JP2016127276A - 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極 - Google Patents

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Abstract

【課題】微細線幅および高アスペクト比を有する電極を製造できる太陽電池電極形成用組成物を提供する。【解決手段】太陽電池は、基板100、基板100の前面に形成された前面電極230、および基板100の後面に形成された後面電極210を含み、前面電極230は、銀粉末、テルルを含みガラス転移温度(Tg)が150〜300℃であるガラスフリット、有機シラン化合物、および有機ビヒクルを含む太陽電池電極形成用組成物で形成される。【選択図】図1

Description

本発明は、太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極に関する。
太陽電池は、太陽光のフォトン(photon)を電気に変換させるpn接合の光電効果を用いて電気エネルギーを発生させる。太陽電池においては、pn接合で構成される半導体ウェハーまたは基板の上・下面にそれぞれ前面電極と後面電極とが形成されている。また、太陽電池においては、半導体ウェハーに入射する太陽光によってpn接合の光電効果が誘導され、これから発生した各電子が電極を介して外部に流れる電流を提供する。このような太陽電池の電極は、電極用ペースト組成物の塗布、パターニングおよび焼成によってウェハーの表面に形成できる。
近年、太陽電池の効率を増加させるためにエミッター(emitter)の厚さを持続的に薄くする技術が知られているが、これにより、太陽電池の性能を低下させうるシャンティング(shunting)現象が誘発されるおそれがある。また、太陽電池の効率を増加させるために太陽電池の面積を漸次増加させているが、これは、太陽電池の接触抵抗を高め、太陽電池の効率を減少させるおそれがある。
また、太陽電池電極の変換効率を向上させるためにウェハーとの接触性を向上させ、接触抵抗(Rc)と直列抵抗(Rs)とを最小化させたり、有機物によりスクリーンマスク(Screen mask)のパターン線幅を小さく調節することによって微細線幅(Fine line)を形成し、短絡電流(Isc)を高める太陽電池電極形成用組成物に関する従来技術が存在しているが、スクリーンマスクを用いて電極線幅を減少させる方法は、直列抵抗(Rs)の上昇を誘発させるおそれがあり、微細パターンの連続印刷性を低下させうるという問題を有する。
米国特許第8,470,723号明細書
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、微細線幅および高アスペクト比を有する電極を製造できる太陽電池電極形成用組成物を提供することである。
本発明の他の目的は、直列抵抗を最小化し、開放電圧を向上させうる太陽電池電極形成用組成物を提供することである。
本発明の他の目的は、短絡電流(Isc)を向上させ、変換効率および曲線因子(Fill Factor)値に優れた太陽電池電極を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、前記組成物を用いて製造された電極およびこれを含む太陽電池を提供することである。
本発明の一実施形態は、銀粉末;テルルを含み、ガラス転移温度(Tg)が150〜300℃であるガラスフリット;有機シラン化合物;および有機ビヒクル;を含む太陽電池電極形成用組成物に関する。
本発明の一実施形態によれば、前記組成物は、前記銀粉末60〜95重量%;前記ガラスフリット0.1〜20重量%;前記有機シラン化合物0.01〜3重量%;および前記有機ビヒクル1〜30重量%を含む。
本発明の一実施形態によれば、前記ガラスフリットは、Bi−Te−O系ガラスフリットであって、構成する元素の合計モル数(酸化物換算)を100モル%として、テルル(Te)元素(酸化物換算)を50〜90モル%含む。
本発明の一実施形態によれば、前記有機シラン化合物は、下記の化学式1で表されるシロキサン化合物を含む:
前記化学式1において、R〜Rは、それぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アミノ基、水酸基、炭素数1〜6のフルオロアルキル基、フェニル基、エポキシ基、またはカルボキシル基であり、yは、0〜3,000の整数である。
本発明の一実施形態によれば、前記Bi−Te−O系ガラスフリットは、リチウム(Li)、リン(P)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウム(Ga)、セリウム(Ce)、鉄(Fe)、ケイ素(Si)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)、セシウム(Cs)、ストロンチウム(Sr)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、インジウム(In)、バナジウム(V)、バリウム(Ba)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ヒ素(As)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、マンガン(Mn)およびアルミニウム(Al)からなる群から選ばれた1種以上の元素をさらに含む。
本発明の一実施形態によれば、前記ガラスフリットは、平均粒径(D50)が0.1〜10μmである。
本発明の一実施形態によれば、前記組成物は、揺変剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤およびカップリング剤からなる群から選ばれる添加剤を1種以上さらに含んでもよい。
本発明の他の実施形態は、前記太陽電池電極形成用組成物を用いて製造された太陽電池電極に関する。
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、微細線幅および高アスペクト比を有する電極を製造することができ、これを用いて製造された太陽電池電極は、高い短絡電流(Isc)および低い直列抵抗(Rs)を有し、変換効率および曲線因子(Fill factor)値に優れる。
本発明の一実施形態に係る太陽電池の構造を簡略的に示した概略図である。
以下、添付した図面を参考として本発明の実施形態について詳しく説明する。しかし、本発明は、多様な異なる形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
本明細書において、「電極のアスペクト比」は、焼成後に形成された電極の厚さを焼成後に形成された電極の線幅で割った値を意味する。具体的に、電極のアスペクト比は、下記の式1で表示される。
前記式1において、D1は、焼成後の電極の厚さ(μm)であり、L3は、焼成後の電極の線幅(μm)である。
太陽電池電極形成用組成物
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、銀(Ag)粉末;ガラスフリット;有機シラン化合物;および有機ビヒクルを含んでもよい。
本発明の太陽電池電極形成用組成物の好ましい形態としては、銀粉末60〜95重量%;ガラスフリット0.1〜20重量%;有機シラン化合物0.005〜5重量%;および有機ビヒクル0.1〜35重量%を含む。
また、本発明の太陽電池電極形成用組成物のさらに好ましい形態としては、銀粉末60〜95重量%;ガラスフリット0.1〜20重量%;有機シラン化合物0.01〜3重量%;および有機ビヒクル1〜30重量%を含む。
また、ガラスフリットは、Bi−Te−O系ガラスフリットであるのが好ましく、構成する元素の合計モル数(酸化物換算)を100モル%として、テルル(Te)元素(酸化物換算)を50〜90モル%含むガラスフリットが好ましい。具体的には、テルル(Te)元素(酸化物換算)を50〜80モル%含むガラスフリットがより好ましい。
本発明の太陽電池電極形成用組成物によれば、微細線幅および高アスペクト比を有する電極を製造することができる。よって、本発明の太陽電池電極形成用組成物を用い製造された太陽電池電極は、高い短絡電流(Isc)および低い直列抵抗(Rs)を有し、変換効率および曲線因子(Fill factor)値に優れる。本発明の太陽電池電極形成用組成物により微細線幅および高アスペクト比を有する電極が製造できるメカニズムの詳細は不明だが、以下のように推測される。なお、本発明は下記推測に制限されない。
太陽電池電極形成用組成物が、ガラス転移温度が150〜300℃のガラスフリットを含有することで、比較的低温(700℃以下)で焼結が可能で、焼結時に焼結密度が優れており、半導体基板(silicone substrate)との接着力が向上する。また、組成物が微細線幅を形成することができ、高アスペクト比が可能となると考えられる。
なお、本発明において、酸化物換算とは、実施例に記載のように、ビスマス(Bi)はBi換算、テルル(Te)はTeO換算、タングステン(W)はWO換算、亜鉛(Zn)はZnO換算、鉛(Pb)はPbO換算、リチウム(Li)はLiO換算、バナジウム(V)はV換算を意味する。
以下、本発明を詳細に説明する。
(A)銀粉末
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、導電性粉末として銀(Ag)粉末を使用する。銀粉末としては、ナノサイズまたはマイクロサイズの粒径を有する粉末であってもよいが、例えば、数十ナノメートル〜数百ナノメートルサイズの銀粉末、数マイクロメートル〜数十マイクロメートルの銀粉末であってもよい。また、銀粉末は、2以上の互いに異なるサイズを有する銀粉末を混合して使用してもよい。
銀粉末は、粒子形状が球状、板状、無定形の形状であってもよい。
銀粉末の平均粒径(D50)(体積換算)は、0.1〜10μmであることが好ましく、0.5〜5μmであることがさらに好ましい。銀粉末の平均粒径が前記の範囲内であれば、接触抵抗と線抵抗とが低下するという効果を有することができる。
ここで、平均粒径(体積換算)は、イソプロピルアルコール(IPA)に導電性粉末を超音波で25℃で3分間分散させた後、レーザー回折式粒度分析装置(CILAS社製粒度分析機1064LDモデル)を用いて測定されたものである。
銀粉末は、組成物の全体重量に対して、好ましくは60〜95重量%で含まれる。銀粉末を前記範囲で含むことにより、抵抗を低下させることができ、これによって変換効率を向上させ、有機ビヒクルの量を適宜維持することによってペースト化の程度を向上させることができる。銀粉末は、例えば、組成物の全体重量に対してより好ましくは70〜90重量%で含まれる。この場合、変換効率およびペースト化の程度をさらに向上させることができる。
(B)ガラスフリット
本発明で用いられるガラスフリットは、テルルを含み、ガラス転移温度(Tg)が150〜300℃である。
ガラスフリット(glass frit)は、太陽電池電極形成用組成物の焼成工程中に反射防止膜をエッチング(etching)する。また、ガラスフリットは、焼成工程中に銀粒子を溶融させ、接触抵抗が低くなるようにエミッター領域に銀結晶粒子を生成する。さらに、ガラスフリットは、導電性粉末とウェハーとの間の接着力を向上させ、焼結時に軟化し、焼成温度をより低下させるという効果を誘導する。
太陽電池の効率を増加させるために太陽電池の面積を増加させると、太陽電池の接触抵抗が高くなりうる。したがって、面積増加によるpn接合(pn junction)に対する損失を最小化すると同時に、直列抵抗を最小化させなければならない。また、多様な面抵抗のウェハーの増加によって焼成温度の変動幅が大きくなるので、ガラスフリットには広い範囲の焼成温度でも熱安定性が十分に確保されることが要求される。
ここで、本発明の太陽電池電極形成用組成物は、構成成分であるガラスフリットがテルルを含有することで、開放電圧(Voc)向上という効果が発揮され、ガラスフリットのガラス転移温度(Tg)が150〜300℃であることによりガラスフリットが流動性を示し、反射防止膜をエッチングすると接触抵抗が減少という効果が発揮される。
本発明の好ましい形態としては、ガラスフリットは、Bi−Te−O系ガラスフリットである。ガラスフリットが、ビスマスを含有することで、変換効率および曲線因子値に優れる効果が得られる。
本発明において、Bi−Te−O系ガラスフリットは、ビスマス(Bi)酸化物およびテルル(Te)酸化物を含む金属酸化物から由来したものであって、ビスマス(Bi)およびテルル(Te)元素を含むガラスフリットを意味する。Bi−Te−O系ガラスフリットは、主成分としてビスマス(Bi)およびテルル(Te)元素を含むが、その他の元素を例えば、0重量%を超えて30重量%未満含んでいてもよい。
本発明の好ましい実施形態としては、Bi−Te−O系ガラスフリットは、ガラス転移温度(Tg)が150〜300℃である。前記のガラス転移温度の範囲であれば、ガラスフリットが流動性を示し、反射防止膜をエッチングすると接触抵抗が減少する。ガラスフリットのガラス転移温度は、好ましくは200〜300℃であり、より好ましくは250〜300℃である。
Bi−Te−O系ガラスフリットは、構成する元素の合計モル数(酸化物換算)を100モル%として、テルル(Te)元素を50〜90モル%含むことが好ましく、特に好ましくは50〜85モル%含む。また、Bi−Te−O系ガラスフリットは、構成する元素の合計モル数(酸化物換算)を100モル%として、ビスマス(Bi)元素を5〜60モル%含むことが好ましく、より好ましくは10〜55モル%、さらに好ましくは15〜50モル%含む。前記範囲で、電極の直列抵抗(Rs)を低下させると同時に、開放電圧(Voc)を向上させることができ、結局、変換効率を向上させることができる。
Bi−Te−O系ガラスフリットは、ビスマス(Bi)原子:テルル(Te)原子のモル比(酸化物換算)が、好ましくは1:1〜1:4、より好ましくは1:1.5〜1:3.5である。前記範囲であれば、電極の直列抵抗(Rs)を低下させると同時に、開放電圧(Voc)を向上させることができ、変換効率をさらに向上させることができる。
本発明で用いられるガラスフリットは、無鉛ガラスフリットであることが好ましい。無鉛ガラスフリットであることにより、安全性が優れるという効果が得られる。
本発明の他の実施形態によれば、ガラスフリットは、リチウム(Li)、リン(P)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウム(Ga)、セリウム(Ce)、鉄(Fe)、ケイ素(Si)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)、セシウム(Cs)、ストロンチウム(Sr)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、インジウム(In)、バナジウム(V)、バリウム(Ba)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ヒ素(As)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、マンガン(Mn)およびアルミニウム(Al)からなる群から選ばれた1種以上の元素をさらに含んでもよい。これらのうち、好ましくは、リチウム(Li)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)である。
一実施形態によれば、ガラスフリットは、Bi−Te−W−O系ガラスフリットであってもよい。Bi−Te−O系ガラスフリットがタングステン(W)を含有する場合、ビスマス(Bi)原子:タングステン(W)原子のモル比(酸化物換算)が、好ましくは1:0.001〜1:1、より好ましくは1:0.004〜1:0.5、さらに好ましくは1:0.005〜1:0.5である。前記範囲であれば、電極の直列抵抗(Rs)を低下させると同時に、開放電圧(Voc)を向上させることができ、変換効率をさらに向上させることができる。
他の実施形態によれば、ガラスフリットは、Bi−Te−W−Zn−O系ガラスフリットであってもよい。Bi−Te−O系ガラスフリットが亜鉛(Zn)を含有する場合、ビスマス(Bi)原子:亜鉛(Zn)原子のモル比(酸化物換算)が、好ましくは1:0.05〜1:1、より好ましくは1:0.1〜1:0.5である。前記範囲であれば、電極の直列抵抗(Rs)を低下させると同時に、開放電圧(Voc)を向上させることができ、変換効率をさらに向上させることができる。
さらに他の実施形態によれば、ガラスフリットは、Bi−Te−W−Zn−Li−O系ガラスフリットであってもよい。Bi−Te−O系ガラスフリットがリチウム(Li)を含有する場合、ビスマス(Bi)原子:リチウム(Li)原子のモル比(酸化物換算)が、好ましくは1:0.001〜1:0.5、より好ましくは0.005〜0.4、さらに好ましくは1:0.009〜1:0.3である。前記範囲であれば、電極の直列抵抗(Rs)を低下させると同時に、開放電圧(Voc)を向上させることができ、変換効率をさらに向上させることができる。
以上のように、本発明の好ましい実施形態としては、ガラスフリットは、Bi−Te−W−Zn−Li−O系ガラスフリットである。すなわち、ガラスフリットとしては、ガラス転移温度(Tg)が150〜300℃であるBi−Te−W−Zn−Li−O系ガラスフリットが好ましい。Bi−Te−W−Zn−Li−O系ガラスフリットは、ビスマス(Bi)酸化物、テルル(Te)酸化物、タングステン(W)酸化物、亜鉛(Zn)酸化物、およびリチウム(Li)酸化物を含む金属酸化物から由来したものであって、ビスマス(Bi)、テルル(Te)、タングステン(W)、亜鉛(Zn)、およびリチウム(Li)元素を含むガラスフリットを意味する。
ガラスフリットがBi−Te−W−Zn−Li−O系ガラスフリットである場合、構成する元素の合計モル数(酸化物換算)を100モル%として、テルル(Te)元素を好ましくは35〜80モル%、より好ましくは40〜75モル%、さらに好ましくは45〜70モル%、特に好ましくは50〜65モル%含み;ビスマス(Bi)元素を好ましくは5〜60モル%、より好ましくは10〜55モル%、さらに好ましくは15〜45モル%、特に好ましくは15〜35モル%含み;タングステン(W)元素を好ましくは0.1〜25モル%、より好ましくは1〜20モル%、さらに好ましくは5〜15モル%、特に好ましくは10〜15モル%含み;亜鉛(Zn)元素を好ましくは0.01〜15モル%、より好ましくは0.05〜10モル%、さらに好ましくは0.1〜7.5モル%、特に好ましくは1〜5モル%含み;およびリチウム(Li)元素を好ましくは0.01〜15モル%、より好ましくは0.05〜10モル%、さらに好ましくは0.1〜5モル%、特に好ましくは0.5〜3モル%含む。
ガラスフリットが含む各金属成分の含量は、例えば、誘導結合プラズマ−原子放出分光法(ICP−OES;Inductively Coupled Plasma−Optical Emission Spectrometer)によって測定することができる。
ガラスフリットは、通常の方法を使用して上述した金属酸化物から製造してもよい。例えば、前記金属酸化物の組成で混合する。混合は、ボールミル(ball mill)またはプラネタリーミル(planetary mill)を使用して行ってもよい。混合された組成物は、800〜1300℃の条件で溶融させ、25℃でクエンチング(quenching)する。得られた結果物をディスクミル(disk mill)、プラネタリーミルなどによって粉砕することによって、ガラスフリットを得ることができる。
ガラスフリットは、平均粒径(D50)(体積換算)が、好ましくは0.1〜10μm、より好ましくは0.1〜5μm、さらに好ましくは0.5〜5μmである。また、ガラスフリットの形状は、球状であってもよく、不定形状であってもよい。ガラスフリットの平均粒径(D50)が前記範囲内であれば、電極の導電性の向上効果および接触抵抗減少の効果に優れる。ここで、平均粒径は、イソプロピルアルコール(IPA)にガラスフリットを超音波で25℃で3分間分散させた後、CILAS社製1064LDモデルを使用して測定した。
ガラスフリットは、太陽電池電極形成用組成物の全体重量に対して、好ましくは0.1〜20重量%、より好ましくは0.5〜10重量%、さらに好ましくは0.5〜5重量%で含まれる。ガラスフリットが前記範囲で含有される場合、多様な面抵抗下でpn接合安定性を確保することができ、直列抵抗値を最小化させることができ、結局、太陽電池の効率を改善することができる。
(C)有機シラン化合物
有機シラン化合物は、太陽電池電極形成用組成物の印刷時に線幅を制御し、高アスペクト比の微細パターンを具現するために導入されたものである。
一実施形態として、有機シラン化合物としては、下記の化学式1で表されるシロキサン化合物またはこれらの混合物を含む。
化学式1において、R〜Rは、それぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アミノ基(−NH)、水酸基(−OH)、炭素数1〜6のフルオロアルキル基、フェニル基、エポキシ基、またはカルボキシル基(−COOH)であり、yは、0〜3,000の整数である。
化学式1中、アルキル基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子)の一つ以上で置換されたものであってもよい。アルキル基としては、炭素数1〜6の直鎖、分岐または環状のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜5の直鎖、分岐または環状のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜3の直鎖、分岐または環状のアルキル基である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。
化学式1中、炭素数1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
化学式1中、炭素数1〜6のフルオロアルキル基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、1−フルオロエチル基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロエチル基、1−フルオロプロピル基、1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基等が挙げられる。
化学式1中、yは、0〜3,000の整数であり、好ましくは0〜2,000の整数である。
化学式1で表される有機シラン化合物としては、例えば、ポリジメチルシロキサン(ジメチルポリシロキサン)、ヘキサメチルジシロキサン等が挙げられる。
有機シラン化合物は、組成物の全体重量に対して、好ましくは0.005〜5重量%、より好ましくは0.01〜3重量%、さらに好ましくは0.01〜1重量%、特に好ましくは0.01〜0.5重量%、最も好ましくは0.05〜0.5重量%で含まれる。さらに特に好ましくは、有機シラン化合物の含有量は、組成物の全体重量に対して、0.05重量%を超えて0.5重量%である。有機シラン化合物の含有量が前記範囲であれば、優れた印刷性を示し、高アスペクト比の微細パターンの具現が可能である。
一実施形態において、ガラスフリット:有機シラン化合物は、好ましくは1:0.005〜1:30の重量比で含まれる。例えば、ガラスフリット:有機シラン化合物の重量比は、好ましくは1:0.01〜1:10、さらに好ましくは1:0.01〜1:5、特に好ましくは1:0.01〜1:1である。さらに、最も好ましい形態としては、ガラスフリット:有機シラン化合物の重量比が、好ましくは1:0.01〜1:0.1、より好ましくは1:0.01〜1:0.05、さらに好ましくは1:0.02〜1:0.04である。ガラスフリット:有機シラン化合物が前記範囲で含有される場合、多様な面抵抗下でpn接合安定性を確保しながらも高アスペクト比の具現が可能であり、太陽電池の効率を改善することができる。
(D)有機ビヒクル
有機ビヒクルは、太陽電池電極形成用組成物の無機成分との機械的混合を通じて組成物に印刷に適した粘度および流動学的特性を付与する。
有機ビヒクルは、通常、太陽電池電極形成用組成物に使用される有機ビヒクルであってもよく、通常、バインダー樹脂および溶媒などを含んでもよい。
バインダー樹脂としては、アクリレート系またはセルロース系樹脂などを使用してもよく、一般にエチルセルロースを使用する。また、バインダー樹脂としては、エチルヒドロキシエチルセルロース、ニトロセルロース、エチルセルロースとフェノール樹脂との混合物、アルキド樹脂、フェノール系樹脂、アクリル酸エステル系樹脂、キシレン系樹脂、ポリブテン系樹脂、ポリエステル系樹脂、尿素系樹脂、メラミン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、木材ロジン(rosin)またはアルコールのポリメタクリレートなどを使用してもよい。
溶媒としては、例えば、へキサン、トルエン、エチルセロソルブ、シクロヘキサノン、テキサノール(登録商標)、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール(ジエチレングリコールモノブチルエーテル)、ジブチルカルビトール(ジエチレングリコールジブチルエーテル)、ブチルカルビトールアセテート(ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート)、プロピレングリコールモノメチルエーテル、へキシレングリコール、テルピネオール(Terpineol)、メチルエチルケトン、ベンジルアルコール、γ−ブチロラクトンまたはエチルラクテートなどを単独でまたは2種以上混合して使用してもよい。
有機ビヒクルは、太陽電池電極形成用組成物の全体重量に対して、好ましくは0.1〜35重量%、より好ましくは1〜30重量%、さらに好ましくは1〜15重量%で含まれる。有機ビヒクルの含有量が前記範囲であれば、十分な接着強度と優れた印刷性を確保することができる。なお、有機ビヒクルとして、バインダー樹脂と溶剤とを用いる場合は、その合計量を有機ビヒクル量とする。
(E)添加剤
本発明の太陽電池電極形成用組成物は、上述した構成要素の他に、流動特性、工程特性および安定性を向上させるために、必要に応じて、通常の添加剤をさらに含んでもよい。添加剤としては、分散剤、揺変剤、可塑剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤、カップリング剤などを単独でまたは2種以上混合して使用してもよい。これらは、太陽電池電極形成用組成物の全体重量に対して0.1〜5重量%で含まれてもよいが、必要に応じて含量を変更してもよい。
太陽電池電極およびこれを含む太陽電池
本発明の他の実施形態は、前記太陽電池電極形成用組成物を用いて形成された電極およびこれを含む太陽電池に関する。
図1は、本発明の一具体例に係る太陽電池の概略図である。図1を参考にすると、本発明の一実施形態に係る太陽電池は、基板100、基板100の前面に形成された前面電極230、および基板100の後面に形成された後面電極210を含む。なお、矢印である符号300は、光の入射方向を示す。
本発明において、基板100は、p層(p型半導体基板)101の一面にn型不純物をドーピングし、n層(n型エミッター)102を形成することによってp−n接合をなした基板であってもよく、または、n層(n型半導体基板)101の一面にp型不純物をドーピングし、p層(p型エミッター)102を形成することによってp−n接合をなした基板であってもよい。
具体的に、p層またはn層(半導体基板)101は、光が入射される受光面である前面、および前記前面と対向する後面を含み、単結晶または多結晶の結晶質ケイ素または化合物半導体で製造されてもよく、結晶質ケイ素の場合、例えば、シリコンウェハーが使用されてもよい。p層またはn層(半導体基板)101としては、p型不純物(dopant)でドーピングされたp型基板を使用してもよいが、これに限定されることなく、n型不純物でドーピングされたn型基板を使用してもよい。このとき、p型不純物は、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)などのIII族元素を含む物質であってもよく、n型不純物は、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)などのV族元素を含む物質であってもよいが、必ずこれに限定されるものではない。
基板100の前面または後面に形成される電極210、230は、上述した太陽電池電極形成用組成物を用いて印刷および焼成過程を経て製造されるのが好ましい。
例えば、電極形成用組成物をウェハーの後面に印刷塗布した後、約200〜400℃の温度で約10秒〜60秒間乾燥させ、後面電極のための事前準備段階を行うことができる。また、ウェハーの前面に電極形成用組成物を印刷した後で乾燥させ、前面電極のための事前準備段階を行うことができる。その後、電極形成用組成物が塗布されたウェハーまたは基板を400〜950℃、または750〜950℃で30秒〜180秒間焼成する過程を行い、前面電極および後面電極を形成することができる。
一実施形態において、上述した電極形成用組成物を用いて印刷した後、焼成過程を経て製造された電極は、下記の式1で表示されるアスペクト比が、好ましくは0.1〜0.3である。さらに具体的には、電極のアスペクト比は、より好ましくは0.15〜0.25、さらに好ましくは0.155〜0.25、特に好ましくは0.158〜0.25、最も好ましくは0.16〜0.25である。電極のアスペクト比が前記範囲であれば、電極に入力される単位面積当たりの光の量を増加させることができ、太陽電池の効率をさらに向上させることができる。
式1において、D1は、焼成後の電極の厚さ(μm)であり、L3は、焼成後の電極の線幅(μm)である。
本明細書において、電極のアスペクト比は、太陽電池電極形成用組成物を面抵抗70Ω結晶系マルチウェハーの前面に一定のパターンでスクリーン印刷(Microtech社のプリンター、SUS325タイプ/フィンガーバーの厚さ15μm/フィンガーバーの線幅45μm、フィンガーバーの個数80個)し、赤外線乾燥炉を使用して乾燥させた後、ウェハーの後面にアルミニウムペーストを後面印刷した後、同一の方法で乾燥させ、前記過程で形成されたセルをベルト型焼成炉を使用して400〜900℃で30秒〜50秒間焼成して製造された電極(finger bar)に対して、VK装備(KEYENCE社のVK9710)を用いて測定する。
以下、実施例を通じて本発明をより具体的に説明するが、これら実施例は、説明の目的のためのものに過ぎなく、本発明を制限するものと解釈してはならない。
実施例1〜9および比較例1〜5
実施例1
有機バインダーとしてエチルセルロース(Dowchemical社、STD4)1.0重量%を、溶媒であるテキサノール(Texanol)(登録商標)6.65重量%に60℃で十分に溶解した後、平均粒径(体積換算)が2.0μmである球状の銀粉末(Dowa Hightech CO.LTD、AG−5−11F)89.0重量%、下記の表1の組成で製造されたガラスフリットI(平均粒径(体積換算)2.5μm) 2.5重量%、有機シラン化合物としてポリジメチルシロキサン(Evonik社、TEGO(登録商標)Glide410)(I)0.05重量%、添加剤として分散剤BYK102(BYK−chemie)0.4重量%、および揺変剤Thixatrol(登録商標)ST(Elementis co.)0.4重量%を投入して均一にミキシングした後、3本ロール混練器で混合・分散させることによって太陽電池電極形成用組成物を製造した。
製造した太陽電池電極形成用組成物を、面抵抗70Ω結晶系マルチウェハーの前面に一定のパターンでスクリーン印刷(Microtech社のプリンター、SUS325タイプ/フィンガーバーの厚さ15μm/フィンガーバーの線幅45μm、フィンガーバーの個数80個)し、赤外線乾燥炉を使用して乾燥させた。その後、ウェハーの後面にアルミニウムペーストを後面印刷した後、同一の方法で乾燥させた。前記過程で形成されたセルをベルト型焼成炉を使用して400℃〜900℃で30秒〜50秒間焼成し、下記の物性評価方法によって物性を測定した後、その結果値を下記の表4に示した。
実施例2〜6
下記の表2の組成で太陽電池電極形成用組成物を製造したことを除いては、実施例1と同一の方法で太陽電池を製造した後で物性を測定し、その結果値を下記の表4に示した。
実施例7〜8
有機シラン化合物としてヘキサメチルジシロキサン(Evonik社、TEGO(登録商標)Flow ATF2)(II)を使用し、下記の表2の組成で太陽電池電極形成用組成物を製造したことを除いては、実施例1と同一の方法で太陽電池を製造した後で物性を測定し、その結果値を下記の表4に示した。
実施例9
下記の表1のガラスフリットIIおよび下記の表2の組成で太陽電池電極形成用組成物を製造したことを除いては、実施例1と同一の方法で太陽電池を製造した後で物性を測定し、その結果値を下記の表4に示した。
比較例1〜5
下記の表1のガラスフリットおよび下記の表3の組成で太陽電池電極形成用組成物を製造したことを除いては、実施例1と同一の方法で太陽電池を製造した後で物性を測定し、その結果値を下記の表5に示した。
比較例2および3は、有機シラン化合物の代わりに有機アクリル化合物(Evonik社、TEGO(登録商標)Flow 300)を使用したことを除いては、比較例1と同一の方法で太陽電池を製造した。
物性評価方法
微細パターン評価:製造した電極(finger bar)ラインの焼成前・後の線幅および厚さをVK装備(KEYENCE社のVK9710)を用いて測定し、その結果を下記の表4および5に示した。
短絡電流、曲線因子および変換効率測定方法:太陽電池効率測定装備(Pasan社、CT−801)を使用して太陽電池の短絡電流(ISC)、曲線因子(%)、および変換効率(%)を測定した。
表1に示すように、有機シラン化合物、ガラス転移温度(Tg)が150〜300℃であるガラスフリットIおよびIIを含む実施例1〜9の太陽電池電極形成用組成物は、微細線幅および高アスペクト比を有する電極を製造することができ、電極は、高い短絡電流(Isc)と優れた変換効率および曲線因子値を有することができる。
その一方、有機シラン化合物を含まない比較例1〜3とガラス転移温度が300℃を超えるガラスフリットIIIおよびIVをそれぞれ含む比較例4〜5の太陽電池電極形成用組成物は、焼成前・後に測定された電極の線幅と厚さから実施例に比べて電極のアスペクト比が低く、測定された短絡電流(Isc)、変換効率および曲線因子(Fill factor)値が低下したことが分かる。
本発明の単純な変形および変更は、本分野で通常の知識を有する者によって容易に実施することができ、このような変形や変更は、いずれも本発明の領域に含まれるものと見なすことができる。
100 基板、
101 p層(またはn層)、
102 n層(またはp層)、
210 後面電極、
230 前面電極、
300 光。

Claims (11)

  1. 銀粉末、
    テルルを含みガラス転移温度(Tg)が150〜300℃であるガラスフリット、
    有機シラン化合物、および
    有機ビヒクル、を含む、太陽電池電極形成用組成物。
  2. 前記銀粉末60〜95重量%、
    前記ガラスフリット0.1〜20重量%、
    前記有機シラン化合物0.01〜3重量%、および
    前記有機ビヒクル1〜30重量%を含む、請求項1に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  3. 前記ガラスフリットは、Bi−Te−O系ガラスフリットであって、構成する元素の合計モル数(酸化物換算)を100モル%として、テルル(Te)元素(酸化物換算)を50〜90モル%含む、請求項1または2に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  4. 前記Bi−Te−O系ガラスフリットは、ビスマス(Bi)原子:テルル(Te)原子のモル比(酸化物換算)が1:1.5〜1:3.5である、請求項3に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  5. 前記ガラスフリットは、無鉛ガラスフリットである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  6. 前記有機シラン化合物は、下記の化学式1:
    化学式1中、R〜Rは、それぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アミノ基、水酸基、炭素数1〜6のフルオロアルキル基、フェニル基、エポキシ基、またはカルボキシル基であり、yは0〜3,000の整数である、
    で表されるシロキサン化合物を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  7. 前記Bi−Te−O系ガラスフリットは、リチウム(Li)、リン(P)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウム(Ga)、セリウム(Ce)、鉄(Fe)、ケイ素(Si)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)、セシウム(Cs)、ストロンチウム(Sr)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、インジウム(In)、バナジウム(V)、バリウム(Ba)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ヒ素(As)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、マンガン(Mn)およびアルミニウム(Al)からなる群から選ばれた1種以上の元素をさらに含む、請求項3〜6のいずれか1項に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  8. 前記ガラスフリットは、平均粒径(D50)が0.1〜10μmであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  9. 揺変剤、粘度安定化剤、消泡剤、顔料、紫外線安定剤、酸化防止剤およびカップリング剤からなる群から選ばれる添加剤を1種以上さらに含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の太陽電池電極形成用組成物。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の太陽電池電極形成用組成物を用いて製造された太陽電池電極。
  11. 下記の式1:
    式1において、D1は、焼成後の電極の厚さ(μm)であり、L3は、焼成後の電極の線幅(μm)である、
    で表されるアスペクト比が0.1〜0.3である、太陽電池電極。
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