KR102171405B1 - 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 - Google Patents

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 Download PDF

Info

Publication number
KR102171405B1
KR102171405B1 KR1020180035389A KR20180035389A KR102171405B1 KR 102171405 B1 KR102171405 B1 KR 102171405B1 KR 1020180035389 A KR1020180035389 A KR 1020180035389A KR 20180035389 A KR20180035389 A KR 20180035389A KR 102171405 B1 KR102171405 B1 KR 102171405B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass frit
weight
composition
solar cell
tellurium
Prior art date
Application number
KR1020180035389A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190113131A (ko
Inventor
신동일
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020180035389A priority Critical patent/KR102171405B1/ko
Publication of KR20190113131A publication Critical patent/KR20190113131A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102171405B1 publication Critical patent/KR102171405B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/08—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

도전성 분말; 유리 프릿의 혼합물; 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿의 혼합물은 유리전이온도가 260℃ 이상 290℃ 미만인 제2유리 프릿과 유리전이온도가 290℃ 이상 360℃ 이하인 제3유리 프릿 중 1종 이상; 및 유리전이온도가 220℃ 이상 250℃ 미만인 제1유리 프릿을 포함하는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물, 및 이로부터 형성된 전극이 제공된다.

Description

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극{COMPOSITION FOR FORMING SOLAR CELL ELECTRODE AND ELECTRODE PREPARED USING THE SAME}
본 발명은 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 본 발명의 특정 유리전이온도를 갖는 유리 프릿의 혼합물을 포함함으로써, Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 전극 구현이 가능한 태양전지 전극 형성용 조성물에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.
최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 에미터(emitter)의 두께가 지속적으로 얇아짐에 따라, 태양전지의 성능을 저하시킬 수 있는 션팅(shunting) 현상을 유발시킬 수 있다. 또한, 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 태양전지의 면적을 점차 증가시키고 웨이퍼의 면저항이 점차 올라가고 있는데 이는 태양전지의 접촉저항을 높여 태양전지의 효율을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 배경 기술은 일본공개특허 제2015-144162호 등에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 전극 구현이 가능한 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 태양전지 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말; 유리 프릿의 혼합물; 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿의 혼합물은 유리전이온도가 260℃ 이상 290℃ 미만인 제2유리 프릿과 유리전이온도가 290℃ 이상 360℃ 이하인 제3유리 프릿 중 1종 이상; 및 유리전이온도가 220℃ 이상 250℃ 미만인 제1유리 프릿을 포함할 수 있다.
상기 제1유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬계 유리 프릿 또는 납- 텔루륨-아연-리튬계 유리 프릿을 포함할 수 있다.
상기 제2유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬-텅스텐계 유리 프릿 또는 납-텔루륨-아연-리튬-텅스텐계 유리 프릿을 포함할 수 있다.
상기 제3유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬-마그네슘계 유리 프릿, 비스무트-리튬-나트륨계 유리 프릿, 납-텔루륨-아연-리튬-마그네슘계 유리 프릿 또는 납-텔루륨-아연-리튬-나트륨계 유리 프릿을 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿의 혼합물에서 상기 제1 유리 프릿은 10중량% 내지 80중량%, 상기 제2 유리 프릿은 0중량% 내지 70중량%, 상기 제3 유리 프릿은 0중량% 내지 70중량%이고, 상기 제2 유리 프릿과 상기 제3 유리 프릿의 총합은 0중량%를 초과한다.
상기 유리 프릿의 혼합물에서 상기 제1 유리 프릿: 상기 제2유리 프릿과 상기 제3유리 프릿 전체는 1:1 내지 1:10의 중량비로 포함될 수 있다
상기 유리 프릿의 혼합물에서 상기 제1유리 프릿: 상기 제2유리 프릿: 상기 제3유리 프릿은 1:0.1 내지 3: 0.1 내지 5의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 유리 프릿의 혼합물은 상기 제1유리 프릿, 상기 제2유리 프릿 및 상기 제3유리 프릿을 모두 포함할 수 있다.
상기 조성물은 상기 도전성 분말 60중량% 내지 95중량%, 상기 유리 프릿의 혼합물 1중량% 내지 20중량%, 상기 유기 비히클을 잔부량으로 포함할 수 있다.
상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 중 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 전극은 본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조될 수 있다.
본 발명은 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 전극 구현이 가능한 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하였다.
본 발명은 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 태양전지 전극을 제공하였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 명세서에서 유리프릿의 "유리전이온도"는 당업자에게 알려진 통상의 방법으로 측정할 수 있고, 예를 들면 시차주사열량계(differential scanning calorimetry)로 측정할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
태양전지 전극 형성용 조성물
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말; 유리 프릿의 혼합물; 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿의 혼합물은 유리전이온도가 260℃ 이상 290℃ 미만인 제2유리 프릿과 유리전이온도가 290℃ 이상 360℃ 이하인 제3유리 프릿 중 1종 이상; 및 유리전이온도가 220℃ 이상 250℃ 미만인 제1유리 프릿을 포함할 수 있다. 본 발명의 발명자는 상기 유리 프릿의 혼합물을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물은 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 전극 구현이 가능함을 알아내고 본 발명을 완성하였다.
이하, 본 발명의 조성물 중 각 성분들에 대해 상세하게 설명한다.
도전성 분말
도전성 분말은 은(Ag) 분말을 포함할 수 있다. 상기 은 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있으며, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 은 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 은 분말일 수 있다. 또한, 상기 은 분말로 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 은 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.
도전성 분말은 은(Ag) 분말 이외에도 통상적으로 알려진 도전성 분말을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도전성 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 분말이 사용될 수 있다.
도전성 분말은 입자 형상이 특별히 한정되지 않으며, 다양한 형상의 입자들, 예를 들면, 구형, 판상 또는 무정형 형상의 입자들이 제한없이 사용될 수 있다.
도전성 분말의 평균입경(D50)은 0.1㎛ 내지 10㎛이며, 바람직하게는 0.5㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서, Fill Factor 및 변환 효율이 우수할 수 있다. 상기 평균입경(D50)은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다.
도전성 분말은 태양전지 전극 형성용 조성물 중 60중량% 내지 95중량%로 포함될 수 있다. 도전성 분말의 함량이 상기 범위를 만족할 때, 태양전지의 변화 효율이 우수하게 나타나며, 페이스트화가 원활하게 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 도전성 분말은 태양전지 전극 형성용 조성물 중 70중량% 내지 90중량%로 포함될 수 있다.
유리 프릿
유리 프릿은 태양전지 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 도전성 분말을 용융시켜 에미터 영역에 도전성 분말의 결정 입자를 생성시키기 위한 것이다. 또한, 유리 프릿은 도전성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 제2유리 프릿과 제3유리 프릿 중 1종 이상; 및 제1유리 프릿을 포함하는 유리 프릿의 혼합물을 포함할 수 있다. 제1유리 프릿, 제2유리 프릿, 및 제3유리 프릿의 유리전이온도는 서로 다르다. 상기 유리 프릿의 혼합물은 전극 형성용 조성물로 전극 제조시 용매가 휘발되는 온도에서도부터 유기 바인더가 분해되는 온도까지의 전체 온도 영역에서 유리전이온도를 갖는 유리 프릿 2종 이상을 포함한다. 따라서, 본 발명은 전극 형성용 조성물로 전극 제조시 용매 휘발이 개시되는 온도에서도부터 유기 바인더의 분해 개시 온도까지의 전체 온도 영역에서 연속적인 소결이 이루어지도록 할 수 있다. 이를 통해, 낮은 온도에서도 도전성 분말의 소결을 가능하게 하여 전기적 특성을 개선하고 도전성 분말이 완전히 충진된 막을 솔더링시 리본 부착력도 개선할 수 있게 하였다.
(1) 제1 유리 프릿
제1 유리 프릿은 유리전이온도가 220℃ 이상 250℃ 미만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 전극 형성용 조성물로 전극 제조시 용매가 휘발되는 과정에서 조성물 중 유기 비히클의 분해와 조성물의 소결이 개시되도록 함으로써 전기적 특성과 물리적 특성을 개선할 수 있다. 구체적으로, 제1유리 프릿은 유리전이온도가 220℃ 이상 245℃ 이하가 될 수 있다.
제1 유리 프릿은 비스무트(Bi), 텔루륨(Te)을 포함하는 비스무트-텔루륨계 또는 납(Pb), 텔루륨(Te)을 포함하는 납-텔루륨계 유리프릿이 될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 포함될 수 있다. 또한, 제1 유리 프릿은 아연(Zn) 및 리튬(Li)을 더 포함하는 비스무트-텔루륨-아연-리튬계 또는 납-텔루륨-아연-리튬계 유리 프릿일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 포함될 수 있다. 제1 유리 프릿은 비스무트(Bi) 또는 납(Pb); 텔루륨(Te); 아연(Zn); 및 리튬(Li)을 포함함으로써 상기 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿은 산화비스무트와 산화텔루륨 전체 또는 산화납과 산화텔루륨 전체를 70중량% 내지 99중량%, 예를 들면 70중량% 내지 90중량%로 포함하고, 산화아연과 산화리튬 전체를 1중량% 내지 30중량%, 예를 들면 10중량% 내지 30중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 본 발명의 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다.
일 구체예에서, 제1 유리 프릿은 산화비스무트 또는 산화납을 5중량% 내지 50중량%, 바람직하게는 10중량% 내지 40중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제1유리 프릿은 산화텔루륨을 40중량% 내지 90중량%, 바람직하게는 50중량% 내지 80중량% 또는 60중량% 내지 80중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제1유리 프릿은 산화아연을 1중량% 내지 30중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 15중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제1 유리 프릿은 산화리튬을 1중량% 내지 10중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 8중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 저온 열거동 효과가 있을 수 있다.
제1 유리 프릿은 비스무트(Bi), 납(Pb), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al) 및 이들의 산화물들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 더 포함할 수도 있다.
제1 유리 프릿은 상기 유리 프릿의 혼합물 중 10중량% 내지 80중량%, 예를 들면 20중량% 내지 50중량%, 20중량% 내지 40중량%, 30중량% 내지 80중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저온 열거동 효과가 있을 수 있다.
(2) 제2 유리 프릿
제2 유리 프릿은 유리전이온도가 260℃ 이상 290℃ 미만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 전극 형성용 조성물로 전극 제조시 연속적인 소결이 가능하도록 하여 전기적 특성과 물리적 특성을 동시에 개선할 수 있다. 구체적으로, 제2유리 프릿은 유리전이온도가 260℃ 이상 280℃ 이하가 될 수 있다.
제2유리 프릿은 비스무트(Bi), 텔루륨(Te)을 포함하는 비스무트-텔루륨계 또는 납(Pb), 텔루륨(Te)을 포함하는 납-텔루륨계 유리 프릿이 될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 포함될 수 있다. 제2 유리 프릿은 아연(Zn), 리튬(Li) 및 텅스텐(W)을 더 포함하는 비스무트-텔루륨-아연-리튬-텅스텐계 또는 납-텔루륨-아연-리튬-텅스텐계 유리 프릿일 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 포함될 수 있다. 제2 유리 프릿은 비스무트(Bi) 또는 납(Pb), 텔루륨(Te), 아연(Zn), 리튬(Li) 및 텅스텐(W)을 포함함으로써 상기 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿은 산화비스무트와 산화텔루륨 전체를 70중량% 내지 99중량% 예를 들면 70중량% 내지 90중량%로 포함하고, 산화아연, 산화리튬 및 산화텅스텐 전체를 1중량% 내지 30중량% 예를 들면 10중량% 내지 30중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 본 발명의 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다.
일 구체예에서, 제2 유리 프릿은 산화비스무트 또는 산화납을 5중량% 내지 50중량%, 바람직하게는 10중량% 내지 40중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제2유리 프릿은 산화텔루륨을 40중량% 내지 90중량%, 바람직하게는 50중량% 내지 80중량% 또는 60중량% 내지 80중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제2 유리 프릿은 산화아연을 1중량% 내지 30중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 15중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제2유리 프릿은 산화리튬을 1중량% 내지 10중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 8중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제2유리 프릿은 산화텅스텐을 1중량% 내지 10중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 8중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 제1 유리 프릿보다 높은 온도에서의 열유동성 효과가 있을 수 있다.
제2 유리 프릿은 비스무트(Bi), 납(Pb), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al) 및 이들의 산화물들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다.
제2 유리 프릿은 상기 유리 프릿의 혼합물 중 70중량% 이하, 예를 들면 10중량% 내지 50중량%, 20중량% 내지 40중량%, 20중량% 내지 70중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 제1 유리 프릿보다 높은 온도에서의 열유동성 효과가 있을 수 있다.
(3) 제3 유리 프릿
제3 유리 프릿은 유리전이온도가 290℃ 이상 360℃ 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 전극 형성용 조성물로 전극 제조시 연속적인 소결이 가능하도록 하여 전기적 특성과 물리적 특성을 동시에 개선할 수 있다. 구체적으로, 제3유리 프릿은 유리전이온도가 260℃ 이상 330℃ 이하가 될 수 있다.
제3 유리 프릿은 비스무트(Bi), 리튬(Li)을 포함하는 비스무트-리튬계, 납(Pb), 리튬(Li)을 포함하는 납-리튬계, 비스무트(Bi), 텔루륨(Te)을 포함하는 비스무트-텔루륨계 또는 납(Pb), 텔루륨(Te)을 포함하는 납-텔루륨계 유리 프릿이 될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 포함될 수 있다. 제3 유리 프릿은 리튬(Li), 텔루륨(Te), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 및 나트륨(Na) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 제3 유리 프릿은 비스무트(Bi) 또는 납(Pb), 리튬(Li) 또는 텔루륨(Te)을 포함하고, 리튬(Li), 텔루륨(Te), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 및 나트륨(Na) 중 하나 이상을 더 포함함으로써 상기 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다. 바람직하게는, 제3 유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬-마그네슘계, 비스무트-리튬-나트륨계, 납-텔루륨-아연-리튬-마그네슘계, 납-텔루륨-아연-리튬-나트륨계 유리 프릿 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화비스무트와 산화텔루륨 전체를 70중량% 내지 99중량% 예를 들면 70중량% 내지 90중량%로 포함하고, 산화아연, 산화리튬 및 산화마그네슘 전체를 1중량% 내지 30중량% 예를 들면 10중량% 내지 30중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 본 발명의 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다.
다른 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화비스무트와 산화리튬 전체를 70중량% 내지 99중량% 예를 들면 70중량% 내지 90중량%로 포함하고, 산화나트륨을 1중량% 내지 30중량% 예를 들면 10중량% 내지 30중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 본 발명의 유리전이온도 범위를 용이하게 확보할 수 있다.
일 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화비스무트를 5중량% 내지 80중량%, 바람직하게는 10중량% 내지 75중량%, 40중량% 내지 80중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제3유리 프릿은 산화텔루륨을 10중량% 내지 90중량%, 바람직하게는 40중량% 내지 90중량%, 60중량% 내지 80중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화아연을 1중량% 내지 30중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 15중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화리튬을 1중량% 내지 50중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 20중량%, 1중량% 내지 15중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화나트륨을 1중량% 내지 30중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 10중량%로 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 제3 유리 프릿은 산화마그네슘을 1중량% 내지 20중량%, 바람직하게는 5중량% 내지 20중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 제2 유리 프릿 보다 고온에서의 열유동성 효과가 있을 수 있다.
제3 유리 프릿은 비스무트(Bi), 납(Pb), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al) 및 이들의 산화물들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 더 포함할 수도 있다.
제3 유리 프릿은 상기 유리 프릿의 혼합물 중 70중량% 이하, 예를 들면 10중량% 내지 60중량%, 30중량% 내지 60중량%, 20중량% 내지 70중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 제2 유리 프릿보다 고온에서의 열유동성 효과가 있을 수 있다.
제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿, 제3 유리 프릿은 당업자에게 알려진 통상의 방법을 사용하여 상기 금속 및/또는 금속 산화물로부터 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 및/또는 금속 산화물을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill) 등을 사용하여 혼합한 후, 혼합된 조성물을 800℃ 내지 1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한 다음, 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 유리프릿을 얻을 수 있다.
제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿, 제3 유리 프릿의 각각의 형상 및 크기 등은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 제1유리 프릿, 제2유리 프릿, 제3유리프릿은 평균입경(D50)이 동일하거나 다를 수 있고, 평균입경(D50)은 0.1㎛ 내지 10㎛ 인 것이 사용될 수 있다. 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿, 제3 유리 프릿의 형상은 동일하거나 다를 수 있고, 예를 들면 구형 또는 부정형일 수 있다. 상기 평균입경(D50)은 이소프로필알코올(IPA)에 유리프릿 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다.
유리 프릿의 혼합물 중 제1 유리 프릿: 제2 유리 프릿과 제3 유리 프릿 전체는 1:1 내지 1:10, 예를 들면 1:1 내지 1:5의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 도전성 분말 특히, 은 분말에 있어 우수한 충진도를 갖는 높은 소결특성 효과가 있을 수 있다.
유리 프릿의 혼합물 중 제1 유리 프릿: 제2유리 프릿: 제3유리 프릿은 1:0.1 내지 3: 0.1 내지 5, 예를 들면 1:0.5 내지 2: 1 내지 3의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 도전성 분말 특히, 은 분말에 있어 우수한 충진도를 갖는 높은 소결특성 효과가 있을 수 있다.
유리 프릿의 혼합물은 태양전지 전극 형성용 조성물 중 1중량% 내지 20중량%, 예를 들면 2중량% 내지 15중량%일 수 있다. 상기 범위로 함유되는 경우, 다양한 면저항 하에서 전기적 특성과 물리적 특성을 개선할 수 있다.
유기 비히클
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.
유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기비히클이 사용될 수 있는데, 통상 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.
바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.
용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸셀로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 중 잔부량으로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 전체 중량 대비 1중량% 내지 30중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
첨가제
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 중 0.1중량% 내지 5중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 한 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 태양전지(100)은 p층(또는 n층)(11) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(12)을 포함하는 웨이퍼(10) 또는 기판 상에, 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(21) 및 전면 전극(23)을 형성할 수 있다. 예컨대, 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃ 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400℃ 내지 950℃, 바람직하게는 700℃ 내지 950℃에서 약 30초 내지 210초 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다.
하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A)도전성 분말: 평균입경(D50)이 1.5㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8)
(B)유리 프릿:
(B1)산화비스무스(15중량%)-산화텔루륨(70중량%)-산화아연(10중량%)-산화리튬(5중량%)로 구성되고, 유리전이온도가 235℃인 제1 유리 프릿
(B2)산화비스무스(15중량%)-산화텔루륨(65중량%)-산화아연(10중량%)-산화리튬(5중량%)-산화텅스텐(5중량%)로 구성되고, 유리전이온도가 270℃인 제2 유리 프릿
(B3)산화비스무스(15중량%)-산화텔루륨(65중량%)-산화아연(10중량%)-산화리튬(5중량%)-산화마그네슘(5중량%)으로 구성되고, 유리전이온도가 300℃인 제3 유리 프릿
(B4)산화비스무스(75중량%)-산화리튬(15중량%)-산화나트륨(10중량%)으로 구성되고, 유리전이온도가 310℃인 제3 유리 프릿
(C)유기 비히클
(C1)유기 바인더: 에틸셀룰로오스(STD10, Dow Chemical社)
(C2)용매: 터피네올(텍사놀, BCA社)
(D)분산제: BYK102(BYK-chemie社)
(E)요변제: Thixatrol ST (Elementis co.)
실시예 1
(C1)유기 바인더 2.5중량%를 (C2)용매 5중량%에 넣고 60℃에서 충분히 용해하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, (B1)제1 유리 프릿, (B2)제2 유리 프릿, (B3)제3 유리 프릿, (B4)제3 유리 프릿을 하기 표 1의 함량(단위:중량%)에 따라 더 첨가하고, 그런 다음 (A)도전성 분말 87중량%를 첨가하고, (D)분산제 0.2중량%, (E)요변제 0.3중량%를 첨가하여 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 2 내지 실시예 4
상기 실시예 1에서, (B1)제1유리 프릿, (B2)제2유리 프릿, (B3)제3유리 프릿, (B4)제3유리 프릿의 함량을 하기 표 1에 따라 변경한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 5 내지 실시예 7
(C1)유기 바인더 3중량%를 (C2)용매 6.5중량%에 넣고, 60℃에서 충분히 용해하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, (B1)제1 유리 프릿, (B2)제2 유리 프릿, (B4)제3 유리 프릿을 하기 표 1의 함량에 따라 더 첨가하고, 그런 다음 (A)도전성 분말 87중량%를 첨가하고, (D)분산제 0.2중량%, (E)요변제 0.3중량%를 첨가하여 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 4
상기 실시예 1에서, (B1)제1유리 프릿, (B2)제2유리 프릿, (B3)제3유리 프릿, (B4)제3유리 프릿의 함량을 하기 표 1에 따라 변경한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
비교예 5
(C1)유기 바인더 3중량%를 (C2)용매 6.5중량%에 넣고, 60℃에서 충분히 용해하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물에, (B1)제1 유리프릿, (B2)제2 유리 프릿, (B3)제3 유리 프릿, (B4)제3 유리 프릿을 하기 표 1의 함량에 따라 더 첨가하고, 그런 다음 (A)도전성 분말 87중량%를 첨가하고, (D)분산제 0.2중량%, (E)요변제 0.3중량%를 첨가하여 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5
(B1) 2 1 1 1 1 1 1 5 - - - 3
(B2) 1 2 1 1 1 2 - - 5 - - -
(B3) 1 1 2 1 - - - - - 5 - -
(B4) 1 1 1 2 1 - 2 - - - 5 -
실시예와 비교예에서 제조한 태양전지 전극 형성용 조성물을 이용하여 하기와 같이 태양전지 셀을 제조한 후, 각각에 대하여 전기적 특성과 리본 부착력을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
태양전지 셀 제조
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼(보론(Bron)이 도핑(doping)된 p 타입 wafer) 전면에 텍스쳐링(texturing)한 후, POCl3로 n+층을 형성하고 그 위에 질화규소(SiNx:H)를 반사방지막으로 형성시킨 Multi crystalline 웨이퍼(면저항 90Ω의 폴리실리콘타입 실리콘 웨이퍼)의 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅하여 인쇄하였다. 인쇄시 스크린 마스크 SUS360 타입을 사용하고 인쇄시 두께는 15㎛, 선폭은 30㎛, 핑거 개수는 100개로 하였다.
그런 다음, 적외선 건조로를 사용하여 300~400℃에서 1분간 건조시켰다. 이후 웨이퍼의 후면에 알루미늄 페이스트를 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 셀을 벨트형 소성로를 사용하여 400~900℃에서 50초간 소성하여 태양전지 셀을 제조하였다.
(1)전기적 특성: 상기와 같이 제조된 태양전지 셀에 대하여 태양전지 효율측정장비(Halm社)를 사용하여 Fill Factor(FF, 단위:%) 및 변환효율(Eff, 단위:%)를 측정하였다.
(2)리본 부착력: Flux(BONKOTE社, BON-102)를 셀의 버스바에 도포 후 인두기(HAKKO社, FX-838)을 사용하여 Sn/Pb ribbon(Huaguangda社, TM-A)을 약 360℃에서 버스바에 부착시킨다. 부착시킨 리본을 인장강도 시험기(Instron社, H5KT)를 사용하여 180°각도로 부착력(단위: N/mm)을 평가하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5
FF 77.4 77.2 77.0 77.1 77.3 77.2 77.0 75.4 76.8 74.2 68.5 74.2
Eff 17.8 17.8 17.7 17.6 17.8 17.6 17.6 16.5 17.0 16.2 13.8 16.0
리본 부착력 4 4.2 4.2 3.8 4.2 4.1 4.0 2.1 1.5 1.0 0.5 1.8
상기 표 2에서와 같이, 본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 전극 구현이 가능하였다.
반면에, 본 발명의 유리 프릿의 혼합물을 포함하지 않은 조성물인 비교예는 Fill Factor 및 변환 효율의 전기적 특성이 우수하고, 리본 부착력의 물리적 특성이 동시에 우수한 전극 구현을 할 수 없었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (11)

  1. 도전성 분말; 유리 프릿의 혼합물; 및 유기 비히클을 포함하고,
    상기 유리 프릿의 혼합물은 유리전이온도가 260℃ 이상 290℃ 미만인 제2유리 프릿과 유리전이온도가 290℃ 이상 360℃ 이하인 제3유리 프릿 중 1종 이상; 및 유리전이온도가 220℃ 이상 250℃ 미만인 제1유리 프릿을 포함하고,
    상기 유리 프릿의 혼합물에서 상기 제1 유리 프릿은 20중량% 내지 50중량%, 상기 제2 유리 프릿은 0중량% 내지 70중량%, 상기 제3 유리 프릿은 0중량% 내지 70중량%이고, 상기 제2 유리 프릿과 상기 제3 유리 프릿의 총합은 0중량%를 초과하고,
    상기 유리 프릿의 혼합물에서 상기 제1 유리 프릿: 상기 제2유리 프릿과 상기 제3유리 프릿의 혼합물의 중량비는 1:1 내지 1:10인 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬계 또는 납-텔루륨-아연-리튬계 유리 프릿인 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬-텅스텐계 또는 납- 텔루륨-아연-리튬-텅스텐계 유리 프릿인 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3유리 프릿은 비스무트-텔루륨-아연-리튬-마그네슘계 유리 프릿, 비스무트-리튬-나트륨계 유리 프릿, 납-텔루륨-아연-리튬-마그네슘계, 납-텔루륨-아연-리튬-나트륨계 유리 프릿 중 1종 이상을 포함하는 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿의 혼합물에서 상기 제1유리 프릿: 상기 제2유리 프릿: 상기 제3유리 프릿은 1:0.1 내지 3: 0.1 내지 5의 중량비로 포함되는 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿의 혼합물은 상기 제1유리 프릿, 상기 제2유리 프릿 및 상기 제3유리 프릿을 모두 포함하는 것인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은
    상기 도전성 분말 60중량% 내지 95중량%,
    상기 유리 프릿의 혼합물 1중량% 내지 20중량%,
    상기 유기 비히클을 잔부량으로 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 중 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
  11. 제1항 내지 제4항, 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항의 태양전지 전극 형성용 조성물로 형성된 전극.
KR1020180035389A 2018-03-27 2018-03-27 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 KR102171405B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180035389A KR102171405B1 (ko) 2018-03-27 2018-03-27 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180035389A KR102171405B1 (ko) 2018-03-27 2018-03-27 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190113131A KR20190113131A (ko) 2019-10-08
KR102171405B1 true KR102171405B1 (ko) 2020-10-28

Family

ID=68208569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180035389A KR102171405B1 (ko) 2018-03-27 2018-03-27 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102171405B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111499208B (zh) * 2020-04-23 2021-08-06 常州聚和新材料股份有限公司 单晶硅太阳能电池正面银浆用玻璃料及其制备方法与应用
CN114550969A (zh) * 2022-01-21 2022-05-27 上海银浆科技有限公司 玻璃粉、导电银浆及其制备方法、正面电极和硅太阳能电池

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120078109A (ko) * 2010-12-31 2012-07-10 엘지이노텍 주식회사 태양 전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지
KR101716525B1 (ko) * 2012-12-21 2017-03-14 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101835921B1 (ko) * 2014-03-18 2018-03-07 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101786148B1 (ko) * 2013-05-23 2017-10-16 엘지이노텍 주식회사 태양전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지
KR101955759B1 (ko) * 2016-06-23 2019-03-07 삼성에스디아이 주식회사 P형 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이를 이용해 제조된 전극 및 p형 태양전지

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190113131A (ko) 2019-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101587683B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US9899545B2 (en) Composition for forming solar cell electrode and electrode produced from same
JP6392354B2 (ja) 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極
KR101696985B1 (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101659131B1 (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20210111912A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극
KR102171405B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP2016210962A (ja) 電極形成用組成物ならびにこれを用いて製造された電極および太陽電池
KR101590224B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101940170B1 (ko) 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
JP2019106524A (ja) 太陽電池
KR102406747B1 (ko) 태양전지 전극 형성 방법 및 태양전지
KR20190066158A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102316662B1 (ko) 태양전지 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 태양전지 전극 및 태양전지
KR102018364B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20210121343A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극
KR20210076308A (ko) 태양전지 전극 및 이의 형성 방법
KR20190118036A (ko) 태양전지용 핑거 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 태양전지용 핑거 전극
US20190157473A1 (en) Composition for p-type solar cell electrode, electrode prepared therefrom and p-type solar cell prepared using the same
KR20140143294A (ko) 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102712209B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물, 선택적 에미터 태양전지 전극 및 선택적 에미터 태양전지
KR20190073210A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102326611B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20180046810A (ko) 태양전지용 핑거 전극 및 이의 제조방법
KR101974839B1 (ko) 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant