JPH0222023B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0222023B2 JPH0222023B2 JP57211256A JP21125682A JPH0222023B2 JP H0222023 B2 JPH0222023 B2 JP H0222023B2 JP 57211256 A JP57211256 A JP 57211256A JP 21125682 A JP21125682 A JP 21125682A JP H0222023 B2 JPH0222023 B2 JP H0222023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- low
- sealing
- sno
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000879635 Streptomyces albogriseolus Subtilisin inhibitor Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HEHRHMRHPUNLIR-UHFFFAOYSA-N aluminum;hydroxy-[hydroxy(oxo)silyl]oxy-oxosilane;lithium Chemical compound [Li].[Al].O[Si](=O)O[Si](O)=O.O[Si](=O)O[Si](O)=O HEHRHMRHPUNLIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052670 petalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- -1 β-spodium Chemical compound 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
- C03C3/0745—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc containing more than 50% lead oxide, by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/04—Particles; Flakes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
本発明は低温度の熱処理により、特に強度の大
きな気密封着ができる低α線放出率の封着用組成
物に関するもので、ICのアルミナ基板による封
止に好適に用いられる。 近年ICは高集積化し、ICチツプの面積が大き
くなる傾向にある。このため、アルミナ基板によ
るICの気密封止においても、封着面積が減少し
封着強度の向上が求められている。また、α線が
IC誤動作の原因になることが判明し、α線放出
率の低い封着用組成物が求められている。 本発明の目的は、アルミナ基板を用いるICパ
ツケージにおいて、要求される電気特性、化学耐
久性等の諸特性を充分に満足し、加えて、特に大
きい封着強度と、低α線放出率を併せもつ封着用
組成物を提供することである。 従来よりアルミナ基板によるIC封止のための
封着用組成物にはPbOを主成分とする低融点硝子
粉末と室温から300℃までの熱膨張係数が30×
10-7℃-1以下の低膨張セラミツクス粉末との混合
物、あるいは、前述の混合物に中膨張のジルコン
(Zr・SiO4)を添加したものが用いられてきた。
ジルコンは強度の大きいセラミツクスで封着用組
成物の強度向上には極めて有効である。しかし、
ジルコンは放射性不純物との分離が困難であるた
め、α線放出率が著しく大きく、前述の如く、高
集積ICの封着用組成物に用いることは適当では
ない。 本発明者は低融点硝子粉末と室温300℃の熱膨
張係数が30×10-7℃-1以下の、低膨張セラミツク
ス粉末にTiO2−SnO2固溶体粉末を混合した封着
用組成物は、封着強度が著しく大きく、α放出率
も低いことを見い出した。 本発明は硝子転移点から335℃以下のPbOを主
成分とする低融点硝子粉末と、室温から300℃ま
での熱膨張係数が30×10-7℃-1以下の低膨張セラ
ミツクス粉末とTiO2−SnO2の固溶体粉末とから
成り、容量%表示で 低融点硝子粉末 75〜50% 低膨張セラミツクス粉末 20〜45% TiO2−SnO2固溶体粉末 5〜30% から成る封着用組成物に関する。 前記組成限定の理由を説明する。 低融点硝子粉末>75%では封着用組成物の膨張
係数をアルミナに整合させることができない。 低融点硝子粉末<50%では低温度で封着に必要
な流動性を得ることができない。 低膨張セラミツクス粉末>45%では低温度で封
着に必要な流動性を得ることはできない。 低膨張セラミツクス粉末<20%では封着用組成
物の膨張係数をアルミナに整合させることができ
ない。 TiO2−SnO2固溶体粉末>30%では封着に必要
な流動性が失なわれるか、流動性が充分としても
アルミナの膨張係数に整合させることができな
い。 TiO2−SnO2固溶体粉末<5%では強度向上に
効果がない。 TiO2−SnO2の固溶体は絶縁性を保つために、
モル%表示で5%以上のTiO2を含むことが望ま
しく、さらに、低い誘電率を保つために、モル%
表示で50%以上のSnO2を含むことが望ましい。 低膨張セラミツクスとしては、β−ユークリプ
タイト、ペタライト、β−スポジユーメン、チタ
ン酸鉛、石英硝子、コージエライトなどが用いら
れるが、化学耐久性、絶縁性、誘電特性からコー
ジエライトが最も好ましい。 低膨張セラミツクスとしてコージエライトを用
いる場合、前記と同様の理由により、容量%表示
で 低融点硝子粉末 70〜53% コージエライト粉末 25〜37% TiO2−SnO2固溶体粉末 5〜20% の範囲であり、TiO2−SnO2固溶体粉末はモル%
表示で TiC2 5〜50% SnO2 50〜95% の範囲にあることが好ましい。 次に本発明の封着用組成物の製造方法を説明す
る。 低融点硝子粉末は、酸化酸、硼酸、悪鉛華、シ
リカ等の粉末の所定量を混合する。1100℃で1時
間熔融し硝子カレツトとし、粉破後分級して150
メツシユ以下のものを使用する。 低膨張セラミツクス粉末は、化学量論的に各々
の低膨張セラミツクス成分となる原料粉末を混合
し、各々のセラミツクスが生成する温度で10時間
以上燃成した後粉砕し、150メツシユ以下のもの
を使用する。 TiO2−SnO2固溶体粉末は、TiO2粉末及び
SnO2粉末の所定量を混合し、1000℃又はそれ以
外の高温で燃成し、製造する。さらに粉砕後150
メツシユ以下のものを使用する。 以上の様にして製造された成分の真比重を測定
した後、所定の容量%に相当する重量を、各々秤
量し、Vミキサーで混合することにより、本発明
の封着用組成物が製造される。 実施例 低融点硝子粉末、低膨張セラミツクス粉末及び
TiO2−SnO2固溶体の割合を変えた9種類のサン
プルを製造し、それらについて各特性を測定し、
その結果を表1に示した。比較のため従来品2種
についての測定結果も同表に併記した。 本実施例で用いた低融点硝子粉末の組成は、重
量%表示でPbO84、B2O312、ZnO2.5、SiO21.0、
Al2O30.5であり、示差熱分析曲線に現れる吸熱開
始温度として測定した硝子転移点は310℃であつ
た。また、本実施例に使用したTiO2−SnO2固溶
体粉末の組成は表2に示すものである。 表1から明らかなように本発明の封着用組成物
は、α線放出量が極めて少なく封着強度が大きい
上、その他の特性も従来品と同等か、それよりも
優れている。 尚、表1中の各特性値についての測定法及び好
ましい値は次の通りである。 熱膨張係数はアルミナと整合する必要があり、
60〜75×10-7℃-1にあることが望ましい。 次に表1中の特性の測定方法を説明する。流動
性は各粉末試料をその比重に相当するグラム量分
採取し、12.7mmφの円柱状に加圧成形した後、板
硝子上で、表に示す封着温度で10分間熱処理す
る。冷却後そのフロー直径測定しその値を流動性
とした。この直径は20mm以上であれば、表に示す
封着温度で封着が可能である。誘電率は1MHz25
℃の条件下で測定した。高速ICの封着用組成物
に対しては、この値が14以下であることが望まし
い。 α線放出率は粉末を平板状に加圧成形した試料
についてシンチレーシヨン型測定器により真空中
で放出されるα線の個数をカウントした。この値
は、1.5カウント/cm2・hr以下が望ましい。 封着強度は米国陸軍規格(MIL−883B−2024)
のトルク強度測定法に基づき測定した。この方法
は、まず表1に示した封着用組成物により、アル
ミナ基板(16ピンSSIタイプ)と42−Ni−Fe合金
から成るICパツケージを気密封止し、封着部の
トルク破壊強度を測定するもである。表の測定値
は各20ケのサンプルの平均値と、最小値である。 化学耐久性は、パツケージにSnメツキをほど
こす時にメツキ電解液により封着用組成物が浸蝕
され、メツキブリツジを起こすか否かで判定し
た。
きな気密封着ができる低α線放出率の封着用組成
物に関するもので、ICのアルミナ基板による封
止に好適に用いられる。 近年ICは高集積化し、ICチツプの面積が大き
くなる傾向にある。このため、アルミナ基板によ
るICの気密封止においても、封着面積が減少し
封着強度の向上が求められている。また、α線が
IC誤動作の原因になることが判明し、α線放出
率の低い封着用組成物が求められている。 本発明の目的は、アルミナ基板を用いるICパ
ツケージにおいて、要求される電気特性、化学耐
久性等の諸特性を充分に満足し、加えて、特に大
きい封着強度と、低α線放出率を併せもつ封着用
組成物を提供することである。 従来よりアルミナ基板によるIC封止のための
封着用組成物にはPbOを主成分とする低融点硝子
粉末と室温から300℃までの熱膨張係数が30×
10-7℃-1以下の低膨張セラミツクス粉末との混合
物、あるいは、前述の混合物に中膨張のジルコン
(Zr・SiO4)を添加したものが用いられてきた。
ジルコンは強度の大きいセラミツクスで封着用組
成物の強度向上には極めて有効である。しかし、
ジルコンは放射性不純物との分離が困難であるた
め、α線放出率が著しく大きく、前述の如く、高
集積ICの封着用組成物に用いることは適当では
ない。 本発明者は低融点硝子粉末と室温300℃の熱膨
張係数が30×10-7℃-1以下の、低膨張セラミツク
ス粉末にTiO2−SnO2固溶体粉末を混合した封着
用組成物は、封着強度が著しく大きく、α放出率
も低いことを見い出した。 本発明は硝子転移点から335℃以下のPbOを主
成分とする低融点硝子粉末と、室温から300℃ま
での熱膨張係数が30×10-7℃-1以下の低膨張セラ
ミツクス粉末とTiO2−SnO2の固溶体粉末とから
成り、容量%表示で 低融点硝子粉末 75〜50% 低膨張セラミツクス粉末 20〜45% TiO2−SnO2固溶体粉末 5〜30% から成る封着用組成物に関する。 前記組成限定の理由を説明する。 低融点硝子粉末>75%では封着用組成物の膨張
係数をアルミナに整合させることができない。 低融点硝子粉末<50%では低温度で封着に必要
な流動性を得ることができない。 低膨張セラミツクス粉末>45%では低温度で封
着に必要な流動性を得ることはできない。 低膨張セラミツクス粉末<20%では封着用組成
物の膨張係数をアルミナに整合させることができ
ない。 TiO2−SnO2固溶体粉末>30%では封着に必要
な流動性が失なわれるか、流動性が充分としても
アルミナの膨張係数に整合させることができな
い。 TiO2−SnO2固溶体粉末<5%では強度向上に
効果がない。 TiO2−SnO2の固溶体は絶縁性を保つために、
モル%表示で5%以上のTiO2を含むことが望ま
しく、さらに、低い誘電率を保つために、モル%
表示で50%以上のSnO2を含むことが望ましい。 低膨張セラミツクスとしては、β−ユークリプ
タイト、ペタライト、β−スポジユーメン、チタ
ン酸鉛、石英硝子、コージエライトなどが用いら
れるが、化学耐久性、絶縁性、誘電特性からコー
ジエライトが最も好ましい。 低膨張セラミツクスとしてコージエライトを用
いる場合、前記と同様の理由により、容量%表示
で 低融点硝子粉末 70〜53% コージエライト粉末 25〜37% TiO2−SnO2固溶体粉末 5〜20% の範囲であり、TiO2−SnO2固溶体粉末はモル%
表示で TiC2 5〜50% SnO2 50〜95% の範囲にあることが好ましい。 次に本発明の封着用組成物の製造方法を説明す
る。 低融点硝子粉末は、酸化酸、硼酸、悪鉛華、シ
リカ等の粉末の所定量を混合する。1100℃で1時
間熔融し硝子カレツトとし、粉破後分級して150
メツシユ以下のものを使用する。 低膨張セラミツクス粉末は、化学量論的に各々
の低膨張セラミツクス成分となる原料粉末を混合
し、各々のセラミツクスが生成する温度で10時間
以上燃成した後粉砕し、150メツシユ以下のもの
を使用する。 TiO2−SnO2固溶体粉末は、TiO2粉末及び
SnO2粉末の所定量を混合し、1000℃又はそれ以
外の高温で燃成し、製造する。さらに粉砕後150
メツシユ以下のものを使用する。 以上の様にして製造された成分の真比重を測定
した後、所定の容量%に相当する重量を、各々秤
量し、Vミキサーで混合することにより、本発明
の封着用組成物が製造される。 実施例 低融点硝子粉末、低膨張セラミツクス粉末及び
TiO2−SnO2固溶体の割合を変えた9種類のサン
プルを製造し、それらについて各特性を測定し、
その結果を表1に示した。比較のため従来品2種
についての測定結果も同表に併記した。 本実施例で用いた低融点硝子粉末の組成は、重
量%表示でPbO84、B2O312、ZnO2.5、SiO21.0、
Al2O30.5であり、示差熱分析曲線に現れる吸熱開
始温度として測定した硝子転移点は310℃であつ
た。また、本実施例に使用したTiO2−SnO2固溶
体粉末の組成は表2に示すものである。 表1から明らかなように本発明の封着用組成物
は、α線放出量が極めて少なく封着強度が大きい
上、その他の特性も従来品と同等か、それよりも
優れている。 尚、表1中の各特性値についての測定法及び好
ましい値は次の通りである。 熱膨張係数はアルミナと整合する必要があり、
60〜75×10-7℃-1にあることが望ましい。 次に表1中の特性の測定方法を説明する。流動
性は各粉末試料をその比重に相当するグラム量分
採取し、12.7mmφの円柱状に加圧成形した後、板
硝子上で、表に示す封着温度で10分間熱処理す
る。冷却後そのフロー直径測定しその値を流動性
とした。この直径は20mm以上であれば、表に示す
封着温度で封着が可能である。誘電率は1MHz25
℃の条件下で測定した。高速ICの封着用組成物
に対しては、この値が14以下であることが望まし
い。 α線放出率は粉末を平板状に加圧成形した試料
についてシンチレーシヨン型測定器により真空中
で放出されるα線の個数をカウントした。この値
は、1.5カウント/cm2・hr以下が望ましい。 封着強度は米国陸軍規格(MIL−883B−2024)
のトルク強度測定法に基づき測定した。この方法
は、まず表1に示した封着用組成物により、アル
ミナ基板(16ピンSSIタイプ)と42−Ni−Fe合金
から成るICパツケージを気密封止し、封着部の
トルク破壊強度を測定するもである。表の測定値
は各20ケのサンプルの平均値と、最小値である。 化学耐久性は、パツケージにSnメツキをほど
こす時にメツキ電解液により封着用組成物が浸蝕
され、メツキブリツジを起こすか否かで判定し
た。
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 PbOを主成分とする低融点硝子粉末と、室温
から300℃までの熱膨張係数が30×10-7℃-1以下
の低膨張セラミツクスと、TiO2−SnO2の固溶体
粉末とから成り、容量%表示で、該低融点硝子粉
末75〜50%、該低膨張セラミツクス粉末20〜45
%、該TiO2−SnO2固溶体粉末5〜30%の範囲に
ある封着用組成物。 2 前記固溶体粉末がモル%表示でTiO25〜50
%、SnO250〜95%の組成範囲にある特許請求の
範囲第1項記載の封着用組成物。 3 前記低膨張セラミツクスとしてコージエライ
トであり、容量%表示で、該低融点硝子粉末70〜
53%、該コージエライト粉末25〜35%、該TiO2
−SnO2粉末5〜20%の範囲にある特許請求の範
囲第2項記載の封着用組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57211256A JPS59102874A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 封着用組成物 |
US06/548,448 US4704370A (en) | 1982-12-03 | 1983-11-03 | Sealing glass composition |
DE3343570A DE3343570C2 (de) | 1982-12-03 | 1983-12-01 | Dichtungsglasmasse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57211256A JPS59102874A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 封着用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59102874A JPS59102874A (ja) | 1984-06-14 |
JPH0222023B2 true JPH0222023B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=16602891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57211256A Granted JPS59102874A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 封着用組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4704370A (ja) |
JP (1) | JPS59102874A (ja) |
DE (1) | DE3343570C2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0669902B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1994-09-07 | 旭硝子株式会社 | 低温焼結基板用ガラスセラミツクス組成物 |
JPS6379771A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | 工業技術院長 | 酸化物系セラミツクス用接着剤およびその接着方法 |
US4716082A (en) * | 1986-10-28 | 1987-12-29 | Isotronics, Inc. | Duplex glass preforms for hermetic glass-to-metal sealing |
US4788382A (en) * | 1987-05-18 | 1988-11-29 | Isotronics, Inc. | Duplex glass preforms for hermetic glass-to-metal compression sealing |
US4883777A (en) * | 1988-04-07 | 1989-11-28 | Nippon Electric Glass Company, Limited | Sealing glass composition with filler containing Fe and W partially substituted for Ti in PbTiO3 filler |
DE3934971C1 (ja) * | 1989-10-20 | 1991-01-24 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
US5346863A (en) * | 1992-12-11 | 1994-09-13 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Low temperature sealing composition |
US5281561A (en) * | 1993-02-09 | 1994-01-25 | Dumesnil Maurice E | Low temperature sealing glass composition |
US6583079B1 (en) * | 1999-02-19 | 2003-06-24 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | CRT frit capable of sealing a CRT bulb at a relatively low temperature and in a short time |
JP4772524B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-09-14 | 株式会社サン・タナカ | 多方向開放窓 |
CN102089251B (zh) * | 2008-07-16 | 2014-06-11 | 费罗公司 | 热熔性密封玻璃组合物及其制造和使用的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4924208A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-04 | ||
JPS5181814A (ja) * | 1975-01-13 | 1976-07-17 | Nippon Electric Glass Co | Teijutenfuchakuyososeibutsu |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3954486A (en) * | 1974-07-30 | 1976-05-04 | Owens-Illinois, Inc. | Solder glass with refractory filler |
US3951669A (en) * | 1974-11-18 | 1976-04-20 | Corning Glass Works | Fusion seals and sealing compositions for their production |
JPS5358512A (en) * | 1976-11-09 | 1978-05-26 | Asahi Glass Co Ltd | Sealant composition |
US4186023A (en) * | 1978-05-01 | 1980-01-29 | Technology Glass Corporation | Sealing glass composition |
US4405722A (en) * | 1979-01-23 | 1983-09-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Sealing glass compositions |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP57211256A patent/JPS59102874A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-03 US US06/548,448 patent/US4704370A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-12-01 DE DE3343570A patent/DE3343570C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4924208A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-04 | ||
JPS5181814A (ja) * | 1975-01-13 | 1976-07-17 | Nippon Electric Glass Co | Teijutenfuchakuyososeibutsu |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3343570C2 (de) | 1995-05-24 |
DE3343570A1 (de) | 1984-06-07 |
JPS59102874A (ja) | 1984-06-14 |
US4704370A (en) | 1987-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0222023B2 (ja) | ||
US4710479A (en) | Sealing glass composition with lead calcium titanate filler | |
JPH1143351A (ja) | 釉薬用ガラス組成物 | |
JPH0428657B2 (ja) | ||
US4537863A (en) | Low temperature sealing composition | |
JPH0127982B2 (ja) | ||
JPH07102982B2 (ja) | 低温封着用フリット | |
JP3519121B2 (ja) | 封着用組成物 | |
JP3402314B2 (ja) | 低融点封着用組成物の製造方法及びその使用方法 | |
JP3151794B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
JP3227733B2 (ja) | 高膨張性封着材料 | |
JP3180299B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
JP3417066B2 (ja) | 封着用材料 | |
JP3149929B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
KR100281991B1 (ko) | 복합체 필러를 사용한 저융점 접착 유리조성물 | |
JPS58213682A (ja) | 低温封着組成物 | |
JPH028978B2 (ja) | ||
JPH0437033B2 (ja) | ||
JPH0597470A (ja) | 低融点封着用組成物 | |
JPS5945620B2 (ja) | 低融点封着用組成物 | |
KR910009953B1 (ko) | 저융점 분말 접착유리 조성물 | |
JPH0570172A (ja) | 高膨張性複合材料 | |
JPH05186241A (ja) | 封着用組成物 | |
JP2957087B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
JPH04349146A (ja) | 低融点高膨張性封着材料 |