JPH0428657B2 - - Google Patents
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- JPH0428657B2 JPH0428657B2 JP61032264A JP3226486A JPH0428657B2 JP H0428657 B2 JPH0428657 B2 JP H0428657B2 JP 61032264 A JP61032264 A JP 61032264A JP 3226486 A JP3226486 A JP 3226486A JP H0428657 B2 JPH0428657 B2 JP H0428657B2
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Description
産業上の利用分野
本発明は、低融点封着用組成物、より具体的に
はアルミナを使用したICパツケージの気密封着
に特に適した低融点封着用組成物に関するもので
ある。 従来技術 近年、ICパツケージ用封着材としては、封着
温度が低く、且つ短時間で気密封着でき、高強度
のものが要望され、従来から非晶質の低融点ガラ
ス粉末にチタン酸鉛、ベータユークリプタイト、
コージエライト、ウイレマイト等の低膨張セラミ
ツク粉末をフイラーとして加えた封着材が多くみ
られる。しかしながら低融点ガラス粉末に低膨張
セラミツク粉末を混合するだけでは、機械的強度
がなお不十分であり、より機械的強度の大きい封
着材を得るためにさらに硅酸ジルコニウム
(ZrO2・SiO2)、いわゆるジルコンを共存させた
封着材が提案され、例えば特公昭56−49861号に
は、低融点ガラス粉末とチタン酸鉛粉末とジルコ
ン粉末とからなる低融点封着用組成物が示されて
いる。しかしながらこれによつて得られる封着材
は、機械的強度や熱衝撃強度は大きいが、α線放
出量が多く、しかも誘電率が大きいためメモリー
のような高密度のシリコン素子を搭載するパツケ
ージの封着には適していない。 ジルコン粉末は、機械的強度の増大に効果があ
ると共に、化学的耐久性に優れ、電気抵抗も大き
くフイラーとして優れた特性を有するが、天然産
のジルコン粉末は、不純物としてU、Thを含み、
そのため放射性崩壊によりα線を放出するため高
密度のICに使用した場合、ソフトエラーを起こ
しやすくなる。このためU、Thを極力取り除き、
α線放出量を非常に少なくしたジルコン粉末を用
いた合成ジルコン粉末を不活性亜鉛物質粉末と共
に低融点ガラス粉末に混合する封着用組成物が、
特開昭60−204637号に開示されている。しかしな
がらこの封着用組成物も合成ジルコンを多量含有
させた場合流動性が悪く、熱膨張係数が大きくな
るという問題があつた。これはZrO2とSiO2を反
応させて合成する際に未反応のZrO2が残存し、
これを低融点ガラス粉末と混合すると低融点ガラ
スの結晶化傾向を促進し、封着材の流動性を低下
させるためである。また従来より未反応のZrO2
を含有しない合成ジルコン粉末を製造する場合、
ZrO2とSiO2との反応促進剤としてNaF、NaCl、
Na2SO4が用いられているが、NaF、NaCl、
Na2SO4を含有する合成ジルコンは、本発明のよ
うな電子部品の封着材に使用する合成ジルコンに
望まれる本質的にアルカリを含有しないこと、
低融点ガラス粉末と混合した場合流動性を低下
させない等の条件を満足するものではない。 発明の目的 本発明の目的は、450℃以下の低温度で短時間
に封着でき、機械的強度が大きくかつ熱膨張係数
が低くまたα線放出量が少ない新規な封着用組成
物を提供することである。 発明の構成 本発明の低融点封着用組成物は、非晶質の低融
点ガラス粉末、具体的には重量%でPbO 40〜90
%、B2O3 8〜15%、SiO2+Al2O3 0.5〜3%、
ZnO 0.5〜5%、Tl2O 0〜40%からなる低融点
ガラス粉末50〜80%に合成ジルコン粉末 2〜40
%と低膨張セラミツク粉末 0〜45%を混合して
なり、該合成ジルコン粉末は、Fe2O3、MnO、
ZnOのいずれか1種又は2種以上を0.5〜7%含
有していることを特徴とする。 本発明において用いられる合成ジルコン粉末
は、α線放出量の小さいZrO2粉末とSiO2粉末と
からジルコンを合成する場合、ZrO2とSiO2のみ
では反応が十分に進まないので反応促進剤として
Fe2O3、MnO、ZnOのいずれか1種又は2種以上
を含有させる。しかしながら、反応促進剤が0.5
%より少ない場合は、上記効果が得られず、また
7%より多い場合は、フイラーとしての特性、す
なわちガラスの流動性を良好にし、熱膨張係数を
低下するという特性が逆に低下する。 また低膨張セラミツク粉末としては、チタン酸
鉛、ベータユークリプタイト、コージエライト、
ウイレマイト、ウイレマイト系セラミツクス、
SnO2固溶体のいずれか1種又は2種以上が用い
られる。 本発明の低融点ガラス粉末、合成ジルコン粉
末、低膨張セラミツク粉末の混合比を上記のよう
に限定した理由は以下のとおりである。 低融点ガラス粉末が50%より少ない場合は、流
動性が悪くなり450℃以下で封着できなくなり、
80%より多い場合は、熱膨張係数が大きくなり熱
衝撃強度が小さくなる。合成ジルコン粉末が2%
より少ない場合は、十分な機械的強度が得られな
くなり、40%より多い場合は、流動性が悪くな
る。低膨張セラミツク粉末は、合成ジルコン粉末
と併用すると、熱膨張係数を一定に保ちながら封
着温度を低下させる効果があるが、45%より多い
場合は、流動性が悪くなる。 また低融点ガラス粉末の各成分の割合を上記の
ように限定した理由は以下のとおりである。 PbOが40%より少ない場合は、ガラスの粘性が
増大し、90%より多い場合は、ガラスが失透し易
くなる。B2O3が8%より少ない場合は、ガラス
が失透し易くなり、15%より多い場合はガラスの
粘性が増大する。SiO2とAl2O3の含量が0.5%より
少ない場合は、ガラスが失透し易くなり、3%よ
り多い場合はガラスの粘性が増大する。ZnOは熱
膨張係数を大きくすることなく粘性を比較的低く
する効果を有するが0.5%より少ない場合は上記
効果が得られず、5%より多い場合はガラスが失
透し易くなる。Tl2Oは、PbOと置換して用いる
ことにより、PbO単独を用いる場合と比較してよ
り粘性の低いガラスを得ることができるが、40%
より多い場合はガラスの化学的耐久性が悪くな
る。さらにPbO,B2O3及びSiO2とAl2O3の合量
が上記割合をはずれた場合、いずれも十分な流動
性が得られなくなる。 尚、上記低融点ガラス粉末には、PbO,B2O3,
SiO2,Al2O3,ZnO,Tl2Oの成分以外にもCuO,
Bi2O3,SnO2,BaO,F等の他成分を5%まで含
有させることができる。しかしながら5%を超え
るとガラスが失透し易くなるため好ましくない。 実施例 以下に本発明の実施例について説明する。 第1表は、本発明における低融点ガラスの実施
例を示すものである。
はアルミナを使用したICパツケージの気密封着
に特に適した低融点封着用組成物に関するもので
ある。 従来技術 近年、ICパツケージ用封着材としては、封着
温度が低く、且つ短時間で気密封着でき、高強度
のものが要望され、従来から非晶質の低融点ガラ
ス粉末にチタン酸鉛、ベータユークリプタイト、
コージエライト、ウイレマイト等の低膨張セラミ
ツク粉末をフイラーとして加えた封着材が多くみ
られる。しかしながら低融点ガラス粉末に低膨張
セラミツク粉末を混合するだけでは、機械的強度
がなお不十分であり、より機械的強度の大きい封
着材を得るためにさらに硅酸ジルコニウム
(ZrO2・SiO2)、いわゆるジルコンを共存させた
封着材が提案され、例えば特公昭56−49861号に
は、低融点ガラス粉末とチタン酸鉛粉末とジルコ
ン粉末とからなる低融点封着用組成物が示されて
いる。しかしながらこれによつて得られる封着材
は、機械的強度や熱衝撃強度は大きいが、α線放
出量が多く、しかも誘電率が大きいためメモリー
のような高密度のシリコン素子を搭載するパツケ
ージの封着には適していない。 ジルコン粉末は、機械的強度の増大に効果があ
ると共に、化学的耐久性に優れ、電気抵抗も大き
くフイラーとして優れた特性を有するが、天然産
のジルコン粉末は、不純物としてU、Thを含み、
そのため放射性崩壊によりα線を放出するため高
密度のICに使用した場合、ソフトエラーを起こ
しやすくなる。このためU、Thを極力取り除き、
α線放出量を非常に少なくしたジルコン粉末を用
いた合成ジルコン粉末を不活性亜鉛物質粉末と共
に低融点ガラス粉末に混合する封着用組成物が、
特開昭60−204637号に開示されている。しかしな
がらこの封着用組成物も合成ジルコンを多量含有
させた場合流動性が悪く、熱膨張係数が大きくな
るという問題があつた。これはZrO2とSiO2を反
応させて合成する際に未反応のZrO2が残存し、
これを低融点ガラス粉末と混合すると低融点ガラ
スの結晶化傾向を促進し、封着材の流動性を低下
させるためである。また従来より未反応のZrO2
を含有しない合成ジルコン粉末を製造する場合、
ZrO2とSiO2との反応促進剤としてNaF、NaCl、
Na2SO4が用いられているが、NaF、NaCl、
Na2SO4を含有する合成ジルコンは、本発明のよ
うな電子部品の封着材に使用する合成ジルコンに
望まれる本質的にアルカリを含有しないこと、
低融点ガラス粉末と混合した場合流動性を低下
させない等の条件を満足するものではない。 発明の目的 本発明の目的は、450℃以下の低温度で短時間
に封着でき、機械的強度が大きくかつ熱膨張係数
が低くまたα線放出量が少ない新規な封着用組成
物を提供することである。 発明の構成 本発明の低融点封着用組成物は、非晶質の低融
点ガラス粉末、具体的には重量%でPbO 40〜90
%、B2O3 8〜15%、SiO2+Al2O3 0.5〜3%、
ZnO 0.5〜5%、Tl2O 0〜40%からなる低融点
ガラス粉末50〜80%に合成ジルコン粉末 2〜40
%と低膨張セラミツク粉末 0〜45%を混合して
なり、該合成ジルコン粉末は、Fe2O3、MnO、
ZnOのいずれか1種又は2種以上を0.5〜7%含
有していることを特徴とする。 本発明において用いられる合成ジルコン粉末
は、α線放出量の小さいZrO2粉末とSiO2粉末と
からジルコンを合成する場合、ZrO2とSiO2のみ
では反応が十分に進まないので反応促進剤として
Fe2O3、MnO、ZnOのいずれか1種又は2種以上
を含有させる。しかしながら、反応促進剤が0.5
%より少ない場合は、上記効果が得られず、また
7%より多い場合は、フイラーとしての特性、す
なわちガラスの流動性を良好にし、熱膨張係数を
低下するという特性が逆に低下する。 また低膨張セラミツク粉末としては、チタン酸
鉛、ベータユークリプタイト、コージエライト、
ウイレマイト、ウイレマイト系セラミツクス、
SnO2固溶体のいずれか1種又は2種以上が用い
られる。 本発明の低融点ガラス粉末、合成ジルコン粉
末、低膨張セラミツク粉末の混合比を上記のよう
に限定した理由は以下のとおりである。 低融点ガラス粉末が50%より少ない場合は、流
動性が悪くなり450℃以下で封着できなくなり、
80%より多い場合は、熱膨張係数が大きくなり熱
衝撃強度が小さくなる。合成ジルコン粉末が2%
より少ない場合は、十分な機械的強度が得られな
くなり、40%より多い場合は、流動性が悪くな
る。低膨張セラミツク粉末は、合成ジルコン粉末
と併用すると、熱膨張係数を一定に保ちながら封
着温度を低下させる効果があるが、45%より多い
場合は、流動性が悪くなる。 また低融点ガラス粉末の各成分の割合を上記の
ように限定した理由は以下のとおりである。 PbOが40%より少ない場合は、ガラスの粘性が
増大し、90%より多い場合は、ガラスが失透し易
くなる。B2O3が8%より少ない場合は、ガラス
が失透し易くなり、15%より多い場合はガラスの
粘性が増大する。SiO2とAl2O3の含量が0.5%より
少ない場合は、ガラスが失透し易くなり、3%よ
り多い場合はガラスの粘性が増大する。ZnOは熱
膨張係数を大きくすることなく粘性を比較的低く
する効果を有するが0.5%より少ない場合は上記
効果が得られず、5%より多い場合はガラスが失
透し易くなる。Tl2Oは、PbOと置換して用いる
ことにより、PbO単独を用いる場合と比較してよ
り粘性の低いガラスを得ることができるが、40%
より多い場合はガラスの化学的耐久性が悪くな
る。さらにPbO,B2O3及びSiO2とAl2O3の合量
が上記割合をはずれた場合、いずれも十分な流動
性が得られなくなる。 尚、上記低融点ガラス粉末には、PbO,B2O3,
SiO2,Al2O3,ZnO,Tl2Oの成分以外にもCuO,
Bi2O3,SnO2,BaO,F等の他成分を5%まで含
有させることができる。しかしながら5%を超え
るとガラスが失透し易くなるため好ましくない。 実施例 以下に本発明の実施例について説明する。 第1表は、本発明における低融点ガラスの実施
例を示すものである。
【表】
第1表に示した低融点ガラスは、鉛丹、硼酸、
硅石粉、アルミナ、亜鉛華、炭酸タリウム、フツ
化鉛、炭酸バリウム第1表に示す組成になるよう
に調合し、白金るつぼに入れて電気炉において
800℃で1時間溶融した後、薄板状に成形し、ア
ルミナボールミルで粉砕し、200メツシユのステ
ンレスふるいを通過したものを用いた。 第2表は、本発明の合成ジルコン、すなわち
ZrO2,SiO2,Fe2O3,MnO,ZnOの各成分を混
合した実施例である。
硅石粉、アルミナ、亜鉛華、炭酸タリウム、フツ
化鉛、炭酸バリウム第1表に示す組成になるよう
に調合し、白金るつぼに入れて電気炉において
800℃で1時間溶融した後、薄板状に成形し、ア
ルミナボールミルで粉砕し、200メツシユのステ
ンレスふるいを通過したものを用いた。 第2表は、本発明の合成ジルコン、すなわち
ZrO2,SiO2,Fe2O3,MnO,ZnOの各成分を混
合した実施例である。
【表】
第2表に示した合成ジルコンの作製方法を合成
ジルコンAを例にとつて以下に示す。 まずZrO2は、天然のジルコンサンドを一旦ソ
ーダ分解し、塩酸に溶解した後、濃縮結晶化を繰
り返してU,Thの極めて少ないオキシ塩化ジル
コニウムにし、アルカリ中和後、加熱して精製
ZrO2とした。次に精製したZrO2、高純度硅石粉
(SiO2)及び酸化第2鉄(Fe2O3)を第2表に示
す組成になるように調合し、乾式混合した後、
1400℃で16時間焼成した。焼成物は粉砕し、250
メツシユのステンレスふるいを通過させた。 第3表は第1表の低融点ガラス粉末に第2表の
合成ジルコン粉末及び各種の低膨張セラミツク粉
末を混合した低融点封着用組成物の実施例であ
る。
ジルコンAを例にとつて以下に示す。 まずZrO2は、天然のジルコンサンドを一旦ソ
ーダ分解し、塩酸に溶解した後、濃縮結晶化を繰
り返してU,Thの極めて少ないオキシ塩化ジル
コニウムにし、アルカリ中和後、加熱して精製
ZrO2とした。次に精製したZrO2、高純度硅石粉
(SiO2)及び酸化第2鉄(Fe2O3)を第2表に示
す組成になるように調合し、乾式混合した後、
1400℃で16時間焼成した。焼成物は粉砕し、250
メツシユのステンレスふるいを通過させた。 第3表は第1表の低融点ガラス粉末に第2表の
合成ジルコン粉末及び各種の低膨張セラミツク粉
末を混合した低融点封着用組成物の実施例であ
る。
【表】
第3表のチタン酸鉛は、リサージ及び酸化チタ
ンをPbTiO3の化学量論比になるように混合した
後、1150℃で2時間焼成し、粉砕後250メツシユ
のステンレスふるいを通過したものを用いた。 ベータユークリプタイトは、炭酸リチウム、ア
ルミナ、光学ガラス用石粉をLi2O・Al2O3・
2SiO2の組成になるように調合、混合し1250℃で
5時間焼成したものを粉砕して250メツシユのス
テンレスふるいを通過したものを用いた。 コージエライトは、ガラスを結晶化させる方法
で作製したものを用いた。すなわち2MgO・
2Al2O3・5SiO2の化学量論比になるようにマグネ
シア、アルミナ及び光学ガラス用石粉を調合、混
合し、白金るつぼ中に1580℃で4時間溶融して得
たガラスを薄板状に成形した後、150メツシユの
ステンレスふるいを通過するように粉砕し、さら
に1000℃で12時間加熱し、コージエライトを結晶
させた後、350メツシユを通過するように粉砕し
た。 ウイレマイトは、亜鉛華、光学ガラス用石粉を
2 ZnO・SiO2の組成になるように調合、混合
し、1400℃で16時間焼成したものを粉砕して250
メツシユのステンレスふるいを通過したものを用
いた。 ウイレマイト系セラミツクは、重量%でZnO
70.6%,SiO2 24.7%,Al2O3 4.7%になるように
亜鉛華、光学ガラス用石粉、アルミナを調合、混
合し、1440℃で15時間焼成した後、粉砕し250メ
ツシユのステンレスふるいを通過したものを用い
た。尚、ウイレマイト系セラミツクは、上記組成
に限定されるものではなく重量%でZnO 68〜75
%,SiO2 23〜28%,Al2O3 0.1〜8%の範囲内で
あれば使用可能である。 SnO2固溶体は、重量%でSnO2 93%,TiO2 2
%,MnO 5%になるように酸化すず、酸化チタ
ン、二酸化マンガンを調合、混合し、1400℃で16
時間焼成後、粉砕し、250メツシユのステンレス
ふるいを通過したものを用いた。 第3表の低融点封着用組成物は、低融点ガラス
粉末、合成ジルコン粉末、低膨張セラミツク粉末
を第3表に示す割合に混合し、通常行われている
ようにビークルを使用してペーストを作製した
後、アルミナセラミツク(16 SSIパツケージ)
に印刷して表記の条件で封着した。剪断強度は、
アルミナセラミツクの封着部の長手方向へ剪断力
を加えることによつて破壊させるのに必要な荷重
の値を示したもので実施例では300〜410Kgの高い
値が得られた。 尚、比較のためガラスA 65.8%とウイレマイ
ト系セラミツク17.8%とFe2O3の代わりに融剤と
して硫酸ソーダを使用した合成ジルコン16.4%と
を混合し、ペーストを作製した後、アルミナセラ
ミツクに印刷して封着したところ封着温度450℃、
封着時間10分、熱膨張係数66.9×10-7/℃、剪断
強度340Kgであり、本発明の実施品である第3表
の試料No.5と比較すると本発明の実施品の方が封
着温度が20℃、熱膨張係数が2.9×10-7/℃低く、
また剪断強度が20Kg高い。これによりFe2O3を含
有する合成ジルコンを使用する封着材の方が
Fe2O3を含有しない合成ジルコンを使用する封着
材に比べ優れた特性を有することがわかる。 発明の効果 本発明の低融点封着用組成物は、450℃以下の
温度で10分以内に封着でき、機械的強度が大きく
かつ熱膨張係数が低くまたα線放出量が少ない封
着材が得られ、特にICパツケージ用に適してい
る。
ンをPbTiO3の化学量論比になるように混合した
後、1150℃で2時間焼成し、粉砕後250メツシユ
のステンレスふるいを通過したものを用いた。 ベータユークリプタイトは、炭酸リチウム、ア
ルミナ、光学ガラス用石粉をLi2O・Al2O3・
2SiO2の組成になるように調合、混合し1250℃で
5時間焼成したものを粉砕して250メツシユのス
テンレスふるいを通過したものを用いた。 コージエライトは、ガラスを結晶化させる方法
で作製したものを用いた。すなわち2MgO・
2Al2O3・5SiO2の化学量論比になるようにマグネ
シア、アルミナ及び光学ガラス用石粉を調合、混
合し、白金るつぼ中に1580℃で4時間溶融して得
たガラスを薄板状に成形した後、150メツシユの
ステンレスふるいを通過するように粉砕し、さら
に1000℃で12時間加熱し、コージエライトを結晶
させた後、350メツシユを通過するように粉砕し
た。 ウイレマイトは、亜鉛華、光学ガラス用石粉を
2 ZnO・SiO2の組成になるように調合、混合
し、1400℃で16時間焼成したものを粉砕して250
メツシユのステンレスふるいを通過したものを用
いた。 ウイレマイト系セラミツクは、重量%でZnO
70.6%,SiO2 24.7%,Al2O3 4.7%になるように
亜鉛華、光学ガラス用石粉、アルミナを調合、混
合し、1440℃で15時間焼成した後、粉砕し250メ
ツシユのステンレスふるいを通過したものを用い
た。尚、ウイレマイト系セラミツクは、上記組成
に限定されるものではなく重量%でZnO 68〜75
%,SiO2 23〜28%,Al2O3 0.1〜8%の範囲内で
あれば使用可能である。 SnO2固溶体は、重量%でSnO2 93%,TiO2 2
%,MnO 5%になるように酸化すず、酸化チタ
ン、二酸化マンガンを調合、混合し、1400℃で16
時間焼成後、粉砕し、250メツシユのステンレス
ふるいを通過したものを用いた。 第3表の低融点封着用組成物は、低融点ガラス
粉末、合成ジルコン粉末、低膨張セラミツク粉末
を第3表に示す割合に混合し、通常行われている
ようにビークルを使用してペーストを作製した
後、アルミナセラミツク(16 SSIパツケージ)
に印刷して表記の条件で封着した。剪断強度は、
アルミナセラミツクの封着部の長手方向へ剪断力
を加えることによつて破壊させるのに必要な荷重
の値を示したもので実施例では300〜410Kgの高い
値が得られた。 尚、比較のためガラスA 65.8%とウイレマイ
ト系セラミツク17.8%とFe2O3の代わりに融剤と
して硫酸ソーダを使用した合成ジルコン16.4%と
を混合し、ペーストを作製した後、アルミナセラ
ミツクに印刷して封着したところ封着温度450℃、
封着時間10分、熱膨張係数66.9×10-7/℃、剪断
強度340Kgであり、本発明の実施品である第3表
の試料No.5と比較すると本発明の実施品の方が封
着温度が20℃、熱膨張係数が2.9×10-7/℃低く、
また剪断強度が20Kg高い。これによりFe2O3を含
有する合成ジルコンを使用する封着材の方が
Fe2O3を含有しない合成ジルコンを使用する封着
材に比べ優れた特性を有することがわかる。 発明の効果 本発明の低融点封着用組成物は、450℃以下の
温度で10分以内に封着でき、機械的強度が大きく
かつ熱膨張係数が低くまたα線放出量が少ない封
着材が得られ、特にICパツケージ用に適してい
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 重量%で非晶質の低融点ガラス粉末50〜80
%、合成ジルコン粉末2〜40%、低膨張セラミツ
ク粉末0〜45%を混合してなり、該合成ジルコン
粉末は、Fe2O3、MnO、ZnOのいずれか1種又は
2種以上を0.5〜7%含有していることを特徴と
する低融点封着用組成物。 2 低融点ガラス粉末は、重量%でPbO 40〜90
%、B2O3 8〜15%、SiO2+Al2O3 0.5〜3%、
ZnO 0.5〜5%、Tl2O 0〜40%からなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の低融点封
着用組成物。 3 低膨張セラミツク粉末は、チタン酸鉛、ベー
タユークリプタイト、コージエライト、ウイレマ
イト、ウイレマイト系セラミツクス、SnO2固溶
体のいずれか1種又は2種以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の低融点封着用
組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61032264A JPS62191442A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 低融点封着用組成物 |
US07/014,289 US4774208A (en) | 1986-02-17 | 1987-02-13 | Low temperature sealing composition with synthetic zircon |
KR1019870001279A KR910001103B1 (ko) | 1986-02-17 | 1987-02-17 | 저융점 밀봉용 조성물 |
DE19873705038 DE3705038A1 (de) | 1986-02-17 | 1987-02-17 | Niedrigtemperatur-dichtungszusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62191442A JPS62191442A (ja) | 1987-08-21 |
JPH0428657B2 true JPH0428657B2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=12354148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61032264A Granted JPS62191442A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 低融点封着用組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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JP2736464B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
DE3934971C1 (ja) * | 1989-10-20 | 1991-01-24 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
JP2971502B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1999-11-08 | 旭硝子株式会社 | コバール封着用ガラス組成物 |
JPH0459623U (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-21 | ||
JPH0459624U (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-21 | ||
JPH0459622U (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-21 | ||
JPH0485819U (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | ||
JPH0485821U (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | ||
JPH0485820U (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | ||
JPH0485916U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-27 | ||
DE4136115C1 (ja) * | 1991-11-02 | 1993-01-28 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
US5510300A (en) * | 1992-12-16 | 1996-04-23 | Samsung Corning Co., Ltd. | Sealing glass compositions using ceramic composite filler |
US5545797A (en) * | 1995-01-13 | 1996-08-13 | University Of New Mexico | Method of immobilizing weapons plutonium to provide a durable, disposable waste product |
KR970011336B1 (ko) * | 1995-03-31 | 1997-07-09 | 삼성코닝 주식회사 | 접착용 유리조성물 |
US5534469A (en) * | 1995-09-12 | 1996-07-09 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Low temperature non-crystallizing sealing glass |
US6248679B1 (en) * | 1996-11-18 | 2001-06-19 | Techneglas, Inc. | Low temperature sealing glass |
US6777358B2 (en) * | 2002-07-25 | 2004-08-17 | Nortel Networks Limited | Sealing glass composition |
CN102698700B (zh) * | 2012-06-04 | 2013-12-18 | 刘裕秋 | 流线形陶瓷谷峰规整波纹填料 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3329102C2 (de) * | 1983-08-11 | 1985-08-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd., Otsu, Shiga | Niedrigtemperatur-Abdichtungszusammensetzung |
JPS60204637A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低融点封着用組成物 |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61032264A patent/JPS62191442A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-13 US US07/014,289 patent/US4774208A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-17 DE DE19873705038 patent/DE3705038A1/de active Granted
- 1987-02-17 KR KR1019870001279A patent/KR910001103B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR870007859A (ko) | 1987-09-22 |
DE3705038C2 (ja) | 1991-10-31 |
DE3705038A1 (de) | 1987-08-20 |
US4774208A (en) | 1988-09-27 |
JPS62191442A (ja) | 1987-08-21 |
KR910001103B1 (ko) | 1991-02-23 |
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Legal Events
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