JP4800850B2 - 導電部材とその製造方法、画像表示装置及びガラススペーサ - Google Patents

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Description

本発明は、導電性を有するガラスに係り、特にガラス部品を接合するための接合材料として使用するのに好適な導電部材に関する。また、本発明は、この導電部材をガラスパネルとガラススペーサとの接合部に備えた画像表示装置及びガラススペーサに関する。
電子機器では、ガラス部品を接合する接合材料に導電性が要求される場合がある。例えば、電子源を有するガラスパネルと、その電子源から放出された電子を受けて発光する発光体を有するガラスパネルとの間に支持部材としてガラススペーサを備える画像表示装置では、ガラススペーサをガラスパネルに固定する接合材料に導電性が要求される。
接合の用途に使用されるガラスの代表的なものに、VとPを主成分として含むV−P系ガラスがある(例えば、特許文献1〜3参照)。
特許文献1には、ガラス組成物中にZnO,BaO,SrOなどを含み、さらに、熱膨張率が小さいV族金属酸化物などのセラミックよりなる微粒子状充填剤を第2相として混合したものが示されている。特許文献2にも、Vを主成分とするガラスに第2相として低熱膨張セラミックフィラーを混合したものが示されている。特許文献3にも、Vを主成分とする低融点ガラスに第2相として低熱膨張フィラーを混合したものが示されている。
特表昭63−502583号公報 特開2004−250276号公報 特開平2−267137号公報
しかしながら、前述の特許文献1〜3には、導電性を付与することまでは記載されていない。
本発明の目的は、V−P系の導電部材とその製造方法を提供することにあり、また、その導電部材をガラスパネルとガラススペーサとの接合部に備えた画像表示装置及びガラススペーサを提供することにある。
本発明は、VとPを主成分として含むV−P系ガラスに第2相が分散する導電部材において、前記第2相がVとOよりなる結晶状の化合物及び結晶状の金属リン酸化合物を含むようにしたものである。
また、本発明は、VとPを主成分として含むV−P系ガラスと、リン酸と結合する金属の酸化物とを混合し、この混合物を加熱して、VとOよりなる結晶状の化合物及び前記金属とリン酸との反応生成物である結晶状の金属リン酸化合物を生成するようにした導電部材製造方法にある。
また、本発明は、電子源を備えたガラスパネルと前記電子源から放出された電子を受けて発光する蛍光体を備えたガラスパネルとがガラススペーサを介して対向配置された構造を有する画像表示装置において、前記ガラススペーサと前記ガラスパネルとがV−P系ガラスに第2相が分散し、その第2相にVとOよりなる結晶状の化合物と結晶状の金属リン酸化合物とが含まれている導電部材によって接合されていることを特徴とする画像表示装置にある。
また、本発明は、電子源を備えたガラスパネルと前記電子源から放出された電子を受けて発光する蛍光体を備えたガラスパネルとの間にガラススペーサを有する画像表示装置の前記ガラススペーサであって、少なくとも前記ガラスパネルと固定される部分にV−P系ガラスに第2相が分散し、その第2相にVとOよりなる結晶状の化合物と結晶状の金属リン酸化合物とが含まれている導電部材が形成されていることを特徴とするガラススペーサにある。
本発明のガラス組成物は導電性を有しており、このガラス組成物を用いてガラスパネルにガラススペーサを固定した画像表示装置は、電子ビームの偏向が起こりにくいという効果を有する。
本発明の導電部材は、VとPを主成分として含むV−P系ガラスを母材とし、このガラス母材中に第2相としてVとOよりなる結晶状の化合物と結晶状の金属リン酸化合物とが分散している。VとOよりなる結晶状の化合物は導電性であり、結晶が電気を通す。これによりガラス組成物に導電性が付与される。金属リン酸化合物の生成により、ガラス組成物中からリンが溶出するのが抑えられるという効果が得られる。
本発明の導電部材は、V−P系ガラスと、リン酸と結合する金属の酸化物とを混合し、この混合物を加熱して、VとOよりなる結晶状の化合物及び前記金属とリン酸との反応生成物である結晶状の金属リン酸化合物を生成させることによって製造することができる。導電部材の製造に当たって、ガラスに、リン酸と結合する金属の酸化物を混合することが重要であり、これによって、VとOよりなる結晶状の化合物を生成させ、析出させることができる。ガラス母材の製造時の出発原料として、前述のリン酸と結合する金属の酸化物を用い、他のガラス出発原料と同時に溶解したのでは、VとOよりなる結晶状の化合物を生成させることはできず、本発明の導電部材は得られない。リン酸と結合する金属の酸化物は、導電部材の製造過程においてリン酸とVとが反応するよりも優先してリン酸と反応する作用を有する。これによって、リン酸とVとの反応が抑えられ、VとOよりなる結晶状の化合物がガラス中に析出するようになる。また、リン酸との反応物である結晶状の金属リン酸化合物が第2相として析出するようになる。
導電部材の製造時に用いる金属酸化物は、Vよりもリン酸との反応性に優れていることから、遷移金属又はアルカリ土類金属の酸化物であるが好ましく、特にZn,Mg,Ca,Ba,Zr,W,Mo,Feから選ばれた少なくとも1種の酸化物が好ましい。
VとOよりなる結晶状の化合物はバナジウム酸化物であることが望ましく、前述の本発明の製造方法により導電部材を製造した場合には、バナジウム酸化物が生成する。生成するバナジウム酸化物の形態は主にV,V,V,Vであり、これらのうちではV,Vが特に導電性が優れる。
VとOよりなる結晶状の化合物が導電部材中に占める割合は10〜50体積%の範囲内であることが好ましい。このような範囲であると、ホッピング担体となるバナジウムイオンを含有する結晶粒が多くなるため、より良好な導電性が得られる。導電性はVとOよりなる結晶状の化合物の量で調整することができる。また、VとOよりなる化合物の量は、ガラス母材の組成及び導電部材製造時に混合する金属酸化物の量で調整できる。
導電性部材中に第2相として析出する金属リン酸化合物が占める割合も10〜50体積%の範囲内であることが望ましい。
−P系ガラスにおけるVの量は50〜70重量%、Pの量は20〜40重量%であることが好ましく、このような範囲であると価数の異なるバナジウムイオン間の電子ホッピング伝導が得られる。
本発明の導電部材を模式図で示すと図1のようになる。V−P系ガラス母材101に、VとOよりなる化合物相102と金属リン酸化合物相103が析出している。
本発明の導電部材が接合材料として使用される電子機器の一例として、フィールドエミッションディスプレイ(FED:Field Emission Display)について、図2と図3を用いて簡単に説明する。
図2の(a)は、FEDの構造を斜視図で示したものであり、(b)は(a)のA−A線に沿った概略断面図を示したものである。また、図3は、図2(a)のA−A線に沿った断面の一部を拡大して示したものである。
図2及び図3に示すように、FEDは背面のガラスパネル210と前面のガラスパネル220との間に、支持部材としてガラススペーサ230を備え、周縁部分に枠ガラス240を備える。背面のガラスパネル210は、背面基板211の内面に信号線(データ線、カソード電極線)212と走査線(ゲート電極線)213を有しており、信号線と走査線の交差部近傍に電子源214を有する。また、前面のガラスパネル220は、前面基板221の内面に遮光膜(ブラックマトリクス)222、アノード(メタルバック)223及び蛍光体層224等を有する。
枠ガラス240は、背面基板及び前面基板の内面に形成された図示しない絶縁層にガラス封着材料によって固定される。その固定部分が封止接着層245である。これによって、背面のガラスパネルと前面のガラスパネルとの間に3〜5mm程度の間隔を有する空間部分が形成される。この空間部分は通常10−5〜10−7Torr程度の真空雰囲気に保持され、表示領域250となる。また、ガラススペーサ230は、背面基板211の内面に形成された走査線213と前面基板221の内面に形成された遮光膜(ブラックマトリクス)222との間に配置され、本発明の導電部材によって接合される。この接合部分が導電性接着層235である。
このFEDにおいて、電子源とアノードの間に電圧が印加されると、カソード側からアノード側へ向かって電子ビームが出射され、加速電圧によって蛍光体層224に衝突し、これを励起して所定周波数の光がガラスパネル220の外部に出射する。これにより、画像が表示される。但し、電圧の印加によってガラススペーサが帯電しやすくなり、放電が生じてカソードや他の構造部品が破壊される恐れがある。また、ガラススペーサの帯電によって電子ビームが偏向し、ガラススペーサ側に引き寄せられる、或いは、反発してガラススペーサから遠ざかるという現象が生じる。電子ビームが偏向すると、スペーサの影が映るようになり画質が低下する。
導電性接着層235に本発明の導電部材を使用することにより、電子ビームの偏向を防止することができる。接着層に導電性を付与する方法としては、本発明以外にガラス母材と金属粉末を混合し、金属の導電性を利用して接着層に導電性を付与することも考えられる。しかし、この方法では、接合時の加熱によって金属が比重差で沈降し、分布むらを生じて、導電性を発現しない部分が生じるようになり、電子ビームの偏向を防止できない。電子ビームの偏向を防止するには、導電性を有する相が一に分散することが必要であり、本発明の導電部材によって実現可能となる。
なお、FEDの組み立てに際して、ガラススペーサの表面全体或いはガラスパネルとの接合部分に、本発明の導電部材よりなる層を塗布等の方法によって形成しておくことは望ましい。また、ガラススペーサの一端を固定する導電部材のガラス転移点と、ガラススペーサの他端を固定する導電部材のガラス転移点は、異なるようにしておくことが望ましい。さらに、導電部材の電気抵抗率が10Ωcm以上、10Ωcm以下の範囲にすることが望ましく、本発明によれば、導電部材の製造時に混合する金属酸化物の量を調整することにより、電気抵抗率を上記の範囲内で調整できる。
本実施例では最初にV−P系ガラス母材の検討を行った。表1に示す組成比で原料試薬を混合し、Ptるつぼを用いて、大気中で溶解した。ガラス溶解温度は表1に示すとおりである。溶解したガラスの歪取りを行った後、熱膨張係数を評価し、DTA特性温度を評価した。熱膨張係数とDTA特性を表2に示す。なお、表2において、Tgはガラス転移点、Mgは屈伏点、Tsは軟化点、Tfは流動点を示す。
Figure 0004800850
Figure 0004800850
検討の結果、最も高い結晶化温度が得られたBP−1をベースガラスとして、次に、バナジンリン酸ガラス中に導電性の結晶相を生成させることにより、ガラスを結晶化させ、なおかつ高い導電性を発現させることを検討した。本実施例では、バナジンリン酸ガラス中のリンと反応し、リン酸化合物として析出する酸化物としてZnOを選定した。
まず、BP−1とZnOの混合粉末のDTA評価を行い、結晶化温度を調べた。図4の(a)(b)はBP−1と20%ZnO混合粉末のDTA評価結果である。図4(a)はBP−1と20%ZnO混合粉末を450℃×1hキープ条件でDTA評価した結果であり、図4(b)は、上記の評価終了後、再度同一サンプルを用いて430℃×1hキープ条件でDTA評価した結果である。
検討の結果、BP−1と20%ZnO混合粉末は約410℃より結晶化反応を開始することが分かった。また、450℃保持条件で結晶化に要する時間は約30minであり、それ以後は結晶化反応を起こさないことがわかった。BP−1母材の結晶化温度は480℃であることから、ZnOの添加により、本来結晶化しない温度にて結晶化していることがわかる。
次に、BP−1と20%ZnO混合粉末の450℃×30min熱処理したサンプル及び、同サンプルを更に430℃×30min熱処理したサンプルのX線回折パターンを評価し、熱履歴による結晶相の違いについて検討した。
図5は各種サンプルのX線回折パターンを示す。図5から明らかなように、焼成後、試料より検出された回折ピークには、非晶質物質によるハローパターンに加え、Zn(POとVが主として同定される。その他には、V(正方晶系),ZnOと思われるピークの存在も認められる。つまり、ZnOは極微量残留していることが示される。焼成2回試料については、上記に示した物質に加えてV(斜方晶系)と思われるピークの存在も認められる。残留ZnOはそのまま残っているように見える。つまり、X線回折パターンの結果は図4のDTA評価結果と整合し、450℃×30minの熱処理により、BP−1と20%ZnOがほぼ結晶化を終えることが示される。ここで仮に全てのZnOが反応したとすれば、BP−1中に含まれるPの約58%が化合物生成に寄与すると計算される。
BP−1にZnOを10〜20重量%添加したサンプルについて、比抵抗、熱膨張係数、ガラス転移点、結晶化温度を評価した。評価結果を図6と図7にまとめる。
図6、図7から明らかなように、BP−1の電気特性、熱的特性はZnO添加量が15〜20重量%の範囲で比較的安定であり、比抵抗は目標値である10Ωcmを下回る10Ωcmを達成した。ZnO添加量の推奨値は、熱膨張係数が目標値に近い値となる、20重量%とされる。
ZnOの添加量により結晶化温度に変化があるかどうかを調べた結果を表3にまとめた。ここではBP−1とZnO混合粉末の結晶化温度に対するZnOの添加量の効果について、DTA評価により検討した。BP−1に10、15、20重量%のZnOを添加したフリットについて結晶化温度を調べた結果、ZnO添加量が10〜20重量%の範囲内で、BP−1の結晶化開始温度のZnO量依存性は見られないことがわかった。つまり、BP−1とZnOよりなるフリットは、結晶化温度を変えることなく、電気抵抗率を調整することができる。
Figure 0004800850
実施例1に従い、ZnO以外の酸化物について、同様の効果が得られるかどうかを検討した。その結果を表4に示す。
Figure 0004800850
本発明の導電部材の模式図である。 FEDの構造を示すものであり、(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A線に沿った概略断面図である。 FEDの一部を詳細に示した断面図である。 ガラス母材とZnOの混合粉末のDTA評価結果を示した図である。 X線回折パターンを示した図である。 ガラス母材にZnOを添加したサンプルについて、比抵抗と熱膨張係数を示した図である。 ガラス母材にZnOを添加したサンプルについて、ガラス転移点、結晶化温度を示した図である。
符号の説明
101…V−P系ガラス母材、102…VとOよりなる化合物相、103…金属リン酸化合物相、210…ガラスパネル、211…背面基板、212…信号線、213…走査線、214…電子源、220…ガラスパネル、221…前面基板、222…遮光膜(ブラックマトリクス)、223…アノード、224…蛍光体層、230…ガラススペーサ、235…導電性接着層、240…枠ガラス、245…封止接着層、250…表示領域。

Claims (16)

  1. −P系ガラスに第2相が分散する導電部材において、前記第2相がVとOよりなる結晶状の化合物及び結晶状の金属リン酸化合物を含むことを特徴とする導電部材。
  2. 請求項1において、前記VとOよりなる結晶状の化合物がバナジウム酸化物よりなることを特徴とする導電部材。
  3. 請求項2において、前記バナジウム酸化物としてV,V,V,Vのうちから選ばれた少なくとも1種を含むことを特徴とする導電部材。
  4. 請求項1において、前記金属リン酸化合物が遷移金属又はアルカリ土類金属のリン酸化合物よりなることを特徴とする導電部材。
  5. 請求項4において、前記金属リン酸化合物がZn,Mg,Ca,Ba,Zr,W,Mo,Feのうちから選ばれた少なくとも1種のリン酸化合物よりなることを特徴とする導電部材。
  6. 請求項1において、前記VとOよりなる結晶状の化合物を10体積%以上、50体積%以下の範囲内で含むことを特徴とする導電部材。
  7. 請求項1において、前記金属リン酸化合物を10体積%以上、50体積%以下の範囲内で含むことを特徴とする導電部材。
  8. 請求項1において、前記V−P系ガラスのV量が50〜70重量%であり、P量が20〜40重量%であることを特徴とする導電部材。
  9. −P系ガラスと、リン酸と結合する金属の酸化物とを混合し、加熱して、VとOよりなる結晶状の化合物及び前記金属とリン酸の反応生成物である結晶状の金属リン酸化合物を生成することを特徴とする導電部材の製造方法。
  10. 請求項9において、前記金属の酸化物が遷移金属又はアルカリ土類金属の酸化物よりなることを特徴とする導電部材の製造方法。
  11. 請求項9において、前記金属の酸化物がZn,Mg,Ca,Ba,Zr,W,Mo,Feから選ばれた少なくとも1種の酸化物であることを特徴とする導電部材の製造方法。
  12. 請求項9において、前記V−P系ガラスのV量が50〜70重量%であり、P量が20〜40重量%であることを特徴とする導電部材の製造方法。
  13. 電子源を備えたガラスパネルと前記電子源から放出された電子を受けて発光する蛍光体を備えたガラスパネルとがガラススペーサを介して対向配置された構造を有する画像表示装置において、前記ガラススペーサがV−P系ガラスに第2相が分散し、その第2相にVとOよりなる結晶状の化合物と結晶状の金属リン酸化合物が含まれている導電部材によって前記ガラスパネルと固定されていることを特徴とする画像表示装置。
  14. 請求項13において、前記導電部材の電気抵抗率が10Ωcm以上、10Ωcm以下であることを特徴とする画像表示装置。
  15. 請求項13において、前記ガラススペーサの一端を固定する前記導電部材のガラス転移点と、前記ガラススペーサの他端を固定する前記導電部材のガラス転移点とが異なることを特徴とする画像表示装置。
  16. 電子源を備えたガラスパネルと前記電子源から放出された電子を受けて発光する蛍光体を備えたガラスパネルとの間にガラススペーサを有する画像表示装置の前記ガラススペーサであって、少なくとも前記ガラスパネルと固定される部分にV−P系ガラスに第2相が分散し、その第2相にVとOよりなる結晶状の化合物と結晶状の金属リン酸化合物が含まれている導電部材が形成されていることを特徴とするガラススペーサ。
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