KR101611456B1 - 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 - Google Patents
인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101611456B1 KR101611456B1 KR1020090082711A KR20090082711A KR101611456B1 KR 101611456 B1 KR101611456 B1 KR 101611456B1 KR 1020090082711 A KR1020090082711 A KR 1020090082711A KR 20090082711 A KR20090082711 A KR 20090082711A KR 101611456 B1 KR101611456 B1 KR 101611456B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- paste composition
- forming
- cell electrode
- dispersant
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 6
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 6
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 phosphoric acid ester salt Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 abstract description 12
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 3
- 239000006072 paste Substances 0.000 abstract 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)COC DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- GOIQMHGIELZWEE-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OC(COC)C.C(CC)(=O)O.C(C)OCC Chemical compound C(C)(=O)OC(COC)C.C(CC)(=O)O.C(C)OCC GOIQMHGIELZWEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은, 금속 분말, 글라스 프릿(glass frit), 유기 비히클, 및 첨가제를 포함하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물에 있어서, 인계 분산제가 포함된 것임을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물은, 인계 분산제를 포함하여 높은 분산성을 나타내는 바, 페이스트 내에 높은 금속 분말 함량을 가질 수 있고, 이에 의해 전극은, 전기적·기계적 특성이 여타의 전극에 비해 매우 개선되는 효과를 나타낸다. 또한, 본 발명의 페이스트 조성물은, 높은 분산성 뿐만 아니라 높은 저장 안전성을 나타내는 바, 제조효율이 상승되는 효과가 있다.
태양 전지, 전극, 금속 분말, 글라스 프릿, 유기 비히클, 첨가제, 인, phosphorus, 분산제, 페이스트
Description
본 발명은 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 더 상세히는, 인계 분산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 형성용 페이스트 조성물에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지는 단결정 또는 다결정 Si로 이루어진 p형 Si 기판에 P(Phosphorus) 등을 확산시킨 이미터층(n+층)을 만들고 그 상측에는 표면 반사율을 저감시키기 위한 Si3N4나 SiO2 등으로 이루어진 반사 방지막과 전류를 취출하기 위한 표면전극(수광면 전극)이 형성되며, Si 기판의 다른 측면에 Al 등을 고농도로 확산시킨 BSF(p+층)이 형성되고, 이 이면 위에 전극이 형성된 구조를 가지고 있다. 즉, p 형 반도체와 n 형 반도체의 접합구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용으로 (-)전하를 띤 전자가 튀어나가고, 상기 전자가 빠져나간 자리에 (+)전하 즉 정공이 발생하여 이들 사이의 전위차에 의해 전류가 흐르게 된다.
태양전지의 발전효율을 향상시키기 위하여, 태양전지 각각의 소자에 사용되는 재료, 공정조건 등 다양한 요인을 조절할 수 있지만, 특히, 태양 전지의 발전 특성을 높이기 위해서는 전극의 특성을 개선하는 것이 매우 중요하다. 예를 들면, 전극의 저항치를 낮춤으로써 발전 효율이 높아질 수 있고, 전면전극의 경우, 전극이 차지하는 면적을 줄임으로써 그 효율을 높일 수도 있다.
이와 같이, 태양전지의 발전효율 높히기 위해 다양한 수법이 제안되었고, 전극 형성과 관련된 페이스트 조성물에 대한 선행특허는 하기와 같은 문헌 1 내지 문헌 2의 것들을 예시할 수 있다.
문헌 1(일본 특허 공개 제2005-243500호 공보)에는 충분한 도전성을 갖는 전극을 제조하는 기술이 개시되어 있다. 구체적으로는, 상기 특허출원은 유기결합제, 용제, 유리 프릿, 도전성 분말, 및 Ti, Bi, Zn, Y, In 및 Mo에서 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 그의 금속 화합물을 함유하는 도전성 페이스트를 개시한다. 상기 도전성 페이스트 중의 금속 또는 그의 금속 화합물의 평균 입경은 0.001 ㎛ 이상 0.1 ㎛ 미만이다. 상기 도전성 페이스트는 반도체에 대한 높은 도전성과 우수한 접착성을 제공할 수 있다.
또한, 문헌 2(한국 특허 공개 10-2007-0067636 (2007.06.28. 공개)에는 결정자 직경이 58 내지 90 ㎚인 제1 은 분말, 결정자 직경이 30 내지 58 ㎚인 제2 은 분말, 유리 프릿, 및 수지 결합제를 함유하고, 여기서 상기 제1 은 분말의 함유량은 은의 총 중량에 기초하여 25 내지 45 중량%인, 태양 전지 전극의 제조에 사용되는 페이스트에 대한 것을 개시하고 있다. 상기 페이스트에 의해 형성된 전극은 접촉 저항 의 증대나 미소 균열의 발생이 억제되는 바, 얻어지는 태양 전지의 특성을 높일 수 있음을 개시한다.
[ 문헌 1 ] JP 2005-243500 (2005.09.08. 공개)
[ 문헌 2 ] KR 10-2007-0067636 (2007.06.28. 공개)
다만, 상기한 문헌 1 내지 문헌 2의 선행특허는 전극의 성능 향상을 위해서 페이스트 조성물에 포함되어지는 금속 분말의 입경 내지는 종류를 특정·한정한 점에서 본 발명의 페이스트 조성물과는 큰 차이점을 가진다.
전극 형성시, 특히 전면전극 형성시 고려해야할 주요한 사항은 전극의 폭, 간격이다. 이는, 태양전지 표면의 금속전극이 표면에서의 빛의 반사 및 직렬저항 성분에 큰 영향을 주기 때문이다. 전면 그리드를 설계할 때에는 전체 금속 면적을 줄여 태양광을 받는 면적을 넓게 하고, 전면전극 그리드 사이의 간격을 줄여 전자가 받는 저항을 줄여주는 것이 좋다.
그런데, 전극의 면적이 줄어드는 경우 전극의 기계적 강도 특성 역시 감소할 수 밖에 없다. 이와 같이 전극의 기계적 강도가 약화되면 태양전지 자체의 제품 특성이 열화되는 것은 물론이고, 열처리 과정에서 휨 현상 등이 발생할 수 있어 제조 수율이 저하될 우려가 있다.
더욱이, 최근에는 태양 전지의 비용 절감을 도모하기 위해 실리콘 반도체 기판을 얇게 하는 것이 검토되고 있다. 실리콘 반도체 기판이 얇아지면, 실리콘과 알루미늄의 열팽창 계수의 차이에 기인하여 페이스트 조성물의 소성 후에, 특히 후면 전극층이 형성된 후면측이 오목 형상이 되도록 실리콘 반도체 기판이 변형되어 휘어짐이 발생한다. 휘어짐의 발생을 억제하기 위해, 페이스트 조성물의 도포량을 줄여 후면 전극층을 얇게 하는 방법을 사용할 수도 있지만, 페이스트 조성물의 도포량을 줄이면, 소성시 후면 전극층에 블리스터(blister)나 알루미늄 기포가 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 태양 전지의 제조 공정에서 실리콘 반도체 기판의 갈라짐 등이 발생하고, 그 결과, 태양 전지의 제조 수율이 저하되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 인(Phosphorus)이 포함된 분산제를 사용하여 높은 분산성 및 저장 안전성을 나타내는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공하고자 한다. 상기한 본 발명의 페이스트 조성물에 의해 제조된 전극은 높은 금속 분말 함량을 가질 수 있고, 전기적·기계적 특성이 매우 개선되는 효과를 나타낸다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서,
금속 분말, 글라스 프릿(glass frit), 유기 비히클, 및 첨가제를 포함하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물에 있어서, 인계 분산제가 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 인계 분산제는, 양쪽성 고분자계 분산제, 산성 고분자계 분산제, 염기성 고분자계 분산제, 중성 고분자계 분산제, 양이온성 분산제, 및 음이온성 분산제에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 인계 분산제는 전체 조성물 대비 0.1 ~ 10 중량% 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 금속 분말은 은 또는 알루미늄인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 금속 분말은 구형, 판형, 종형, 및 플레이크형에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 구형의 금속 분말은 평균입도가 1.5 ~ 10 ㎛ 범위 이내인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 금속 분말은 전체 조성물 대비 60 ~ 95 중량% 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 글라스 프릿은 Bi2O3, B2O3, SiO2, Al2O3, CdO, CaO, BaO, ZnO, Na2O, Li2O, PbO, 및 ZrO 에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 글라스 프릿은 전체 조성물 대비 0.3 ~ 15 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 유기 비히클은 에틸셀룰로오스와 용매를 포함하는 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 유기 비히클은 전체 조성물 대비 4 ~ 39 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명에 있어서, 전체 조성물 대비, 은 분말 60 ~ 95 중량%, 글라스 프릿 0.3 ~ 15 중량%, 유기 비히클 4 ~ 39 중량%, 및 첨가제 0.1 ~ 10 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 제공한 다.
또한, 본 발명의 페이스트 조성물을 기재 위에 인쇄하고, 건조 및 소성하여 제조된 태양전지 전극을 제공한다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물은, 인계 분산제를 포함하여 높은 분산성을 나타내는 바, 페이스트 내에 높은 금속 분말 함량을 가질 수 있고, 이에 의해 전극은, 전기적·기계적 특성이 여타의 전극에 비해 매우 개선되는 효과를 나타낸다. 또한, 본 발명의 페이스트 조성물은, 높은 분산성 뿐만 아니라 높은 저장 안전성을 나타내는 바, 태앙전지의 효율이 상승되는 효과가 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명은 금속 분말, 글라스 프릿(glass frit), 유기 비히클, 및 첨가제를 포함하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물에 있어서, 상기 첨가제는 인계 분산제가 포함된 것임을 특징으로 한다.
인계 분산제는 금속 분말의 표면에 강하게 흡착하는 성질이 있어 최적의 분산 효율을 달성할 수 있다. 이와 같이 분산효율이 개선됨으로 인해, 금속 분말을 포함하는 페이스트 조성물을 제조시 금속 분말의 응집을 억제할 수 있어, 보다 많은 함량의 금속 분말을 상기 페이스트 조성물에 사용할 수 있게 되고, 이와 같은 강화된 금속 분말 함량을 가진 페이스트 조성물에 인해 제조된 전극은 전기적 특성 및 기계적 특성이 여타의 전극에 비해 매우 개선되는 효과를 나타내게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 인계 분산제는 인(Phosphorus)을 포함하는 있는 분산제를 말하고, 종류에 제한되지 않는다. 이러한 인계 분산제는, 양쪽성 고분자계 분산제, 산성 고분자계 분산제, 염기성 고분자계 분산제, 중성 고분자계 분산제, 양이온성 분산제, 및 음이온성 분산제에서 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다. 특히, 실시예에서 후술하겠으나, 상기 인계 분산제로 양쪽성 고분자계 분산제인 것이 페이스트 제조효율 측면에서 바람직하다.
상기 인계 분산제는 상기 유기 비히클 또는 상기 첨가제에 포함될 수 있고, 상기 인계 분산제는 전체 조성물 대비 0.1 ~ 10 중량% 포함된 것이 바람직하다. 0.1 중량% 미만으로 첨가되는 경우 충분한 분산효과를 달성할 수 없고, 10 중량% 초과하는 경우에는, 소성 후 잔류탄소가 발생하는 문제가 생길 수 있고, 과잉의 분산제가 페이스트의 점도를 상승시키므로 공정 컨트롤이 어려운 바 바람직하지 않다.
본 발명에 있어서, 상기 금속 분말은 은 또는 알루미늄인 것임이 바람직하다. 은, 알루미늄은 가볍고 전도성이 좋기 때문이다. 반드시 그런한 것은 아니나, 은은 주로 전면전극에, 알루미늄은 후면전극에 주로 사용되어지고 있다.
상기 금속 분말은 구형, 판형, 종형, 및 플레이크형에서 선택되어지는 하나, 또는 이들의 2 이상의 조합인 것을 사용할 수 있다. 특히, 상기 구형의 금속 분말은 평균입도가 1.5 ~ 10 ㎛ 범위 이내인 것이 바람직하다. 평균입도가 1.5 ㎛ 미만에서는, 분말 사이에 유기물이 들어갈 수 있는 틈이 없어져 분산이 이루어지는 않을 우려가 발생하고, 평균입도가 10 ㎛ 초과하는 경우에는, 분말 사이에 지나친 공극이 생겨 치밀도가 떨어지고 저항값이 높아지므로 바람직하지 않다.
상기 금속 분말은 전체 조성물 대비 60 ~ 95 중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위 이내에서, 페이스트 조성물의 고온/고속 소성에서 소결성이 우수하며, 태양전지의 Fill Factor 값을 더욱 향상시켜 태양전지의 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 있어서, 상기 글라스 프릿은 통상적으로 태양전지 전극 페이스트에 사용되는 유리 프릿이 사용될 수 있으며, 일예로는 연화점이 400 내지 600 ℃인 봉규산납 유리, 규산납 유리, 비스무스계 유리 또는 리튬계 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 상기 글라스 프릿은 Bi2O3, B2O3, SiO2, Al2O3, CdO, CaO, BaO, ZnO, Na2O, Li2O, PbO, 및 ZrO 에서 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다. 바람직하기로는, 15 내지 25 ㎛의 얇은 전극을 형성하여도 기재의 휨 현상을 방지할 수 있는 PbO-Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2 을 사용하는 것이 좋다.
상기 글라스 프릿의 입경은 대략 1 내지 10 ㎛인 것을 사용하는 것이 적당하다.
상기 글라스 프릿은 전체 조성물 대비 0.3 ~ 15 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 상기 범위 내인 경우 접착력, 소결성 및 태양전지의 후가공 공정을 용이하게 하는 장점이 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 페이스트의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 페이스트를 인쇄에 적합한 점도도(consistency) 및 유변학적 특성을 부여한다.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 페이스트에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있으며, 일예로 중합체와 용매의 혼합물일 수 있다.
상기 중합체로는 아크릴레이트계 수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스와 페놀수지의 중합체, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 바람직하기로는 에틸셀룰로오스가 좋다.
또한 상기 용매로는 부틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨, 부틸셀루솔브, 부틸셀루솔브아세테이트, 프필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 에틸에테르프로피오네이트, 테르피네올(terpineol), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디메틸아미노 포름알데히드, 메틸에틸케톤, 감마 부티로락톤, 에틸락테이트, 및 텍사놀(Texanol) 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하기로는 부틸카비톨아세테이트를 사용하는 것이 좋다.
또한 상기 유기 비히클은 상기한 인계 분산제, 칙소제(thixotropic agent), 레벨링(levelling)제, 소포제 등을 포함할 수도 있다.
상기 칙소제는 우레아계, 아마이드계, 우레탄계 등의 고분자/유기물이 사용되거나 무기계의 실리카 등이 사용될 수 있다.
상기 유기 비히클은 전체 조성물 대비 4 ~ 39 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 4 중량% 미만인 경우에는, 고용량의 금속(metal)을 배합 및 분산할 수 없을 뿐만 아니라 인쇄도 어려워져서 적합한 인쇄패턴을 얻을 수 없게되는 문제점이 발생할 우려가 있다. 또한, 39 중량% 초과인 경우에는, 금속(metal)의 함량이 너무 적어 전극으로서의 역할을 할 수 없는 바, 발전 효율이 저하되는 문제점이 발생할 우려가 있다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트는 통상적으로 페이스트에 포함될 수 있는 상기한 인계 분산제 이외의 기타 첨가제들을 필요에 따라 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제의 예로는 소결조제, 증점제, 안정화제, 또는 계면활성제 등을 들 수 있다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물은 상기 기재한 필수성분과 임의의 성분을 소정의 비율에 따라 배합하고 이를 블렌더 또는 3축 롤 등의 혼련기로 균일하게 분산하여 얻어질 수 있다. 바람직하기로는, 본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트는 브룩필드(Brookfield) HBT 점도계 및 #51 스핀들을 사용하는 다용도 컵으로 5rpm 및 25 ℃에서 측정하는 경우 50 내지 200 PaS의 점도를 가지는 것이 좋다.
또한, 본 발명은, 상기 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물을 기재 위에 인쇄하고, 건조 및 소성하여 제조된 태양전지 전극을 제공한다.
본 발명의 태양전지 전극 형성방법에서 상기 태양전지 전극 형성용 페이스트를 사용하는 것을 제외하고, 기재, 인쇄, 건조 및 소성은 통상적으로 태양전지의 제조에 사용되는 방법들이 사용될 수 있음은 물론이다. 일예로 상기 기재는 전면전극(Ag 전극)이 인쇄되어 건조된 Si 기판일 수 있으며, 본 발명에서 상기 전극은 실리콘 태양전지의 후면 전극일 수 있으며, 상기 인쇄는 스크린 인쇄일 수 있으며, 상기 건조는 90 내지 250 ℃에서 이루어 질 수 있으며, 상기 소성은 600 내지 950 ℃에서 이루어질 수 있다. 바람직하기로는 상기 소성이 800 내지 950 ℃, 더욱 바람직 하게는 850 내지 900 ℃에서 5초 내지 1분간 이루어지는 고온/고속 소성을 하는 것이 좋으며, 상기 인쇄는 20 내지 60 ㎛의 두께로 인쇄를 하는 것이 좋다. 구체적인 일예로 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0108550호, 제10-2006-0127813호, 일본국 공개특허공보 특개2001-202822 및 특개2003-133567에 기재된 내용을 예시할 수 있고, 이로써 상기 특허문헌에 공개된 내용 일체는 본 발명의 명세서 내용으로서 인용된다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정하려는 것은 아니다.
실시예 1
금속분말로 은 분말 80g; 글래스 프릿으로 PbO-Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2 5g; 유기 비히클로, 90 중량%는 부틸카비톨아세테이트와 테르피네올(terpineol)을 50:50 혼합한 용액, 및 나머지 10 중량%는 서로 다른 분자량을 가지는 에틸 셀룰로오스를 3:1 비율로 혼합한 중합체를 혼합한 것 15 g; 및 인이 포함된 양쪽성 분산제(상기 양쪽성 분산제는 금속친화그룹을 가진 고분자량 공중합체의 인산 에스테르 염임)를 1 g을 혼련하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 산성 분산제(상기 산성 분산제는 인이 포함된 산성그룹을 가진 공중합체임)를 사용한 것을 제외하고는 모두 동일한 방법으로 페이스트 조성물을 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에서 양이온성 분산제(상기 양이온성 분산제는 인이 포함된 다기능성 고분자의 알킬올 암모늄염임)를 사용한 것을 제외하고는 모두 동일한 방법으로 페이스트 조성물을 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에서 중성 분산제(상기 중성 분산제는 인이 포함되고 금속친화그룹을 가진 고분자량의 블록 공중합체임)를 사용한 것을 제외하고는 모두 동일한 방법으로 페이스트 조성물을 제조하였다.
비교예
상기 실시예 1에서 비인계 분산제(상기 비인계 분산제는 금속친화 그룹을 가진 고분자량의 블록 공중합체임)를 사용한 것을 제외하고는 모두 동일한 방법으로 페이스트 조성물을 제조하였다.
실험예 - [ 태양전지 효율 및 bowing 평가 실험 ]
상기 실시예 1 내지 실시예 4, 및 비교예의 페이스트를 실크스크린으로 실리콘 웨이퍼에 인쇄하고 소성한 후 이들에 대해 태양전지의 효율 및 bowing 평가 실험을 시행하였다.
태양전지의 효율은 솔라 시뮬레이터로 측정하였으며, bowing 특성은 소성 후 웨이퍼의 휨 정도를 기준면인 바닥에서부터의 높이를 측정하는 방식으로 측정하였다.
실험결과는 하기 표 1과 같았다.
분산제 종류 | 효율(%) | |
실시예 1 | 양쪽성 | 17.07 |
실시예 2 | 산성 | 16.77 |
실시예 3 | 양이온성 | 16.56 |
실시예 4 | 중성 | 16.66 |
비교예 | 비인계 | 16.37 |
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 인계 분산제가 포함된 경우 태양전지의 효율이 향상됨을 알 수 있다. 통상적으로 태양전지 제조효율은 약 16 ~ 16.5%의 효율을 보이는데, 본 발명의 실시예의 경우 평균 16.77%(실시예1~4 효율의 평균값, 최소 16.56% 이상의 효율을 보임)의 효율을 보이는 바, 효율이 매우 향상됨을 알 수 있다(통상적으로 태양전지 제품은 효율을 0.2% 단위로 나누고, 0.2% 효율 증가는 매우 큰 의미를 갖는 수치인 것을 감안해야 할 것이다).
Claims (13)
- 금속 분말, 글라스 프릿(glass frit), 유기 비히클, 및 첨가제를 포함하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물에 있어서, 인산 에스테르염을 포함하는 양쪽성 고분자계 인계 분산제가 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 인계 분산제는 전체 조성물 대비 0.1 ~ 10 중량% 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 분말은 은 또는 알루미늄인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 분말은 구형, 판형, 종형, 및 플레이크형에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 4 항에 있어서, 상기 구형의 금속 분말은 평균입도가 1.5 ~ 10 ㎛ 범위 이내인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 분말은 전체 조성물 대비 60 ~ 95 중량% 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 글라스 프릿은 Bi2O3, B2O3, SiO2, Al2O3, CdO, CaO, BaO, ZnO, Na2O, Li2O, PbO, 및 ZrO 에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 글라스 프릿은 전체 조성물 대비 0.3 ~ 15 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기 비히클은 에틸셀룰로오스와 용매를 포함하는 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기 비히클은 전체 조성물 대비 4 ~ 39 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 전체 조성물 대비, 은 분말 60 ~ 95 중량%, 글라스 프릿 0.3 ~ 15 중량%, 유기 비히클 4 ~ 39 중량%, 및 첨가제 0.1 ~ 10 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물.
- 제 1 항 내지 제 11 항에서 선택되어지는 어느 한 청구항의 페이스트 조성물을 기재 위에 인쇄하고, 건조 및 소성하여 제조된 태양전지 전극.
- 삭제
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090082711A KR101611456B1 (ko) | 2009-09-02 | 2009-09-02 | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 |
TW099129668A TWI401298B (zh) | 2009-09-02 | 2010-09-02 | 太陽能電池及其漿料組成物 |
PCT/KR2010/005958 WO2011028035A2 (en) | 2009-09-02 | 2010-09-02 | Solar cell and paste composition for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090082711A KR101611456B1 (ko) | 2009-09-02 | 2009-09-02 | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110024638A KR20110024638A (ko) | 2011-03-09 |
KR101611456B1 true KR101611456B1 (ko) | 2016-04-11 |
Family
ID=43649789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090082711A KR101611456B1 (ko) | 2009-09-02 | 2009-09-02 | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101611456B1 (ko) |
TW (1) | TWI401298B (ko) |
WO (1) | WO2011028035A2 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120234383A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
US20120234384A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | E.I. Du Pont Nemours And Company | Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
KR101350960B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2014-01-16 | 한화케미칼 주식회사 | 글래스 프릿, 이를 포함하는 도전성 페이스트 조성물 및 태양전지 |
TWI562171B (en) * | 2013-03-27 | 2016-12-11 | Cheil Ind Inc | The composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same |
CN113257453A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-08-13 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种含磷有机载体perc太阳能正面银浆及制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007021475A (ja) | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | リン酸系分散剤、それを利用したペースト組成物及び分散方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0851511A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-01 | IMEC vzw | Semiconductor device with two selectively diffused regions |
US8455753B2 (en) * | 2005-01-14 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof |
US7718092B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-05-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
US8309844B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
-
2009
- 2009-09-02 KR KR1020090082711A patent/KR101611456B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-09-02 TW TW099129668A patent/TWI401298B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-09-02 WO PCT/KR2010/005958 patent/WO2011028035A2/en active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007021475A (ja) | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | リン酸系分散剤、それを利用したペースト組成物及び分散方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201116596A (en) | 2011-05-16 |
WO2011028035A2 (en) | 2011-03-10 |
KR20110024638A (ko) | 2011-03-09 |
TWI401298B (zh) | 2013-07-11 |
WO2011028035A3 (en) | 2011-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100890866B1 (ko) | 전기전도성 후막 조성물, 이로부터 형성된 전극 및 반도체소자 | |
US9230709B2 (en) | Paste composition for electrode of solar cell and solar cell including the same | |
KR100798258B1 (ko) | 알루미늄 후막 조성물(들), 전극(들), 반도체 장치(들) 및이들의 제조 방법 | |
KR101280489B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 페이스트 | |
KR100849804B1 (ko) | 알루미늄 후막 조성물, 전극, 반도체 소자 및 이들의 제조방법 | |
EP2315728B1 (en) | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells | |
KR101159787B1 (ko) | ZnO계 글래스 프릿 조성물 및 이를 이용한 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트 조성물 | |
KR101437143B1 (ko) | 태양전지 전극용 페이스트 조성물, 이를 이용하여 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지 | |
KR101031060B1 (ko) | 페이스트 조성물 및 그것을 이용한 태양 전지 소자 | |
JP2011521018A (ja) | アルミニウムペーストおよびシリコン太陽電池の製造におけるその使用 | |
AU2006202407A1 (en) | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s), and methods of making thereof | |
KR20110049222A (ko) | 실리콘 오일을 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 | |
KR101434167B1 (ko) | 태양전지 전극용 은 페이스트 조성물 | |
KR20110053263A (ko) | 알루미늄 페이스트 및 규소 태양 전지 제조시의 그 용도 | |
KR20130042524A (ko) | 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 | |
KR101611456B1 (ko) | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 | |
KR20130076836A (ko) | 태양전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 | |
JP2007128872A (ja) | アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイス、およびこれらの作製方法 | |
US20130160835A1 (en) | Back-side electrode of p-type solar cell and method for forming the same | |
KR101601272B1 (ko) | 낮은 휨 특성을 나타내는 태양전지 후면전극 형성용 조성물 | |
KR101868638B1 (ko) | 실리콘 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 | |
KR20120002257A (ko) | 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트 조성물 | |
KR20150057457A (ko) | 알루미늄 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 소자 | |
KR20110048403A (ko) | 도전성 페이스트 및 이를 이용한 태양전지 전극 | |
KR20130120325A (ko) | 글래스 프릿이 코팅된 금속 분말과 이를 포함하는 페이스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |