JP4343717B2 - 気密容器の支持構造体の製造方法及び画像表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
95重量%以上のゲルマニウムとタングステンを含み、タングステンが17.6重量%〜21.6重量%である焼結体を、PVD装置のターゲットとして用い、該PVD装置により、窒素雰囲気にて、基板の表面に比抵抗ρがρ=40〜1010Ωmの抵抗膜を形成する成膜工程を有することを特徴とする。
図2に、本実施形態に使用した高周波スパッタ装置の構成を示す。これを用いて抵抗膜を成膜するプロセスの概要をのべる。
ここで、混合物ターゲットの作製方法について述べる。
1) 混合
まず、種々の組成濃度比にあわせて検量を行なったWおよびGeの粉末を混合する。混合手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。混合は、窒素ガスやArガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。混合後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。
2) 仮焼成
この混合粉末を、窒素ガスやArガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で仮焼成する。また、水素等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。好ましくは800〜1500℃に加熱を行ない仮焼成とする。
3) 粉砕
こうしてできた固形物を粉砕する。粉砕手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。粉砕は、窒素ガスやArガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。粉砕後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。
4) 本焼成
粉砕により得られた混合粉末を窒素ガスやArガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。水素等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成してもかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いることが好ましい。スパッタターゲットとして所定の板厚や形状になるように成形し、好ましくは1〜2MPaの圧力下において800〜1500℃に加熱を行なうという本焼成の工程を経て焼結体混合物ターゲットとする。
抵抗膜の比抵抗を変化させる他の方法として、帯電防止膜を成膜する際のスパッタガス全圧を変化させること、あるいは窒素流量を変化させることが挙げられる。
さらに、抵抗膜の抵抗ばらつきを抑えるために、ターゲットに印加する直流高電圧(Vdc)の変動を±20%以内に抑制した。
図1は、本実施形態の画像表示装置の表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。
W単体、Ge単体のターゲットを別個に用意する。実施例1と同様に、高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このWターゲットおよびGeターゲットをそれぞれ設置する。全圧1.5Pa、Ar流量50sccm、N2流量25sccmの条件下で、これらのターゲットそれぞれに投入する電力を調整して、成膜した膜の組成がW=10atom%、Ge=90atom%となるようにした。
W単体、Ge単体のターゲットを別個に用意する。実施例1と同様に、高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このWターゲットおよびGeターゲットをそれぞれ設置する。全圧1.5Pa、Ar流量50sccm、N2流量25sccmの条件下で、これらのターゲットそれぞれに投入する電力を調整して、成膜した膜の組成がW=8atom%、Ge=92atom%となるようにした。
この帯電防止膜をRBS(ラザフォード後方散乱)法を用いて組成分析したところ、組成は表1のように、N:56.0atom%、Ge:40.5atom%、W:3.5atom%で、密度は5.4g/cm2であった。
102 側壁
103 フェースプレート
104 電子放出素子
105 蛍光体
106 メタルバック
107a スペーサ(+に帯電)
107b 帯電防止膜膜を成膜したスペーサ
108 導電性フリット
109 配線
110 低抵抗膜
111a スペーサ側に引き寄せられた電子軌道
111b 電子軌道
112 帯電防止膜
201 スペーサ基材
202 成膜トレイ
203 予備排気室
204 真空ポンプ
205 搬送ローラー
206 成膜室
207 ガス導入管
208 高周波電源
209 W−Ge混合物ターゲット
911 基板
912 冷陰極素子
913 行方向配線
914 列方向配線
915 リアプレート
916 側壁
917 フェースプレート
918 蛍光膜
919 メタルバック
920 スペーサ
1001 スペーサ基材
1002 成膜トレイ
1003 予備排気室
1004 真空ポンプ
1005 搬送ローラー
1006 成膜室
1007 ガス導入管
1008 高周波電源
1009 W−Ge混合物ターゲット
1010 トレイ回転機構
Claims (4)
- 電子源と、前記電子源から放出された電子が照射される被照射体とを内包する気密容器内に配置される支持構造体の製造方法において、
95重量%以上のゲルマニウムとタングステンを含み、タングステンが17.6重量%〜21.6重量%である焼結体を、PVD装置のターゲットとして用い、該PVD装置により、窒素雰囲気にて、基板の表面に比抵抗ρがρ=40〜1010Ωmの抵抗膜を形成する成膜工程を有することを特徴とする、気密容器の支持構造体の製造方法。 - 前記焼結体の、前記ゲルマニウムとタングステンの充填率が60%以上であることを特徴とする請求項1に記載の気密容器の支持構造体の製造方法。
- 前記PVD装置はスパッタリング装置であり、前記焼結体はスパッタリングのターゲットであることを特徴とする請求項1に記載の気密容器の支持構造体の製造方法。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の気密容器の支持構造体の製造方法を用いた画像表示装置の製造方法であって、
前記被照射体は蛍光体であることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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