JP2767276B2 - 封着材料 - Google Patents
封着材料Info
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- sealing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低温での気密封着が可能な封着材料、特
に、低熱膨張セラミックスを用いたLSIパッケージの封
着に適した低温低熱膨張封着材料に関する。
に、低熱膨張セラミックスを用いたLSIパッケージの封
着に適した低温低熱膨張封着材料に関する。
従来から、パッケージを用いてSi半導体などを封着す
るには、Si半導体への熱伝導を極力抑える必要があるか
ら、可能な限り低温で封着することが望ましく、また、
パッケージの気密性を維持するためには、流動性に富む
と同時に、半導体と同程度の低熱膨張特性をもつ封着材
料が要求されている。
るには、Si半導体への熱伝導を極力抑える必要があるか
ら、可能な限り低温で封着することが望ましく、また、
パッケージの気密性を維持するためには、流動性に富む
と同時に、半導体と同程度の低熱膨張特性をもつ封着材
料が要求されている。
今までに、セラミック質LSIパッケージの封着には、
特開昭59−164649号、特開昭60−27620号各公報等で示
されるように、PbO−B2O5を主成分としたガラスをベー
スガラスとして、低熱膨張材料（フィラー）を組合わせ
た封着材料が開発されていた。
特開昭59−164649号、特開昭60−27620号各公報等で示
されるように、PbO−B2O5を主成分としたガラスをベー
スガラスとして、低熱膨張材料（フィラー）を組合わせ
た封着材料が開発されていた。
しかしながら、これらの封着材料はベースガラスがPb
Oを主成分とするガラスから成っているため、封着温度
の低温化は可能であるが、ベースガラス自体が高熱膨張
特性を有しているため、フィラーを混入させても低熱膨
張化は限界がある。したがって、これらの封着材料を用
いたセラミック質パッケージとしては、主として、アル
ミナパッケージに用いられているだけである。
Oを主成分とするガラスから成っているため、封着温度
の低温化は可能であるが、ベースガラス自体が高熱膨張
特性を有しているため、フィラーを混入させても低熱膨
張化は限界がある。したがって、これらの封着材料を用
いたセラミック質パッケージとしては、主として、アル
ミナパッケージに用いられているだけである。
そこで、更にLSIパッケージの信頼性を向上させるに
は、Si半導体に生ずる熱応力を低減させるために、Si半
導体の熱膨張特性と同程度のセラミックスを用いたパッ
ケージを封着することが必要となる。それには、ベース
ガラス自体の低熱膨張化が望まれるようになる。そこ
で、本発明者らは、これらのベースガラスを種々検討し
た結果、特開昭62−78128号公報に示されているV2O5を
主成分とする低温軟化ガラスを見出した。
は、Si半導体に生ずる熱応力を低減させるために、Si半
導体の熱膨張特性と同程度のセラミックスを用いたパッ
ケージを封着することが必要となる。それには、ベース
ガラス自体の低熱膨張化が望まれるようになる。そこ
で、本発明者らは、これらのベースガラスを種々検討し
た結果、特開昭62−78128号公報に示されているV2O5を
主成分とする低温軟化ガラスを見出した。
従来のPbO−B2O3主成分としたガラスをベースとした
封着材料は、ベースガラス自体が高熱膨張特性をもつた
め、アルミナより低い熱膨張係数を有するセラミックパ
ッケージ、例えば、ムライト、、SiC、AlNなどを基板と
したパッケージ等の封着に適用するのが困難であった。
封着材料は、ベースガラス自体が高熱膨張特性をもつた
め、アルミナより低い熱膨張係数を有するセラミックパ
ッケージ、例えば、ムライト、、SiC、AlNなどを基板と
したパッケージ等の封着に適用するのが困難であった。
従来の封着材料は、セラミックパッケージなどの適用
範囲が制限され、例えば、上記のアルミナ質のパッケー
ジの場合、Si半導体との熱膨張差によってSi半導体に割
れなどが発生する。また、ベースガラスがPbO−B2O3を
主成分としているためガラス強度が小さく、僅かな衝撃
力などによりクラックなどが容易に発生し気密性が保て
なくなる。また化学的耐久性も十分でなく耐湿性など耐
環境試験において、満足のゆく結果が得られない。更に
は、従来のPbO−B2O3系ベースガラスはフィラーとの反
応性に富んでいるため、パッケージ封着時に封着材料の
粘度が高くなり、流動性が低下するなどベースガラスの
特長が生かせず、低温封着が困難になってくる。
範囲が制限され、例えば、上記のアルミナ質のパッケー
ジの場合、Si半導体との熱膨張差によってSi半導体に割
れなどが発生する。また、ベースガラスがPbO−B2O3を
主成分としているためガラス強度が小さく、僅かな衝撃
力などによりクラックなどが容易に発生し気密性が保て
なくなる。また化学的耐久性も十分でなく耐湿性など耐
環境試験において、満足のゆく結果が得られない。更に
は、従来のPbO−B2O3系ベースガラスはフィラーとの反
応性に富んでいるため、パッケージ封着時に封着材料の
粘度が高くなり、流動性が低下するなどベースガラスの
特長が生かせず、低温封着が困難になってくる。
したがって、これら従来の封着材料では、LSI用パッ
ケージの信頼性を向上させるのは困難となる。
ケージの信頼性を向上させるのは困難となる。
そこで、本発明の目的は、LSIパッケージの信頼性を
高めるため、Si半導体の熱膨張特性と同程度の熱膨張特
性を有する低熱膨張セラミックス基板を用いたパッケー
ジに最適な封着材料を提供することにある。
高めるため、Si半導体の熱膨張特性と同程度の熱膨張特
性を有する低熱膨張セラミックス基板を用いたパッケー
ジに最適な封着材料を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、V2O5を主成
分とし、P2O5及びSb2O3を含有している非晶質ガラスか
らなる低融点ガラス粉末と、熱膨張係数が20×10-7/℃
以下のβ−ユークリプタイト、β−スポジューメン、コ
ージェライト、石英ガラス、チタン酸鉛、NaZr2（PO4）
３、CaZr2（PO4）３、KZr2（PO4）３のうちから選ばれ
た一種以上からなる低熱膨張材粉末との混合物からなる
封着材料としたものである。
分とし、P2O5及びSb2O3を含有している非晶質ガラスか
らなる低融点ガラス粉末と、熱膨張係数が20×10-7/℃
以下のβ−ユークリプタイト、β−スポジューメン、コ
ージェライト、石英ガラス、チタン酸鉛、NaZr2（PO4）
３、CaZr2（PO4）３、KZr2（PO4）３のうちから選ばれ
た一種以上からなる低熱膨張材粉末との混合物からなる
封着材料としたものである。
そして、本発明では、前記したような封着材料を用い
て封止したセラミックパッケージとしたものでもある。
て封止したセラミックパッケージとしたものでもある。
以上に本発明を詳述すれば、本発明では前記したよう
に、V2O5を主成分としてP2O5及びSb2O3を含有している
非晶質ガラスからなり、変形温度（1011ボイズの粘度）
が400℃で熱膨張係数が90×10-7/℃以下である低融点ガ
ラス粉末に、粒径が50μｍ以下で熱膨張係数が20×10-7
/℃以下であり、前記したβ−ユークリプタイト等から
選ばれた低熱膨張材粉末を、全量に対して体積％表示で
50％以下含有させて混合したことにより、封着温度が50
0℃以下で熱膨張係数が45×10-7/℃以下である封着材料
を得たものである。
に、V2O5を主成分としてP2O5及びSb2O3を含有している
非晶質ガラスからなり、変形温度（1011ボイズの粘度）
が400℃で熱膨張係数が90×10-7/℃以下である低融点ガ
ラス粉末に、粒径が50μｍ以下で熱膨張係数が20×10-7
/℃以下であり、前記したβ−ユークリプタイト等から
選ばれた低熱膨張材粉末を、全量に対して体積％表示で
50％以下含有させて混合したことにより、封着温度が50
0℃以下で熱膨張係数が45×10-7/℃以下である封着材料
を得たものである。
そして、本発明における封着材料は、セラミックパッ
ケージ特にLSIパッケージの封着用として有効であり、
また、このような封着のためのLSIパッケージのパッケ
ージ基板としては、電気絶縁性SiC、Si、ムライトまた
はAlN等を用いる。
ケージ特にLSIパッケージの封着用として有効であり、
また、このような封着のためのLSIパッケージのパッケ
ージ基板としては、電気絶縁性SiC、Si、ムライトまた
はAlN等を用いる。
次に、本発明を更に詳しく説明する。
先ず、封着材料のベースガラスは、低温封着、低熱膨
張特性などを考慮して種々検討した結果、V2O5を主成分
としてP2O5及びSb2O3を含有している非晶質ガラスが適
することを見い出した。
張特性などを考慮して種々検討した結果、V2O5を主成分
としてP2O5及びSb2O3を含有している非晶質ガラスが適
することを見い出した。
次に、低熱膨張化に必要な低熱膨張材（以下「フィラ
ー」という」の種類、粒度、重量比などを検討した。そ
の結果、封着材料に要求される熱膨張係数45×10-7/℃
以下を満足させるにはフィラーの熱膨張係数は20×10-7
/℃以下が望ましく、また、封着材料に占めるフィラー
の体積比は50体積％以下であることが必要になる。さら
に、封着材料の低熱膨張特性を維持させるためにフィラ
ーの粒度は50μｍ以下が適することを確認した。また、
上記特性を有し、さらにベースガラスとの反応の抑制が
可能なフィラー材を検討した結果、V2O5を主成分とした
ベースガラスに用いられる最適なフィラー材としては、
従来のPbO−B2O3系ガラスをベースガラスとした封着材
料にも適用されているβ−ユークリプタイト、β−スポ
ジューメン、コージェライト、石英ガラス、チタン酸
鉛、NaZr2（PO4）３、CaZr2（PO4）３、KZr2（PO4）３
のうちから選ばれた少なくとも一種以上を用いることが
必要となる。
ー」という」の種類、粒度、重量比などを検討した。そ
の結果、封着材料に要求される熱膨張係数45×10-7/℃
以下を満足させるにはフィラーの熱膨張係数は20×10-7
/℃以下が望ましく、また、封着材料に占めるフィラー
の体積比は50体積％以下であることが必要になる。さら
に、封着材料の低熱膨張特性を維持させるためにフィラ
ーの粒度は50μｍ以下が適することを確認した。また、
上記特性を有し、さらにベースガラスとの反応の抑制が
可能なフィラー材を検討した結果、V2O5を主成分とした
ベースガラスに用いられる最適なフィラー材としては、
従来のPbO−B2O3系ガラスをベースガラスとした封着材
料にも適用されているβ−ユークリプタイト、β−スポ
ジューメン、コージェライト、石英ガラス、チタン酸
鉛、NaZr2（PO4）３、CaZr2（PO4）３、KZr2（PO4）３
のうちから選ばれた少なくとも一種以上を用いることが
必要となる。
前記のV2O5を主成分とした低融点ガラスは、特開昭62
−78128号公報に記載された耐水性低温軟化ガラス組成
物が使用でき、その成分は、主要成分としてV2O5を55〜
70重量％含有し、P2O5を17〜30重量％及びSb2O3を２〜2
0重量％で含有している。更に該ガラス組成物は、成分
としてPbOを20重量％以下、Tl2Oを15重量％以下及び／
又はNa2O3を５重量％以下含有することができる。
−78128号公報に記載された耐水性低温軟化ガラス組成
物が使用でき、その成分は、主要成分としてV2O5を55〜
70重量％含有し、P2O5を17〜30重量％及びSb2O3を２〜2
0重量％で含有している。更に該ガラス組成物は、成分
としてPbOを20重量％以下、Tl2Oを15重量％以下及び／
又はNa2O3を５重量％以下含有することができる。
以上、フィラーを混合したV2O5を主成分とした低融点
ガラスを封着材料とすることによって、低熱膨張特性を
有し且つ低温封着が可能となり気密封着など信頼性の高
いLSIパッケージなどが得られる。
ガラスを封着材料とすることによって、低熱膨張特性を
有し且つ低温封着が可能となり気密封着など信頼性の高
いLSIパッケージなどが得られる。
LSIパッケージに装備されているSi半導体の熱膨張係
数は、凡そ35×10-7/℃を有しているため、それを搭載
するセラミック基板及び封着材料の熱膨張係数は、接着
及び封着時などに生ずる半導体の割れ及び封着材料のク
ラックなどから生ずるパッケージのリークなどを防止す
るため、半導体と同程度の熱膨張係数を有する必要があ
る。また、Si半導体特性の信頼性を劣化させないために
もパッケージの封着温度は極力低温が望ましい。
数は、凡そ35×10-7/℃を有しているため、それを搭載
するセラミック基板及び封着材料の熱膨張係数は、接着
及び封着時などに生ずる半導体の割れ及び封着材料のク
ラックなどから生ずるパッケージのリークなどを防止す
るため、半導体と同程度の熱膨張係数を有する必要があ
る。また、Si半導体特性の信頼性を劣化させないために
もパッケージの封着温度は極力低温が望ましい。
そこで、まず、封着材料の熱膨張係数45×10-7/℃以
下としたのは、LSIパッケージに搭載されているSi半導
体、及び低熱膨張セラミックスの熱膨張係数に近似さ
せ、極力半導体に発生する熱応力を低減させるためであ
る。したがって、封着材料の熱膨張係数45×10-7/℃以
下を維持するには、封着材料のベースガラスの熱膨張係
数を90×10-7/℃以下、低熱膨張材（フィラー）の熱膨
張係数を20×10-7/℃以下にする必要がある。
下としたのは、LSIパッケージに搭載されているSi半導
体、及び低熱膨張セラミックスの熱膨張係数に近似さ
せ、極力半導体に発生する熱応力を低減させるためであ
る。したがって、封着材料の熱膨張係数45×10-7/℃以
下を維持するには、封着材料のベースガラスの熱膨張係
数を90×10-7/℃以下、低熱膨張材（フィラー）の熱膨
張係数を20×10-7/℃以下にする必要がある。
そして、ベースガラスとしては、前記したように特開
昭62−78128号公報に示されている低熱膨張特性に優れ
たV2O5を主成分としてP2O5及びSb2O3を含有した非晶質
ガラスを選定した。このガラスを選んだ理由として低熱
膨張特性を示すと同時に、従来のPbO−B2O3系非晶質ガ
ラス同様に低温作業が可能となり、更には高強度、高耐
水性など種々の特性に優れ、また、パッケージの気密封
着に必要なガラスの流動性に富んでいるためである。
昭62−78128号公報に示されている低熱膨張特性に優れ
たV2O5を主成分としてP2O5及びSb2O3を含有した非晶質
ガラスを選定した。このガラスを選んだ理由として低熱
膨張特性を示すと同時に、従来のPbO−B2O3系非晶質ガ
ラス同様に低温作業が可能となり、更には高強度、高耐
水性など種々の特性に優れ、また、パッケージの気密封
着に必要なガラスの流動性に富んでいるためである。
次に、フィラー材の封着材料に占める体積％を50体積
％以下としたのは、フィラー材が50体積％を越えるとベ
ースガラスの流動性の効果が失くなり、パッケージの封
着性が悪くなるためである。また、フィラー材の粒度を
50μｍ以下としたのは、50μｍ以上になるとベースガラ
スとの熱膨張差により、ベースガラスとフィラー界面に
クラックが発生し、パッケージの気密封着が困難になる
からである。
％以下としたのは、フィラー材が50体積％を越えるとベ
ースガラスの流動性の効果が失くなり、パッケージの封
着性が悪くなるためである。また、フィラー材の粒度を
50μｍ以下としたのは、50μｍ以上になるとベースガラ
スとの熱膨張差により、ベースガラスとフィラー界面に
クラックが発生し、パッケージの気密封着が困難になる
からである。
また、フィラー材の種類をβ−ユークリプタイト、β
−スポジューメン、コージェライト、石英ガラス、チタ
ン酸鉛、NaZr2（PO4）３、CaZr2（PO4）３、KZr2（P
O4）３のうちの少なくとも一種類を含むものとしたの
は、これらのフィラー材の熱膨張係数が、上記のように
20×10-7/℃以下の値を有することと、ベースガラスで
あるV2O5系ガラスとの反応を抑制して接着力を向上させ
るためである。
−スポジューメン、コージェライト、石英ガラス、チタ
ン酸鉛、NaZr2（PO4）３、CaZr2（PO4）３、KZr2（P
O4）３のうちの少なくとも一種類を含むものとしたの
は、これらのフィラー材の熱膨張係数が、上記のように
20×10-7/℃以下の値を有することと、ベースガラスで
あるV2O5系ガラスとの反応を抑制して接着力を向上させ
るためである。
接着材料の封着温度を500℃以下、ベースガラスの変
形点を400℃としたのは、LSIパッケージのSi半導体の耐
熱性を考慮したからである。
形点を400℃としたのは、LSIパッケージのSi半導体の耐
熱性を考慮したからである。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されない。
発明はこれらの実施例に限定されない。
実施例１ 本発明の封着材料の製造法を述べる。
まず、V2O5を主成分とするベースガラス作製に必要な
各種酸化物原料を所定の組成に配合、秤量した後、混合
したアルミナるつぼに入れて電気炉で1000〜1100℃で１
〜２時間加熱溶融する。溶融したガラスを板状成形鋳型
に流し込んだ後、アルミナ乳鉢で粒径50μｍ以下に粉砕
する。その後、ボールミルで粒径10μｍ以下迄粉砕して
ベースガラス粉末を製造する。次に、この粉末と低熱膨
張材である粒径50μｍ以下の各々のフィラー材を所定の
配合量を秤量した後、ミキサーで混合して本発明の封着
材料を得た。
各種酸化物原料を所定の組成に配合、秤量した後、混合
したアルミナるつぼに入れて電気炉で1000〜1100℃で１
〜２時間加熱溶融する。溶融したガラスを板状成形鋳型
に流し込んだ後、アルミナ乳鉢で粒径50μｍ以下に粉砕
する。その後、ボールミルで粒径10μｍ以下迄粉砕して
ベースガラス粉末を製造する。次に、この粉末と低熱膨
張材である粒径50μｍ以下の各々のフィラー材を所定の
配合量を秤量した後、ミキサーで混合して本発明の封着
材料を得た。
上記で得た封着材料のベースガラス組成及び特性温度
と熱膨張係数を第１表に示す。第１表において、試料N
o.A−１〜７の本発明の実施例に用いたV2O5−P2O5−Sb2
O3系ベースガラスは、特性温度である変形点は400℃以
下の低融点ガラスであり、且つ、熱膨張係数は90×10-7
/℃以下であり、試料No.B−１、Ｂ−２のPbO−B2O3系ガ
ラスに比べて低熱膨張特性を示すことがわかる。ここ
で、熱膨張係数は50℃〜ガラス転移点までの範囲とし
た。
と熱膨張係数を第１表に示す。第１表において、試料N
o.A−１〜７の本発明の実施例に用いたV2O5−P2O5−Sb2
O3系ベースガラスは、特性温度である変形点は400℃以
下の低融点ガラスであり、且つ、熱膨張係数は90×10-7
/℃以下であり、試料No.B−１、Ｂ−２のPbO−B2O3系ガ
ラスに比べて低熱膨張特性を示すことがわかる。ここ
で、熱膨張係数は50℃〜ガラス転移点までの範囲とし
た。
第１表に示したV2O5−P2O5−Sb2O3を主成分としたベ
ースガラスに低熱膨張材のフィラーを混合した本発明で
ある封着材料の組成及び諸特性を第２表に示した。この
第２表は第１表に示したV2O5−P2O5−Sb2O3を主成分と
したＡ−２、Ａ−３、Ａ−５のベースガラスを用いて、
表に示す体積％の割合で低膨張材を混合したものであ
る。ここで、熱膨張係数は直径5mmの棒状に加熱成形し
たものを50℃〜ガラス転移点間を測定したものである。
また、流動性は直径10mm、厚さ5mmに加圧成形した後、
表に示した封着温度で10分間加熱した時の成形体（フロ
ーボタン）の直径を測定したものである。曲げ強度は幅
4mm、厚さ5mm、長さ40mmの角棒に加熱成形し、４点曲げ
試験によって得られた測定値を示したものである。な
お、試料No.C−１〜８は本発明の実施例、Ｄ−１、Ｄ−
２は従来のPbO−B2O3を主成分としたベースガラスを用
いた比較例を示したものである。
ースガラスに低熱膨張材のフィラーを混合した本発明で
ある封着材料の組成及び諸特性を第２表に示した。この
第２表は第１表に示したV2O5−P2O5−Sb2O3を主成分と
したＡ−２、Ａ−３、Ａ−５のベースガラスを用いて、
表に示す体積％の割合で低膨張材を混合したものであ
る。ここで、熱膨張係数は直径5mmの棒状に加熱成形し
たものを50℃〜ガラス転移点間を測定したものである。
また、流動性は直径10mm、厚さ5mmに加圧成形した後、
表に示した封着温度で10分間加熱した時の成形体（フロ
ーボタン）の直径を測定したものである。曲げ強度は幅
4mm、厚さ5mm、長さ40mmの角棒に加熱成形し、４点曲げ
試験によって得られた測定値を示したものである。な
お、試料No.C−１〜８は本発明の実施例、Ｄ−１、Ｄ−
２は従来のPbO−B2O3を主成分としたベースガラスを用
いた比較例を示したものである。
第２表に示されているように本発明の封着材料の封着
温度は500℃以下と低温作業が可能であると同時に熱膨
張係数は45×10-7/℃以下と、従来の封着材料る比べて
小さくなることが確認される。さらに、流動性において
も、従来に比較し、同等あるいは優れていることがわか
る。さらに、曲げ強度は従来に比較し1.6〜2.0倍向上し
ている。したがって、本発明のV2O5−P2O5−Sb2O3を主
成分とするガラスをベースガラスとした封着材料をパッ
ケージの封着に用いることによって、パッケージに搭載
されているSi半導体の熱膨張係数に近似させることが可
能となるため半導体に生じる熱応力は低減でき、また、
封着材料の高強度化によってクラックも防止することが
可能となる。
温度は500℃以下と低温作業が可能であると同時に熱膨
張係数は45×10-7/℃以下と、従来の封着材料る比べて
小さくなることが確認される。さらに、流動性において
も、従来に比較し、同等あるいは優れていることがわか
る。さらに、曲げ強度は従来に比較し1.6〜2.0倍向上し
ている。したがって、本発明のV2O5−P2O5−Sb2O3を主
成分とするガラスをベースガラスとした封着材料をパッ
ケージの封着に用いることによって、パッケージに搭載
されているSi半導体の熱膨張係数に近似させることが可
能となるため半導体に生じる熱応力は低減でき、また、
封着材料の高強度化によってクラックも防止することが
可能となる。
実施例２ 第１図に本発明の封着材料を適用したLSIパッケージ
の断面図を示す。第１図にいて、１は放熱フィン、２は
シリコーンゴム、３はリードフレーム、４はパッケージ
キャップ、５はLSI（Si半導体）、６は接着材、７は封
着材料、８はパッケージ基板であり、LSI5はパッケージ
基板８とパッケージキャップ４によって、封着材料７で
封止されている。
の断面図を示す。第１図にいて、１は放熱フィン、２は
シリコーンゴム、３はリードフレーム、４はパッケージ
キャップ、５はLSI（Si半導体）、６は接着材、７は封
着材料、８はパッケージ基板であり、LSI5はパッケージ
基板８とパッケージキャップ４によって、封着材料７で
封止されている。
また、第３表には、第２表の封着材料と低熱膨張セラ
ミックス基板を適用したLSIパッケージの寿命試験であ
る熱サイクル試験結果を示した。なお、熱サイクル試験
と−55℃〜150℃の温度範囲において行い、サイクル数
はHeリーク量が５×10-10atm・cc/℃以下を合格とし
た。第３表の試験に用いた基板は半導体への熱応力の影
響を極力抑えるため、熱膨張係数が37×10-7/℃と半導
体と同程度の低熱膨張特性を有するSiC基板を用いた。
ミックス基板を適用したLSIパッケージの寿命試験であ
る熱サイクル試験結果を示した。なお、熱サイクル試験
と−55℃〜150℃の温度範囲において行い、サイクル数
はHeリーク量が５×10-10atm・cc/℃以下を合格とし
た。第３表の試験に用いた基板は半導体への熱応力の影
響を極力抑えるため、熱膨張係数が37×10-7/℃と半導
体と同程度の低熱膨張特性を有するSiC基板を用いた。
表に示されているように本発明の封着材料Ｃ−１、Ｃ
−６、Ｃ−８を用いたNo.E−１〜３のパッケージの熱サ
イクル数は2000サイクル以上を示し、従来の封着材料Ｄ
−１を用いたパッケージＧ−１に比較して２倍以上の熱
サイクル数をクリアすることが確認された。また、基板
に低熱膨張特性を示すSi、ムライト、AlNを用いた場合
においてもSiC基板同様、優れた熱サイクル特性を示す
ことが確認された。
−６、Ｃ−８を用いたNo.E−１〜３のパッケージの熱サ
イクル数は2000サイクル以上を示し、従来の封着材料Ｄ
−１を用いたパッケージＧ−１に比較して２倍以上の熱
サイクル数をクリアすることが確認された。また、基板
に低熱膨張特性を示すSi、ムライト、AlNを用いた場合
においてもSiC基板同様、優れた熱サイクル特性を示す
ことが確認された。
〔発明の効果〕 本発明によれば、流動性に優れ低温での作業性がよ
く、したも高強度の低熱膨張特性をもつ封着材料が得ら
れ、これと低熱膨張特性をもつパッケージ基板とを組合
わせることにより、気密性及び熱サイクル特性など信頼
性の高いLSIパッケージが得られる。
く、したも高強度の低熱膨張特性をもつ封着材料が得ら
れ、これと低熱膨張特性をもつパッケージ基板とを組合
わせることにより、気密性及び熱サイクル特性など信頼
性の高いLSIパッケージが得られる。
第１図は、本発明の封着材料を適用したLSIパッケージ
の断面図である。 ４……パッケージキャップ、５……LSI（Si半導体）、
７……封着材料、８……パッケージ基板
の断面図である。 ４……パッケージキャップ、５……LSI（Si半導体）、
７……封着材料、８……パッケージ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 邦裕 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−72543（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−78128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−164649（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−27620（ＪＰ，Ａ) 特表 昭63−502583（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C03L 8/24 C03L 8/10
Claims (2)
- 【請求項１】V2O5を主成分とし、P2O5及びSb2O3を含有
している非晶質ガラスからなる低融点ガラス粉末と、熱
膨張係数が20×10-7/℃以下のβ−ユークリプタイト、
β−スポジューメン、コージェライト、石英ガラス、チ
タン酸鉛、NaZr2（PO4）３、CaZr2（PO4）３、KZr2（PO
4）３のうちから選ばれた一種以上からなる低熱膨張材
粉末との混合物からなる封着材料。 - 【請求項２】請求項１記載の低融点ガラス粉末と低熱膨
張材粉末との混合物からなる封着材料によって封止され
ていることを特徴とするセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1085770A JP2767276B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 封着材料 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085770A JP2767276B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 封着材料 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267137A JPH02267137A (ja) | 1990-10-31 |
| JP2767276B2 true JP2767276B2 (ja) | 1998-06-18 |
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ID=13868111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085770A Expired - Fee Related JP2767276B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 封着材料 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767276B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8603929B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Process for producing hexagonal zirconium phosphate powder |
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| CN100412017C (zh) * | 2003-11-11 | 2008-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 无铅封接玻璃及制造方法 |
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| JP5574518B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2014-08-20 | 日本電気硝子株式会社 | 封着材料 |
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| JPS6027620A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Iwaki Glass Kk | 封着用組成物 |
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| JPS6278128A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Hitachi Ltd | アモルフアス磁気ヘツト用耐水性低温軟化ガラス組成物 |
| JPS63502583A (ja) * | 1986-02-19 | 1988-09-29 | ヴイエルエスアイ パッケージング マテリアルズ，インコーポレイテッド | 低温溶融ガラス組成物 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1085770A patent/JP2767276B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02267137A (ja) | 1990-10-31 |
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