JPH09185945A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH09185945A JPH09185945A JP35213295A JP35213295A JPH09185945A JP H09185945 A JPH09185945 A JP H09185945A JP 35213295 A JP35213295 A JP 35213295A JP 35213295 A JP35213295 A JP 35213295A JP H09185945 A JPH09185945 A JP H09185945A
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- display panel
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作特性が安定するとともに、低電圧での駆
動が可能でしかも寿命特性を改善したＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルを提供する。 【解決手段】 基板１上に形成した電極４，５を誘電体
層６で被覆してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘
電体層６上に表面層として酸化マグネシウム膜７を形成
した構造の前面板を有するＡＣ型プラズマディスプレイ
パネルにおいて、酸化マグネシウム層７の表面における
凹凸の大きさを１００Å以下にする。蒸着源と基板との
間に放電場を形成させながら、該放電場の電子温度が
５．０ｅＶ以上でかつ電子密度が３．０×１０11ｃｍ-3
以上からなる条件で成膜するイオンプレーティング法に
より上記の酸化マグネシウム膜が形成される。
動が可能でしかも寿命特性を改善したＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルを提供する。 【解決手段】 基板１上に形成した電極４，５を誘電体
層６で被覆してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘
電体層６上に表面層として酸化マグネシウム膜７を形成
した構造の前面板を有するＡＣ型プラズマディスプレイ
パネルにおいて、酸化マグネシウム層７の表面における
凹凸の大きさを１００Å以下にする。蒸着源と基板との
間に放電場を形成させながら、該放電場の電子温度が
５．０ｅＶ以上でかつ電子密度が３．０×１０11ｃｍ-3
以上からなる条件で成膜するイオンプレーティング法に
より上記の酸化マグネシウム膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自発光形式のフラ
ットディスプレイであるプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくは保護膜として
酸化マグネシウム膜を有するＡＣ型ＰＤＰ及びその製造
方法に関するものである。
ットディスプレイであるプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくは保護膜として
酸化マグネシウム膜を有するＡＣ型ＰＤＰ及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示して
ある。この図は前面板と背面板を離した状態で示したも
ので、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平
行に且つ対向して配設されており、両者は背面板となる
ガラス基板２上に互いに平行に設けられたストライプ状
の障壁３により一定の間隔に保持されるようになってい
る。前面板となるガラス基板１の背面側には透明電極４
と金属電極であるバス電極５とで構成される表示電極が
互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６が形成
されており、さらにその上に保護層として酸化マグネシ
ウム膜７が形成されている。また、背面板となるガラス
基板２の前面側には前記表示電極と直交するように障壁
３の間に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成さ
れており、これを覆って誘電体層９が形成されており、
さらに障壁３の壁面とセル底面を覆うようにして所定発
光色の蛍光体１０が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰ
は面放電型であって、前面板上の表示電極間に交流電圧
を印加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。
この場合、交流をかけているために電界の向きは交流周
期に対応して変化する。そしてこの放電により生じる紫
外線により蛍光体１０を発光させ、前面板を透過する光
を観察者が視認するようになっている。
ある。この図は前面板と背面板を離した状態で示したも
ので、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平
行に且つ対向して配設されており、両者は背面板となる
ガラス基板２上に互いに平行に設けられたストライプ状
の障壁３により一定の間隔に保持されるようになってい
る。前面板となるガラス基板１の背面側には透明電極４
と金属電極であるバス電極５とで構成される表示電極が
互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６が形成
されており、さらにその上に保護層として酸化マグネシ
ウム膜７が形成されている。また、背面板となるガラス
基板２の前面側には前記表示電極と直交するように障壁
３の間に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成さ
れており、これを覆って誘電体層９が形成されており、
さらに障壁３の壁面とセル底面を覆うようにして所定発
光色の蛍光体１０が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰ
は面放電型であって、前面板上の表示電極間に交流電圧
を印加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。
この場合、交流をかけているために電界の向きは交流周
期に対応して変化する。そしてこの放電により生じる紫
外線により蛍光体１０を発光させ、前面板を透過する光
を観察者が視認するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般にＡＣ型ＰＤＰに
おいては、ガラス基板上に形成した電極をガス放電空間
から絶縁するための誘電体層の表面に、該誘電体層をイ
オン衝撃から保護するとともにガスに接する表面の２次
電子放射特性を改善して動作電圧を低くするために上記
したように酸化マグネシウム膜の保護層を設けるのが普
通である。そして、このような酸化マグネシウム膜の保
護層は、低融点ガラスの厚膜誘電体層を用いた従来のパ
ネルにおいてはもちろん、最近の薄膜技術で形成した電
極や誘電体層を有する高密度表示パネルにおいても採用
が必須とされている。
おいては、ガラス基板上に形成した電極をガス放電空間
から絶縁するための誘電体層の表面に、該誘電体層をイ
オン衝撃から保護するとともにガスに接する表面の２次
電子放射特性を改善して動作電圧を低くするために上記
したように酸化マグネシウム膜の保護層を設けるのが普
通である。そして、このような酸化マグネシウム膜の保
護層は、低融点ガラスの厚膜誘電体層を用いた従来のパ
ネルにおいてはもちろん、最近の薄膜技術で形成した電
極や誘電体層を有する高密度表示パネルにおいても採用
が必須とされている。
【０００４】上記した酸化マグネシウム膜は、通常酸化
マグネシウムを蒸着材料に使用してＥＢ蒸着法により形
成されており、このような蒸着薄膜法によって酸化マグ
ネシウム膜を構成したＡＣ型ＰＤＰでは、動作電圧特性
が高く、しかも不安定であり、また加速ライフ試験によ
って動作マージンが減少し、放電パネルの寿命が短くな
る傾向を生じていた。
マグネシウムを蒸着材料に使用してＥＢ蒸着法により形
成されており、このような蒸着薄膜法によって酸化マグ
ネシウム膜を構成したＡＣ型ＰＤＰでは、動作電圧特性
が高く、しかも不安定であり、また加速ライフ試験によ
って動作マージンが減少し、放電パネルの寿命が短くな
る傾向を生じていた。
【０００５】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、動作特性
が安定するとともに、低電圧での駆動が可能でしかも寿
命特性を改善したＡＣ型ＰＤＰ及びその製造方法を提供
することにある。
されたものであり、その目的とするところは、動作特性
が安定するとともに、低電圧での駆動が可能でしかも寿
命特性を改善したＡＣ型ＰＤＰ及びその製造方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に形成した電極を誘電体層で被
覆してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘電体層上
に表面層として酸化マグネシウム膜を形成した構造の前
面板を有するＡＣ型ＰＤＰにおいて、前記酸化マグネシ
ウム膜の表面における凹凸の大きさを１００Å以下にし
たことを特徴とするものである。別の観点で言えば、前
記酸化マグネシウム膜がマグネシウム酸化物の結晶粒を
有し、その結晶粒のＸ線回折法による（２２０）面のピ
ーク強度Ｉ1 と他の（１１１）面、（２００）面及び
（３１１）面の各ピーク強度の総和Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ
2 が１以上であることを特徴とするものである。
めに、本発明は、基板上に形成した電極を誘電体層で被
覆してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘電体層上
に表面層として酸化マグネシウム膜を形成した構造の前
面板を有するＡＣ型ＰＤＰにおいて、前記酸化マグネシ
ウム膜の表面における凹凸の大きさを１００Å以下にし
たことを特徴とするものである。別の観点で言えば、前
記酸化マグネシウム膜がマグネシウム酸化物の結晶粒を
有し、その結晶粒のＸ線回折法による（２２０）面のピ
ーク強度Ｉ1 と他の（１１１）面、（２００）面及び
（３１１）面の各ピーク強度の総和Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ
2 が１以上であることを特徴とするものである。
【０００７】上記構成のＡＣ型ＰＤＰは、蒸着源と基板
との間に放電場を形成させながら、該放電場の電子温度
が５．０ｅＶ以上でかつ電子密度が３．０×１０11ｃｍ
-3以上からなる条件で成膜するイオンプレーティング法
により、前記誘電体層上に前記酸化マグネシウム膜を形
成することで製造される。ここで、イオンプレーティン
グ法は、不活性ガスであるＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅと場
合によっては酸素ガスの少なくとも１種類からなるガス
を導入し、該ガスをイオン化させ、蒸着空間中にプラズ
マを発生させながら、蒸着源である酸化マグネシウムを
蒸発させる方法である。
との間に放電場を形成させながら、該放電場の電子温度
が５．０ｅＶ以上でかつ電子密度が３．０×１０11ｃｍ
-3以上からなる条件で成膜するイオンプレーティング法
により、前記誘電体層上に前記酸化マグネシウム膜を形
成することで製造される。ここで、イオンプレーティン
グ法は、不活性ガスであるＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅと場
合によっては酸素ガスの少なくとも１種類からなるガス
を導入し、該ガスをイオン化させ、蒸着空間中にプラズ
マを発生させながら、蒸着源である酸化マグネシウムを
蒸発させる方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】この実施形態では、簡易的に酸化
マグネシウム膜の特性を評価するために、図２及び図３
に示す電極パターンの評価用前面板を使用する。図２は
電極パターンの全体図、図３はその一部拡大図であり、
それぞれ寸法を入れて実寸が分かるようにしている。
マグネシウム膜の特性を評価するために、図２及び図３
に示す電極パターンの評価用前面板を使用する。図２は
電極パターンの全体図、図３はその一部拡大図であり、
それぞれ寸法を入れて実寸が分かるようにしている。
【０００９】評価用前面板を作製するに際して、まず
０．０５ｍｍのギャップのある一対構成の表示電極（幅
０．５ｍｍの電極Ｘ１、幅０．５ｍｍの電極Ｘ２）を１
ｍｍ間隔で１９本形成してなるガラス基板を準備した。
なお、図３の斜線部でその一つを示す両端部分は、リー
ド部をベタに繋ぐための取出し電極であり、電極パター
ンとは直接関係はない。そして、取出し電極部を除いて
表示電極を覆うように誘電体層を所定の厚みで形成し
た。さらに保護層を被着すべき部分以外をマスクした状
態で、ホロカソード型イオンプレーティング装置によっ
て酸化マグネシウム膜を形成した。具体的な成膜条件は
次のようである。すなわち、蒸着材料として高純度化学
研究所製の溶融型酸化マグネシウムを使用し、Ａｒを導
入ガスとして成膜時の圧力が６．０×１０-4Ｔｏｒｒに
なるように調整した。また、基板温度は室温〜３００℃
である。そして、放電電流を６５〜１０８アンペアに調
整しながら、成膜レートを５〜２６Å／ｓｅｃとした。
形成する酸化マグネシウム膜の膜厚は５０００Åに設定
した。
０．０５ｍｍのギャップのある一対構成の表示電極（幅
０．５ｍｍの電極Ｘ１、幅０．５ｍｍの電極Ｘ２）を１
ｍｍ間隔で１９本形成してなるガラス基板を準備した。
なお、図３の斜線部でその一つを示す両端部分は、リー
ド部をベタに繋ぐための取出し電極であり、電極パター
ンとは直接関係はない。そして、取出し電極部を除いて
表示電極を覆うように誘電体層を所定の厚みで形成し
た。さらに保護層を被着すべき部分以外をマスクした状
態で、ホロカソード型イオンプレーティング装置によっ
て酸化マグネシウム膜を形成した。具体的な成膜条件は
次のようである。すなわち、蒸着材料として高純度化学
研究所製の溶融型酸化マグネシウムを使用し、Ａｒを導
入ガスとして成膜時の圧力が６．０×１０-4Ｔｏｒｒに
なるように調整した。また、基板温度は室温〜３００℃
である。そして、放電電流を６５〜１０８アンペアに調
整しながら、成膜レートを５〜２６Å／ｓｅｃとした。
形成する酸化マグネシウム膜の膜厚は５０００Åに設定
した。
【００１０】上記の成膜装置では、その放電場の電子温
度が５．０ｅＶ以上でかつ電子密度が３．０×１０11ｃ
ｍ-3以上の条件で成膜が行われた。そして、形成された
酸化マグネシウム膜の表面における凹凸の大きさは１０
０Å以下であった。
度が５．０ｅＶ以上でかつ電子密度が３．０×１０11ｃ
ｍ-3以上の条件で成膜が行われた。そして、形成された
酸化マグネシウム膜の表面における凹凸の大きさは１０
０Å以下であった。
【００１１】ここで、従来の蒸着装置（ＥＢ蒸着）によ
り誘電体上に成膜した酸化マグネシウム膜と上記で成膜
した酸化マグネシウム膜を構成するそれぞれのマグネシ
ウム酸化物の結晶粒について、Ｘ線回折装置により計測
したチャートを図４及び図５に示す。この測定条件は次
のようである。管球：Ｃｕ、管電圧：６０ｋＶ、管電
流：３００ｍＡ、ゴニオメータ：広角ゴニオメータ、サ
ンプリング角度：０．０２０°、スキャンスピード：
４．００°／ｍｉｎ、走査軸：２θ／θ、モノクロメー
タ：使用、モノクロ受光スリット：０．８０ｍｍ、発散
スリット：１°、散乱スリット１°、受光スリット０．
３０ｍｍ。これらのチャートにおけるバックグラウンド
を０としてピーク強度を単に長さ（ｍｍ）で測定した結
果と、その数値から（２２０）面のピーク強度Ｉ1 と他
の（１１１）面、（２００）面及び（３１１）面の各ピ
ーク強度の総和Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 を計算した結果を
表１に示す。ＥＢ蒸着による酸化マグネシウム膜ではそ
の値が０．３となり、本発明の酸化マグネシウム膜では
その値が３．８となった。
り誘電体上に成膜した酸化マグネシウム膜と上記で成膜
した酸化マグネシウム膜を構成するそれぞれのマグネシ
ウム酸化物の結晶粒について、Ｘ線回折装置により計測
したチャートを図４及び図５に示す。この測定条件は次
のようである。管球：Ｃｕ、管電圧：６０ｋＶ、管電
流：３００ｍＡ、ゴニオメータ：広角ゴニオメータ、サ
ンプリング角度：０．０２０°、スキャンスピード：
４．００°／ｍｉｎ、走査軸：２θ／θ、モノクロメー
タ：使用、モノクロ受光スリット：０．８０ｍｍ、発散
スリット：１°、散乱スリット１°、受光スリット０．
３０ｍｍ。これらのチャートにおけるバックグラウンド
を０としてピーク強度を単に長さ（ｍｍ）で測定した結
果と、その数値から（２２０）面のピーク強度Ｉ1 と他
の（１１１）面、（２００）面及び（３１１）面の各ピ
ーク強度の総和Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 を計算した結果を
表１に示す。ＥＢ蒸着による酸化マグネシウム膜ではそ
の値が０．３となり、本発明の酸化マグネシウム膜では
その値が３．８となった。
【００１２】
【表１】
【００１３】また、従来の蒸着装置（ＥＢ蒸着）により
形成した酸化マグネシウム膜と本発明での酸化マグネシ
ウム膜を撮影した走査型電子顕微鏡写真（加速電圧５ｋ
ｖ、５０倍）をそれぞれ図６及び図７に示す。これらの
写真から分かるように、従来のＥＢ蒸着による酸化マグ
ネシウム膜は、表面における凹凸の大きさが１００Åを
超えており表面が非常に荒れているのに対し、本発明で
の酸化マグネシウム膜は非常に平坦である。
形成した酸化マグネシウム膜と本発明での酸化マグネシ
ウム膜を撮影した走査型電子顕微鏡写真（加速電圧５ｋ
ｖ、５０倍）をそれぞれ図６及び図７に示す。これらの
写真から分かるように、従来のＥＢ蒸着による酸化マグ
ネシウム膜は、表面における凹凸の大きさが１００Åを
超えており表面が非常に荒れているのに対し、本発明で
の酸化マグネシウム膜は非常に平坦である。
【００１４】上述のようにして評価用前面板を作製し、
真空放電評価装置にて動作特性評価を行った。評価方法
としては、まず評価用前面板を真空放電評価装置に挿入
し、１×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで減圧する。次いで減圧
状態のまま、５℃／ｍｉｎの昇温速度で３５０℃に昇温
し、２時間保持するような活性化処理を行う。次に自然
冷却により８０℃まで降温させてから、Ａｒ＝０．５
％、Ｎｅ＝９５．５％からなる混合ガスを５００Ｔｏｒ
ｒまで導入する。その後、前面側のガラス基板に設けら
れている表示電極間に交流電圧を加えて放電状態を観察
する。具体的には、電圧を徐々に増加させて行き放電が
開始した電圧をＶｍａｘとし、次に電圧を徐々に減少さ
せて行き０．５ｍｍのギャップ保った一対の電極間の放
電が１本でも途切れる電圧をＶｍｉｎとする。さらに電
圧を下げて行き、すべての電極間の放電が消える電圧を
Ｖｄｅｌとする。従来の蒸着装置（ＥＢ蒸着）により成
膜した酸化マグネシウム膜を有する前面板と本発明の酸
化マグネシウム膜を有する前面板とを比較したものを表
２に示す。
真空放電評価装置にて動作特性評価を行った。評価方法
としては、まず評価用前面板を真空放電評価装置に挿入
し、１×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで減圧する。次いで減圧
状態のまま、５℃／ｍｉｎの昇温速度で３５０℃に昇温
し、２時間保持するような活性化処理を行う。次に自然
冷却により８０℃まで降温させてから、Ａｒ＝０．５
％、Ｎｅ＝９５．５％からなる混合ガスを５００Ｔｏｒ
ｒまで導入する。その後、前面側のガラス基板に設けら
れている表示電極間に交流電圧を加えて放電状態を観察
する。具体的には、電圧を徐々に増加させて行き放電が
開始した電圧をＶｍａｘとし、次に電圧を徐々に減少さ
せて行き０．５ｍｍのギャップ保った一対の電極間の放
電が１本でも途切れる電圧をＶｍｉｎとする。さらに電
圧を下げて行き、すべての電極間の放電が消える電圧を
Ｖｄｅｌとする。従来の蒸着装置（ＥＢ蒸着）により成
膜した酸化マグネシウム膜を有する前面板と本発明の酸
化マグネシウム膜を有する前面板とを比較したものを表
２に示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】この表２を見れば、動作電圧の最大値Ｖｍ
ａｘと最小値Ｖｍｉｎとの差で定まる動作マージンは、
従来の膜のものが１０Ｖであるのに対して、本発明の膜
のものでは１９Ｖと広くなっており優れていることがわ
かる。また、動作電圧に関しては、Ｖｍｉｎの値が低い
程、ＡＣ型ＰＤＰの低消費電力化さらには駆動方法や駆
動回路設計の自由度を高めることができる。その意味
で、Ｖｍｉｎは従来の膜のものと比較して１４Ｖも低減
できている。
ａｘと最小値Ｖｍｉｎとの差で定まる動作マージンは、
従来の膜のものが１０Ｖであるのに対して、本発明の膜
のものでは１９Ｖと広くなっており優れていることがわ
かる。また、動作電圧に関しては、Ｖｍｉｎの値が低い
程、ＡＣ型ＰＤＰの低消費電力化さらには駆動方法や駆
動回路設計の自由度を高めることができる。その意味
で、Ｖｍｉｎは従来の膜のものと比較して１４Ｖも低減
できている。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、従来のものに比べて動作電圧の安定性、低電圧
駆動化が可能となり、寿命特性に関しても飛躍的な改善
がなされるという顕著な効果を奏する。
ＤＰは、従来のものに比べて動作電圧の安定性、低電圧
駆動化が可能となり、寿命特性に関しても飛躍的な改善
がなされるという顕著な効果を奏する。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構造図であ
る。
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構造図であ
る。
【図２】評価用前面板に設ける電極パターンを示す全体
図である。
図である。
【図３】図２の電極パターンの一部拡大図である。
【図４】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで用
いている酸化マグネシウム膜の結晶粒をＸ線回折装置に
より計測した結果を示すチャートである。
いている酸化マグネシウム膜の結晶粒をＸ線回折装置に
より計測した結果を示すチャートである。
【図５】本発明のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで
用いた酸化マグネシウム膜の結晶粒をＸ線回折装置によ
り計測した結果を示すチャートである。
用いた酸化マグネシウム膜の結晶粒をＸ線回折装置によ
り計測した結果を示すチャートである。
【図６】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで用
いている酸化マグネシウム膜表面の金属組織を示す写真
である。
いている酸化マグネシウム膜表面の金属組織を示す写真
である。
【図７】本発明のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで
用いた酸化マグネシウム膜表面の金属組織を示す写真で
ある。
用いた酸化マグネシウム膜表面の金属組織を示す写真で
ある。
１，２ ガラス基板 ３ 障壁 ４ 透明電極 ５ バス電極 ６ 誘電体層 ７ 酸化マグネシウム膜 ８ アドレス電極 ９ 誘電体層 １０ 蛍光体 Ｘ１，Ｘ２ 電極
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成した電極を誘電体層で被覆
してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘電体層上に
表面層として酸化マグネシウム膜を形成した構造の前面
板を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおい
て、前記酸化マグネシウム膜の表面における凹凸の大き
さを１００Å以下にしたことを特徴とするＡＣ型プラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項２】 基板上に形成した電極を誘電体層で被覆
してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘電体層上に
表面層として酸化マグネシウム膜を形成した構造の前面
板を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおい
て、前記酸化マグネシウム膜がマグネシウム酸化物の結
晶粒を有し、その結晶粒のＸ線回折法による（２２０）
面のピーク強度Ｉ1 と他の（１１１）面、（２００）面
及び（３１１）面の各ピーク強度の総和Ｉ2 との比Ｉ1
／Ｉ2 が１以上であることを特徴とするＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項３】 基板上に形成した電極を誘電体層で被覆
してガス放電空間から絶縁し、さらにこの誘電体層上に
表面層として酸化マグネシウム膜を形成した構造の前面
板を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルの製造方
法において、蒸着源と基板との間に放電場を形成させな
がら、該放電場の電子温度が５．０ｅＶ以上でかつ電子
密度が３．０×１０11ｃｍ-3以上からなる条件で成膜す
るイオンプレーティング法により、前記誘電体層上に前
記酸化マグネシウム膜を成膜することを特徴とするＡＣ
型プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 表面における凹凸の大きさが１００Å以
下である酸化マグネシウム膜を成膜するようにした請求
項３に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの製造
方法。 - 【請求項５】 Ｘ線回折法による（２２０）面のピーク
強度Ｉ1 と他の（１１１）面、（２００）面及び（３１
１）面の各ピーク強度の総和Ｉ2 との比Ｉ1／Ｉ2 が１
以上である酸化マグネシウムの結晶粒からなる酸化マグ
ネシウム膜を成膜するようにした請求項３に記載のＡＣ
型プラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35213295A JP3555711B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35213295A JP3555711B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185945A true JPH09185945A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3555711B2 JP3555711B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=18421995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35213295A Expired - Lifetime JP3555711B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3555711B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744201B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma information display element and method for producing the same |
| JP2007165123A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| WO2007108116A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2007139184A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| CN100370573C (zh) * | 2004-05-25 | 2008-02-20 | 三星Sdi株式会社 | 等离子显示面板和制造等离子显示面板的方法 |
| US20100079417A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Tatsuhiko Kawasaki | Plasma display panel and method of manufacturing the same and plasma display device using the plasma display panel |
| US7816868B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-10-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel with magnesium oxide film having an oxygen deficiency |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP35213295A patent/JP3555711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744201B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma information display element and method for producing the same |
| CN100370573C (zh) * | 2004-05-25 | 2008-02-20 | 三星Sdi株式会社 | 等离子显示面板和制造等离子显示面板的方法 |
| JP2007165123A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| WO2007108116A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2008181903A (ja) * | 2006-05-31 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| WO2007139183A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| WO2007139184A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| US8089211B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-01-03 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
| US8183775B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
| US7816868B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-10-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel with magnesium oxide film having an oxygen deficiency |
| US20100079417A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Tatsuhiko Kawasaki | Plasma display panel and method of manufacturing the same and plasma display device using the plasma display panel |
| JP2010080300A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびにこれを用いたプラズマディスプレイ装置 |
| JP4637941B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2011-02-23 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびこれを用いたプラズマディスプレイ装置 |
| US8405312B2 (en) | 2008-09-26 | 2013-03-26 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same and plasma display device using the plasma display panel |
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