CN100415929C - 烧结体和用它的成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是由重量95%以上的锗和钨构成的烧结体，将该烧结体用作靶进行溅射，在用电子束发射元件等的图象形成装置的隔片上形成电阻膜。因此，能够形成电阻膜控制性良好并且再现性和稳定性良好的电阻膜。

Description

烧结体和用它的成膜方法
发明领域
本发明涉及烧结体，特别是涉及锗(Ge)和钨(W)的混合物烧结体和用它的成膜方法.
背景技术
在使用电子发射元件的平面显示器中，如日本平成10年公布的10-284286号专利公报所揭示的那样，为了使它的内部保持高真空，使用称为隔片或肋的耐大气压构造体的隔片.
图14是使用多个电子发射元件的图象形成装置的截面模式图.101是后板，102是侧壁，103是前板，由后板、侧壁102和前板103形成气密容器.在作为气密容器的耐大气压构造支撑体的隔片107b上设置低电阻膜110，通过导电性玻璃料108与配线109连接.
电子发射元件104形成在后板101上，荧光体105和金属背面106形成在前板上.设置金属背面106的目的是为了镜面反射荧光体105发出的先的一部分提高光利用率、保护荧光体105不受负离子的碰撞、起到作为用于施加电子束加速电压的电极的作用、和起到激励荧光体105的电子的导电电路的作用等.
隔片107a表示出隔片的带电状态，表示出由于从近旁电子源发射出来的电子的一部分的碰撞引起带电(图中带正电)的样子。此外，隔片107a表示出不设置防止带电膜112时的隔片的带电状态，表示出低电阻膜的厚度，在图示的情形中，也比与隔片107b的防止带电膜112相接的低电阻膜110厚。
这样当隔片107a带正电时，从作为电子源的电子发射元件104发射出来的电子，例如如电子轨道111a那样，被吸引到隔片一侧，结果损害了显示图象的品质.
为了解决这个问题，已经提出了在隔片107b上设置防止带电膜112，通过在表面上流过微小电流除去电荷，如电子轨道111b那样，电子不被吸引到隔片上而描绘出预定轨迹的提案.
又，如日本2001年公布的2001-143620号专利公报所示，提出了在隔片玻璃基板表面上设置凹凸，与隔片表面平滑的情形比较，能够使实际起作用的二次电子发射系数变小，有效地抑制隔片表面的带电的提案.
进一步，在日本2000年公布的2000-192017号专利公报中，提出了用同时使用铬靶和锗靶的溅射，覆盖了具有铬、锗等的过渡金属或它们的氮化物和氮化锗的缓和带电膜的隔片的提案.
但是，在上述现有技术例所示的隔片上，我们看到关于除去带电的功能产生使性能变差的离散.在通过同时溅射多个不同材料的靶(例如用2种材料的2元溅射)，形成具有多个元素组成的防止带电膜的现有方法中，即便使成膜条件(本底、溅射压、气体流量、靶输入功率)相同，也存在着对于每批形成的膜，防止带电膜的电阻率发生离散的情形.
为了使电阻率一致，必须分别调整供给不同材料靶的靶输入功率，这很烦杂并且再现性也不一定高，这是不言而喻的.
如上所述，当在隔片的表面、里面进行多次成膜时，也存在着在表面和里面上膜的特性不同的担心.
发明内容
本发明的目的是形成再现性高，电阻值控制性卓越的电阻膜.
又，本发明的目的是提供可以制作再现性高，电阻值控制性卓越的电阻膜的烧结体.
本发明的烧结体是以包含重量95％以上的锗和钨为特征的烧结体.
本发明的烧结体希望锗和钨为主要成分，具体地说锗和钨占烧结体重量的95％以上，最好只由锗和钨构成.
本发明的烧结体特别能够适用于作为电子束蒸发装置和溅射装置等的PVD(Physical Vapor Deposition(物理蒸汽沉积))装置的靶.如果将这种烧结体用作PVD(Physical Vapor Deposition)装置的靶，则可以制作再现性高，电阻值控制性卓越的电阻膜.
又，以上所述的本发明的烧结体的更优先的实施形态是
钨对锗的重量比为0.01～10，
又，上述锗和钨的充填率为60％以上，
又，将烧结体用作PVD装置的靶，
又，将烧结体用作溅射的靶.
又，本发明是以通过溅射上述的烧结体在基体上形成电阻膜为特征的电阻膜成膜方法.
又，上述本发明的电阻膜成膜方法的更优先的实施形态是
通过改变上述烧结体的钨对锗的重量比形成具有预定电阻率的电阻膜，
又，上述预定的电阻率ρ为ρ＝103～109Ωm，
又，上述溅射是在氮气环境中进行的.
又，本发明是配置在内部包含电子源、受到从上述电子源发射的电子照射的被照射体的气密容器内的该气密容器的支撑构造体的制造方法，是以具有在基体表面上形成电阻膜的成膜工序，用以上所述的成膜方法实施上述成膜工序为特征的支撑构造体的制造方法.
又，本发明是在气密容器内备有电子源、受到从上述电子源发射的电子照射的被照射体的电子发生装置的制造方法，是以具有在上述气密容器内的绝缘部件的表面上形成电阻膜的成膜工序，用以上所述的成膜方法实施上述成膜工序为特征的电子发生装置的制造方法。
又，本发明是在气密容器内备有电子源、受到从上述电子源发射的电子照射的荧光体的图象显示装置的制造方法，是以具有在上述气密容器内的绝缘部件的表面上形成电阻膜的成膜工序，用以上所述的成膜方法实施上述成膜工序为特征的图象显示装置的制造方法.
又，以上所述的本发明的图象显示装置的制造方法是将上述绝缘部件是上述气密容器的支撑构造体这一形态作为更优先的实施形态.
又，以上所述的电阻膜，例如，是设置在图象显示装置内的绝缘部件的表面上为了防止带电的膜，用上述方法，特别是可以进行所要的电阻控制，并且可以形成再现性良好的电阻膜.
附图说明
图1是表示切除根据本发明的图象显示装置的显示面板的一部分的斜视图.
图2是为了设置与本发明有关的烧结体，将防止带电膜赋予隔片基材而使用的高频溅射装置的构成图.
图3是表示与本发明有关的W-Ge混合物氮化膜的电阻率与氮气流量的关系的图.
图4是表示与本发明有关的W-Ge混合物氮化膜的电阻率与溅射气体总压力的关系的图.
图5是表示当制作与本发明有关的W-Ge混合物氮化膜时的基材搬运托盘位置与直流高压(Vdc)的关系的图.
图6是表示与本发明有关的W-Ge混合物氮化膜的电阻率与W/Ge重量比的关系的图.
图7是表示与本发明的实施例有关的W-Ge混合物氮化膜的电阻率与氮流量的关系的图.
图8是表示W含量与W-Ge烧结体的密度的关系的图.
图9是表示W-Ge混合物氮化膜的电阻率离散的图.
图10是表示关于赋予了与本发明有关的防止带电膜的隔片的电阻离散，用混合靶成膜比用2元同时溅射成膜优越的图.
图11是表示荧光体层的构成的图.
图12A和12B是与本发明有关的凹凸隔片基材的截面图和平面图.
图13是用于将防止带电膜赋予作为本发明的实施例的隔片基材而使用的高频溅射装置(附带基板旋转机构)的构成图.
图14是使用为了说明隔片的带电机理的电子发射元件的图象形成装置的截面模式图.
具体实施方式
下面，我们根据附图说明本发明的实施形态.
首先，我们说明设置了本发明的烧结体的溅射装置.
(溅射装置)
图2表示本实施形态中使用的高频溅射装置的构成.现在我们说明用这种装置形成电阻膜的工艺的概要.
首先，将基板201载置在成膜托盘202上，放入预备排气室203.在用真空泵204，将预备排气室排气到5×10-4[Pa]以下的真空度后，由搬运滚筒205使成膜托盘202移动到成膜室206.这里，将成膜室206排气到5×10-5[Pa]以下的真空度.在确认达到该真空度后，从气体导入管207流入预定量的氩气、氮气的混合气体.又，调整注气孔(图中未画出)使溅射的总压力达到预定压力.在使气体情况(溅射气体总压力、混合气体流量)稳定后，使高频电源208输入预定的功率.为了在基板201整个面上形成电阻膜，在开始溅射放电后由搬运滚筒205使成膜托盘202以5mm/min的速度横切地经过W-Ge混合物靶209的正下方，沿图中箭头方向进行搬运.使基板与W-Ge混合物靶的距离为200mm.
这里，调整高频电源208，抑制加在W-Ge混合物靶209上的直流高压伴随着基板搬运而产生的变动.
基板的搬运方向不限定于一个方向，也可以一次往复搬运或者多次往复搬运.又，与装置的构成有关，也可以使基板在靶的正下方旋转运动，在整个面上进行成膜.
在以上的工序中能够在基板上形成W-Ge混合物氮化膜.
作为在基板的整个面上形成W-Ge混合物氮化膜的用途，例如当用上述基板作为后述的隔片基材时，也在基板的里面形成W-Ge混合物氮化膜.
即，在形成表面(第1面)后，使成膜托盘202返回预备排气室203，取出基板201.
在翻转基板201的表里后，与表面(第1面)相同也在里面(第2面)上形成W-Ge混合物氮化膜.
这样可以用混合靶稳定地制造出许多备有更良好的电阻膜的基板.
又，通过改变用作靶的混合物的组成浓度比，可以形成具有所要电阻范围的电阻膜.作为改变混合物的组成浓度比的方法，是在烧结靶材时进行的.
(靶烧结方法)
这里，我们述说混合靶的制作方法.
1)混合
首先，混合按照种种组成浓度比进行定量的W和Ge的粉末.对混合方法没有特别的限定，但是最好用球磨机等进行.混合是在氮气和Ar气等的非氧化性气体中进行的.混合后，需要时，也可以用筛子等进行分级.
2)暂时烧制
在氮气和Ar气等的惰性气体中或真空中暂时烧制该混合粉末.又，也可以在氢气等的还原气层中进行暂时烧制.最好在800～1500℃进行加热暂时烧制.
3)粉碎
粉碎这样制成的固形物.对粉碎方法没有特别的限定，但是最好用球磨机等进行.粉碎是在氮气和Ar气等的非氧化性气体中进行的.粉碎后，需要时，也可以用筛子等进行分级.
4)主烧制
通过将粉碎后得到的混合粉末在氮气和Ar气等的惰性气体中或真空中进行加压烧制，得到烧结体.也可以在氢气等的还原气层中进行加压烧制.在加压烧制中最好用热压法.作为溅射靶成形为预定厚度和形状，最好经过在1～2MPa的压力下在800～1500℃进行加热的主烧制的工序制成烧结体混合物靶.
这样一来，制成了从0.01到15的W/Ge重量比的烧结体混合物靶.其次，将从这些烧结体混合物靶形成的W：8atom(原子)％、Ge：92atom％的靶安装在上述的溅射装置中，如下面说明的那样，研讨W-Ge混合物氮化膜的制造条件.
(氮气流量决定方法)
作为改变电阻膜的电阻率的其它方法，可以举出改变当形成防止带电膜时的溅射气体总压力或者改变氮气流量的方法.
对在分别改变溅射气体总压力和氮气流量的条件下，通过用高频电源对W和Ge的混合物靶(W：8atom％、Ge：92atom％)进行溅射形成薄膜的W-Ge混合物氮化膜的电阻率进行调查的结果如图3所示.这里，保持氩气流量50sccm、加到W-Ge混合物上的输入功率1500W不变.
因此，可以说通过采用氮气流量24sccm，W-Ge混合物氮化膜的电阻率是处在对于氮气流量的变动不敏感的区域中.
又，溅射气体总压力与W-Ge混合物氮化膜的电阻率的关系如图4所示.这里，保持混合气体的流量为氩气50sccm、氮气24sccm，加到W-Ge混合物上的输入功率1500W不变.
当用备有这些膜的基板作为隔片基材，将隔片配置在后述的多电子束源的近旁比较它的去除电荷的能力时，附带在溅射气体总压力1.5Pa中形成薄膜的防止带电膜的隔片是最好的.
(直流高压(Vdc)的稳定化)
进一步，为了抑制电阻膜的电阻离散，将加在靶上的直流高压(Vdc)的变动抑制在±20％以内.
伴随着为了在基板的整个面上形成薄膜而搬运或旋动基板，成为引起溅射靶和基板搬运托盘之间的电容量变化的原因，使直流高压(Vdc)变动.因此，当设置抑制高频电源变动的机构(图2的208)时，基板搬运托盘位置与直流高压(Vdc)的关系如图5所示，能够抑制电阻膜电阻的离散.
用从0.01到15的W/Ge重量比的烧结体混合物靶制作的W-Ge混合物氮化膜的电阻率的例子如图6所示.我们看到在W/Ge重量比0.01～10的范围内，能够得到电阻率40～1010Ωm的W-Ge混合物氮化膜，在电阻率40～1010Ωm，更好是在103～109Ωm的范围内，伴随着W的增加，改变电阻率，能够得到控制性卓越的电阻膜.
其次，我们说明将形成上述电阻膜的基板用作隔片，插入该隔片的图象显示装置的全体构成.
(面板构成)
图1是本实施形态的图象显示装置的显示面板的斜视图，为了显示内部构造切去面板的一部分进行表示.
图中，915是后板(后面板)，916是侧壁，917是前板(前面板)，由后板915、侧壁916和前板917形成维持显示面板内部真空的气密容器.为了组装气密容器，在个部件的接合部分需要进行保持足够强度和气密性的密封，例如在接合部分涂敷玻璃料，通过在大气中或氮气中，在400℃～500℃烧结10分钟以上实现密封.我们将在后面述说将气密容器内部排气成真空的方法.
又，因为上述气密容器内部保持约10-4[Pa]的真空，所以为了防止由于大气压和不经意的碰撞等引起气密容器的破坏，设置隔片920作为耐大气压构造体.我们用上述的具有成膜时用由多种元素构成的混合物(烧结体)的靶产生的电阻膜的基板作为这种隔片.
将基板911固定在后板915上，并且在基板911上形成N×M个表面传导型电子发射元件912.这里，N、M是2以上的正整数，与成为目的的显示象素数相应地适当设定.例如，在为了实现高品位的电视显示的显示装置中，希望设定N＝3000、M＝1000以上的数.在本实施形态中，N＝3072、M＝1024.
上述N×M个表面传导型电子发射元件由M条行方向配线913和N条列方配线914进行单纯的矩阵配线.我们将由基板911、表面传导型电子发射元件912、行方向配线913、列方配线914构成的部分称为电子源基板.
又，在前板917的下面，形成荧光膜918.而且，在荧光膜918的后板一侧的面上设置在CRT领域中众所周知的金属背面919.
又，Dx1～Dxm、Dy1～Dyn和Hv是为了使该显示面板与图中未画出电路电连接而设置的气密构造的电连接用端子.
又，Dx1～Dxm与表面传导型电子发射元件的行方向配线913电连接，Dy1～Dyn与表面传导型电子发射元件的列方向配线914电连接，Hv与前板的金属背面(金属膜)919电连接.
又，为了将气密容器内部排气成真空，在组装气密容器后，连接图中未画出的排气管和真空泵，将气密容器内部排气到10-5[Pa]以下的真空度.此后，密封排气管，为了维持气密容器内的真空度，就在密封前或密封后立即在气密容器内的预定位置上形成消气剂膜(图中未画出).消气剂膜是例如通过热子或高频加热以Ba为主要成分的消气剂材料进行加热蒸涂形成的膜，由于该消气剂膜的吸附作用使气密容器内维持1×10-3到1×10-5[Pa]的真空度.
用以上说明的显示面板的图象显示装置，当通过容器外端子Dx1到Dxm、Dy1到Dyn在各表面传导型电子发射元件912上施加电压时，从各表面传导型电子发射元件912发射电子.与此同时通过容器外端子Hv在金属背面(金属膜)919上施加数百[V]到数[kV]的高压，加速上述发射出来的电子，与前板917的内面发生碰撞.因此，激励构成荧光体层918的各色荧光体使它们发光，显示图象.
通常，加到本发明的表面传导型电子发射元件912上的电压约为12～16[V]，金属背面(金属膜)919与表面传导型电子发射元件912的距离d约为0.1[mm]到8[mm]，金属背面(金属膜)919与表面传导型电子发射元件912之间的电压约为0.1[kV]到12[kV].
在以上的说明中，说明了图象显示装置和具有在作为用于图象显示装置中的支撑构造体的表面上形成的电阻膜(防止带电膜)的隔片，但是如果根据本发明的思想，则不限于图象显示装置，也能够用作代替由感光鼓和发光二极管等构成的光打印机的发光二极管等的发光源.又这时，通过适当选择上述M条行方向配线和N条列方向配线，也能够不仅用作线状发光源，而且用作2维状的发光源.这时，作为被电子照射的被照射体，不限于荧光体那样的直接发光的物质，也能够用通过电子带电形成潜象图象那样的部件.又，如果根据本发明的思想，则例如电子显微镜那样，即便当来自电子源的发射电子的被照射体为荧光体等的图象形成部件以外的部件时，也能够将本发明用作电子发生装置.
[实施例]
下面，我们说明本发明的具体实施例.此外原子％(atom％)表示单原子的原子个数的比例，W/Ge重量比由(W的原子％×W的原子量)/(Ge的原子％×Ge的原子量)计算出来.
(实施例1)
将以组成比为W：10atom％、Ge：90atom％地进行定量的W和Ge的粉末混合起来(W/Ge的重量比为0.28).混合是在氮气下的非氧化性气体中用球磨机进行的.混合后，通过用筛子进行分级使粒子形状更加均匀.在真空中暂时烧制该混合粉末.
粉碎这样制成的固形物.粉碎是在氮气下的非氧化性气体中用球磨机进行的.粉碎后，通过用筛子进行分级使粒子形状更加均匀.
在真空中加压烧制经过粉碎得到的混合粉末，得到烧结体.在加压烧制中，用在2MPa压力下加热到1500℃的热压法.作为溅射靶形成预定的板厚和形状，制成W-Ge烧结体混合物靶.该W-Ge烧结体靶的组成是W：21.6重量％、Ge：78.0重量％，其密度为5.32g/cm3，充填率为79％.
设置该W-Ge烧结体作为图2所示的高频溅射装置的靶，固定总压力为1.5Pa、Ar的流量为50sccm，改变N2的流量，形成W-Ge混合物氮化膜.得到的W-Ge混合物氮化膜的电阻率，如图7所示，在N2的流量为25sccm以上时稳定在1×106Ωm.
用RBS(卢瑟福后向散射)法对这样制作的W-Ge混合物氮化膜进行组成分析，它的组成如表1所示.而且，W-Ge混合物氮化膜的密度为6.0g/cm3.
表1
Figure C20041000249100141
(实施例2)
与实施例1相同，为了使组成比为W：8atom％、Ge：92atom％(W/Ge重量比为0.22)地进行定量，进行混合·暂时烧制·粉碎·加压烧制，制成W-Ge烧结体混合物靶.该W-Ge烧结体靶的组成是W：17.6重量％、Ge：82.0重量％，其密度为4.75g/cm3，充填率为74％.
与实施例1相同，当形成W-Ge混合物氮化膜时，它的电阻率，如图7所示，在N2的流量为25sccm以上时稳定在2×106Ωm.
用RBS(卢瑟福后向散射)法对这样制作的W-Ge混合物氮化膜进行组成分析，它的组成如表1所示.而且，W-Ge混合物氮化膜的密度为5.4g/cm3.
(实施例3)
用改变W与Ge的组成比的混合物，与实施例1相同，制作W-Ge烧结体混合物靶.当测定这些W-Ge烧结体的密度时，如图8所示.与W含有量的多少无关，W-Ge烧结体的充填率(实测密度/理论密度)在60％以上.
(比较例1)
分别准备好W单体、Ge单体的靶.与实施例1相同，作为高频溅射装置的靶，分别设置该W靶和Ge靶.在总压力为1.5Pa、Ar的流量为50sccm，N2的流量为25sccm的条件下调整分别加在这些靶上的功率，形成的膜的组成为W＝10atom％、Ge＝90atom％.
当在这样调整的同一条件下反复进行成膜时，制成的W-Ge混合物氮化膜的电阻率的离散如图9所示。
(比较例2)
分别准备好W单体、Ge单体的靶.与实施例1相同，作为高频溅射装置的靶，分别设置该W靶和Ge靶.在总压力为1.5Pa、Ar的流量为50sccm，N2的流量为25sccm的条件下调整分别加在这些靶上的功率，形成的膜的组成为W＝8atom％、Ge＝92atom％.
当在这样调整的同一条件下反复进行成膜时，制成的W-Ge混合物氮化膜的电阻率的离散如图9所示.
在下面所述的各实施例中，将通过M条行方向配线和N条列方配线对在上述电极间的导电性膜中具有电子发射单元的类型的N×M个(N＝3072，M＝1024)的表面传导型电子发射元件进行矩阵配线的电子束源用作多电子束源.
(实施例4)
在本实施例中，如下所示地将防止带电膜赋予隔片基材表面.
将用加热延伸法延伸成0.2×1.6mm矩形的截面形状的高熔点玻璃(旭玻璃公司制的PD200)切断成长度40mm，作为隔片基材.将该隔片基材称为平滑的隔片基材.
用碳氢化合物系的清洁剂、丙酮、乙醇对长度40mm的平滑的隔片基材进行超声波清洗.
其次，通过用图2所示的高频溅射装置，在上述平滑的隔片基材的表面上溅射W和Ge的混合物靶(W：8atom％、Ge：92atom％)形成膜厚1.5μm的防止带电膜.对该带电防止膜用RBS(ラサフオ-ド后方散射)法进行组成分析，其组成如表1所示，N：56.0atom％、Ge：40.5atom％、W：3.5atom％，其密度为5.4g/cm3.
将平滑的隔片基材201载置在成膜托盘202中，放入预备排气室203中.用真空泵204，将预备排气室203排气到5×10-4[Pa]以下的真空度后，由搬运滚筒205使成膜托盘202移动到成膜室206中.这里，将成膜室206排气到5×10-5[Pa]以下的真空度.在确认达到该真空度后，从气体导入管207流入氩气50sccm、氮气24sccm的混合气体.又，调整注气孔(图中未画出)使溅射气体的总压力达到1.5Pa.在使气体情况(溅射气体总压力、混合气体流量)稳定后，使高频电源208输出1500W的功率.为了在隔片基板201整个面上形成防止带电膜，在开始溅射放电后由搬运滚筒205使成膜托盘202以5mm/min的速度横切地经过W-Ge混合物靶209的正下方，沿图中箭头方向进行搬运.使平滑的隔片基材与W-Ge混合物靶的距离为200mm.
这里，调整高频电源208，抑制加在W-Ge混合物靶209上的直流高压伴随着隔片基材搬运而产生的变动.
在形成表面(第1面)后，使成膜托盘202返回预备排气室203，取出平滑的隔片基材201.
在翻转平滑的隔片基材的表里后，与表面(第1面)相同也在里面(第2面)上形成W-Ge混合物氮化膜.
在多个平滑的隔片基材上反复进行这种W-Ge混合物氮化膜的成膜工序，关于得到的平滑的隔片基材，确认电阻的再现性，与用W和Ge的2元靶的情形比较，用W-Ge混合物靶能够将电阻的离散抑制到更小程度(图10(a)).
用这样得到的平滑的隔片作成上述的图1所示的显示面板.
将预先在基板上形成行方向配线电极913、列方配线电极914、电极间绝缘层(图中未画出)、和表面传导型电子发射元件的元件电极与导电性薄膜的基板911固定在后板915上.其次，将上述隔片作为隔片920通过侧壁916将在内面上附设荧光膜918和金属背面919的前板917配置在基板911的上方5mm处，固定后板915、前板917、侧壁916和隔片920的接合部分.通过涂敷玻璃料(图中未画出)，在大气中在400℃到500℃烧制9分钟以上将基板911与后板915的接合部分，后板915与侧壁916的接合部分和前板917与侧壁916的接合部分密封起来.又，通过与导电性填料或金属等的导电材料混合起来的导电性玻璃料(图中未画出)，将隔片920在基板911一侧配置在行方向配线913上，在前板917一侧配置在金属背面919上，在大气中在400℃到500℃烧制10分钟以上，与上述气密容器的密封同时，进行粘合，并且实现电连接.
此外，在本实施例中，荧光膜918，如图11所示，各色荧光体5a形成延列方向(Y方向)的带状，用不仅分离在各色荧光体(R、G、B)5a之间，而且也分离在Y方向的各象素之间地进行配置的荧光膜作黑色导电体5b，通过金属背面919将隔片920配置在与行方向(X方向)平行的黑色导电体5b区域内.此外，当进行上述密封时，因为必须使各色荧光体5a与配置在基板911上的各元件对应，所以需要使后板915、前板917和隔片920的位置充分重合.
通过排气管(图中未画出)用真空泵对如上所述地完成的气密容器内部进行排气，在达到足够的真空度后，通过容器外端子Dx1～Dxm和Dy1～Dyn，经过行方向配线913和列方向配线914向各元件馈电进行通电形成处理和通电活性化处理，制造多电子束源.其次，在约10-5[Pa]的真空度，用煤气喷灯加热图中未画出的排气管使它熔合实施外围器(气密容器)的密封.最后，为了维持密封后的真空度，进行消气剂处理.
在用如上所述地完成的图1所示的显示面板的图象形成装置中，通过容器外端子Dx1～Dxm、Dy1～Dyn，从图中未画出的信号发生器分别将扫描信号和调制信号加到各冷阴极元件(表面传导型电子发射元件)912上，使它们发射电子，通过高压端子Hv将高压加到金属背面919上，对发射的电子束进行加速，使电子与荧光膜918碰撞，激励各色荧光体31a使它们发光，显示图象.此外，加到高压端子Hv的电压Va在3～12kV的范围内，加到各配线913、914之间的电压Vf为14V.
在本实施例中制作的图象形成装置也包含由于从处于接近隔片位置的冷阴极元件912发射的电子而发光的发光点，形成2维状的等间隔的发光点列，实现鲜明的色再现性良好的彩色图象显示.这表示即便设置了隔片也不会使影响电子轨道的电场发生混乱.
(实施例5)
在本实施例中，如下所示地将防止带电膜赋予隔片基材表面.
将用加热延伸法对表面实施了凹凸加工的高熔点玻璃(旭玻璃公司制的PD200)作为隔片基材.这是因为与隔片表面平滑的情形比较，能够使实际起作用的二次电子发射系数变小，抑制隔片表面的带电.隔片基材的外形尺寸与实施例1相同，为0.2×1.6mm、长40mm，用加热延伸法加工成的表面凹凸形状的周期为30μm，振幅为8μm.将它称为凹凸隔片基材.凹凸隔片基材的截面图如图12A所示，平面图如图12B所示.
用与实施例1相同地进行调整的高频溅射装置，在与实施例2相同的条件下，利用W及Ge的混合物靶(W：8atom％、Ge：92atom％)，在凹凸隔片基材的表里形成W-Ge混合物氮化膜.对该带电防止膜用RBS(ラザフォ一ド后方散射)法进行组成分析，其组成如表1所示，N：56.0atom％、Ge：40.5atom％、W：3.5atom％，其密度为5.4g/cm3.
当确认这样得到的凹凸隔片基材的电阻再现性时，与用W和Ge的2元靶的情形比较，用W-Ge混合物靶的情形能够将电阻离散抑制到更小程度(图10(b)).
将这样得到的隔片与实施例1相同地装入图象形成装置，当评价图象质量时，能够在整个画面上更均匀地形成发光点列.
(实施例6)
在本实施例中，如下所示地将防止带电膜赋予隔片基材表面.
与实施例1相同地用图2所示的高频溅射装置，在凹凸隔片基材的表里，利用W及Ge的混合物靶(W：8atom％、Ge：92atom％)，形成W-Ge混合物氮化膜.对该带电防止膜用RBS(ラザフォ一ド后方散射)法进行组成分析，其组成如表1所示，N：56.0atom％、Ge：40.5atom％、W：3.5atom％，其密度为5.4g/cm3.
与实施例1相同地调整成膜条件，在开始溅射放电后由搬运滚筒205使成膜托盘202以10mm/min的速度横切地经过W-Ge混合物靶209的正下方，沿图中箭头方向进行搬运.此后，反转搬运方向再次沿与图中箭头相反的方向横切地经过W-Ge混合物靶209的正下方.
使隔片基材与W-Ge混合物靶的距离为200mm.
这里，调整高频电源208，抑制加在W-Ge混合物靶209上的直流高压伴随着基板搬运而产生的变动.
通过往复搬运，具有抑制沿凹凸形状产生的覆盖膜的离散的效果.
将这样得到的隔片与实施例1相同地装入图象形成装置，当评价图象质量时，能够在整个画面上更均匀地形成发光点列.
(实施例7)
在本实施例中，如下所示地将防止带电膜赋予隔片基材表面.
用备有使图13所示的搬运托盘旋转的机构的高频溅射装置，通过对凹凸隔片基材的表里，溅射W和Ge的混合物靶(W：8atom％、Ge：92atom％)，形成膜厚为1.5μm的防止带电膜.对该带电防止膜用RBS(ラザフオ-ド后方散射)法进行组成分析，其组成如表1所示，N：56.0atom％、Ge：40.5atom％、W：3.5atom％，其密度为5.4g/cm3.
将凹凸隔片基材1001载置在成膜托盘1002上，放入预备排气室1003中.在用真空泵1004，将预备排气室排气到5×10-4[Pa]以下的真空度后，由搬运滚筒1005使成膜托盘1002移动到成膜室1006中.这里，将成膜室1006排气到5×10-5[Pa]以下的真空度.在确认达到该真空度后，从气体导入管1007流入氩气50sccm、氮气24sccm的混合气体.又，调整注气孔(图中未画出)使溅射气体的总压力达到1.5Pa.在使气体情况(溅射气体总压力、混合气体流量)稳定后，使高频电源1008输入1500W的功率.为了在凹凸隔片基板1001整个面上形成防止带电膜，用托盘旋转机构1010，以5rpm旋转成膜托盘1002.使凹凸隔片基材与W-Ge混合物靶的距离为200mm.这里，调整高频电源1008，抑制加在W-Ge混合物靶1009上的直流高压伴随着基板搬运而产生的变动.
在形成表面(第1面)后，使成膜托盘1002返回预备排气室1003，取出凹凸隔片基材1001.
在翻转凹凸隔片基材的表里后，与表面(第1面)相同也在里面(第2面)上形成W-Ge混合物氮化膜.
通过旋转隔片基材，具有抑制沿凹凸形状产生的覆盖膜的离散的效果.
将这样得到的隔片与实施例1相同地装入图象形成装置，当评价图象质量时，能够在整个画面上更均匀地形成发光点列.
如以上说明的那样，如果根据本发明，则能够容易稳定地制作再现性高，电阻值控制性卓越的电阻膜.
因此，在用赋予了该电阻膜的支撑构造体(隔片)的图象形成装置中，可以在该隔片的周围形成均匀的图象，能够达到提高显示品位的目的.

Claims (11)

1. 一种烧结体，其特征在于：包含重量95％以上的锗和钨，钨对锗的重量比为0.01～10。
2. 根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于：上述锗和钨的充填率为60％以上。
3. 根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于：将烧结体用作物理蒸镀装置的靶。
4. 根据权利要求3所述的烧结体，其特征在于：将烧结体用作溅射的靶。
5. 一种电阻膜成膜方法，其特征在于：通过溅射烧结体在基体上形成电阻膜，其中该烧结体包含重量95％以上的锗和钨，钨对锗的重量比为0.01～10。
6. 根据权利要求5所述的电阻膜成膜方法，其特征在于：通过改变上述烧结体的钨对锗的重量比形成具有预定电阻率的电阻膜。
7. 根据权利要求6所述的电阻膜成膜方法，其特征在于：上述预定电阻率ρ为ρ＝103～109Ωm。
8. 根据权利要求5所述的电阻膜成膜方法，其特征在于：上述溅射是在氮气环境中进行的。
9. 一种支撑构造体的制造方法，该支撑构造体配置于气密容器内以维持第一基板和第二基板的间隔并具有绝缘部件和电阻膜，在该气密容器内具有设置了电子源的上述第一基板和与该第一基板相对并设置了被照射从上述电子源射出的电子的被照射体的上述第二基板，该制造方法的特征在于：
具有在上述绝缘部件的表面上形成上述电阻膜的成膜工序，在该成膜工序中通过溅射烧结体在上述绝缘部件的表面上形成上述电阻膜，其中该烧结体包含重量95％以上的锗和钨，钨对锗的重量比为0.01～10。
10. 一种电子发生装置的制造方法，该电子发生装置具有设置了电子源的第一基板、与该第一基板相对并设置了被照射从上述电子源射出的电子的被照射体的第二基板和配置成维持上述第一基板和上述第二基板的间隔并具有绝缘部件和电阻膜的支撑构造体，该制造方法的特征在于：
具有在上述绝缘部件的表面上形成上述电阻膜的成膜工序，在该成膜工序中通过溅射烧结体在上述绝缘部件的表面上形成电阻膜，其中该烧结体包含重量95％以上的锗和钨，钨对锗的重量比为0.01～10。
11. 一种图象显示装置的制造方法，该图象显示装置具有设置了电子源的第一基板、与该第一基板相对并设置了被照射从上述电子源射出的电子的荧光体的第二基板和配置成维持上述第一基板和上述第二基板的间隔并具有绝缘部件和电阻膜的支撑构造体，该制造方法的特征在于：
具有在上述绝缘部件的表面上形成上述电阻膜的成膜工序，在该成膜工序中通过溅射烧结体在上述绝缘部件的表面上形成电阻膜，其中该烧结体包含重量95％以上的锗和钨，钨对锗的重量比为0.01～10。
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