーストを印刷した後、同様の方法で乾燥した。前記過程で形成されたセルをベルト型焼成炉を用いて４００℃ないし９００℃の間で３０秒から５０秒間焼成し、このように製造が完了したセルは、太陽電池効率測定装備（Ｐａｓａｎ社，ＣＴ―８０１）を使用して太陽電池の開放電圧（Ｖｏｃ，Ｖ）、フィルファクター（ＦＦ，％）および変換効率（％）を測定して下記表３に示した。
（実施例７ないし８）
下記表３の組成であることを除いては、実施例６と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、物性を測定し、下記表３に併せて示した。
下記表３の組成であることを除いては、実施例６と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、物性を測定し、下記表３に併せて示した。
（比較例９）
下記表３の組成であることを除いては、実施例６と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、物性を測定し、下記表３に併せて示した。
下記表３の組成であることを除いては、実施例６と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、物性を測定し、下記表３に併せて示した。
（比較例１０）
ＢｉとＴｅのモル比が１：６０のＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリットを使用したことを除いては、実施例６と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、物性を測定し、下記表３に併せて示した。
ＢｉとＴｅのモル比が１：６０のＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリットを使用したことを除いては、実施例６と同様の方法で太陽電池電極形成用組成物を製造し、前記組成物を印刷して電極を形成した後、物性を測定し、下記表３に併せて示した。
前記表３の結果値から分かるように、ヒュームドシリカとビスマス（Ｂｉ）およびテルル（Ｔｅ）元素を含むガラスフリットを使用した太陽電池電極形成用組成物で製造された実施例６ないし８の電極は、ヒュームドシリカを使用しない比較例９の電極、ビスマス対テルルのモル比が１：５０を超える比較例１０の電極に比べてフィルファクターおよび変換効率に優れることが確認できた。
本発明の単純な変形ないし変更は、本分野の通常の知識を有する者によって容易に実施することができ、このような変形や変更は全て本発明の領域に含まれるものと見なす。
１０１：ｐ層、
１０２：ｎ層、
１１１：銀粒子、
１１２：ガラスフリット、
１１３：銀結晶。
１０２：ｎ層、
１１１：銀粒子、
１１２：ガラスフリット、
１１３：銀結晶。
Claims (9)
- 銀粉末；ヒュームドシリカ；ガラスフリット；および有機ビヒクルを含む組成物であって、
前記ヒュームドシリカは、組成物全重量に対して０．０１重量％〜０．１重量％で含まれることを特徴とする、太陽電池電極形成用組成物。 - 前記銀粉末６０重量％〜９５重量％；前記ヒュームドシリカ０．０１重量％〜０．１重量％；前記ガラスフリット０．５重量％〜２０重量％；および前記有機ビヒクル１重量％〜３０重量％を含む、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 前記ヒュームドシリカの比表面積（ＢＥＴ）は、２０ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 前記ガラスフリットは、Ｐｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｐ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｚｎ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｂｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｚｎ―Ｂ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｂｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｓｉ―Ｏ系、Ｐｂ―Ｔｅ―Ｌｉ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｔｅ―Ｏ系、Ｂｉ―Ｔｅ―Ｓｉ―Ｏ系またはＢｉ―Ｔｅ―Ｌｉ―Ｏ系ガラスフリットであることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 前記ガラスフリットは、ＢｉとＴｅのモル比が１：０．１〜１：５０であるＢｉ―Ｔｅ―Ｏ系ガラスフリットである、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 前記ガラスフリットは、鉛（Ｐｂ）、テルル（Ｔｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、セリウム（Ｃｅ）、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、アンチモン（Ｓｂ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、セレニウム（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、リン（Ｐ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）、セシウム（Ｃｓ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ヒ素（Ａｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）およびアルミニウム（Ａｌ）の酸化物からなる群から選ばれた１種以上の金属酸化物から形成されたものである、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 前記ガラスフリットは、平均粒径（Ｄ５０）が０．１μｍ〜２０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 分散剤、揺変剤、可塑剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤およびカップリング剤からなる群から選ばれる添加剤を１種以上さらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池電極形成用組成物。
- 請求項１〜８のいずれか１項に記載の太陽電池電極形成用組成物で製造された、太陽電池電極。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019054242A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆ガラス粉末およびその製造方法 |
| JP2019052080A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆ガラス粉末およびその製造方法 |
| WO2019088526A1 (ko) * | 2017-11-06 | 2019-05-09 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
| JP2020017423A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト |
| JP2021516655A (ja) * | 2018-04-19 | 2021-07-08 | ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニーＪｏｈｎｓｏｎ Ｍａｔｔｈｅｙ Ｐｕｂｌｉｃ Ｌｉｍｉｔｅｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | キット、粒子混合物、ペースト、及び方法 |
| KR20220123286A (ko) | 2020-01-16 | 2022-09-06 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 도전성 페이스트, 전극 및 칩 저항기 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160057583A (ko) * | 2014-11-13 | 2016-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극 |
| TWI521548B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-02-11 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（四） |
| TWI505294B (zh) * | 2014-12-08 | 2015-10-21 | Giga Solar Materials Corp | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（六） |
| TWI591652B (zh) * | 2014-12-08 | 2017-07-11 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（五） |
| TWI521546B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-02-11 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（三） |
| KR101696985B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2017-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| KR20160082468A (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-08 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 전기전도성 페이스트 조성물용 유리 조성물 |
| CN104876448A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-09-02 | 江苏欧耐尔新型材料有限公司 | 低铅太阳能银浆玻璃粉及其制备方法 |
| US20170144920A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Giga Solar Materials Corp. | Crystalline oxides, preparation thereof and conductive pastes containing the same |
| KR20170128029A (ko) * | 2016-05-13 | 2017-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| WO2018032351A1 (en) * | 2016-08-16 | 2018-02-22 | Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. | Thick-film paste for front-side metallization in silicon solar cells |
| SG11201809794SA (en) | 2016-12-20 | 2018-12-28 | Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd | Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions |
| MY189222A (en) | 2016-12-20 | 2022-01-31 | Zhejiang Kaiying New Mat Co Ltd | Siloxane-containing solar cell metallization pastes |
| WO2018186295A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | ハリマ化成株式会社 | 無機粒子分散体 |
| CN110663119B (zh) * | 2017-05-31 | 2023-08-29 | 东洋铝株式会社 | 太阳能电池用膏状组合物 |
| KR20200015318A (ko) * | 2018-08-03 | 2020-02-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 알루미늄 산화물층을 포함하는 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지 |
| US10749045B1 (en) | 2019-05-23 | 2020-08-18 | Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. | Solar cell side surface interconnects |
| US10622502B1 (en) | 2019-05-23 | 2020-04-14 | Zhejiang Kaiying New Materials Co., Ltd. | Solar cell edge interconnects |
| CN113409986B (zh) * | 2021-07-14 | 2022-11-15 | 晶澜光电科技(江苏)有限公司 | 一种太阳能电池p+电极用银铝浆及太阳能电池 |
| CN114283963B (zh) * | 2021-12-20 | 2023-05-26 | 江苏索特电子材料有限公司 | 导电浆料组合物及其制备方法和应用、晶硅太阳能电池 |
| CN117038146B (zh) * | 2023-08-28 | 2024-01-16 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种用于太阳能硅片电池的正银主栅浆料及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396809A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | 株式会社村田製作所 | 導電ペ−スト |
| JPH0977949A (ja) * | 1994-11-07 | 1997-03-25 | Heraeus Inc | 水性銀組成物 |
| WO2009157727A2 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Sscp Co., Ltd. | Conductive paste composition and method of preparing electrode using the same |
| JP2010538466A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | フエロ コーポレーション | 太陽電池におけるファイヤースルー用の厚膜ペースト |
| KR20110077731A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| KR101178180B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2012-08-30 | 한국다이요잉크 주식회사 | 결정형 태양전지 후면 전극 제조용 조성물 |
| US20120305858A1 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Low temperature fireable thick film silver paste |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110272019A1 (en) | 2009-01-23 | 2011-11-10 | Takashi Watsuji | Paste composition and solar cell element using the same |
| KR101611456B1 (ko) | 2009-09-02 | 2016-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 |
| KR20110025614A (ko) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트 |
| CN102157219B (zh) * | 2011-01-12 | 2012-06-27 | 西安银泰新能源材料科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
| US8512463B2 (en) | 2011-04-05 | 2013-08-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013235942A (ja) | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 |
| CN103337277A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-02 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种太阳能电池正面电极用导电银浆及其制备方法 |
-
2014
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396809A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | 株式会社村田製作所 | 導電ペ−スト |
| JPH0977949A (ja) * | 1994-11-07 | 1997-03-25 | Heraeus Inc | 水性銀組成物 |
| JP2010538466A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | フエロ コーポレーション | 太陽電池におけるファイヤースルー用の厚膜ペースト |
| WO2009157727A2 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Sscp Co., Ltd. | Conductive paste composition and method of preparing electrode using the same |
| KR20110077731A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| KR101178180B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2012-08-30 | 한국다이요잉크 주식회사 | 결정형 태양전지 후면 전극 제조용 조성물 |
| US20120305858A1 (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Low temperature fireable thick film silver paste |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019052080A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆ガラス粉末およびその製造方法 |
| WO2019054242A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆ガラス粉末およびその製造方法 |
| CN111557036A (zh) * | 2017-11-06 | 2020-08-18 | LS-Nikko铜制炼株式会社 | 太阳能电池电极用导电性浆料以及使用上述浆料制造的太阳能电池 |
| WO2019088526A1 (ko) * | 2017-11-06 | 2019-05-09 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
| KR20190051398A (ko) * | 2017-11-06 | 2019-05-15 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
| KR102007858B1 (ko) * | 2017-11-06 | 2019-08-06 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
| CN111557036B (zh) * | 2017-11-06 | 2022-03-25 | LS-Nikko铜制炼株式会社 | 太阳能电池电极用导电性浆料以及使用上述浆料制造的太阳能电池 |
| JP7042385B2 (ja) | 2018-04-19 | 2022-03-25 | ジョンソン・マッセイ・アドバンスト・グラス・テクノロジーズ・ベスローテン・フェンノートシャップ | キット、粒子混合物、ペースト、及び方法 |
| JP2021516655A (ja) * | 2018-04-19 | 2021-07-08 | ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニーＪｏｈｎｓｏｎ Ｍａｔｔｈｅｙ Ｐｕｂｌｉｃ Ｌｉｍｉｔｅｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | キット、粒子混合物、ペースト、及び方法 |
| US11434165B2 (en) | 2018-04-19 | 2022-09-06 | Johnson Matthey Advances Glass Technologies B.V. | Kit, particle mixture, paste and methods |
| WO2020021872A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト、電極及びチップ抵抗器 |
| JP2020017423A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト |
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