JP2003229056A - 構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スペーサの電極を高精度かつ容易に形成する
ことができる構造支持体の製造方法を提供する。 【解決手段】 表裏の基板面の所定の方向における断面
形状が凸形状であるスペーサ基板１０２０ａの、上記表
裏の基板面のそれぞれに、その基板面と垂直な方向から
高抵抗膜１０２０ｂを成膜する工程と、該工程により高
抵抗膜１０２０ｂが形成された少なくとも１つのスペー
サ基板１０２０ａを、所定の大きさの電極形成用ブロッ
ク１０５０で基板面を両側から挟むようにして固定する
とともに、これらスペーサ基板１０２０ａおよび電極形
成用ブロック１０５０の一方の端部をそれぞれ基準ブロ
ック１０５２の基準面に当接して、スペーサ基板１０２
０ａのもう一方の端部の電極形成面１０５１に、該形成
面に垂直な方向から低抵抗膜１０２０ｃを成膜する工程
とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、外部から電子が入
射することにより表面の少なくとも一部が帯電する構造
支持体（スペーサ）の製造方法および構造、さらにはそ
のような構造支持体を備える電子線装置（例えば画像表
示装置）に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子として、たとえば表面伝導型放出素子、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）、金属／絶縁層／金属型放
出素子（以下ＭＩＭ型と記す）などが知られている。

【０００３】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、たとえば、［Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉ
ｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐ
ｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６５）］に記載され
ている、ＳｎＯ₂薄膜を用いたものが知られている。こ
の他、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔ
ｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，９，３１７（１９
７２）］、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈ
ａｒｔｗｅｌｌａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１
９７５）］、カ−ボン薄膜によるもの［荒木久他：真
空、第２６巻、第１号、２２（１９８３）］等が報告さ
れている。

【０００４】上記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。

【０００５】図１４は平面型の画像表示装置をなす表示
パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すた
めにパネルの一部を切り欠いて示している。図１４中、
３１１５はリアプレート、３１１６は側壁、３１１７は
フェースプレートであり、これらリアプレート３１１
５、側壁３１１６およびフュースプレート３１１７によ
り、表示パネルの内部を真空に維持するための外囲器
（気密容器）を形成している。

【０００６】リアプレート３１１５には基板３１１１が
固定されており、この基板３１１１上には冷陰極素子３
１１２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。ここで、Ｎ、Ｍは
２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じ
て適宜設定される。Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子３１１２は、
図１４に示すとおり、Ｍ本の行方向配線３１１３とＮ本
の列方向配線３１１４により配線されている。これら行
方向配線３１１３と列方向配線３１１４の少なくとも交
差する部分には、両配線間に絶縁層(不図示)が形成され
ており、電気的な絶縁が保たれている。これら基板３１
１１、冷陰極素子３１１２、行方向配線３１１３および
列方向配線３１１４によって構成される部分をマルチ電
子ビーム源と呼ぶ。

【０００７】フェースプレート３１１７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜３１１８が形成されており、表示画
素に対応して赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の
蛍光体（不図示）が塗り分けられている。蛍光膜３１１
８の各色蛍光体の間には黒色体（不図示）が設けてお
り、さらに蛍光膜３１１８のリアプレート３１１５側の
面には、Ａｌ等からなるメタルバック３１１９が形成さ
れている。

【０００８】Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙｎおよ
びＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方
向配線３１１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム
源の列方向配線３１１４と、Ｈｖはメタルバック３１１
９と各々電気的に接続されている。

【０００９】上記気密容器の内部は１．３３×１０^-4Ｐ
ａ程度の真空に保持されており、画像表示装置の表示面
積を大きくとる場合、気密容器内部と外部の気圧差によ
るリアプレート３１１５およびフェースプレート３１１
７の変形あるいは破壊を防止するための何らかの手段が
必要となる。リアプレート３１１５およびフェースプレ
ート３１１６を厚くすることでそのような変形および破
壊を防止することは可能であるが、この場合は、画像表
示装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見
たときに画像のゆがみや視差が生じる。そこで、図１４
に示した例では、比較的薄いガラス板からなる、大気圧
を支えるための構造支持体（スペーサあるいはリブと呼
ばれる）３１２０が設けられている。この構造支持体３
１２０を設けたことにより、マルチビーム電子源が形成
された基板３１１１と蛍光膜３１１８が形成されたフェ
ースプレート３１１６の間を、通常サブミリ〜数ミリに
保つことができ、かつ、気密容器内部を高真空に保持す
ることができる。

【００１０】上記のような構造支持体（以下、スペーサ
と記す。）を備える場合、スペーサは、リアプレートと
フェースプレートの間を飛翔する電子の軌道に大きく影
響してはならない。電子軌道に影響を与える原因の１つ
に、スペーサの帯電がある。スペーサの帯電は、電子源
から放出した電子の一部あるいはフェースプレートで反
射した電子がスペーサに入射し、スペーサから二次電子
が放出されることにより、あるいは電子の衝突により電
離したイオンが表面に付着することによるものと考えら
れる。例えばスペーサが正帯電すると、スペーサ近傍を
飛翔する電子がスペーサに引き寄せられるため、スペー
サ近傍で表示画像に歪みを生ずる。このようなスペーサ
の帯電の影響は、リアプレートとフェースプレートの間
隔が大きくなるに従いより顕著に現れる。

【００１１】一般に、帯電を抑制する手法として、帯電
面に導電性を付与して、若干の電流を流すことで電荷を
除去することが行なわれる。この手法をスペーサに応用
したものとして、スペーサ表面を酸化スズで被覆する手
法が特開昭57-118355号公報に開示されている。また、
特開平3-49135号公報には、スペーサ表面をＰｄＯ系ガ
ラス材で被覆する手法が開示されている。

【００１２】上記手法を適用する場合、スペーサとフェ
ースプレートおよびリアプレートとの当接面にそれぞれ
電極を形成し、上記被覆材に均一に電場を印加すること
により、接続不良や電流集中によるスペーサの破壊を防
ぐことができる。その一例を図１５に示す。

【００１３】図１５において、２０１７はフェースプレ
ート、２０１８は蛍光膜、２０１９はメタルバック、２
０１５はリアプレート、２０１１は基板であり、これら
は前述の図１４に示したものと同様のものである。２０
２０ａはスペーサであって、フェースプレート２０１７
とリアプレート２０１５の間に配置されている。スペー
サ２０２０ａは、その表面が高抵抗膜２０２０ｂによっ
て被覆されており、フェースプレート側当接面９０１お
よびリアプレート側当接面９０２のそれぞれの部分にス
ペーサ電極２０２０ｃが形成されている。スペーサ電極
２０２０ｃは通常、スパッタ等の方法を用いて形成され
る。

【００１４】電極の形成方法の一例を簡単に紹介する。
まず、電極形成の対象であるスペーサ基板を台の上に設
置し、その基板上に必要な電極サイズのネガマスクを載
置する。このマスク載置にあたっては、マスクとスペー
サ基板の高精度な位置合わせが行われる。次いで、全面
に所定の電極材料よりなる膜を例えばスパッタリングな
どにより成膜した後、マスクを除去することで、スペー
サ基板の端部に電極膜を形成する。最後に、スペーサ基
板の基板面（電極膜の一部を含む）の全体に高抵抗膜を
形成する。このようにして、上記のようなスペーサ２０
２０ａを得る。

【００１５】次に、上述したような表示パネルを備える
画像表示装置の表示動作を、図１４を参照して簡単に説
明する。

【００１６】容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜Ｄｙ
ｎを通じて各冷陰極素子３１１２に電圧を印加すると、
各冷陰極素子３１１２から電子が放出される。これと同
時に、メタルバック３１１９に容器外端子Ｈｖを通じて
数百［Ｖ］〜数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記放出さ
れた電子を加速し、フェースプレート３１１７の内面に
衝突させる。これにより、蛍光膜３１１８をなす各色の
蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従来例で示したよう
に、スペーサの表面に高抵抗膜を形成して正帯電を中和
することにより、スペーサの帯電を緩和し、スペーサ近
傍を飛翔する電子がスペーサに引き寄せられるのを防ぐ
ことが可能である。また、上述したようにスペーサの、
フェースプレートおよびリアプレートとの当接面に、そ
れぞれ電極を形成することにより上記被覆材に均一に電
場を印加することができ、これにより、接続不良や電流
集中によるスペーサの破壊を防ぐことができる。

【００１８】しかしながら、ネガマスクを用いた従来の
スペーサ電極形成手法においては、以下のような問題が
ある。

【００１９】ネガマスクをスペーサ基板上に載置してス
パッタリングにより電極膜を形成する場合、どうしても
マスクと基板の間に隙間が生じるため、その隙間からマ
スクすべき部分へ回り込みが生じ、スペーサの電極膜が
帯電面にはみ出すことがある。スペーサの電極膜が帯電
面にはみ出すと、スペーサの帯電が電子軌道に影響を及
ぼし、電子ビームを所望の位置に到達させることができ
なくなる。その結果、スペーサ近傍で表示画像に歪みを
生じてしまい、高品位の画像形成が困難になる。

【００２０】本発明の目的は、上記不都合を解消し、構
造支持体（スペーサ）の電極を高精度かつ容易に形成す
ることができる、安価な構造支持体（スペーサ）および
その製造方法を提供することにある。

【００２１】本発明のさらなる目的は、そのような製造
方法により作製された構造支持体（スペーサ）を備える
電子線装置を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の構造支持体の製造方法は、少なくと
も１つの基板面の所定の方向における断面形状が凸形状
である板状基板の、前記基板面の全面に、該基板面に垂
直な方向から所定の抵抗を有する高抵抗膜を成膜する第
１の工程と、前記高抵抗膜が形成された基板面の前記凸
形状をなす凸部の上面を、該上面より大きなマスク部材
で覆い、前記板状基板の所定の端部に、所定の方向から
前記高抵抗膜より抵抗の低い低抵抗膜を成膜する第２の
工程とを含むことを特徴とする。

【００２３】上記の場合、第１の工程は、表裏の基板面
の所定の方向における断面形状が凸形状である板状基板
の、前記表裏の基板面のそれぞれに、その基板面と垂直
な方向から高抵抗膜を成膜する工程であり、第２の工程
は、前記第１の工程で高抵抗膜が形成された少なくとも
１つの板状基板を、マスク部材である所定の大きさの電
極形成用ブロックで前記表裏の基板面を両側から挟むよ
うにして固定するとともに、これら板状基板および電極
形成用ブロックの一方の端部をそれぞれ基準ブロックの
基準面に当接し、前記板状基板のもう一方の端部に、該
端部の端面に垂直な方向から低抵抗膜を成膜する工程で
あってもよい。

【００２４】本発明の第２の構造支持体の製造方法は、
少なくとも１つの基板面の所定の方向における断面形状
が凸形状である板状基板の、前記凸形状をなす凸部の上
面を、該上面より大きなマスク部材で覆い、前記板状基
板の所定の端部に、所定の方向から所定の抵抗の有する
低抵抗膜を成膜することを特徴とする。

【００２５】上記の場合、少なくとも１つの板状基板
を、マスク部材である所定の大きさの電極形成用ブロッ
クで表裏の基板面を両側から挟むようにして固定すると
ともに、これら板状基板および電極形成用ブロックの一
方の端部をそれぞれ基準ブロックの基準面に当接し、前
記板状基板のもう一方の端部に、該端部の端面に垂直な
方向から低抵抗膜を成膜する工程を含むことを特徴とす
る。

【００２６】上記のとおりの本発明の第１および第２の
構造支持体の製造方法においては、基板面の凸部の上面
をその上面より大きなマスク部材で覆い、所定の方向か
ら低抵抗膜を成膜する。マスク部材は凸部の上面の端か
らある程度突き出した状態となっているので、例えば凸
部の上面に垂直な方向から低抵抗膜をスパッタリングな
どの真空成膜により成膜した場合、凸部の段差部では、
マスク部材が凸部の上面の端から突き出していること
で、マスクした面（凸部の上面）への回り込みが抑制さ
れる。したがって、本発明によれば、低抵抗膜は、基板
面の凸部の上面を除く部分に形成され、凸部の上面には
み出して形成されることはない。このようにして形成さ
れた構造支持体の実際の電位規定は、凸部の段差部分に
おいてなされることから、その段差を精度良く形成する
ことで、スペーサ電極を高精度に形成することが可能で
ある。

【００２７】本発明における段差の形成精度は、前述の
課題で説明したマスクを用いる場合の形成精度より高
い。例えば、断面形状が目的とする構造支持体の断面形
状に相似な母材を所定の速度で加熱延伸することで、上
記のような段差を形成することができ、その形成精度
は、マスクを用いる場合の形成精度より高い。

【００２８】上述した本発明の第２の構造支持体の製造
方法においては、一度に複数の板状基板への電極形成が
可能である。よって、一度に一枚の板状基板への電極形
成しか行うことのできない従来の手法と比べて、その製
造コストは格段に低くなる。

【００２９】また、本発明の第２の構造支持体の製造方
法によれば、マスク部材である電極形成用ブロックおよ
び板状基板の位置合わせは、これらブロックおよび板状
基板の一方の端部を基準ブロックの基準面に当接させる
だけでよく、従来のようなマスクと基板との高精度な位
置合わせは必要ない。

【００３０】本発明の第１の構造支持体は、少なくとも
１つの基板面の所定の方向における断面形状が凸形状で
ある板状基板を有し、該板状基板は、前記凸形状をなす
凸部の上面を除く部分に所定の抵抗を有する低抵抗膜が
形成されていることを特徴とする。

【００３１】本発明の第２の構造支持体は、少なくとも
１つの基板面の所定の方向における断面形状が凸形状で
ある板状基板を有し、該板状基板は、前記基板面の全面
に所定の抵抗を有する高抵抗膜が形成され、該高抵抗膜
が形成された面のうちの前記凸形状をなす凸部の上面を
除く部分、および前記板状基板の所定の端部に、前記高
抵抗膜より抵抗の低い低抵抗膜が形成されていることを
特徴とする。

【００３２】本発明の第１の電子線装置は、複数の電子
放出素子が形成された第１の基板と、前記第１の基板と
対向して配置された第２の基板と、前記第１および第２
の基板を所定の間隔で支持する構造支持体とを有し、前
記構造支持体は、少なくとも１つの基板面の所定の方向
における断面形状が凸形状である板状基板を有し、該板
状基板は、前記凸形状をなす凸部の上面を除く部分に所
定の抵抗を有する低抵抗膜が形成されていることを特徴
とする。

【００３３】本発明の第２の電子線装置は、複数の電子
放出素子が形成された第１の基板と、前記第１の基板と
対向して配置された第２の基板と、前記第１および第２
の基板を所定の間隔で支持する構造支持体とを有し、前
記構造支持体は、少なくとも１つの基板面の所定の方向
における断面形状が凸形状である板状基板を有し、該板
状基板は、前記基板面の全面に所定の抵抗を有する高抵
抗膜が形成され、該高抵抗膜が形成された面のうちの前
記凸形状をなす凸部の上面を除く部分、および前記板状
基板の所定の端部に、前記高抵抗膜より抵抗の低い低抵
抗膜が形成されていることを特徴とする。

【００３４】上記の構造支持体および電子線装置におい
ても、上述の本発明の構造支持体の製造方法における作
用を奏することから、低抵抗膜が帯電面にはみ出すこと
がなく、帯電による電子軌道への影響を抑止することが
可能である。

【００３５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。

【００３６】（第１の実施形態）図１の（ａ）および
（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の構造支持体（スペ
ーサ）の製造工程を説明するための図である。

【００３７】まず、図１（ａ）に示すような、細長い板
状の基板で、長手方向と交差する方向における基板面の
断面形状が凸形状になったスペーサ基板１０２０ａを用
意して、このスペーサ基板１０２０ａの両基板面（表裏
の基板面）に所定の厚さの、所定の材料よりなる高抵抗
膜１０２０ｂを形成する。この高抵抗膜１０２０ｂの形
成には、スパッタリング等の真空成膜方法や電子ビーム
蒸着などが用いられる。

【００３８】スペーサ基板１０２０ａの凸形状になった
部分が凸部１０２０ｄで、この部分が前述の課題で説明
したスペーサの帯電面となる。このような凸部１０２０
ｄを有するスペーサ基板１０２０ａは、図２に示すよう
な加熱延伸装置を用いて以下の手順（１）〜（３）で作
製することができる。

【００３９】（１）目的とするスペーサ基板（スペーサ
基板１０２０ａ）の断面形状と相似な断面形状を有する
スペーサ母材を使用する。目的とするスペーサ基板の断
面積をＳ１、スペーサ母材の断面積をＳ２とすると、Ｓ
１／Ｓ２＜１の条件を満たすようにする。

【００４０】（２）スペーサ母材の両端をそれぞれ搬送
部１１、１２で挟持（固定）する。これら搬送部１１、
１２の間には、所定の位置に加熱部１３が設けられてお
り、両搬送部によって挟持されたスペーサ母材の一部が
この加熱部１３によって軟化点以上の温度に加熱され
る。加熱部１３による加熱を行いながら、スペーサ母材
の一方の端部を搬送部１１にて速度ｖ１で引き出すとと
もに、もう一方の端部を搬送部１２にて速度ｖ２（方向
はｖ１に同じ）で送り出す。このとき、速度ｖ１、ｖ２
は、 Ｓ１・ｖ１＝Ｓ２・ｖ２ の関係を満たすようにする。また、加熱温度は、用いる
スペーサ材料の種類、加工形状によるが、通常、５００
〜７００℃とする。

【００４１】（３）冷却後、引き伸ばされたスペーサ材
を切断部１４にて所望の長さに切断する。切断の手法と
しては、ダイヤモンドカッターによる切断、砥粒による
切断、レーザーによる切断など様々な手法を用いる事が
できる。

【００４２】本実施形態では、高抵抗膜１０２０ｂの形
成にあたって、上記のようにして作製されたスペーサ基
板１０２０ａの凸部１０２０ｄの面を凹凸形状に加工す
ることで、良好な特性を有する高抵抗膜を実現してい
る。

【００４３】上述のようにしてスペーサ基板１０２０ａ
の両基板面に高抵抗膜１０２０ｂが形成されると、続い
て、図１（ｂ）に示すように、スペーサ基板１０２０ａ
を、その両基板面をマスク部材である電極形成用ブロッ
ク１０５０で挟むようにして固定する。図１（ｂ）の例
では、４つのスペーサ基板１０２０ａが５つの電極形成
用ブロック１０５０によって固定されている。

【００４４】各電極形成用ブロック１０５０は、スペー
サ基板１０２０ａとほぼ同じ大きさの板状のブロックで
あり、ブロック面（板面）にスペーサ基板１０２０ａの
凸部１０２０ｄの上面が当接される。この凸部１０２０
ｄの上面とブロック面との密着性を高めるために、通常
は、スペーサ基板１０２０ａを挟んでいる電極形成用ブ
ロック１０５０を両側から押し付けて固定する必要があ
る。この固定は、例えばクリップやバネを用いて行うこ
とができる。例えば、クリップの場合は、スペーサ基板
１０２０ａを挟んでいる電極形成用ブロック１０５０を
両側から挟み込む形で固定することになる。

【００４５】スペーサ基板１０２０ａおよび電極形成用
ブロック１０５０はいずれも、一方の端部の端面が板状
の基準ブロック１０５２のブロック面に当接されてい
る。基準ブロック１０５２のブロック面は、電極形成用
ブロック１０５０およびスペーサ基板１０２０ａの高さ
方向を揃えるための基準面である。

【００４６】上述のようにして各スペーサ基板１０２０
ａを電極形成用ブロック１０５０および基準ブロック１
０５２で固定した状態で、各スペーサ基板１０２０ａ
の、基準面に当接された端面とは反対側の端部（電極形
成面１０５１）に、スパッタリング等の真空成膜方法や
電子ビーム蒸着などにより所定の厚さの、所定の材料よ
りなる低抵抗膜１０２０ｃを成膜する。例えば、アルゴ
ン雰囲気中で高周波スパッタすることにより、厚みが
０．１μｍのＰｔよりなる低抵抗膜１０２０ｃを電極形
成面１０５１に成膜することができる。

【００４７】以上の手順により、スペーサ基板１０２０
ａの一方の長辺側端部に電極となる低抵抗膜１０２０ｃ
が形成される。スペーサ基板１０２０ａのもう一方の長
辺側端部に電極を形成する場合も、上記と同様な手順で
行う。この場合は、各スペーサ基板１０２０ａの低抵抗
膜１０２０ｃが形成された端部の端面を基準ブロック１
０５２の基準面に当接させ、さらに各スペーサ基板１０
２０ａを電極形成用ブロック１０５０で挟み込んで固定
した状態で、低抵抗膜の生成が行われる。

【００４８】上述した本実施形態の構造支持体の製造手
法では、図１（ｂ）の電極形成の工程において、電極形
成面１０５１に形成される低抵抗膜１０２０ｃの膜厚
は、スペーサ基板１０２０ａの、基準ブロック１０５２
の基準面からの高さａと、電極形成用ブロック１０５０
の、基準ブロック１０５２の基準面からの高さｂとの関
係に左右される。すなわち、高さｂが高さａより大きい
ほど、電極形成面１０５１に形成される低抵抗膜１０２
０ｃの膜厚は、電極形成面１０５１の端面（電極部とな
る部分）に比べて凸部１０２０ｄの段差部が薄くなる。
なお、高さｂを高さａに比べて極端に大きくとった場合
は、凸部１０２０ｄの段差部への低抵抗膜１０２０ｃの
形成が不十分になる。このようなことから、高さａ、ｂ
は、少なくとも凸部１０２０ｄの段差部への低抵抗膜１
０２０ｃの形成が可能な範囲に設定する必要がある。

【００４９】図１の例では、４つのスペーサ基板１０２
０ａに対して同時に電極形成を行っているが、一度に電
極形成できるスペーサ基板１０２０ａの数はこれに限定
されることはない。電極形成面１０５１に低抵抗膜１０
２０ｃを形成することができるのであれば、スペーサ基
板１０２０ａの数はいくつであってもよい。

【００５０】図１に示した製造手法は、本発明の構造支
持体の製造方法の一実施形態であって、工程の一部を適
宜変更することができる。例えば、スペーサ基板１０２
０ａと低抵抗膜１０２０ｃ（例えば、Ｐｔ膜）との密着
性を向上させるために、下地層としてＴｉ膜を膜厚０．
０５μｍで形成した後に、Ｐｔ膜（Ｐｔ電極）を形成し
てもよい。

【００５１】図３は、上述の製造手法により作製された
スペーサの一例を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は
部分断面図である。

【００５２】図３に示すスペーサは、表示パネルを構成
する気密容器のフェースプレートとリアプレートとの間
に配置されるものであって、図１の（ａ）および（ｂ）
に示した製造手法にしたがって板状のスペーサ基板１０
２０ａの両基板面に高抵抗膜１０２０ｂが形成され、さ
らに長辺側端部に低抵抗膜１０２０ｃが形成されている
（図３（ｂ）参照）。

【００５３】高抵抗膜１０２０ｂを成膜した時点での基
板面上の抵抗の大きさは以下のような状態にある。

【００５４】凸部１０２０ｄを有するスペーサ基板１０
２０ａの基板面に、成膜方向がその基板面に対して垂直
となるようにして、高抵抗膜１０２０ｂを成膜した場
合、基板面上では、凸部１０２０ｄの上面および側面
（段差部）の抵抗が他の部分（スペーサ基板１０２０ａ
の長辺側端部）に比べて大きくなる。すなわち、高抵抗
膜１０２０ｂを形成した状態において、スペーサ基板１
０２０ａの基板面上の抵抗は、凸部１０２０ｄの段差部
を境に、基板端部側が低抵抗部となり、基板中央部側が
高抵抗部となる。

【００５５】上記のような抵抗の関係を有するスペーサ
基板１０２０ａの端部に、図１（ｂ）に示した手法で低
抵抗膜１０２０ｃを成膜した場合、スペーサ基板１０２
０ａの基板面上における抵抗の関係は以下のようにな
る。

【００５６】図１（ｂ）に示した手法で形成された低抵
抗膜１０２０ｃは、端部における膜厚に比べて凸部１０
２０ｄ（図１（ａ）参照）の段差部における膜厚が薄く
なる。このような膜厚の違いは、図１（ｂ）に示した高
さａ、ｂを制御することにより実現することができる。

【００５７】上記のように構成されたスペーサでは、凸
部１０２０ｄに対応する部分が高抵抗部１０２１ａとな
る。また、凸部１０２０ｄの段差部分については、低抵
抗膜１０２０ｃの膜厚が比較的薄いこと、および、上記
高抵抗膜形成時点での抵抗が大きいこと、の２つの点か
ら、高抵抗部１０２１ｂとなる。スペーサ基板１０２０
ａの端部側については、低抵抗膜１０２０ｃの膜厚が比
較的厚いこと、および、上記高抵抗膜形成時点での抵抗
が小さいこと、の２つの点から、低抵抗部１０２２とな
る。このような抵抗の関係を有するスペーサでは、スペ
ーサ基板１０２０ａの両長辺側端部が電極１０２３とし
て機能し、実際の電位規定は、低抵抗部１０２２と高抵
抗部１０２１ｂとの境界、すなわち凸部１０２０ｄの段
差部においてなされる。低抵抗膜１０２０ｃは、この境
界を越えて帯電面側へはみ出すことはない。したがっ
て、高抵抗部と低抵抗部の境界となる凸部１０２０ｄの
段差を精度良く形成すれば、高精度なスペーサの電極形
成が可能となる。

【００５８】なお、上記の例では、凸部１０２０ｄの上
面を凹凸形状にしているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、凸部１０２０ｄの段差部を境に高抵抗部
と低抵抗部が形成されるのであれば、凸部１０２０ｄの
上面はどのような形状であってもよい。例えば、凸部１
０２０ｄの上面は一様な面であってもよい。同様のこと
が、後述する各実施形態においてもいえる。

【００５９】以上説明したスペーサの製造工程によれ
ば、マスクを用いた従来のスペーサの製造手法と比べ
て、スペーサ電極形成を高精度に行うことが可能であ
る。基準ブロックを用いてスペーサ基板の高さをそろえ
るだけでよく、従来のようなマスクの高精度な位置合わ
せは不要である。さらに、マスクを用いた場合とは異な
り、一度に複数のスペーサ基板への電極形成が可能であ
るので、製造コストを低く抑えることが可能である。

【００６０】（第２の実施形態）上述の第１の実施形態
で説明した製造工程において、高抵抗膜１０２０ｂを形
成せずに、電極付き絶縁スペーサとしてもよい。ここで
は、この電極付き絶縁スペーサの製造方法について説明
する。

【００６１】図４の（ａ）および（ｂ）は、本発明の第
２の実施形態の構造支持体（スペーサ）の製造工程を説
明するための図である。

【００６２】まず、図４（ａ）に示すような、細長い板
状の基板で、表裏の基板面の長手方向と交差する方向に
おける断面形状が凸形状になったスペーサ基板１０２０
ａを用意する。このスペーサ基板１０２０ａは、図１に
示したものと同様、加熱延伸により作製されたもので、
基板面（帯電面）に凸部１０２０ｄを有する。

【００６３】続いて、図４（ｂ）に示すように、各スペ
ーサ基板１０２０ａの一方の長辺側端部の端面を基準ブ
ロック１０５２の基準面に当接させ、さらに各スペーサ
基板１０２０ａの基板面を両側から電極形成用ブロック
１０５０で挟み込んで固定した状態で、各スペーサ基板
１０２０ａのもう一方の長辺側端部（電極形成面１０５
１）に所定の厚さの、所定の材料よりなる低抵抗膜１０
２０ｃを成膜する。この低抵抗膜の成膜は、上述の第１
の実施形態の場合と同じである。

【００６４】最後に、各スペーサ基板１０２０ａの上下
端部（長辺側端部）を逆にセットし、上記と同様に基準
ブロック１０５２および電極形成用ブロック１０５０に
より固定して、各スペーサ基板１０２０ａの残りの長辺
側端部に低抵抗膜１０２０ｃを成膜する。

【００６５】以上の製造手順により、電極付き絶縁スペ
ーサを作製することができる。この電極付き絶縁スペー
サの製造手法は、高抵抗膜の形成工程がない以外は、基
本的には、上述した第１の実施形態の製造手法と同様で
あり、その作用効果も同じである。

【００６６】（第３の実施形態）図５は、本発明の第３
の実施形態の構造支持体の製造方法を説明するための図
で、（ａ）はスペーサ基板にマスクがセットされた状態
を示す断面模式図、（ｂ）はその部分拡大図である。

【００６７】本実施形態においても、上述した第１およ
び第２の実施形態の場合と同様、基板面（帯電面）に凸
部１０２０ｄ（図１（ａ）参照）を有するスペーサ基板
１０２０ａを用いる。

【００６８】図５（ａ）に示すように、スペーサ基板１
０２０ａを治具（ジグ）１０６０に固定する。このジグ
１０６０は、断面形状が凹状で、スペーサ基板１０２０
ａは、一方の基板面（凸部１０２０ｄの面）がジグ１０
６０の凹部の底面に面するようにセットされる。ジグ１
０６０の凹部の上面と、配置されたスペーサ基板１０２
０ａのもう一方の基板面（凸分１０２０ｄの面）とは高
さが一致しており、これらの面上に所定のパターンを有
するマスク（アルミ板）１０６１がセットされる。

【００６９】上記のようにしてマスク１０６１をセット
した状態で、スパッタリング等の真空成膜方法や電子ビ
ーム蒸着などにより、スペーサ基板１０２０ａの長辺側
端部に所定の厚さの、所定の材料よりなる低抵抗膜１０
２０ｃを成膜する。例えば、アルゴン雰囲気中で高周波
スパッタすることにより、厚みが０．１μｍのＰｔより
なる低抵抗膜１０２０ｃをスペーサ基板１０２０ａの長
辺側端面（図１の電極形成面１０５１）に成膜すること
ができる。

【００７０】通常、スペーサ基板上にマスクを載置して
選択的に低抵抗膜を形成する場合、従来の例でも説明し
たように、基板とマスクの隙間からマスク部分への回り
込みが生じ、低抵抗膜が帯電面にはみ出してしまう。こ
の問題を防止するために、本実施形態では、図５（ｂ）
に示すように、マスク１０６１の、スペーサ基板１０２
０ａの上面を覆う部分（マスク部）が、スペーサ基板１
０２０ａの上面の端部から所定の量だけ突き出ている。
この突き出し量ａが大きければ大きいほど、マスクされ
た部分、すなわちスペーサ基板１０２０ａの上面（凸部
１０２０ｄの面）への回り込みは小さくなる。

【００７１】本実施形態では、この突き出し量ａは、マ
スクされる部分への回り込みを抑えることができ、か
つ、低抵抗膜が凸部１０２０の段差部に形成される範囲
に設定されている。ここで、突き出し量ａを低抵抗膜が
凸部１０２０の段差部に形成される範囲とする理由は、
図３に示したスペーサのように、凸部１０２０ｄの段差
部に高抵抗部と低抵抗部の境界を形成し、この段差部に
おいて電位規定がなされるようにするためである。凸部
１０２０ｄの段差部に高抵抗部と低抵抗部の境界を形成
する点については、前述の第１の実施形態で説明したと
おりである。

【００７２】上記のような構成とすることで、低抵抗部
が擬似的に電極として機能する。また、電極形成の精度
が悪くても、実際の電位規定は、高抵抗部と低抵抗部の
境界においてなされる。したがって、高抵抗部と低抵抗
部の境界となる凸部１０２０ｄを精度良く形成すれば、
高精度なスペーサの電極形成が可能となる。

【００７３】なお、図５に示した例では、スペーサ基板
１０２０ａは高抵抗膜が形成されていないが、上述した
第１の実施形態の場合のように、予めスペーサ基板１０
２０ａの基板面に高抵抗膜を形成しておいてもよい（図
１（ａ）参照）。

【００７４】上述した各実施形態において、凸部１０２
０ｄは、スペーサ基板１０２０ａの一方の基板面にのみ
形成されるようにしてもよい。この場合、高抵抗膜１０
２０ｂは、凸部１０２０ｄが形成された基板面にのみ形
成されることになる。このようなスペーサは、一方の基
板面のみが外部からの電子により帯電するような場合に
有効に用いられる。ただし、後述の表示パネルに適用す
る場合は、表裏の基板面の双方に帯電が生じるので、こ
の場合は、スペーサ基板の表裏の基板面に凸部１０２０
ｄを形成する必要がある。

【００７５】以上説明した各実施形態の構造支持体の製
造方法により作製されるスペーサは、基本的には、電子
放出素子（例えば冷陰極素子）を備えた第１の基板と、
この第１の基板と対向して配置される第２の基板とから
気密容器が形成される電子線装置に適用される。適用可
能な電子線装置に画像形成装置がある。以下、適用可能
な画像形成装置の概要を説明するとともに、そのような
画像形成装置に用いられるスペーサの具体的な構成およ
び作製手順について説明する。

【００７６】＜画像表示装置概要＞図６は、本発明の構
造支持体の製造工程により作製されたスペーサが適用さ
れる表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すために
パネルの一部を切り欠いて示している。

【００７７】図６中、１０１５はリアプレ−ト、１０１
６は側壁、１０１７はフェースプレートであり、これら
により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容
器が形成されている。気密容器を組み立てるにあたって
は、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させる
ため封着する必要がある。本実施例では、例えばフリッ
トガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気
中で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成すること
により封着した。気密容器内部を真空に排気する方法に
ついては、後で詳細に説明する。

【００７８】上記気密容器は、その内部を１．３３×１
０^-4Ｐａ程度の真空に保持する必要があるため、大気圧
や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的
で、内部にスペーサ１０２０を設けて耐大気圧構造体と
している。スペーサ１０２０は上述した実施形態の製造
方法により作製されたものである。スペーサ１０２０の
詳細な構造については、後で詳細に説明する。

【００７９】リアプレ−ト１０１５には、基板１０１１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１０１２
がＮ×Ｍ個形成されている。ここで、Ｎ、Ｍは２以上の
正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設
定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的
とした表示装置においては、Ｎ＝３０００、Ｍ＝１００
０以上の数を設定することが望ましい。Ｎ×Ｍ個の冷陰
極素子１０１２は、Ｍ本の行方向配線１０１３とＮ本の
列方向配線１０１４により単純マトリクス配線されてい
る。これら基板１０１１、Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子１０１
２、Ｍ本の行方向配線１０１３およびＮ本の列方向配線
１０１４によって構成される部分をマルチ電子ビーム源
と呼ぶ。

【００８０】本実施例の画像表示装置に用いるマルチ電
子ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリクス配線した電
子源であれば、冷陰極素子の材料や形状あるいは製法に
制限はない。したがって、例えば表面伝導型放出素子や
ＦＥ型、あるいはＭＩＭ型などの冷陰極素子を用いるこ
とができる。

【００８１】次に、冷陰極素子として表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。

【００８２】図７は、図６に示した表示パネルに用いら
れるマルチ電子ビーム源の平面図である。基板１０１１
上に表面伝導型放出素子が配列され、これらの素子は行
方向配線電極１０１３と列方向配線電極１０１４により
単純マトリクス状に配線されている。表面伝導型放出素
子は、一対の素子電極１０４０と、これら素子電極１０
４０に跨るように形成された導電性薄膜１０４１を有
し、素子電極１０４０の一方が行方向配線電極１０１３
と接続され、他方が列方向配線電極１０１４と接続され
ている。行方向配線電極１０１３と列方向配線電極１０
１４の交差する部分には、両電極間に絶縁層（不図示）
が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。

【００８３】上記マルチ電子源の形成に際しては、あら
かじめ基板上に行方向配線電極１０１３、列方向配線電
極１０１４、電極間絶縁層（不図示）、および各表面伝
導型放出素子の素子電極１０４０と導電性薄膜１０４１
を形成した後、行方向配線電極１０１３および列方向配
線電極１０１４を介して各表面伝導型放出素子に給電し
て通電フォ−ミング処理および通電活性化処理を行う。
この通電フォ−ミング処理および通電活性化処理は、周
知の技術であり、本発明の構造支持体の製造方法には実
質的に関係しないので、ここでは、詳細な説明は省略す
る。

【００８４】本実施例においては、気密容器のリアプレ
−ト１０１５にマルチ電子ビーム源の基板１０１１を固
定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０１
１が十分な強度を有するものである場合には、気密容器
のリアプレ−トとしてマルチ電子ビーム源の基板１０１
１自体を用いてもよい。

【００８５】図８はフェースプレート上に設けられる蛍
光膜の説明図で、（ａ）は蛍光体と黒色導電体の配置を
示す模式図、（ｂ）は各色に対応する蛍光体の配置を示
す模式図ある。蛍光膜１０１８は、モノクロームの場合
は蛍光体のみから成るが、カラー表示の場合は、各蛍光
体１０９２の間に黒色導電材（低反射材）よりなる黒色
導電体１０９１が設けられる。この黒色導電体１０９１
は、蛍光体１０９２の配列により、黒色導電材がストラ
イプ状に配置されたブラックストライプあるいは黒色導
電材がマトリクス状に配置されたブラックマトリクスな
どと呼ばれる。ブラックストライプ、ブラックマトリク
スが設けられる目的は、カラー表示の場合に必要となる
三原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の蛍光体１０９２のそれぞれの間
（塗り分け部）を黒くすることで、各蛍光体から発した
光の混色等を目立たなくすることと、蛍光膜１０１８に
おける外光反射によるコントラストの低下を抑制するこ
とである。黒色導電体１０９１は、黒鉛を主成分とする
が、上記の目的に適するものであればこれ以外の材料を
用いても良い。

【００８６】蛍光膜１０１８のリアプレ−ト側の面に
は、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１０１９を設
けてある。メタルバック１０１９を設けた目的は、蛍光
膜１０１８が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を
向上させること、負イオンの衝突から蛍光膜１０１８を
保護すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電
極として作用させること、蛍光膜１０１８を励起した電
子の導電路として作用させることなどである。

【００８７】メタルバック１０１９は、蛍光膜１０１８
をフェースプレート１０１７上に形成した後、蛍光膜１
０１８表面を平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれ
る）し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成し
た。なお、蛍光膜１０１８に低電圧用の蛍光体材料を用
いた場合には、メタルバック１０１９を設ける必要はな
い。本実施例では用いなかったが、加速電圧の印加用や
蛍光膜の導電性向上を目的として、フェースプレート１
０１７と蛍光膜１０１８との間に、たとえばＩＴＯを材
料とする透明電極を設けてもよい。

【００８８】図６に示した表示パネルにおいて、端子Ｄ
ｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜ＤｙｎおよびＨｖは、表示パネ
ルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設け
た気密構造の電気接続用端子である。端子Ｄｘ１〜Ｄｘ
ｍは、マルチ電子ビーム源の行方向配線１０１３と電気
的に接続され、端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム
源の列方向配線１０１４と電気的に接続され、端子Ｈｖ
はフェースプレート１０１７のメタルバック１０１９と
電気的に接続されている。

【００８９】また、表示パネルを構成する気密容器内部
を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図
示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１．
３３×１０^-5Ｐａ程度の真空度まで排気する。その後、
排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するた
めに、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の
位置にゲッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜と
は、たとえばＢａを主成分とするゲッター材料をヒータ
ーもしくは高周波加熱により加熱し蒸着した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１．３３×
１０^-5〜１．３３×１０^-7Ｐａの真空度に維持される。

【００９０】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜Ｄｙｎを
通じて各冷陰極素子１０１２に電圧を印加すると、各冷
陰極素子１０１２から電子が放出される。これと同時に
メタルバック１０１９に容器外端子Ｈｖを通じて数百
［Ｖ］〜数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記放出された
電子を加速し、フェースプレート１０１７の内面に衝突
させる。これにより、蛍光膜１０１８をなす各色の蛍光
体が励起されて発光し、その結果、カラー画像が表示さ
れる。

【００９１】通常、冷陰極素子である表面伝導型放出素
子１０１２への印加電圧は１２〜１６［Ｖ］程度、メタ
ルバック１０１９と冷陰極素子１０１２との距離ｄは
０．１〜８［ｍｍ］程度、メタルバック１０１９と冷陰
極素子１０１２間の電圧は０．１〜１０［ｋＶ］程度で
ある。

【００９２】＜スペーサ＞次に、上述の画像表示装置の
表示パネルに用いられるスペーサの構造について説明す
る。

【００９３】図９は、図６のＡ−Ａ’の断面模式図であ
る。図９中、各部の符号は図６に対応している。スペー
サ１０２０は、図３に示した例のように、スペーサ基板
１０２０ａに帯電防止向上のために高抵抗膜１０２０ｂ
および低抵抗膜１０２０ｃがそれぞれ成膜されたもので
あって、前述した耐大気圧構造を実現するのに必要な数
だけ、必要な間隔をおいて配置されている。スペーサ１
０２０の各長辺側端部に形成された、電極である低抵抗
膜１０２０ｃは、それぞれフェースプレート１０１７の
内側および基板１０１１の表面に固定部材（不図示）に
より固定されている。本実施例においては、スペーサ１
０２０は、行方向配線１０１３に平行に配置され、一方
の電極の低抵抗膜１０２０ｃが行方向配線１０１３に電
気的に接続されている。

【００９４】スペーサ１０２０は、基板１０１１上の行
方向配線１０１３および列方向配線１０１４とフェース
プレート１０１７内面のメタルバック１０１９との間に
印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつ、
スペーサ１０２０の表面への帯電を防止する程度の導電
性を有する必要がある。この点に関しては、既に述べた
通りである。

【００９５】絶縁性部材であるスペーサ基板１０２０a
としては、例えば石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を
減少したガラス、ソーダライムガラス、アルミナ等のセ
ラミックス部材等が挙げられる。なお、スペーサ基板１
０２０aは、その熱膨張率が気密容器および基板１０１
１を成す部材と近いものが好ましい。

【００９６】帯電防止膜である高抵抗膜１０２０ｂに
は、高電位側のフェースプレート１０１７（メタルバッ
ク等）に印加される加速電圧Ｖａを高抵抗膜１０２０ｂ
の抵抗値Ｒｓで除した電流が流れる。高抵抗膜１０２０
ｂの抵抗値Ｒｓは、帯電防止および消費電力を考慮した
範囲に設定することが望ましい。帯電防止の観点から、
高抵抗膜１０２０ｂは、その表面抵抗Ｒ／□が１０¹²Ω
以下であることが好ましく、十分な帯電防止効果を得る
ためには、表面抵抗Ｒ／□は１０¹¹Ω以下であることが
好ましい。表面抵抗Ｒ／□の下限は、スペーサ形状とス
ペーサ間に印加される電圧により左右されるが、１０⁵
Ω以下であることが好ましい。

【００９７】高抵抗膜１０２０ｂの厚みｔは、１０ｎｍ
〜１μｍの範囲が望ましい。材料の表面エネルギーおよ
び基板との密着性や基板温度によっても異なるが、一般
的に、膜厚ｔが１０ｎｍ以下の場合は、薄膜が島状に形
成されるため、抵抗が不安定で再現性に乏しい。一方、
膜厚ｔが１μｍ以上の場合は、膜応力が大きくなって、
膜はがれの危険性が高まることに加えて、成膜に要する
時間が長くなるために生産性も悪くなる。このような理
由から、高抵抗膜１０２０ｂの膜厚ｔは、５０〜５００
ｎｍの範囲が望ましい。

【００９８】表面抵抗Ｒ／□は、ρ／ｔで与えられる
（ρは比抵抗である）。先に述べた表面抵抗Ｒ／□と膜
厚ｔの好ましい範囲から、帯電防止膜である高抵抗膜１
０２０ｂの比抵抗ρは０．１〜１０⁸［Ωｃｍ］が好ま
しい。さらに、表面抵抗と膜厚のより好ましい範囲を実
現するためには、比抵抗ρは１０²〜１０⁶［Ωｃｍ］と
するのが良い。

【００９９】スペーサ１０２０は、高抵抗膜１０２０ｂ
（帯電防止膜）を電流が流れることにより、あるいは表
示パネル全体が表示動作中に発熱することにより、その
温度が上昇する。また、高抵抗膜１０２０ｂ（帯電防止
膜）の抵抗温度係数が大きな負の値である場合は、温度
が上昇した時に抵抗値が減少してスペーサに流れる電流
が増加するため、さらに温度が上昇することになる。そ
して、電流は電源の限界を越えるまで増加しつづける。
このような電流の増加（暴走）が発生する抵抗温度係数
の値は、経験的には、負の値で絶対値が１％以上であ
る。よって、高抵抗膜１０２０ｂ（帯電防止膜）の抵抗
温度係数は、−１％未満であることが望ましい。

【０１００】金属酸化物は、帯電防止特性を有する材料
として優れていることから、高抵抗膜の材料として望ま
しい。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸
化物が好ましい材料である。その理由は、これらの金属
酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、電子放出素
子から放出された電子がスペーサに当たった場合におい
ても帯電しにくいためである。金属酸化物以外として
は、二次電子放出効率が小さな炭素がある。特に、非晶
質カーボンは高抵抗であるため、スペーサ抵抗を所望の
値に制御しやすい。

【０１０１】しかしながら、上記金属酸化物やカーボン
は、その抵抗値が帯電防止膜として望ましい比抵抗の範
囲に調整することが難しく、また雰囲気により抵抗が変
化しやすいため、これらの材料のみでは抵抗の制御性に
欠ける。アルミと遷移金属合金の窒化物は、遷移金属の
組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体までの
広い範囲において抵抗値を制御することができる。さら
には、後述する表示装置作製の工程においても抵抗値の
変化が少なく安定な材料である。また、抵抗温度係数が
−１％未満であり、実用的に使いやすい材料である。遷
移金属元素としてはＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ等があげられる。

【０１０２】合金窒化膜は、スパッタ、窒素ガス雰囲気
中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレー
ティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段によ
り絶縁性部材上に形成することができる。金属酸化膜
も、同様な薄膜形成法で作製することができるが、この
場合は、窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その
他、ＣＶＤ法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形
成することができる。カーボン膜は基本的に蒸着法、ス
パッタ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などで作製する
ことができるが、非晶質カーボンを作製する場合には、
成膜時の雰囲気中に水素を含むようにするか、成膜ガス
に炭化水素ガスを使用する必要がある。

【０１０３】以上、本発明の構造支持体の製造方法によ
り作製されたスペーサが適用される気密容器により表示
パネルが構成された平面型の表示装置の概要およびその
スペーサの具体的な構成について説明したが、本発明に
よる構造支持体はこれに限らず、他の用途における構成
として使用することができる。

【０１０４】

【実施例】次に、本発明の構造支持体の製造方法の具体
的な手順および条件を、図６に示した表示パネルに用い
られるスペーサを例に挙げて具体的に説明するととも
に、その作製されたスペーサの具体的な機能を説明す
る。以下の説明は、マルチ電子ビーム源として、電極間
の導電性微粒子膜に電子放出部を有するタイプのＮ×Ｍ
個（Ｎ＝３０７２、Ｍ＝１０２４）の表面伝導型放出素
子を、Ｍ本の行方向配線とＮ本の列方向配線とによりマ
トリクス配線したマルチ電子ビーム源を用いた場合の例
である。

【０１０５】（実施例１）図１０は、本実施例で用いる
スペーサ基板の斜視図である。スペーサ基板１０２０ａ
は、母材（絶縁性部材）として、幅５０ｍｍ、厚み２ｍ
ｍの、リアプレートと同質のガラス母材を前述の図３に
示した加熱延伸装置にかけて作製した薄板状のものであ
って、両基板面は同一形状で、いずれも基板長手方向と
交わる方向における断面形状が凸形状になっている。基
板の長さは２００ｍｍ、幅は５ｍｍである。基板の厚み
は、凸部で０．２ｍｍ、長辺側端部で０．１６ｍｍとな
っている。基板長手方向と交わる方向における、凸部の
長さは４．８ｍｍである。

【０１０６】まず、上記のスペーサ基板１０２０ａの両
基板面に、高抵抗膜として厚さ５０ｎｍの酸化クロム膜
を積層した後、スペーサ基板１０２０ａの長辺側端部に
低抵抗膜として厚さ０．１μｍのＡｕ膜（電極材）を形
成した。

【０１０７】図１１は、上記低抵抗膜の形成を説明する
ための模式図である。低抵抗膜の形成では、４つのスペ
ーサ基板１０２０ａをそれぞれ、一方の長辺側端部の端
面が基準ブロック１０５２の基準面に当接させるように
配置し、さらに各スペーサ基板１０２０ａの基板面を両
側から電極形成用ブロック１０５０で挟み込むようにし
て固定する。この状態で、各スペーサ基板１０２０ａの
もう一方の長辺側端部（電極形成面１０５１）に厚さ
０．１μｍのＡｕ膜（電極材）をスパッタリングにより
成膜する。このときの成膜方向は、端部の端面と垂直な
方向である。また、スペーサ基板１０２０ａの、基準ブ
ロック１０５２の基準面からの高さａと、電極形成用ブ
ロック１０５０の、基準ブロック１０５２の基準面から
の高さｂとの差（ｂ−ａ）は、概ね１０ｍｍ以下、好適
には５ｍｍ以下である。スパッタリングに代えて電子ビ
ーム蒸着を用いた場合は、高さの差（ｂ−ａ）は、概ね
８ｍｍ以下、好適には３ｍｍ以下が望ましい。高さの差
（ｂ−ａ）が、スパッタリングの場合と電子ビーム蒸着
の場合とで異なるのは、スパッタリングでは、電極材
が、回り込みにより、電極形成用ブロックによりマスク
された部分へ堆積し易い特徴があるためである。

【０１０８】以上の作製手順により、寸法精度の高い低
抵抗膜をスペーサ端部に形成することができた。このス
ペーサの両端部に形成された低抵抗膜は、高電位側のフ
ェースプレート１０１７（メタルバック１０１９等）及
び低電位側の基板１０１１（配線１０１３、１０１４
等）とそれぞれ電気的に接続される。以下の説明では、
この低抵抗膜を電極（中間層）と呼ぶ場合もある。

【０１０９】電極（中間層）は以下に列挙する複数の機
能を有する。

【０１１０】高抵抗膜１０２０ｂをフェースプレート
１０１７及び基板１０１１と電気的に接続する。

【０１１１】既に説明したように、高抵抗膜１０２０ｂ
はスペーサ１０２０表面での帯電を防止する目的で設け
られたものであるが、高抵抗膜１０２０ｂをフェースプ
レート１０１７（メタルバック１０１９等）及び基板１
０１１（配線１０１３、１０１４等）と直接に接続した
場合、その接続部界面において大きな接触抵抗が発生
し、スペーサ表面に発生した電荷を速やかに除去できな
い場合がある。これを避ける為に、フェースプレート１
０１７、基板１０１１との接触面に低抵抗の中間層を設
けている。

【０１１２】帯電防止膜である高抵抗膜１０２０ｂの
電位分布を均一化する。

【０１１３】冷陰極素子１０１２より放出された電子
は、フェースプレート１０１７と基板１０１１の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ１
０２０の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにする為
には、高抵抗膜１０２０ｂの電位分布を全域にわたって
制御する必要がある。高抵抗膜１０２０ｂをフェースプ
レート１０１７（メタルバック１０１９等）及び基板１
０１１（配線１０１３、１０１４等）と直接に接続した
場合、接続部界面にて生じる大きな接触抵抗の為に、接
続状態にむらが発生し、高抵抗膜１０２０ｂの電位分布
が所望の値からずれてしまう可能性がある。これを避け
る為に、スペーサ１０２０がフェースプレート１０１７
及び基板１０１１と当接するスペーサ端部の全長域に電
極（中間層）である低抵抗膜１０２０ｃを設け、この中
間層部に所望の電位を印加することによって、高抵抗膜
１０２０ｂ全体の電位を制御可能としている。

【０１１４】放出電子の軌道を制御する。

【０１１５】上記のとおり、冷陰極素子１０１２より放
出された電子は、フェースプレート１０１７と基板１０
１１の間に形成された電位分布に従って電子軌道を成
す。スペーサ近傍の冷陰極素子に関しては、スペーサを
設置することに伴う制約（配線、素子位置の変更等）が
生じる場合がある。このような場合、歪みやむらの無い
画像を形成する為には、放出された電子の軌道を制御し
てフェースプレート１０１７上の所望の位置に電子を照
射する必要がある。フェースプレート１０１７及び基板
１０１１と当接する面の側面部に低抵抗の中間層を設け
ることにより、スペーサ１０２０近傍の電位分布に所望
の特性を持たせ、放出された電子の軌道を制御すること
ができる。

【０１１６】上記のような機能を有する低抵抗膜として
は、高抵抗膜１０２０ｂに比べ十分に低い抵抗値を有す
る材料を選択すればよい。例えば低抵抗膜として、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｐｄ等の金属あるいは合金、及びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒ
ｕＯ₂、Ｐｄ−Ａｇ等の金属や金属酸化物とガラス等か
ら構成される印刷導体、あるいはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等
の透明導体及びポリシリコン等の半導体材料等から適宜
選択される。

【０１１７】次に、上述したスペーサの表示パネルへの
組み付けについて図６を参照して説明する。

【０１１８】まず、あらかじめ基板上に行方向配線電極
１０１３、列方向配線電極１０１４、電極間絶縁層（不
図示）、および表面伝導型放出素子の素子電極と導電性
薄膜を形成した基板１０１１を、リアプレート１０１５
に固定した。次に、前述のスペーサ１０２０を基板１０
１１の行方向配線１０１３（線幅３００［μｍ］）上に
等間隔で、行方向配線１０１３と平行に固定冶具（不図
示）を用いて固定した。その後、基板１０１１の５ｍｍ
上方に、内面に蛍光膜１０１８とメタルバック１０１９
が付設されたフェースプレート１０１７を側壁１０１６
を介し配置し、リアプレ一卜１０１５、フェースプレー
ト１０１７および側壁１０１６の各接合部を固定した。
基板１０１１とリアプレート１０１５の接合部、リアプ
レート１０１５と側壁１０１６の接合部、およびフェー
スプレート１０１７と１０側壁１０１６の接合部は、フ
リットガラス（不図示）を塗布し、大気中で、４００℃
〜５００℃で１０分以上焼成することで封着した。

【０１１９】なお、本実施例においては、蛍光膜１０１
８として、図８(ｂ)に示すような、各色蛍光体１０９２
が列方向（Ｙ方向）に延びるストライプ形状のもので、
黒色の導電体１０９１が各色蛍光体（Ｒ、Ｇ、Ｂ）１０
９２間だけでなく、Ｙ方向の各画素間をも分離するよう
に配置されたものを採用した。スペーサ１０２０は、行
方向（Ｘ方向）に平行な黒色導電体１０９１領域（線幅
３００［μｍ］）内においてメタルバック１０１９を介
して配置した。上述の封着を行う際には、各色蛍光体１
０９２と基板１０１１上に配置された各素子とを対応さ
せる必要があるため、リアプレート１０１５、フェース
プレート１０１７およびスペーサ１０２０は十分な位置
合わせを行った。

【０１２０】以上のようにして完成した気密容器内を排
気管（不図示）を通じて真空ポンプにて排気し、十分な
真空度に達した後、容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１
〜Ｄｙｎを通じて、行方向配線電極１０１３および列方
向配線電極１０１４を介して各素子に給電して前述の通
電フォ−ミング処理と通電活性化処理を行うことにより
マルチ電子ビーム源を製造した。

【０１２１】次に、気密容器内を１．３３×１０^-4Ｐａ
程度の真空度とした状態で、上記不図示の排気管をガス
バーナーで熱することで溶着し、外囲器（気密容器）の
封止を行った。

【０１２２】最後に、封止後の真空度を維持するため
に、前述したゲッター処理を行った。

【０１２３】以上のような手順を経て完成した、図６に
示されるような表示パネルを用いた画像表示装置におい
て、不図示の信号発生手段から供給された走査信号及び
変調信号をそれぞれ容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１
〜Ｄｙｎに印加することにより各冷陰極素子（表面伝導
型放出素子）１０１２から電子を放出させた。同時にメ
タルバック１０１９に、高圧端子Ｈｖを通じて高圧を印
加することにより、各冷陰極素子（表面伝導型放出素
子）１０１２から放出された電子を加速して蛍光膜１０
１８に衝突させ、各色蛍光体１０９２（図８のＲ、Ｇ、
Ｂ）を励起・発光させて画像表示を行った。なお、この
ときの高圧端子Ｈｖへの印加電圧Ｖａは３〜１０［ｋ
Ｖ］で、各配線１０１３、１０１４間への印加電圧Ｖｆ
は１４［Ｖ］である。

【０１２４】表示パネルには、スペーサ１０２０に近い
位置にある冷陰極素子１０１２からの放出電子による発
光スポットも含め、２次元状に等間隔の発光スポット列
が形成され、歪のない、鮮明で色再現性のよいカラー画
像表示を行うことができた。このことは、スペーサ１０
２０を設置しても電子軌道に影響を及ぼすような電界の
乱れは発生しなかったことを示している。

【０１２５】（実施例２）本実施例においても、上述の
「実施例１」で使用したスペーサ基板１０２０ａを使用
して以下の手順で電極形成を行った。

【０１２６】まず、図１２（ａ）に示すように、スペー
サ基板１０２０ａの凸部の表面にサンドブラスト法によ
り細かい凹凸（凹凸表面１０２０ｅ）を形成した後、図
１２（ｂ）に示すように、スペーサ基板１０２０ａの基
板面に垂直な方向を成膜方向として、高抵抗膜を形成し
た。この場合、前述の図３の例でも説明したように、成
膜方向に平行な面（凸部の段差を形成する面）および凹
凸表面１０２０ｅと、成膜方向に垂直な面（基板端部）
とでは抵抗が異なり、前者の方（高抵抗部１０２１）が
後者（低抵抗部１０２２）より抵抗が高くなる。

【０１２７】続いて、前述の図５で示した、マスクを用
いる手法（実施形態２）により、Ｐｔ電極をスペーサ基
板１０２０ａの長辺側端部にスパッタリングにより形成
した。具体的には、アルゴン雰囲気中で高周波スパッタ
することにより厚さ０．１μｍのＰｔ電極を形成した。

【０１２８】本実施例のスペーサを上述の表示パネル
（図６参照）に適用した結果、スペーサ１０２０に近い
位置にある冷陰極素子１０１２からの放出電子による発
光スポットも含め、２次元状に等間隔の発光スポット列
が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示がで
きた。

【０１２９】本実施例では、前述の「実施例１」の場合
と違い、スペーサ表面に細かい凹凸が形成されている。
これまでの研究により得られた知見では、このような凹
凸表面は平滑表面よりも、実効的な二次電子放出係数が
小さいため、スペーサ表面に凹凸を形成することによっ
て、スペーサ表面の帯電を押さえることができるように
なる。即ち、高抵抗薄膜による帯電防止能力を向上させ
る事が出来た。

【０１３０】（実施例３）高抵抗薄膜による帯電防止能
力を向上させる事が出来るスペーサ表面の凹凸形状とし
ては、上記のようなサンドブラスト法により形成した細
かい凹凸（ランダムな凹凸）の他、規則的なパターンの
凹凸もある。図１３は、表面に規則的な凹凸が形成され
たスペーサ基板の一例を示す図で、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）は側面図である。

【０１３１】図１３において、スペーサ基板１０２０ａ
は、「実施例１」で使用した薄板状のものとほぼ同様の
ものであるが、スペーサ表面（凸部の上面）に幅３０μ
ｍ、深さ３０μｍのストライプ状凹凸を有する。このス
ペーサ基板１０２０ａに、上述の「実施例１」または
「実施例２」のいずれかの手法で高抵抗膜と低抵抗膜
（電極）を形成した。

【０１３２】本実施例のスペーサを上述の表示パネル
（図６参照）に適用した結果、スペーサ１０２０に近い
位置にある冷陰極素子１０１２からの放出電子による発
光スポットも含め、２次元状に等間隔の発光スポット列
が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示がで
きた。

【０１３３】加えて、本実施例では、「実施例２」の場
合と比べて、制御可能な凹凸の製造を可能にし、再現性
良く、スペーサを製造することができた。

【０１３４】以上の説明では、本発明の構造支持体の製
造方法が適用されるスペーサとして板状のものを挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、表示パネ
ルを耐大気圧構造体とすることができ、かつ、前述の段
差部における電位規定を行うことができるのであれば、
どのような形状のものであってもよい。例えば、円柱状
のスペーサにも適用することができる。

【０１３５】以上説明したように、本発明の構造支持体
の製造方法によれば、従来に比べて、構造支持体（スペ
ーサ）の電極形成を高精度に行うことができ、また、構
造支持体（スペーサ）を安価に製造することができる。

【０１３６】本発明の構造支持体（スペーサ）およびそ
れを用いた電子線装置（画像形成装置）によれば、構造
支持体（スペーサ）の帯電の、電子の軌道への影響を大
きく低減することができる。これにより、例えば画像形
成装置の場合であれば、従来生じていたスペーサによる
画像歪を改善することができ、従来のものより高画質な
表示画像を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施形態の
構造支持体の製造方法を説明するための図である。

【図２】本発明の構造支持体の製造方法に用いられる構
造支持体部材を作製するための加熱延伸装置の一例を示
す模式図である。

【図３】図１に示す本発明の第１の実施形態の構造支持
体の製造手法により作製されるスペーサの一例を示す図
で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は部分断面図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２の実施形
態の構造支持体の製造工程を説明するための図である。

【図５】本発明の第３の実施形態の構造支持体の製造方
法を説明するための図で、（ａ）はスペーサ基板にマス
クがセットされた状態を示す断面模式図、（ｂ）はその
部分拡大図である。

【図６】本発明の構造支持体の製造方法により作製され
たスペーサが適用される表示パネルの斜視図である。

【図７】図６に示す表示パネルに用いられるマルチ電子
ビーム源の平面図である。

【図８】図６に示す表示パネルのフェースプレート上に
設けられる蛍光膜の説明図で、（ａ）は蛍光体と黒色導
電体の配置を示す模式図、（ｂ）は各色に対応する蛍光
体の配置を示す模式図ある。

【図９】図６のＡ−Ａ’の断面模式図である。

【図１０】本発明の構造支持体の製造方法で用いるスペ
ーサ基板の一例を示す斜視図である。

【図１１】図１０に示すスペーサ基板への低抵抗膜の形
成を説明するための模式図である。

【図１２】（ａ）は、本発明の構造支持体の製造方法で
用いるスペーサ基板の一例を示す斜視図、（ｂ）は
（ａ）に示すスペーサ基板の基板面に高抵抗膜が形成さ
れたスペーサの模式図である。

【図１３】本発明の構造支持体の製造方法で用いるスペ
ーサ基板の一例を示す斜視図である。

【図１４】従来の構造支持体が用いられる平面型画像表
示装置の表示パネル部の一例を示す斜視図である。

【図１５】図１４に示す平面型画像表示装置の部分断面
図である。

【符号の説明】

１１、１２ 搬送部 １３ 加熱部 １４ 切断部 １０１１、２０１１、３１１１ 基板 １０１２、３１１２ 冷陰極素子 １０１３、２０１３、３１１３ 行方向配線 １０１４、３１１４ 列方向配線 １０１５、２０１５、３１１５ リアプレート １０１６、３１１６ 側壁 １０１７、２０１７、３１１７ フェースプレート １０１８、２０１８、３１１８ 蛍光膜 １０１９、２０１９、３１１９ メタルバック １０２０、２０２０ａ、３１２０ 構造支持体（スペー
サ） １０２０ａ、スペーサ基板 １０２０ｂ、２０２０ｂ 高抵抗膜 １０２０ｃ、２０２０ｃ 低抵抗膜(スペーサ電極） １０２０ｄ 凸部 １０２０ｅ 凹凸部 １０２１、１０２１ａ、１０２１ｂ 高抵抗部 １０２２ 低抵抗部 １０４０、２０４０ 素子電極 １０４１ 導電性薄膜 １０５０ 電極形成用ブロック １０５１ 電極形成面 １０５２ 基準ブロック １０６０ 治具（ジグ） １０６１ マスク １０９１ 黒色導電体 １０９２ 蛍光体 Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜Ｄｙｎ、Ｈｖ 容器外端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 康志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 伏見 正弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5C012 AA01 BB07 5C032 AA01 CC10 5C036 EE09 EF01 EF06 EG31 EH08

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくと１つの基板面の所定の方向にお
   ける断面形状が凸形状である板状基板の、前記基板面の
   全面に、その基板面に垂直な方向から所定の抵抗を有す
   る高抵抗膜を成膜する第１の工程と、 前記高抵抗膜が形成された基板面の前記凸形状をなす凸
   部の上面を、該上面より大きなマスク部材で覆い、前記
   板状基板の所定の端部に、所定の方向から前記高抵抗膜
   より抵抗の低い低抵抗膜を成膜する第２の工程とを含む
   ことを特徴とする構造支持体の製造方法。
2. 【請求項２】 低抵抗膜の成膜方向が、基板面に垂直な
   方向であることを特徴とする請求項１に記載の構造支持
   体の製造方法。
3. 【請求項３】 低抵抗膜の成膜方向が、板状基板の所定
   の端部の端面に垂直な方向であることを特徴とする請求
   項１に記載の構造支持体の製造方法。
4. 【請求項４】 第１の工程は、 表裏の基板面の所定の方向における断面形状が凸形状で
   ある板状基板の、前記表裏の基板面のそれぞれに、その
   基板面と垂直な方向から高抵抗膜を成膜する工程であ
   り、 第２の工程は、 前記第１の工程で高抵抗膜が形成された少なくとも１つ
   の板状基板を、マスク部材である所定の大きさの電極形
   成用ブロックで前記表裏の基板面を両側から挟むように
   して固定するとともに、これら板状基板および電極形成
   用ブロックの一方の端部をそれぞれ基準ブロックの基準
   面に当接し、前記板状基板のもう一方の端部に、該端部
   の端面に垂直な方向から低抵抗膜を成膜する工程であ
   る、ことを特徴とする請求項３に記載の構造支持体の製
   造方法。
5. 【請求項５】 第１の工程の高抵抗膜の形成の前に、基
   板面の凸形状をなす凸部の上面を凹凸形状にすることを
   特徴とする請求項１に記載の構造支持体の製造方法。
6. 【請求項６】 凹凸形状が周的な構造であることを特徴
   とする請求項５に記載の構造支持体の製造方法。
7. 【請求項７】 凹凸形状の形成が、サンドブラストまた
   はやすりによる部分的な削除により行われることを特徴
   とする請求項５に記載の構造支持体の製造方法。
8. 【請求項８】 少なくとも１つの基板面の所定の方向に
   おける断面形状が凸形状である板状基板の、前記凸形状
   をなす凸部の上面を、該上面より大きなマスク部材で覆
   い、前記板状基板の所定の端部に、所定の方向から所定
   の抵抗の有する低抵抗膜を成膜することを特徴とする構
   造支持体の製造方法。
9. 【請求項９】 低抵抗膜の成膜方向が、基板面に垂直な
   方向であることを特徴とする請求項８に記載の構造支持
   体の製造方法。
10. 【請求項１０】 低抵抗膜の成膜方向が、板状基板の所
    定の端部の端面に垂直な方向であることを特徴とする請
    求項８に記載の構造支持体の製造方法。
11. 【請求項１１】 少なくとも１つの板状基板を、マスク
    部材である所定の大きさの電極形成用ブロックで表裏の
    基板面を両側から挟むようにして固定するとともに、こ
    れら板状基板および電極形成用ブロックの一方の端部を
    それぞれ基準ブロックの基準面に当接し、前記板状基板
    のもう一方の端部に、該端部の端面に垂直な方向から低
    抵抗膜を成膜する工程を含むことを特徴とする請求項１
    ０に記載の構造支持体の製造方法。
12. 【請求項１２】 低抵抗膜の形成の前に、該低抵抗膜が
    形成される面に所定の材料よりなる下地層を形成するこ
    とを特徴とする請求項１または８に記載の構造支持体の
    製造方法。
13. 【請求項１３】 低抵抗膜がＰｔ膜であり、下地層がＴ
    ｉ膜であることを特徴とする請求項１２に記載の構造支
    持体の製造方法。
14. 【請求項１４】 低抵抗膜の形成が、真空成膜により行
    われることを特徴とする請求項１または８に記載の構造
    支持体の製造方法。
15. 【請求項１５】 少なくとも１つの基板面の所定の方向
    における断面形状が凸形状である板状基板を有し、該板
    状基板は、前記凸形状をなす凸部の上面を除く部分に所
    定の抵抗を有する低抵抗膜が形成されていることを特徴
    とする構造支持体。
16. 【請求項１６】 少なくとも１つの基板面の所定の方向
    における断面形状が凸形状である板状基板を有し、該板
    状基板は、前記基板面の全面に所定の抵抗を有する高抵
    抗膜が形成され、該高抵抗膜が形成された面のうちの前
    記凸形状をなす凸部の上面を除く部分、および前記板状
    基板の所定の端部に、前記高抵抗膜より抵抗の低い低抵
    抗膜が形成されていることを特徴とする構造支持体。
17. 【請求項１７】 高抵抗膜が形成される凸部の上面が凹
    凸形状であることを特徴とする請求項１６に記載の構造
    支持体。
18. 【請求項１８】 凹凸形状が周期的な構造であることを
    特徴とする請求項１７に記載の構造支持体。
19. 【請求項１９】 低抵抗膜が形成される面に所定の材料
    よりなる下地層が形成されていることを特徴とする請求
    項１５または１６に記載の構造支持体。
20. 【請求項２０】 低抵抗膜がＰｔ膜であり、下地層がＴ
    ｉ膜であることを特徴とする請求項１９に記載の構造支
    持体。
21. 【請求項２１】 複数の電子放出素子が形成された第１
    の基板と、 前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、 前記第１および第２の基板を所定の間隔で支持する構造
    支持体とを有し、 前記構造支持体は、 少なくとも１つの基板面の所定の方向における断面形状
    が凸形状である板状基板を有し、該板状基板は、前記凸
    形状をなす凸部の上面を除く部分に所定の抵抗を有する
    低抵抗膜が形成されていることを特徴とする電子線装
    置。
22. 【請求項２２】 複数の電子放出素子が形成された第１
    の基板と、 前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、 前記第１および第２の基板を所定の間隔で支持する構造
    支持体とを有し、 前記構造支持体は、 少なくとも１つの基板面の所定の方向における断面形状
    が凸形状である板状基板を有し、該板状基板は、前記基
    板面の全面に所定の抵抗を有する高抵抗膜が形成され、
    該高抵抗膜が形成された面のうちの前記凸形状をなす凸
    部の上面を除く部分、および前記板状基板の所定の端部
    に、前記高抵抗膜より抵抗の低い低抵抗膜が形成されて
    いることを特徴とする電子線装置。
23. 【請求項２３】 第１の基板は、複数の電子放出素子に
    電気的に接続された配線を有し、 板状基板は、前記第１の基板に当接される当接面に形成
    された低抵抗膜が前記配線の一部に電気的に接続されて
    いることを特徴とする請求項２１または２２に記載の電
    子線装置。
24. 【請求項２４】 第２の基板は、第１の基板に形成され
    た複数の電子放出素子から放出された電子の軌道を制御
    するための電極を有し、 板状基板は、前記第２の基板に当接される当接面に形成
    された低抵抗膜が前記電極の一部に電気的に接続されて
    いることを特徴とする請求項２１乃至２３のいずれか１
    項に記載の電子線装置。
25. 【請求項２５】 第２の基板の電極は、第１の基板に形
    成された複数の電子放出素子から放出された電子を加速
    する加速電極であることを特徴とする請求項２４に記載
    の電子線装置。
26. 【請求項２６】 外部からの入力信号に応じて、第１の
    基板に形成された複数の電子放出素子における電子の放
    出を制御する制御手段をさらに有し、 第２の基板は、前記複数の電子放出素子に対応して設け
    られ、対応する電子放出素子からの電子が入射すること
    で発光する複数の蛍光体を有することを特徴とする請求
    項２４に記載の電子線装置。
27. 【請求項２７】 板状基板は、低抵抗膜が形成される面
    に所定の材料よりなる下地層が形成されていることを特
    徴とする請求項２１または２２に記載の電子線装置。
28. 【請求項２８】 低抵抗膜がＰｔ膜であり、下地層がＴ
    ｉ膜であることを特徴とする請求項２７に記載の電子線
    装置。
29. 【請求項２９】 板状基板は、高抵抗膜が形成される凸
    部の上面が凹凸形状であることを特徴とする請求項２２
    に記載の電子線装置。
30. 【請求項３０】 凹凸形状が周期的な構造であることを
    特徴とする請求項２９に記載の電子線装置。