JPH03233831A - 6ホウ化ランタン含有ペースト - Google Patents
6ホウ化ランタン含有ペーストInfo
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- JPH03233831A JPH03233831A JP2029090A JP2909090A JPH03233831A JP H03233831 A JPH03233831 A JP H03233831A JP 2029090 A JP2029090 A JP 2029090A JP 2909090 A JP2909090 A JP 2909090A JP H03233831 A JPH03233831 A JP H03233831A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、エレクトロニクス材料に関し、さらに詳しく
は、ガラス基板上あるいはガラス基板上に形成された誘
電体ガラス上にDCプラズマ放電デイスプレー用の陰極
を形成するための印刷焼成可能な導体組成物に関する。
は、ガラス基板上あるいはガラス基板上に形成された誘
電体ガラス上にDCプラズマ放電デイスプレー用の陰極
を形成するための印刷焼成可能な導体組成物に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題)昨今、
プラズマデイスプレーを始めとするフラットデイスプレ
ーパネルが、CRTに代わる表示機器として各方面で使
用されている。プラズマデイスプレーは、小型機器類を
中心に様々な分野に応用されている液晶デイスプレーに
比べて、視野角度が広い、コントラスト比が高く自家発
光型で見易い、薄膜軽量である、応答スピードが速い、
カラー化が比較的容易である等の数々の利点を有するの
で、ラップトツブコンピューター、ワークステーション
などの表示機器としての地位を確立しており、さらには
、将来のハイビジボン用の表示媒体としての利用も期待
されている。
プラズマデイスプレーを始めとするフラットデイスプレ
ーパネルが、CRTに代わる表示機器として各方面で使
用されている。プラズマデイスプレーは、小型機器類を
中心に様々な分野に応用されている液晶デイスプレーに
比べて、視野角度が広い、コントラスト比が高く自家発
光型で見易い、薄膜軽量である、応答スピードが速い、
カラー化が比較的容易である等の数々の利点を有するの
で、ラップトツブコンピューター、ワークステーション
などの表示機器としての地位を確立しており、さらには
、将来のハイビジボン用の表示媒体としての利用も期待
されている。
ところで、プラズマデイスプレー、特にDCプラズマデ
イスプレーの陰極材料に要求される特性は、次のような
ものである。
イスプレーの陰極材料に要求される特性は、次のような
ものである。
■仕事関数の値が小さいこと
この値が大きいと放電維持電圧が高くなり、パネル内部
で消費される電力が増える。つまり、発光効率が低くな
る。
で消費される電力が増える。つまり、発光効率が低くな
る。
なお、放電特性と仕事関数の関係について付言すれば、
放電開始電圧と放電維持電圧は、ともに陰極の二次電子
放出係数とガスの電離係数によって決まり、一般に、こ
れらの係数が大きいほど両型圧は低下する。また、二次
電子放出係数は、一般に陰極の仕事関数の値が小さいほ
ど大きくなる傾向にある。すなわち、仕事関数の値が小
さいほど二次電子放出係数が大きくなり、放電開始電圧
と放電維持電圧は低くなる。
放電開始電圧と放電維持電圧は、ともに陰極の二次電子
放出係数とガスの電離係数によって決まり、一般に、こ
れらの係数が大きいほど両型圧は低下する。また、二次
電子放出係数は、一般に陰極の仕事関数の値が小さいほ
ど大きくなる傾向にある。すなわち、仕事関数の値が小
さいほど二次電子放出係数が大きくなり、放電開始電圧
と放電維持電圧は低くなる。
■スパッタリングに強いこと
DCプラズマデイスプレーの場合、放電空間に陰極が露
出される構造であるため、スパッタされにくい材料であ
ることが必要である。
出される構造であるため、スパッタされにくい材料であ
ることが必要である。
■導電性がよいこと
これは、駆動方法が線順次駆動なので、アノード側電流
がすべて一本のカソードに同時に流れるため、大電流を
通す必要があるからである。
がすべて一本のカソードに同時に流れるため、大電流を
通す必要があるからである。
DCプラズマデイスプレーは上記したような様々な利点
を有するにも関わらず、一方で、液晶デイスプレーに比
較して駆動電圧が高く、その結果として消費電力が大き
くなるという欠点を有している。すなわち、上記したよ
うなりCプラズマデイスプレーの陰極材料に要求される
特性を十分に満足するものが提供されていないからであ
る。
を有するにも関わらず、一方で、液晶デイスプレーに比
較して駆動電圧が高く、その結果として消費電力が大き
くなるという欠点を有している。すなわち、上記したよ
うなりCプラズマデイスプレーの陰極材料に要求される
特性を十分に満足するものが提供されていないからであ
る。
例えば、DCプラズマデイスプレーの陰極材料としては
、現在のところニッケルペーストが使用されている。ニ
ッケルはガラス基板上にパターン状に印刷焼成が可能で
あることや、導電性も比較的高い材料である等の利点を
有するからである。しかしながら、ニッケルは仕事関数
の値が大きく、また、上記したようにDCプラズマデイ
スプレーの陰極はスパッタされやすい構造であるが、ニ
ッケルは耐スパツタ性が十分であるとは言えず、そのた
めスパッタ対策として、ペニングガス中に水銀を封入す
るのが通常である。その結果、駆動電圧が高くなり、1
50〜160■もの駆動電圧が必要である。
、現在のところニッケルペーストが使用されている。ニ
ッケルはガラス基板上にパターン状に印刷焼成が可能で
あることや、導電性も比較的高い材料である等の利点を
有するからである。しかしながら、ニッケルは仕事関数
の値が大きく、また、上記したようにDCプラズマデイ
スプレーの陰極はスパッタされやすい構造であるが、ニ
ッケルは耐スパツタ性が十分であるとは言えず、そのた
めスパッタ対策として、ペニングガス中に水銀を封入す
るのが通常である。その結果、駆動電圧が高くなり、1
50〜160■もの駆動電圧が必要である。
従って、DCプラズマデイスプレー用陰極材料としてニ
ッケルに代わる多くの材料が研究されており、その中で
ホウ化ランタン、特に、6ホウ化ランタンは、仕事関数
の値が小さいこと、蒸気圧が低いことおよびイオン衝撃
に強いこと、さらには導電性も高いことなどから、有望
な陰極材料として注目を集めている材料である。
ッケルに代わる多くの材料が研究されており、その中で
ホウ化ランタン、特に、6ホウ化ランタンは、仕事関数
の値が小さいこと、蒸気圧が低いことおよびイオン衝撃
に強いこと、さらには導電性も高いことなどから、有望
な陰極材料として注目を集めている材料である。
この6ホウ化ランタンによる陰極形成手段としては、ス
パッタリング、電子ビーム蒸着法またはプラズマ溶射法
が知られているが、いずれも量産性、経済性に乏しい方
法である。
パッタリング、電子ビーム蒸着法またはプラズマ溶射法
が知られているが、いずれも量産性、経済性に乏しい方
法である。
さらに重大な問題として、上記のようなプロセスあるい
は後述するような量産性に優れた印刷法で6ホウ化ラン
タンの陰極を形威し得たとしても、水銀を封入せずに駆
動した場合、イオン衝撃によりカソード面が変化して、
比較的短時間のうちに駆動電圧ならびに放電維持電圧が
上昇する。この原因としては、発光色が変化する様子か
ら判断して、「封入ガス、取り分はアルゴンガスが放電
時にアルゴンイオンとして陰極に叩き付けられた際にそ
のまま陰極に打ち込まれてしまい、その結果、アルゴン
ガス濃度が変化し、放電維持特性を変えたものである」
と考えられる。なお、本発明者等の実験によると、6ホ
ウ化ランタンの粉末を予め高周波のアルゴンプラズマで
加工すると、紫色の粉末が青色に、さらにはシルバーグ
レーへと変化する様子を確認できた。
は後述するような量産性に優れた印刷法で6ホウ化ラン
タンの陰極を形威し得たとしても、水銀を封入せずに駆
動した場合、イオン衝撃によりカソード面が変化して、
比較的短時間のうちに駆動電圧ならびに放電維持電圧が
上昇する。この原因としては、発光色が変化する様子か
ら判断して、「封入ガス、取り分はアルゴンガスが放電
時にアルゴンイオンとして陰極に叩き付けられた際にそ
のまま陰極に打ち込まれてしまい、その結果、アルゴン
ガス濃度が変化し、放電維持特性を変えたものである」
と考えられる。なお、本発明者等の実験によると、6ホ
ウ化ランタンの粉末を予め高周波のアルゴンプラズマで
加工すると、紫色の粉末が青色に、さらにはシルバーグ
レーへと変化する様子を確認できた。
そこで、上記の電圧上昇防止対策として水銀を封入すれ
ば、6ホウ化ランタンの特長が発揮されず、好ましくな
い。
ば、6ホウ化ランタンの特長が発揮されず、好ましくな
い。
本発明は従来の技術の有するこのような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的は、量産性に優れた印刷
焼成が可能で、駆動開始電圧が低く、しかも水銀を封入
しなくても、長時間にわたり、駆動電圧あるいは放電維
持電圧が変化しないDCプラズマデイスプレー用陰極形
成材料を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、量産性に優れた印刷
焼成が可能で、駆動開始電圧が低く、しかも水銀を封入
しなくても、長時間にわたり、駆動電圧あるいは放電維
持電圧が変化しないDCプラズマデイスプレー用陰極形
成材料を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明の要旨は、予めアル
ゴンスパッタリングした6ホウ化ランタンの粉末を主成
分とする6ホウ化ランタン含有ペーストにある。
ゴンスパッタリングした6ホウ化ランタンの粉末を主成
分とする6ホウ化ランタン含有ペーストにある。
本発明に用いる6ホウ化ランタン粉末は、酸化ランタン
と酸化ホウ素をカーボンの存在下で反応させるか、酸化
ランタンと炭化ホウ素(B、C)を直接反応させるかの
方法により、工業的に安価に製造できる。6ホウ化ラン
タン粉末の粒径は、厚膜印刷を行うためには、平均粒度
として20μm以下が好ましく、10μm以下が特に好
ましい。
と酸化ホウ素をカーボンの存在下で反応させるか、酸化
ランタンと炭化ホウ素(B、C)を直接反応させるかの
方法により、工業的に安価に製造できる。6ホウ化ラン
タン粉末の粒径は、厚膜印刷を行うためには、平均粒度
として20μm以下が好ましく、10μm以下が特に好
ましい。
6ホウ化ランタンは粉末状態では絶縁性なので、その粉
末をプラズマ加工する方法としては、高周波電源を用い
た高周波スパッタリングを行うのが好ましい。例えば、
高周波スパッタリング装置の陰極に当たる部分にシャー
レを置き、このシャーレの中に6ホウ化ランタンの粉末
を充填して徐々に系内を真空状態にし、10−’〜10
−”To r rの圧力とした後、スパッタリングガス
としてアルゴンガスを封入して系内圧力を1〜10−2
To r rにする。そして、13゜54MHzの高周
波電界を掛けることにより、6ホウ化ランタンの粉末に
アルゴンイオンが衝突する。6ホウ化ランタンの粉末は
スパッタ耐性が強いので分子状でスパッタされることば
ないが、粉末表面のホウ素原子がスパッタされ、粉末表
面におけるホウ素/ランタン比率が減少すると同時にア
ルゴンイオンの6ホウ化ランタン粉末への打ち込み(イ
オンインプランテーシゴン)が行われる。
末をプラズマ加工する方法としては、高周波電源を用い
た高周波スパッタリングを行うのが好ましい。例えば、
高周波スパッタリング装置の陰極に当たる部分にシャー
レを置き、このシャーレの中に6ホウ化ランタンの粉末
を充填して徐々に系内を真空状態にし、10−’〜10
−”To r rの圧力とした後、スパッタリングガス
としてアルゴンガスを封入して系内圧力を1〜10−2
To r rにする。そして、13゜54MHzの高周
波電界を掛けることにより、6ホウ化ランタンの粉末に
アルゴンイオンが衝突する。6ホウ化ランタンの粉末は
スパッタ耐性が強いので分子状でスパッタされることば
ないが、粉末表面のホウ素原子がスパッタされ、粉末表
面におけるホウ素/ランタン比率が減少すると同時にア
ルゴンイオンの6ホウ化ランタン粉末への打ち込み(イ
オンインプランテーシゴン)が行われる。
アルゴンスパッタリングされた6ホウ化ランタン粉末を
用いてペースト状の印刷可能な陰極材料を得る方法とし
ては、上記の表面処理済み6ホウ化ランタン粉末100
重量部に対してガラス粉末(軟化点300〜650°C
のもの)2〜20重量部と有機ビヒクル10〜60重量
部を、適当な混練手段、例えば、3本ロールミルで練り
合わせることによって得ることができるやまた、焼成後
の陰極の導電性をさらに上げようとするときは、アルミ
ニウム金属粉、亜鉛粉などの低融点金属粉末を添加すれ
ばよい。
用いてペースト状の印刷可能な陰極材料を得る方法とし
ては、上記の表面処理済み6ホウ化ランタン粉末100
重量部に対してガラス粉末(軟化点300〜650°C
のもの)2〜20重量部と有機ビヒクル10〜60重量
部を、適当な混練手段、例えば、3本ロールミルで練り
合わせることによって得ることができるやまた、焼成後
の陰極の導電性をさらに上げようとするときは、アルミ
ニウム金属粉、亜鉛粉などの低融点金属粉末を添加すれ
ばよい。
以上のようにして得たペーストをガラス基板上あるいは
ガラス基板上に形成された誘電体上に印刷して陰極を形
成することができる。この場合の焼成条件としては、空
気中あるいは窒素雰囲気中で基板に影響を与えない範囲
の温度、例えば、580〜700 ’Cの温度で焼成す
ることができる。より低抵抗の陰極を得るためには、窒
素雰囲気での焼成が好ましい。
ガラス基板上に形成された誘電体上に印刷して陰極を形
成することができる。この場合の焼成条件としては、空
気中あるいは窒素雰囲気中で基板に影響を与えない範囲
の温度、例えば、580〜700 ’Cの温度で焼成す
ることができる。より低抵抗の陰極を得るためには、窒
素雰囲気での焼成が好ましい。
実際のプラズマデイスプレーの方法としては、例えば、
陽極としてのITO膜を取りつけたガラス板と上記陰極
を取りつけたガラス板とを封着ガラスを用いて封着し、
真空にした後、ネオン、アルゴン等を封入し、別に作製
した駆動回路から電圧を掛けることによりプラズマ発光
を行わしめる。
陽極としてのITO膜を取りつけたガラス板と上記陰極
を取りつけたガラス板とを封着ガラスを用いて封着し、
真空にした後、ネオン、アルゴン等を封入し、別に作製
した駆動回路から電圧を掛けることによりプラズマ発光
を行わしめる。
(作用)
予めアルゴンスパッタリングした6ホウ化ランタンの粉
末を主成分とする6ホウ化ランタン含有ペーストから形
成された陰極を用いてプラズマ発光を行うと、駆動開始
電圧を低くすることができ、しかもスパッタ対策として
ペニングガス中に水銀を封入しなくても、封入したアル
ゴンガスの陰極面への打ち込みが起こることもなく、放
電維持電圧は一定のままで変化しない。
末を主成分とする6ホウ化ランタン含有ペーストから形
成された陰極を用いてプラズマ発光を行うと、駆動開始
電圧を低くすることができ、しかもスパッタ対策として
ペニングガス中に水銀を封入しなくても、封入したアル
ゴンガスの陰極面への打ち込みが起こることもなく、放
電維持電圧は一定のままで変化しない。
(実施例)
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何等限定されるものではない。実験順
序に従って説明する。
れら実施例により何等限定されるものではない。実験順
序に従って説明する。
1)6ホウ化ランタン粉末の表面改質(アルゴンスパッ
タリング) まず、次頁の表1に示すような条件で6ホウ化ランタン
粉末の表面改質を行った。改質後の粉末表面のESCA
による分析からのB/ L a比(重量%)および粉末
表面の色調を表1に併記する。なお、表1および後記す
る表2において、’ L a B b F Jおよび
「L a B 、CJとは、以下のものを示す。
タリング) まず、次頁の表1に示すような条件で6ホウ化ランタン
粉末の表面改質を行った。改質後の粉末表面のESCA
による分析からのB/ L a比(重量%)および粉末
表面の色調を表1に併記する。なお、表1および後記す
る表2において、’ L a B b F Jおよび
「L a B 、CJとは、以下のものを示す。
LaBa −F=日本新金属■製の6ホウ化ランタンで
、平均粒径が2μm のもの LaB、−C=日本新金属株製の6ホウ化ランタンで、
平均粒径が14μ mのもの 2)6ホウ化ランタン含有ペーストの作製および印刷焼
成後の導電性(面積抵抗値)調査表1に記載したような
方法で表面改質した6ホウ化ランタン粉末A−G(実施
例1〜7)および表面改質をしなかった6ホウ化ランタ
ン粉末C比較例1.2)に対して、アルミニウム粉末、
ガラス粉末、有機ビヒクル等を次頁の表2に示すように
配合したものをガラス容器に取り、練り合わせた後、3
本ロールミルで撹拌分散することによりペーストを得た
。このペーストをガラス基板上に印刷して乾燥後、表2
に示す焼成条件で焼威し、その後、面積抵抗値を求めた
。そして、この導体表面のESCAによる分析から、B
/ L aのピーク比(重量%)を求めた。これらの
結果も表2に記載した。なお、表2において、アルミニ
ウム粉は東洋アルミニウム製のものを用い、ガラス粉は
日本電気硝子■製のホウケイ酸ソーダ(GA−12のも
の)で平均粒径が4μmのものを用いた。
、平均粒径が2μm のもの LaB、−C=日本新金属株製の6ホウ化ランタンで、
平均粒径が14μ mのもの 2)6ホウ化ランタン含有ペーストの作製および印刷焼
成後の導電性(面積抵抗値)調査表1に記載したような
方法で表面改質した6ホウ化ランタン粉末A−G(実施
例1〜7)および表面改質をしなかった6ホウ化ランタ
ン粉末C比較例1.2)に対して、アルミニウム粉末、
ガラス粉末、有機ビヒクル等を次頁の表2に示すように
配合したものをガラス容器に取り、練り合わせた後、3
本ロールミルで撹拌分散することによりペーストを得た
。このペーストをガラス基板上に印刷して乾燥後、表2
に示す焼成条件で焼威し、その後、面積抵抗値を求めた
。そして、この導体表面のESCAによる分析から、B
/ L aのピーク比(重量%)を求めた。これらの
結果も表2に記載した。なお、表2において、アルミニ
ウム粉は東洋アルミニウム製のものを用い、ガラス粉は
日本電気硝子■製のホウケイ酸ソーダ(GA−12のも
の)で平均粒径が4μmのものを用いた。
3)6ホウ化ランタンを陰極とするプラズマデイスプレ
ーの放電特性調査 陰極ペーストとして、表2中の実施例1.4.7および
比較例1に係るペーストを用い、8つのセルからなる簡
単なプラズマデイスプレー装置(図示せず)を試作し、
装置内の真空度を10−3To r rとした後ネオン
およびアルゴンを封入し、125μSec幅のパルスを
最初のセルから8番目のセルまで順次1サイクル1 m
m5ecで印加し、1セルあたりの放電電流値500μ
Aでの駆動開始電圧および放電維持電圧を測定した。そ
の結果を以下の表3に示す。
ーの放電特性調査 陰極ペーストとして、表2中の実施例1.4.7および
比較例1に係るペーストを用い、8つのセルからなる簡
単なプラズマデイスプレー装置(図示せず)を試作し、
装置内の真空度を10−3To r rとした後ネオン
およびアルゴンを封入し、125μSec幅のパルスを
最初のセルから8番目のセルまで順次1サイクル1 m
m5ecで印加し、1セルあたりの放電電流値500μ
Aでの駆動開始電圧および放電維持電圧を測定した。そ
の結果を以下の表3に示す。
なお、上記のプラズマデイスプレー装置の1セルあたり
のカソード面積は0.09mz、膜厚は30μmとした
。
のカソード面積は0.09mz、膜厚は30μmとした
。
0表1に明らかなように、電圧印加時間が増えるととも
にホウ素原子がよりスパッタされ、アルゴンスパッタ後
のB / L aの比率が低下している。すなわち、ア
ルゴンイオンの6ホウ化ランタン粉末への打ち込みが進
んでいると考えられる。その結果、アルゴンスパッタ後
の6ホウ化ランタン粉末表面の色調は薄紫色から薄青色
に、次いで銀灰色へと変化している。
にホウ素原子がよりスパッタされ、アルゴンスパッタ後
のB / L aの比率が低下している。すなわち、ア
ルゴンイオンの6ホウ化ランタン粉末への打ち込みが進
んでいると考えられる。その結果、アルゴンスパッタ後
の6ホウ化ランタン粉末表面の色調は薄紫色から薄青色
に、次いで銀灰色へと変化している。
■表2に明らかなように、窒素雰囲気で焼成したものの
面積抵抗値は空気雰囲気で焼成したもののその値に比し
てかなり低く、また、同じ窒素雰囲気で焼成したもので
も、アルミニウム粉末を添加したものの面積抵抗値はさ
らに低くなり、飛躍的に導電性を向上することができる
。
面積抵抗値は空気雰囲気で焼成したもののその値に比し
てかなり低く、また、同じ窒素雰囲気で焼成したもので
も、アルミニウム粉末を添加したものの面積抵抗値はさ
らに低くなり、飛躍的に導電性を向上することができる
。
■表3に明らかなように、本実施例1.4および7に係
るペーストを陰極に用いたプラズマデイスプレーの駆動
開始電圧は1箇月後においてもほとんど上昇せず、放電
維持電圧は変化していない。
るペーストを陰極に用いたプラズマデイスプレーの駆動
開始電圧は1箇月後においてもほとんど上昇せず、放電
維持電圧は変化していない。
しかし、比較例Iに係るペーストを陰極に用いたプラズ
マデイスプレーの駆動開始電圧および放電維持電圧は、
時間経過とともに上昇している。
マデイスプレーの駆動開始電圧および放電維持電圧は、
時間経過とともに上昇している。
(発明の効果)
予めアルゴンスパッタリングした6ホウ化ランタン粉末
を主成分とする6ホウ化ランタン含有ペーストは量産性
に優れた印刷焼成可能な陰極形成材料であり、極めて導
電性に優れ、上記ペーストから形成した陰極をDCプラ
ズマ放電デイスプレーの陰極として用いると、低電圧駆
動が可能で、しかも、水銀を封入しなくても長期間にわ
たり放電維持電圧が変化しない。
を主成分とする6ホウ化ランタン含有ペーストは量産性
に優れた印刷焼成可能な陰極形成材料であり、極めて導
電性に優れ、上記ペーストから形成した陰極をDCプラ
ズマ放電デイスプレーの陰極として用いると、低電圧駆
動が可能で、しかも、水銀を封入しなくても長期間にわ
たり放電維持電圧が変化しない。
Claims (1)
- 予めアルゴンスパッタリングした6ホウ化ランタンの粉
末を主成分とする6ホウ化ランタン含有ペースト
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2029090A JPH03233831A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 6ホウ化ランタン含有ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2029090A JPH03233831A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 6ホウ化ランタン含有ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03233831A true JPH03233831A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12266654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2029090A Pending JPH03233831A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 6ホウ化ランタン含有ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03233831A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013152948A (ja) * | 2013-04-03 | 2013-08-08 | Tohoku Univ | マグネトロン用陰極体の製造方法 |
KR20170094432A (ko) * | 2015-01-13 | 2017-08-17 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 세라믹 기판의 제조 방법, 세라믹 기판 및 은계 도체 재료 |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2029090A patent/JPH03233831A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013152948A (ja) * | 2013-04-03 | 2013-08-08 | Tohoku Univ | マグネトロン用陰極体の製造方法 |
KR20170094432A (ko) * | 2015-01-13 | 2017-08-17 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 세라믹 기판의 제조 방법, 세라믹 기판 및 은계 도체 재료 |
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