JP2010184852A - 低融点ガラス組成物、それを用いた低温封着材料及び電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バナジウム,リン,テルル及び鉄の酸化物を含み、軟化点が380℃以下、好ましくは360℃以下の低融点ガラス組成物とする。さらに成分とマンガン,亜鉛,タングステン,モリブデン,バリウムの酸化物が挙げられる。また、バナジウム,リン,テルル,バリウム、及びタングステン或いはモリブデン、さらに鉄或いはアルカリ金属の酸化物を含み、軟化点が380℃以下、好ましくは360℃以下の低融点ガラス組成物とする。
【選択図】 図2
Description
さらに好ましくは軟化点が360℃以下である。
封着材料13は、事前に前面板10或いは背面板11のどちらか一方の周縁部にディスペンサー法或いは印刷法により形成される。一般的には、封着材料13は背面板11の方に形成される。また、封着材料13は赤色,緑色,青色蛍光体15,16,17の焼成と同時に事前に仮焼成されることもある。この方法を取ることによって、ガラス封着部の気泡を著しく低減でき、気密性の高い、すなわち信頼性の高いガラス封着部が得られる。ガラス封着は、加熱しながらセル14内部のガスを排気し、希ガスを封入し、パネルが完成する。
封着材料13を塗布したセラミックスキャップ33を乾燥後、大気中で焼成される。専用の固定ジグを用いて、封着材料13を形成したセラミックスキャップ33とセラミックス容器39を対向させ、荷重をかけるとともに固定ジグごと不活性雰囲気中でガラス封着される。従来の封着材料では、酸化鉛を主成分とする低融点ガラス組成物、或いはそのガラス組成物にフッ素が含有されたものが使用され、400℃以下の低温で気密に封着されていた。しかし、環境や安全を配慮すると、有害な鉛を含む材料の使用は回避すべきである。
その受光面にリンなどをドーピングし、n型半導体の拡散層41をサブミクロンオーダーの厚みで生成させるとともに、p形バルク部分との境界にpn接合部を形成する。さらに受光面に窒化シリコンなどの反射防止層42を蒸着法などによって膜厚100nm前後で形成する。
2 ガラス焼成塗膜
10 前面板
11 背面板
12 隔壁
13 封着材料
14 セル
15,16,17 赤色,緑色,青色蛍光体
18 表示電極
19 アドレス電極
20 紫外線
21 ブラックマトリックス
22,23 誘電体層
24 保護層
30 メタライズ
31 端子
32 積層セラミックス基板
33 セラミックスキャップ
40 半導体基板
41 拡散層
42 反射防止層
43 受光面電極
44 集電電極
45 電力取出し電極
46 電極成分拡散層
Claims (23)
- 実質的に鉛,ビスマス及びアンチモンを含まず、バナジウム,リン,テルル及び鉄の酸化物を含み、軟化点が380℃以下であることを特徴とする低融点ガラス組成物。
- 請求項1に記載された低融点ガラス組成物であって、
さらにマンガン,亜鉛,タングステン,モリブデン,バリウムの酸化物のうち少なくとも1種以上を含むことを特徴とする低融点ガラス組成物。 - 請求項1または2に記載された低融点ガラス組成物であって、
成分の酸化物換算で、V2O5を45〜65重量%、P2O5を10〜20重量%、TeO2を10〜25重量%、Fe2O3を5〜15重量%、MnO2,ZnO,WO3,MoO3,BaOを合計で0〜10重量%を含有することを特徴とする低融点ガラス組成物。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載された低融点ガラス組成物であって、
25℃から250℃までの熱膨張係数が100×10-7/℃以下であることを特徴とする低融点ガラス組成物。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載された低融点ガラス組成物であって、
軟化点が360℃以下あることを特徴とする低融点ガラス組成物。 - 実質的に鉛,ビスマス及びアンチモンを含まず、バナジウム,リン,テルル、バリウム、及びタングステン或いはモリブデン、さらに鉄或いはアルカリ金属の酸化物を含み、軟化点が380℃以下であることを特徴とする低融点ガラス組成物。
- 請求項6に記載された低融点ガラス組成物であって、
成分の酸化物換算で、V2O5を40〜55重量%、P2O5を5〜15重量%、TeO2を20〜30重量%、BaOを2〜10重量%、WO3を0〜15重量%、MoO3を0〜15重量%、Fe2O3を0〜8重量%、R2O(R:アルカリ金属)を0〜5重量%含み、しかもP2O5とTeO2の和が30〜40重量%、WO3とMoO3の和が5〜15重量%、Fe2O3とR2Oの和が2〜8重量%であることを特徴とする低融点ガラス組成物。 - 請求項6または7に記載された低融点ガラス組成物であって、
軟化点が360℃以下で、しかも25℃から250℃までの熱膨張係数が120×10-7/℃以下あることを特徴とする低融点ガラス組成物。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載された粉末形状の低融点ガラス組成物を含むことを特徴とする低温封着材料。
- 請求項9に記載された低温封着材料であって、
さらに粉末形状のフィラーとを含有し、前記低融点ガラス組成物の含有量が70体積%以上、前記フィラーの含有量が30体積%以下であることを特徴とする低温封着材料。 - 請求項10に記載された低温封着材料であって、
前記フィラーの平均粒径が30μm以下であることを特徴とする低温封着材料。 - 請求項10または11に記載された低温封着材料であって、
前記フィラーが、ニオブ或いはタンタルを含むことを特徴とする低温封着材料。 - 請求項12に記載された低温封着材料であって、
前記フィラーが、酸化ニオブ,酸化タンタル或いはそれらの化合物であることを特徴とする低温封着材料。 - 請求項10または11に記載された低温封着材料であって、
前記フィラーが、リン酸タングステン酸ジルコニウムであることを特徴とする低温封着材料。 - 請求項9ないし14のいずれかに記載された低温封着材料であって、
25℃から250℃までの熱膨張係数が80×10-7/℃以下であることを特徴とする低温封着材料。 - 請求項9ないし14のいずれかに記載された低温封着材料であって、
25℃から250℃までの熱膨張係数が95×10-7/℃以上120×10-7/℃以下であることを特徴とする低温封着材料。 - 金属粉末と、請求項1ないし8のいずれかに記載された低融点ガラス組成物を含有する電極材料。
- 請求項17に記載された電極材料であって、
前記金属粉末が83〜93体積%含有され、金属粉末が銀,銅またはアルミニウムを含むことを特徴とする電極材料。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載された低融点ガラス組成物の粉末と、樹脂と、溶剤とを含有することを特徴とする低融点ガラスペースト。
- ガラス封着部,ガラス接着部,ガラス被覆部を有する電子部品において、前記ガラス封着部,前記ガラス接着部,前記ガラス被覆部に請求項1ないし8のいずれかに記載された低融点ガラス組成物を含むことを特徴とする電子部品。
- 請求項20に記載された電子部品が、ICセラミックスパッケージ,水晶振動子,画像表示装置であることを特徴とする電子部品。
- 金属とガラスとを含む電極が形成された電子部品において、該電極に含有されるガラスが請求項1ないし8のいずれかに記載された低融点ガラス組成物であることを特徴とする電子部品。
- 請求項22に記載された電子部品が画像表示装置,太陽電池素子であることを特徴とする電子部品。
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Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011096748A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子及びその製造方法 |
JP2011096747A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
WO2011118297A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 株式会社日立製作所 | アルミニウム電極配線用のガラス組成物と導電性ペースト、そのアルミニウム電極配線を具備する電子部品、及び、この電子部品の製造方法 |
WO2011118300A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 株式会社日立製作所 | 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
JP2012084585A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
JP2012106891A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Asahi Glass Co Ltd | 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト |
JP2012109148A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Harima Chemicals Inc | 焼成型導電性銅ペースト |
CN102507278A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-06-20 | 珠海彩珠实业有限公司 | 一种粉体材料膨胀检测样品的制备方法 |
WO2012096128A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | セントラル硝子株式会社 | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 |
WO2012144335A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
KR101236968B1 (ko) | 2011-07-20 | 2013-02-25 | 주식회사 휘닉스소재 | 유기발광소자 봉착용 유리 조성물 및 이를 이용하여 제조된 소자 |
JP2013103875A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Tokai Industry Corp | バナジウム結晶化複合酸化物及び製造方法 |
JP2013133343A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 複合材料 |
JP2013132757A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 複合部材 |
WO2013111434A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | 株式会社 日立製作所 | 接合体および半導体モジュール |
JP2013157161A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品及びその製法、並びにそれに用いる封止材料ペースト |
JP2013155059A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 色素増感型太陽電池用ガラス組成物及び色素増感型太陽電池用材料 |
JP2014024730A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品及びその製法、並びにそれに用いる封止材料ペースト |
JP2014090217A (ja) * | 2014-02-20 | 2014-05-15 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子の製造方法 |
WO2014170998A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | 株式会社 日立製作所 | 全固体リチウムイオン二次電池 |
JP2014534148A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-12-18 | ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション | バナジウムを主成分とするフリット材料及びその製造方法 |
JP2015021819A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 電極評価方法及び太陽電池セル |
WO2015083248A1 (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社日立製作所 | 封止構造体、複層断熱ガラス、ガラス容器 |
JP2015163587A (ja) * | 2015-04-23 | 2015-09-10 | 旭硝子株式会社 | 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト |
JP5853106B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-02-09 | 株式会社日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
JP5948444B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
JP5948432B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
JP2016127276A (ja) * | 2014-12-30 | 2016-07-11 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極 |
JP2016532278A (ja) * | 2013-09-13 | 2016-10-13 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極 |
JP2016534972A (ja) * | 2013-08-27 | 2016-11-10 | コーニング インコーポレイテッド | アンチモンフリーガラス、アンチモンフリーフリット、およびそのフリットで気密封止されるガラスパッケージ |
JP2016210681A (ja) * | 2011-07-04 | 2016-12-15 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、該ガラス組成物を含むガラスフリット、および該ガラス組成物を含むガラスペースト |
US9543265B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-01-10 | Hitachi, Ltd. | Joint material, and jointed body |
JP2018507836A (ja) * | 2015-01-28 | 2018-03-22 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスフリット及びガラスフリットを用いて封止されたガラス組立体 |
US10252938B2 (en) | 2011-07-04 | 2019-04-09 | Hitachi, Ltd. | Glass composition, glass frit containing same, glass paste containing same, and electrical/electronic component obtained using same |
KR20190101765A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
JP2019183064A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 有限会社エスティア | 樹脂複合材料及びその製造方法 |
WO2019225335A1 (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
DE102019114217A1 (de) | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Bleifreie Glaszusammensetzung sowie Glasverbundmaterial, Glaspaste und Siegelungsstrukturkörper mit einem Gehalt an dieser Glaszusammensetzung |
KR20200031599A (ko) * | 2018-02-23 | 2020-03-24 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
WO2020071095A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
WO2020153061A1 (ja) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス粉末及びそれを用いた封着材料 |
WO2021038906A1 (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む無鉛ガラス複合材料、無鉛ガラスペースト及び封止構造体 |
JP2021035896A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物、低融点ガラス複合材料、ガラスペースト及び応用製品 |
US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
US11958772B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-04-16 | Lg Electronics Inc. | Low-temperature fired, lead-free glass frit, paste, and vacuum glass assembly using same |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5525714B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-06-18 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラス組成物 |
US20100095705A1 (en) | 2008-10-20 | 2010-04-22 | Burkhalter Robert S | Method for forming a dry glass-based frit |
DE112009004970B4 (de) * | 2009-03-27 | 2018-05-03 | Hitachi, Ltd. | Leitende Paste und elektronisches Bauteil, das mit einer daraus gebildetenElektrodenverdrahtung versehen ist |
WO2010109903A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラス組成物およびそれを用いた被覆部材と封着部材 |
KR20120104922A (ko) * | 2009-06-30 | 2012-09-24 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 봉착 재료층이 형성된 유리 부재와 그것을 사용한 전자 디바이스 및 그 제조 방법 |
EP2566826B1 (en) | 2010-05-04 | 2016-11-30 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium- oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US9309146B2 (en) | 2011-02-22 | 2016-04-12 | Guardian Industries Corp. | Vanadium-based frit materials, binders, and/or solvents and methods of making the same |
US8802203B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-08-12 | Guardian Industries Corp. | Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same |
KR101162040B1 (ko) * | 2011-06-01 | 2012-07-04 | 대주전자재료 주식회사 | 봉착유리 조성물 및 이를 포함하는 디스플레이 패널 |
CN105006429A (zh) * | 2011-07-05 | 2015-10-28 | 日立化成株式会社 | n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法 |
TWI528382B (zh) * | 2011-07-29 | 2016-04-01 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 導電組合物及其製造方法 |
US10038109B2 (en) | 2011-09-09 | 2018-07-31 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Silver solar cell contacts |
CN106159106B (zh) * | 2011-09-26 | 2019-03-15 | 群创光电股份有限公司 | 有机发光显示器及其制法 |
TW201313848A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-01 | Eternal Chemical Co Ltd | 用於太陽能電池模組之封裝材料及其用途 |
JP5526104B2 (ja) * | 2011-10-25 | 2014-06-18 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換複合材料、それを用いた熱電変換材料ペースト、およびそれを用いた熱電変換モジュール |
JP5822766B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-11-24 | 株式会社日立製作所 | 金属基複合材料及びその製造方法 |
KR101705068B1 (ko) | 2012-06-12 | 2017-02-09 | 코닝정밀소재 주식회사 | 무기접착 조성물 및 이를 이용한 기밀 밀봉 방법 |
EP2890653B1 (en) * | 2012-08-30 | 2016-08-24 | Corning Incorporated | Antimony-free glass, antimony-free frit and a glass package that is hermetically sealed with the frit |
JP6036152B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2016-11-30 | 日立化成株式会社 | 電子部品及びその製法、封止材料ペースト、フィラー粒子 |
KR101408289B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2014-06-17 | 코닝정밀소재 주식회사 | 저팽창 글라스 충전제, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 글라스 프릿 |
KR101600652B1 (ko) * | 2012-11-12 | 2016-03-07 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극 |
WO2014080482A1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 株式会社日立製作所 | 構造体、電子素子モジュール、熱交換器、燃料棒、及び、燃料集合体 |
TWI492400B (zh) * | 2013-02-21 | 2015-07-11 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組 |
KR101596548B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2016-02-22 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
KR101696968B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2017-01-16 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
US9988302B2 (en) | 2014-02-04 | 2018-06-05 | Guardian Glass, LLC | Frits for use in vacuum insulating glass (VIG) units, and/or associated methods |
US9593527B2 (en) | 2014-02-04 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Vacuum insulating glass (VIG) unit with lead-free dual-frit edge seals and/or methods of making the same |
KR101670891B1 (ko) * | 2014-08-08 | 2016-11-09 | (주)파트론 | 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법 |
DE102014014322B4 (de) | 2014-10-01 | 2017-11-23 | Ferro Gmbh | Tellurat-Fügeglas mit Verarbeitungstemperaturen ≦ 400 °C |
JP6617541B2 (ja) * | 2015-01-15 | 2019-12-11 | セントラル硝子株式会社 | 無鉛ガラス及び封着材料 |
KR101693840B1 (ko) * | 2015-10-05 | 2017-01-09 | 대주전자재료 주식회사 | 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 |
KR20180075704A (ko) * | 2015-11-24 | 2018-07-04 | 코닝 인코포레이티드 | 입자 막-개시되는 낮은 두께의 레이저 웰드를 구비하는 씰링된 소자 하우징 및 관련 방법들 |
DE102016109414A1 (de) | 2016-05-23 | 2017-11-23 | Ferro Gmbh | Niedertemperatur-Telluritglasmischungen für Vakuumverdichtung bei Temperaturen ≤450 °C |
KR101853417B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2018-05-02 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지 |
CN108164144A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-15 | 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 | 一种低温高膨胀系数钛合金封接玻璃及其制备方法和应用 |
CN106887271B (zh) * | 2017-03-16 | 2019-01-18 | 西安晶晟光电科技有限公司 | 一种石墨烯改性无铅银浆料及其制备方法 |
TWI745562B (zh) | 2017-04-18 | 2021-11-11 | 美商太陽帕斯特有限責任公司 | 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置 |
WO2019023444A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Corning Incorporated | SINK PASTE AND METHOD OF SEALING A GLASS ASSEMBLY COMPRISING THE SAME |
CN109133648B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-10-01 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种低软化点无铅玻璃组合物及包含该玻璃组合物的低温无铅封接材料和低温无铅焊接料浆 |
KR102217221B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2021-02-18 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
US11306021B2 (en) | 2018-11-26 | 2022-04-19 | Owens Coming Intellectual Capital, LLC | High performance fiberglass composition with improved elastic modulus |
BR112021010112A2 (pt) | 2018-11-26 | 2021-08-24 | Owens Corning Intellectual Capital, Llc | Composição de fibra de vidro de alto desempenho com módulo específico melhorado |
KR102217222B1 (ko) * | 2019-01-30 | 2021-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
JP7385169B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2023-11-22 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
GB201915010D0 (en) * | 2019-10-17 | 2019-12-04 | Johnson Matthey Plc | Composition, paste and methods |
KR102504050B1 (ko) * | 2020-11-11 | 2023-02-28 | 한국광기술원 | 친환경 유리 실링재 및 그의 제조방법 |
CN115305035A (zh) * | 2021-05-08 | 2022-11-08 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 用于oled密封的玻璃胶、oled元件的封装方法、oled器件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006342044A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-12-21 | Nippon Electric Glass Co Ltd | バナジウムリン酸系ガラス |
JP2007182347A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Hitachi Ltd | 接合用ガラスおよびこの接合用ガラスを用いた平板型ディスプレイ装置 |
JP2007320822A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Ltd | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
JP2008308393A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Noritake Co Ltd | 無鉛低軟化点ガラス、無鉛低軟化点ガラス組成物、無鉛低軟化点ガラスペースト、および蛍光表示管 |
JP2010052990A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Yamato Denshi Kk | 封着用無鉛ガラス材とこれを用いた有機elディスプレイパネル |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281560A (en) | 1993-06-21 | 1994-01-25 | Corning Incorporated | Non-lead sealing glasses |
US5733828A (en) * | 1996-02-15 | 1998-03-31 | Asahi Glass Company Ltd. | Hermetic sealing composition |
JP4557314B2 (ja) | 1996-02-15 | 2010-10-06 | 旭硝子株式会社 | 封着用組成物および封着用低融点ガラス |
JP4299021B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2009-07-22 | ヤマト電子株式会社 | 封着加工材及び封着加工用ペースト |
DE60335219D1 (de) * | 2003-06-27 | 2011-01-13 | Yamato Electronic Co Ltd | Bleifreies glasmaterial zum versiegeln, versiegelter artikel und versiegelungsverfahren damit |
JP2006282467A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ガラス組成物およびガラスペースト組成物 |
KR101242636B1 (ko) * | 2005-05-09 | 2013-03-19 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 바나듐-인산계 유리 |
JP4494301B2 (ja) | 2005-07-15 | 2010-06-30 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
KR100795068B1 (ko) | 2005-08-31 | 2008-01-17 | 야마토 덴시 가부시키가이샤 | 봉착가공용 무연 유리재와 이것을 이용한 봉착가공물 및봉착가공방법 |
JP5171050B2 (ja) | 2007-01-31 | 2013-03-27 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置、及び封着用ガラスフリット |
JP4800850B2 (ja) | 2006-06-02 | 2011-10-26 | 株式会社日立製作所 | 導電部材とその製造方法、画像表示装置及びガラススペーサ |
KR100787463B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 글래스 프릿, 실링재 형성용 조성물, 발광 장치 및 발광 장치의 제조방법 |
JP5525714B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-06-18 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラス組成物 |
JP2010161331A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Hitachi Ltd | 電極,電極ペースト及びそれを用いた電子部品 |
-
2009
- 2009-07-28 JP JP2009174883A patent/JP5414409B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-14 TW TW099100926A patent/TWI391361B/zh active
- 2010-01-14 US US12/687,142 patent/US8470723B2/en active Active
- 2010-01-14 KR KR1020100003402A patent/KR101155536B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-15 CN CN2010100029603A patent/CN101781090B/zh active Active
-
2013
- 2013-05-22 US US13/900,340 patent/US8685872B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006342044A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-12-21 | Nippon Electric Glass Co Ltd | バナジウムリン酸系ガラス |
JP2007182347A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Hitachi Ltd | 接合用ガラスおよびこの接合用ガラスを用いた平板型ディスプレイ装置 |
JP2007320822A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Ltd | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
JP2008308393A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Noritake Co Ltd | 無鉛低軟化点ガラス、無鉛低軟化点ガラス組成物、無鉛低軟化点ガラスペースト、および蛍光表示管 |
JP2010052990A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Yamato Denshi Kk | 封着用無鉛ガラス材とこれを用いた有機elディスプレイパネル |
Cited By (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10347787B2 (en) | 2009-10-28 | 2019-07-09 | Shoei Chemical Inc. | Method for forming a solar cell electrode with conductive paste |
JP2011096747A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
US8551368B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-10-08 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for forming a solar cell electrode |
US8962981B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-02-24 | Shoei Chemical Inc. | Solar cell device and manufacturing method therefor |
JP2011096748A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子及びその製造方法 |
JP2013058308A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-03-28 | Hitachi Ltd | 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
US9786463B2 (en) | 2010-03-23 | 2017-10-10 | Hitachi, Ltd. | Electronic component, conductive paste, and method for manufacturing an electronic component |
WO2011118300A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 株式会社日立製作所 | 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
US9142708B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-09-22 | Hitachi, Ltd. | Glass composition and conductive paste for aluminum electrode wiring, electronic component provided with that aluminum electrode wiring and method for producing this electronic component |
WO2011118297A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 株式会社日立製作所 | アルミニウム電極配線用のガラス組成物と導電性ペースト、そのアルミニウム電極配線を具備する電子部品、及び、この電子部品の製造方法 |
JP2011201714A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Hitachi Ltd | アルミニウム電極配線用のガラス組成物と導電性ペースト、そのアルミニウム電極配線を具備する電子部品、及び、この電子部品の製造方法 |
US10084100B2 (en) | 2010-10-07 | 2018-09-25 | Shoei Chemical Inc. | Solar cell element and method for manufacturing same |
JP2012084585A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
JP2012109148A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Harima Chemicals Inc | 焼成型導電性銅ペースト |
JP2012106891A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Asahi Glass Co Ltd | 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト |
JP5910509B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2016-04-27 | セントラル硝子株式会社 | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 |
WO2012096128A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | セントラル硝子株式会社 | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 |
JPWO2012096128A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-06-09 | セントラル硝子株式会社 | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 |
CN103493148B (zh) * | 2011-04-21 | 2016-01-20 | 昭荣化学工业株式会社 | 导电性糊膏 |
US9064616B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-06-23 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste |
WO2012144335A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
CN103493148A (zh) * | 2011-04-21 | 2014-01-01 | 昭荣化学工业株式会社 | 导电性糊膏 |
JP2016210681A (ja) * | 2011-07-04 | 2016-12-15 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、該ガラス組成物を含むガラスフリット、および該ガラス組成物を含むガラスペースト |
US10252938B2 (en) | 2011-07-04 | 2019-04-09 | Hitachi, Ltd. | Glass composition, glass frit containing same, glass paste containing same, and electrical/electronic component obtained using same |
KR101236968B1 (ko) | 2011-07-20 | 2013-02-25 | 주식회사 휘닉스소재 | 유기발광소자 봉착용 유리 조성물 및 이를 이용하여 제조된 소자 |
JP2014534148A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-12-18 | ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション | バナジウムを主成分とするフリット材料及びその製造方法 |
CN102507278A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-06-20 | 珠海彩珠实业有限公司 | 一种粉体材料膨胀检测样品的制备方法 |
JP2013103875A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Tokai Industry Corp | バナジウム結晶化複合酸化物及び製造方法 |
JP2013133343A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 複合材料 |
US9796821B2 (en) | 2011-12-26 | 2017-10-24 | Hitachi, Ltd. | Composite material |
JP2013132757A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Ltd | 複合部材 |
JP2013151396A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Hitachi Ltd | 接合体および半導体モジュール |
WO2013111434A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | 株式会社 日立製作所 | 接合体および半導体モジュール |
US9196563B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-11-24 | Hitachi, Ltd. | Bonded body and semiconductor module |
KR101572774B1 (ko) | 2012-01-26 | 2015-11-27 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 접합체 및 반도체 모듈 |
JP2013155059A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 色素増感型太陽電池用ガラス組成物及び色素増感型太陽電池用材料 |
JP2013157161A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品及びその製法、並びにそれに用いる封止材料ペースト |
US10026923B2 (en) | 2012-07-30 | 2018-07-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electronic component, method for producing same, and sealing material paste used in same |
WO2014021187A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 日立化成株式会社 | 電子部品及びその製法、並びにそれに用いる封止材料ペースト |
JP2014024730A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品及びその製法、並びにそれに用いる封止材料ペースト |
US9728341B2 (en) | 2012-07-30 | 2017-08-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electronic component, method for producing same, and sealing material paste used in same |
JP5853106B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-02-09 | 株式会社日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
US9824900B2 (en) | 2012-11-09 | 2017-11-21 | Hitachi, Ltd. | Bonded structure and production method therefor |
JP5948432B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
JPWO2014073085A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-09-08 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
JPWO2014073086A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-09-08 | 株式会社日立製作所 | 接合構造体とその製造方法 |
JP5948444B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
JPWO2014115252A1 (ja) * | 2013-01-23 | 2017-01-19 | 株式会社日立製作所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
US9543265B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-01-10 | Hitachi, Ltd. | Joint material, and jointed body |
WO2014170998A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | 株式会社 日立製作所 | 全固体リチウムイオン二次電池 |
JP2015021819A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 電極評価方法及び太陽電池セル |
JP2016534972A (ja) * | 2013-08-27 | 2016-11-10 | コーニング インコーポレイテッド | アンチモンフリーガラス、アンチモンフリーフリット、およびそのフリットで気密封止されるガラスパッケージ |
JP2016532278A (ja) * | 2013-09-13 | 2016-10-13 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極 |
US10388803B2 (en) | 2013-09-13 | 2019-08-20 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming solar cell electrode and electrode manufactured therefrom |
WO2015083248A1 (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社日立製作所 | 封止構造体、複層断熱ガラス、ガラス容器 |
US10392296B2 (en) | 2013-12-04 | 2019-08-27 | Hitachi, Ltd. | Sealed structural body and method for manufacturing the same |
JP2014090217A (ja) * | 2014-02-20 | 2014-05-15 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子の製造方法 |
JP2016127276A (ja) * | 2014-12-30 | 2016-07-11 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極 |
JP2018507836A (ja) * | 2015-01-28 | 2018-03-22 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスフリット及びガラスフリットを用いて封止されたガラス組立体 |
JP2015163587A (ja) * | 2015-04-23 | 2015-09-10 | 旭硝子株式会社 | 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト |
KR102092295B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2020-03-23 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
KR20200031599A (ko) * | 2018-02-23 | 2020-03-24 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
KR102379829B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2022-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
US11958772B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-04-16 | Lg Electronics Inc. | Low-temperature fired, lead-free glass frit, paste, and vacuum glass assembly using same |
KR20190101765A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
JP2019183064A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 有限会社エスティア | 樹脂複合材料及びその製造方法 |
JP7222182B2 (ja) | 2018-05-25 | 2023-02-15 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
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DE102019114217A1 (de) | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Bleifreie Glaszusammensetzung sowie Glasverbundmaterial, Glaspaste und Siegelungsstrukturkörper mit einem Gehalt an dieser Glaszusammensetzung |
US10968135B2 (en) | 2018-05-30 | 2021-04-06 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Lead-free glass composition, and glass composite material, glass paste, and sealing structure body containing the same |
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