WO2011118300A1 - 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 Download PDF

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WO2011118300A1
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拓也 青柳
内藤　孝
裕司 橋場
圭 吉村
信一 立薗
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株式会社日立製作所
日立化成工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic component having electrode wiring, a conductive paste used for forming the electrode wiring, and a method of manufacturing the electronic component.
  • Electrode wiring is formed in electronic parts such as a solar battery cell, a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), and a ceramic multilayer wiring board.
  • the electrode wiring is formed using a conductive paste.
  • Silver (Ag) and aluminum (Al) are used as metal particles in the conductive paste.
  • the electrode wiring is formed by firing the conductive paste at a high temperature in the atmosphere, but the conductive paste has glass particles in addition to the metal particles, and the glass particles are fired when the conductive paste is fired. By heating to a temperature above the softening point, the glass particles soften and flow, and the electrode wiring becomes dense and adheres firmly to the substrate.
  • an object of the present invention is to provide an electronic component having electrode wiring having high water resistance and high reliability, a conductive paste, and a method of manufacturing the electronic component.
  • the present invention is an electronic component comprising an electrode wiring having a plurality of particles of aluminum (Al) and / or an alloy containing aluminum, and an oxide for fixing the particles to a substrate.
  • the oxide is characterized in that it contains vanadium (V) having a valence of 4 or less.
  • the present invention is a conductive paste in which a plurality of particles made of aluminum and / or an alloy containing aluminum and a powder made of an oxide are dispersed in a binder resin dissolved in a solvent,
  • the oxide is characterized in that it has a glass phase and contains vanadium having a valence of 4 or less.
  • the present invention provides a binder in which a plurality of particles made of aluminum and / or an alloy containing aluminum and a powder made of an oxide containing a glass phase and vanadium having a valence of 4 or less are dissolved in a solvent.
  • Apply conductive paste dispersed in resin to the substrate The method is characterized in that the method is a method of manufacturing an electronic component in which the applied conductive paste is fired to form an electrode wiring.
  • the manufacturing method of the electronic component which comprises water resistant highly reliable electrode wiring, a conductive paste, and its electronic component can be provided.
  • DTA curve obtained by DTA measurement of a glass composition (oxide powder). It is a part of sectional drawing of the electrode wiring which the electronic component which concerns on the 1st Embodiment of this invention comprises. It is a graph which shows the relationship between the specific resistance of electrode wiring, and the glass amount (The weight fraction with respect to the aluminum particle of a glass composition (powder of an oxide)). It is a top view of the photovoltaic cell (electronic component) concerning a 4th embodiment of the present invention. It is a bottom view of the photovoltaic cell (electronic component) concerning a 4th embodiment of the present invention. It is arrow sectional drawing of the AA 'direction of FIG. 4A.
  • glass compositions (powders of oxides) of a total of 35 types of conductive pastes of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 5 are prepared, and the respective glasses are prepared.
  • the composition is used to make conductive pastes, and further, each of the conductive pastes is used to form electrode wiring, and various characteristics are evaluated.
  • the composition of the glass system is changed for each of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 5.
  • the characteristic temperature measurement is performed on the glass composition (powder of oxide), the adhesion test (peel test), the water resistance test, and the specific resistance of the electrode wiring. I am doing measurement.
  • the main components of the composition of the glass system of Examples 1 to 30 are vanadium (V) and phosphorus (P). Furthermore, in Example 1, Examples 19 to 26 and Example 29, in addition to vanadium and phosphorus, barium (Ba) is also a main component.
  • Example 1 no additive is added other than the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • antimony (Sb) is added as an additive to the main components of vanadium and phosphorus.
  • antimony and tungsten (W) are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • antimony and potassium (K) are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • antimony and barium are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • antimony, barium, zinc and tungsten are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 7 antimony, manganese (Mn), sodium (Na), potassium, barium and tellurium (Te) are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 8 manganese, sodium, potassium, barium, zinc and tungsten are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 9 manganese, barium, zinc and tungsten are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • iron (Fe) and lithium (Li) are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 11 iron is added as an additive to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 12 iron, barium, zinc and tungsten are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 13 iron and barium are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 14 iron, tungsten and barium are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 15 iron, zinc and barium are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 16 bismuth (Bi), barium, zinc and tungsten are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • lithium is added as an additive to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 18 lithium and barium are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 19 zinc is added as an additive to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 20 zinc and tungsten are added as additives to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 21 tellurium is added as an additive to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 22 tellurium and copper (Cu) are added as additives to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • zinc, tungsten and boron (B) are added as additives to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 24 tungsten, molybdenum (Mo) and potassium are added as additives to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 25 tungsten and copper are added as additives to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 26 zinc, copper and boron are added as additives to the main components of vanadium, phosphorus and barium.
  • Example 27 iron, barium, tungsten and copper are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Example 28 iron, lithium, barium and tungsten are added as additives to the main components of vanadium and phosphorus.
  • Comparative Examples 1 to 5 vanadium is not added to the glass-based composition.
  • phosphorus is a main component
  • lead is a main component
  • bismuth is a main component.
  • potassium, barium, zinc, tungsten and boron are added as additives to the main component of phosphorus.
  • potassium, barium, zinc, molybdenum and boron are added as additives to the main component of phosphorus.
  • iron, potassium, barium, zinc, tungsten and boron are added as additives to the main component of phosphorus.
  • Comparative Example 4 boron, silicon (Si), titanium (Ti), zinc and aluminum (Al) are added as additives to the main component of lead.
  • Comparative Example 4 commercially available lead-based glass was used.
  • Comparative Example 5 boron, silicon, barium and zinc are added as additives to the main component of bismuth.
  • Comparative Example 5 a commercially available bismuth-based glass was used.
  • V 2 O 5 vanadium pentoxide
  • Phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ) was used as a raw material compound for the phosphorus component.
  • Barium carbonate (BaCO 3 ) was used as a raw material compound of the barium component.
  • Lithium carbonate (Li 2 CO 3 ) was used as a raw material compound of the lithium component.
  • Sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) was used as a raw material compound of the sodium component.
  • the starting compound for the potassium component using potassium carbonate (K 2 CO 3).
  • antimony trioxide Sb 2 O 3
  • antimony tetraoxide Sb 2 O 4
  • manganese dioxide MnO 2
  • manganese oxide MnO
  • Diiron trioxide Fe 2 O 3
  • FeO iron oxide
  • Fe 3 O 4 triiron tetraoxide
  • Bi 2 O 3 bismuth trioxide
  • Zinc oxide (ZnO) was used as a raw material compound of the zinc component.
  • Tungsten trioxide (WO 3 ) was used as a raw material compound for the tungsten component.
  • Tellurium dioxide (TeO 2 ) was used as a raw material compound of the tellurium component.
  • Copper oxide (CuO) was used as a raw material compound of a copper component.
  • Molybdenum trioxide (MoO 3 ) was used as a raw material compound of the molybdenum component.
  • Boron oxide (B 2 O 3 ) was used as a raw material compound for the boron component.
  • barium phosphate Ba (PO 3 ) 2
  • iron phosphate FePO 4
  • barium phosphate Ba (PO 3 ) 2
  • iron phosphate FePO 4
  • P 2 O 5 phosphorus pentoxide
  • the platinum crucible was taken out of the electric furnace at high temperature, and the molten material was poured onto a stainless steel plate preheated to 200 to 300 ° C. The melt was quenched and vitrified to solidify into a bulk glass composition.
  • the bulk glass composition was ground using a stamp mill to produce a powder (oxide powder) of a glass composition with a particle size of about 1 to 3 ⁇ m.
  • Comparative Example 4 a commercially available lead-based glass was crushed using a stamp mill as a bulk-like glass composition to prepare a powder of the glass composition (powder of oxide).
  • Comparative Example 5 a commercially available bismuth-based glass was ground using a stamp mill as a bulk glass composition to produce a powder of a glass composition (powder of oxide).
  • FIG. 1 an example of the DTA curve obtained by measurement (DTA measurement) of the characteristic temperature of a glass composition is shown.
  • the first endothermic peak PA, the second endothermic peak PB, and the exothermic peak PC were measured.
  • Start temperature of the first endothermic peak PA temperature at which the tangent of the DTA curve before the start of the first endothermic peak PA by the tangent method and the tangent of the DTA curve falling in the first half of the first endothermic peak PA intersect
  • the characteristic temperature was measured (DTA measurement) for each of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 5, and the transition point of the glass composition was determined from the DTA curve which is the measurement result.
  • Comparative Examples 1 to 3 (phosphorus main component), the transition points were 528 ° C., 502 ° C., 493 ° C., and approximately 500 ° C. In Examples 1 to 30, Examples 1 to 24 and Examples 27 to 30 achieved transition points of 500 ° C. or less.
  • Comparative Example 4 (lead main component), the transition point was 375 ° C., and in Comparative Example 5 (bismuth main component), the transition point was 413 ° C. Since these are known as highly fluid glass compositions, it is considered that a transition point of approximately 400 ° C. or less is sufficient to secure high fluidity. In Examples 1 to 30, Examples 1 to 15, Examples 17 to 20, and Examples 27 to 30 were able to achieve a transition temperature of 400 ° C. or less. Furthermore, it was in Example 2, Example 10, Example 11, Example 17, Example 18, and Examples 28 to 30 that the transition point could achieve 300 ° C. or less.
  • the peak temperature of the first endothermic peak PA (when the tangent of the DTA curve falling in the first half of the first endothermic peak PA by the tangent method intersects with the tangent of the DTA curve rising in the second half of the first endothermic peak PA Temperature) can be defined as the sag point of the glass composition as shown in FIG.
  • the peak temperature of the second endothermic peak PB (when the tangent of the DTA curve falling in the first half of the second endothermic peak PB by the tangent method intersects with the tangent of the DTA curve rising in the second half of the second endothermic peak PB Temperature) can be defined as the softening point of the glass composition as shown in FIG.
  • crystallization of the glass composition has occurred at the exothermic peak PC. In this crystallization, crystal phases of microcrystals are formed in a dispersed state in the glass phase of the glass composition.
  • 1-3 preparation of conductive paste
  • metal particles to be contained in the conductive paste two types of aluminum particles of a particle group A having an average particle diameter (D50) of 1 ⁇ m and a particle group B having an average particle diameter (D50) of 5 ⁇ m were prepared.
  • aluminum was melted, and spherical aluminum particles were formed by a water atomizing method. From the aluminum particles, particles having a particle size of less than 0.5 ⁇ m were removed by sieving, particles having a particle size of 1.5 ⁇ m or more were removed by sieving, and the remaining particle group was defined as particle group A.
  • the particles are such that the aluminum particles of particle group A become 50% by weight and the aluminum particles of particle group B become 50% by weight, that is, the mixing ratio of particle group A to particle group B becomes 1: 1.
  • Aluminum particles of group A and particle group B were blended and used.
  • the conductive pastes of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 5 were respectively applied by screen printing on a polycrystalline silicon substrate used for electronic components such as solar cells. After the application, it was dried by heating at a temperature of 150 ° C. for several minutes in the air. Thereafter, in the electric furnace, heat treatment was performed for 2 seconds at a firing temperature of 850 ° C. in the atmosphere to bake and complete the electrode wiring.
  • the film thickness of each fired electrode wiring was about 40 ⁇ m.
  • the specific resistance of the completed electrode wiring was measured by the four-point probe method for each of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 5.
  • the specific resistance measurement the electrical resistance and the film thickness of the electrode wiring were measured, and the specific resistance was calculated based on the electrical resistance and the film thickness.
  • the specific resistances of the electrode wirings of Examples 1 to 30 are compared with the specific resistances of the electrode wirings of Comparative Example 4 (using a lead-based glass composition) and Comparative Example 5 (using a bismuth-based glass composition). It was the same or smaller value.
  • the results of the peel test are “ ⁇ ” in Examples 1 to 15, 17 to 20, 27 to 30, and Comparative Example 4, and Example 16 and Examples 21 to 24. And Comparative Example 5 was “o”, and Example 25 and Example 26 and Comparative Examples 1 to 3 were “x”.
  • Table 1 when the transition point is compared with the adhesion test (peel test), when the transition point is 400 ° C. or less, “ ⁇ ” is obtained, and when the transition point exceeds 400 ° C. and is generally 500 ° C. or less It became "x”, when the transition point exceeded about 500 degreeC substantially. As the transition point is lowered, the softening and flow characteristics of the glass composition at the time of firing (firing temperature) are improved, and the glass composition can easily cover the surface of the aluminum particles.
  • the glass composition When the surface of the aluminum particles is covered with the glass composition, the glass composition is inevitably placed between the adjacent aluminum particles, so that the glass composition becomes an adhesive to firmly bond the adjacent aluminum particles. Can.
  • the glass composition when the surface of the aluminum particles is covered with the glass composition, the glass composition is inevitably disposed between the substrate and the aluminum particles adjacent to the substrate, so the glass composition is an adhesive.
  • the aluminum particles adjacent to the substrate can be firmly adhered to the substrate. For this reason, it is considered that as the transition point is lower, higher adhesion is obtained in the adhesion test (peel test).
  • Examples 1 to 30 which are inferior in water resistance to Comparative Example 4 (lead-based glass) and Comparative Example 5 (bismuth-based glass), they are mixed with aluminum particles. And fired as an electrically conductive paste to produce an electrode wiring.
  • an electrode wiring having water resistance superior to that of Comparative Example 4 (lead-based glass) and Comparative Example 5 (bismuth-based glass) was obtained. It turned out that it could be made.
  • it is essential to cover aluminum particles with a dense film to obtain high water resistance this dense film is formed not by the glass composition alone but by the presence of the glass composition and the aluminum particles. It was recalled that it was done.
  • Example 25 and Example 26 the adhesion test was "x", and the water resistance test was "o".
  • the transition temperatures of Example 25 and Example 26 are greater than 500 ° C. at 502 ° C. and 550 ° C., and it is believed that the glass composition does not cover enough to bond the aluminum particles.
  • the result of the water resistance test being " ⁇ " is that even if the amount of the glass composition smaller than the amount required for adhesion only covers the aluminum particles, the aluminum particles and the glass composition make it thin even if it is thin Film was formed on the surface of the aluminum particles, and it was considered that the water resistance was improved.
  • FIG. 2 a part of sectional drawing of the electrode wiring 2 which the electronic component 1 which concerns on the 1st Embodiment of this invention comprises is shown.
  • This cross-sectional view is based on the results of observation of the electrode wiring 2 prepared in Examples 1 to 30, for example, Example 10 using a scanning electron microscope-energy dispersive X-ray analyzer (SEM-EDX). There is.
  • SEM-EDX scanning electron microscope-energy dispersive X-ray analyzer
  • the electronic component 1 has a silicon substrate 3 and an electrode wiring 2 bonded and fixed on the silicon substrate 3.
  • Electrode wiring 2 has a plurality of so-called aluminum particles 4 made of aluminum (Al) and / or an alloy containing aluminum, and a glass composition (oxide) 5 for fixing aluminum particles 4 to silicon substrate 3 There is.
  • the plurality of aluminum particles 4 are bonded (necked) at the necking joint 6 by sintering.
  • aluminum particles 4 made of an alloy containing aluminum as well as aluminum can be used.
  • the alloy containing aluminum contains at least one element of silver (Ag), copper (Cu), silicon (Si), magnesium (Mg), and calcium (Ca).
  • silver can increase the conductivity of the alloy (Al-Ag).
  • copper can enhance the strength of the alloy (Al-Cu).
  • the addition of silicon can enhance the wear resistance of the alloy (Al-Si).
  • the addition of magnesium or calcium can enhance the strength and corrosion resistance of the alloy (Al-Mg, Al-Ca).
  • the aluminum particles 4 have a particle group A (4A) having a volume fraction of about 95% in the range of 0.5 ⁇ m to less than 1.5 ⁇ m, and in the range of 1.5 ⁇ m to less than 8 ⁇ m.
  • the total weight of the plurality of particles 4 of the particle group A (4A) and the total weight of the plurality of aluminum particles 4 of the particle group B (4B) are substantially equal. According to this, the particles 4 of the particle group A (4A) having a small particle diameter can be contained in the gaps between the aluminum particles 4 of the particle group B (4B) having a large particle diameter, and the density of the aluminum particles 4 can be increased. Therefore, the dense electrode wiring 2 can be formed.
  • the oxide (glass composition) 5 covers the aluminum particles 4 and adheres the aluminum particles 4 to the silicon substrate 3.
  • the oxide (glass composition) 5 contains vanadium (V) and phosphorus (P) as shown in Examples 1 to 30 in Table 1. Since the oxide 5 is a glass composition, it has a glass phase 5a, and a crystal phase (microcrystalline) 5b is formed so as to be dispersed in the glass phase 5a.
  • the grain size of the crystal phase (microcrystalline) 5b was about 10 to 60 nm.
  • a compound layer 7 containing vanadium and aluminum is formed on the surface of the aluminum particles 4. There may be an oxide film of aluminum on the side of the aluminum particles 4 of the compound layer 7.
  • the compound layer 7 is formed on the surface of the aluminum particle 4 with a uniform thickness. The thickness of the compound layer 7 was about 10 to 100 nm.
  • the surface of the aluminum particles 4 is covered with a compound layer 7 and further covered with an oxide (glass composition) 5.
  • the valence state of vanadium of the oxide (glass composition) 5 and the compound layer 7 was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA). The analysis was performed after performing argon (Ar) etching for 30 seconds in consideration of the contamination state of the surface of the electrode wiring 2. The analysis results are shown in Table 2. As shown in Table 2, the analysis was conducted using the oxide (glass composition) covering the aluminum particles 4 of the electrode wiring 2 of Example 5, Example 10, Example 19, Example 20, and Examples 27 to 30. 5 and compound layer 7 were performed. In these examples, as shown in Table 1, the transition point is 375 ° C. or less, the adhesion test is “ ⁇ ”, and the water resistance test is also “ ⁇ ”.
  • Example 5 Example 10, Example 19, Example 20, and Examples 27-30, among them, vanadium having a valence of 4 or less (V 4 + or less) It is understood that the water resistance of the electrode wiring 2 is improved as 84% of Example 10 and 89% of Example 27 are increased as the number ratio of atoms increases, that is, 60% of Example 20.
  • V 4 + or less vanadium having a valence of 4 or less
  • the compound layer 7 is made of Al 3 V, AlV 3 , Al 0.8 Sb 1.0 V 0.2 O 4 , Al 0.5 Sb 1.0 V 0.5 O 4 , AlV 2 O 4 , it was confirmed that AlVO 3 , VO 2 ⁇ AlO 2 ⁇ PO 2 , Al 0.02 V 0.98 O 2 , and Al 0.07 V 1.93 O 4 were formed.
  • the vanadium of Al 3 V and AlV 3 can have zero valence (V 0 ).
  • Vanadium of Al 0.8 Sb 1.0 V 0.2 O 4 can have trivalent (V +3 ).
  • the vanadium of Al 0.5 Sb 1.0 V 0.5 O 4 can have trivalent (V +3 ) and tetravalent (V +4 ).
  • the vanadium of AlV 2 O 4 can be monovalent (V +1 ), divalent (V +2 ), trivalent (V +3 ) and tetravalent (V +4 ).
  • the vanadium of AlVO 3 can be trivalent (V +3 ).
  • Vanadium of VO 2 ⁇ AlO 2 ⁇ PO 2 can be tetravalent (V +4 ).
  • Vanadium Al 0.02 V 0.98 O 2 can take a tetravalent (V +4).
  • Vanadium Al 0.07 V 1.93 O 4 can take a tetravalent (V +4).
  • the compound layer 7 contained aluminum and vanadium. And this vanadium was found to contain vanadium having a valence of 4 or less. Moreover, as for the electrode wiring 2 of Examples 1-30, as a result of all the outstanding water resistance tests, it became "O and O", and according to this, aluminum and vanadium are made to the surface of aluminum particle 4 The compound layer 7 containing the above was formed. And vanadium of this compound layer 7 contained tetravalent vanadium or less. Vanadium having a valence of 4 or less was also contained in the oxide (glass composition) 5.
  • the method is not limited to the above manufacturing method as long as the compound layer 7 can be formed.
  • the compound layer 7 containing tetravalent vanadium or less is uniformly formed on the bulk aluminum surface such as an aluminum foil or an aluminum film instead of the aluminum particles 4, the effect of improving the water resistance can be expected.
  • the compound layer 7 is formed on the aluminum surface by sputtering using the glass composition as a target other than the method of heat treating (baking) the conductive paste. May be deposited.
  • a film formation method capable of covering the aluminum surface with the compound layer 7 such as plasma CVD may be used.
  • the electrode wires 2 produced in Comparative Example 4 and Comparative Example 5 shown in Table 1 were also observed with a scanning electron microscope-energy dispersive X-ray analyzer (SEM-EDX).
  • Metals such as lead (Pb) and bismuth (Bi) were precipitated at the interface between the aluminum particles 4 and segregation of the glass component (lead, bismuth) of the glass composition was observed. It is considered that this is because lead of Pb-based glass and bismuth of Bi-based glass are reduced and precipitated by oxidation of aluminum particles 4 by Pb-based glass or Bi-based glass. For this reason, it was inferred that the uniform compound layer 7 could not be formed on the aluminum surface, and the water resistance was difficult to improve.
  • Second Embodiment [Study on weight ratio of glass composition (powder of oxide) to aluminum particles in conductive paste]
  • the weight ratio of the glass composition (oxide powder) 5 (see FIG. 2) of the conductive paste and the aluminum particles 4 (see FIG. 2) was examined.
  • the weight ratio of the glass composition (powder of oxide) 5 of the conductive paste to the aluminum particles 4 was changed to obtain the conductive paste.
  • the electrode wiring 2 (see FIG. 2) is manufactured using the respective conductive pastes, and various characteristics are evaluated. As the evaluated characteristics, an adhesion test (peel test), a water resistance test, and measurement of specific resistance are performed on the electrode wiring 2.
  • particle group A As metal particles to be contained in the conductive paste, as in the first embodiment, particle group A (4A, see FIG. 2) having an average particle diameter (D50) of 1 ⁇ m and particle group B having an average particle diameter (D50) of 5 ⁇ m Prepare two types of aluminum particles 4 (4A, 4B) with (4B, see FIG. 2), and make the mixing ratio of the particle group A (4A) and the particle group B (4B) be 1: 1. Aluminum particles 4 (4A, 4B) of group A and particle group B were blended and used.
  • the weight ratio of the blended aluminum particles 4 (4A, 4B) and the glass composition (powder of oxide) 5 is changed and mixed, and a binder resin and a solvent are added to this mixture.
  • a binder resin and a solvent are added to this mixture.
  • the binder resin was dissolved in the solvent, and the aluminum particles 4 (4A, 4B) and the powder of the glass composition (oxide) 5 were dispersed in the binder resin dissolved in the solvent to complete the conductive paste.
  • Ethyl cellulose was used as the binder resin, and butyl carbitol acetate was used as the solvent.
  • the amounts of aluminum in Table 3 correspond to the sum of the weight of aluminum particles 4 (4A, 4B) mixed and the weight of glass composition (powder of oxide) 5 for each of Examples A1 to A9. , 4B) are stated in% by weight.
  • the glass composition (oxidation) to the sum of the weight of the mixed aluminum particles 4 (4A, 4B) and the weight of the glass composition (oxide powder) 5 for each of Examples A1 to A9 The ratio of the weight of the product powder 5) is stated in% by weight. Therefore, in any of Examples A1 to A9, the sum of the amount of aluminum and the amount of glass is 100% by weight.
  • Example A1 the amount of aluminum was 99.95% by weight, and the amount of glass was 0.05% by weight.
  • Example A2 the amount of aluminum is 99.9% by weight, and the amount of glass is 0.1% by weight.
  • Example A3 the amount of aluminum is 99.5% by weight, and the amount of glass is 0.5% by weight.
  • Example A4 the amount of aluminum is 99% by weight, and the amount of glass is 1% by weight.
  • Example A5 the amount of aluminum is 97% by weight, and the amount of glass is 3% by weight.
  • Example A6 the amount of aluminum is 95% by weight, and the amount of glass is 5% by weight.
  • Example A7 the amount of aluminum is 90% by weight, and the amount of glass is 10% by weight.
  • Example A8 the amount of aluminum is 85% by weight, and the amount of glass is 15% by weight.
  • Example A9 the amount of aluminum is 80% by weight, and the amount of glass is 20% by weight.
  • the conductive paste for each of Examples A1 to A9 is formed on a polycrystalline silicon substrate 3 (see FIG. 2) used for an electronic component 1 (see FIG. 2) such as a solar battery cell. It applied by the screen printing method, respectively. After the application, it was dried by heating at a temperature of 150 ° C. for several minutes in the air. Thereafter, in the electric furnace, heat treatment is performed for 2 seconds at a firing temperature of 850 ° C. in the air, and the electrode wiring 2 (see FIG. 2) is fired and completed. The film thickness of each fired electrode wiring 2 was about 40 ⁇ m.
  • the specific resistance increased as the amount of glass increased. That is, when the amount of glass was in the range of 5% by weight to 20% by weight, the specific resistance increased as the amount of glass increased. And, when the amount of glass is further increased to more than 20% by weight, it is considered that the specific resistance is further increased.
  • the specific resistance of the electrode wiring 2 of the electronic component 1 such as a solar battery cell is required to be 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less.
  • the specific resistance Of 1.0 ⁇ 10 -4 ⁇ cm so to make electrode wiring 2 with a specific resistance of 1.0 ⁇ 10 -4 ⁇ cm or less, the amount of glass is 0.05 wt% to 20 wt%. It turned out that it should be set to the range.
  • the weight ratio of the glass composition 5 to the aluminum particles 4 (4A, 4B) serving as an adhesive for bonding the electrode wiring 2 to the substrate 3 increases, so adhesion of the aluminum particles 4 (4A, 4B) It is considered that the property is improved and as a result, the adhesion of the electrode wiring 2 is improved.
  • Example A2 to A9 in which the amount of glass is 0.1% by weight or more, when both tests are evaluated as “o” or more, and the electrode wiring As for No. 2, it was found that the glass amount is preferably 0.1% by weight or more.
  • Example 1 In Example 1 in which the glass amount was 0.05% by weight, the adhesion test was “x”, but the water resistance test was “o”. Although this is insufficient as the adhesive amount of aluminum particles 4 (4A, 4B) at a glass amount of 0.05% by weight, the thin compound layer 7 described in the first embodiment (see FIG. 2) It is considered that it was sufficient to form the surface of the aluminum particles 4 (4A, 4B) only).
  • the aluminum particles 4 (4A, 4B) are a mixture of a particle group A (4A) having an average particle diameter (D50) of 1 ⁇ m and a particle group B (4B) having an average particle diameter (D50) of 5 ⁇ m.
  • Example B1 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-92 wt% Cu) containing 92 wt% of copper in Example B1 were produced.
  • Example B2 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-90% by weight Cu) containing 90% by weight of copper were produced.
  • Example B3 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-66% by weight Cu) containing 66% by weight of copper were produced.
  • Example B4 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-32.5% by weight Cu) containing 32.5% by weight of copper were produced.
  • Example B5 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-10% by weight Cu) containing 10% by weight of copper were produced.
  • Example B6 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-3 wt% Cu) containing 3 wt% of copper were produced.
  • Example B7 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-3 wt% Mg) containing 3 wt% of magnesium were produced.
  • Example B8 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-3 wt% Ca) containing 3 wt% of calcium were produced.
  • Example B9 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-7% by weight Si) containing 7% by weight of silicon were produced.
  • Example B10 aluminum (alloy) particles 4 of an aluminum alloy (Al-10 wt% Ag) containing 10 wt% of silver were produced.
  • the conductive paste for each of Examples B1 to B10 was applied by screen printing on the polycrystalline silicon substrate 3 used for the electronic component 1 such as a solar battery cell. After the application, it was dried by heating at a temperature of 150 ° C. for several minutes in the air. Thereafter, in the electric furnace, heat treatment was performed for 2 seconds at a firing temperature of 850 ° C. in the air, and the electrode wiring 2 was fired and completed. The film thickness of each fired electrode wiring 2 was about 40 ⁇ m.
  • FIG. 4A shows a plan view of a solar battery cell (electronic component) 30 (1) according to a fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 4B shows a bottom view thereof
  • FIG. 4C shows A- of FIG. The arrow sectional drawing of an A 'direction is shown.
  • a solar battery cell 30 will be described as an example as an electronic component 1 to which the present invention can be applied.
  • the electrode wiring 2 of the electronic component 1 of the present invention is applied to the back surface electrode 35 (2) of the solar battery cell 30 (1) shown in FIGS. 4B and 4C. Further, a back surface electrode 35 (2) is formed on the back surface of the semiconductor substrate 31 (3) made of a p-type silicon substrate.
  • the semiconductor substrate 31 (3) corresponds to the substrate 3 of the first embodiment, and the back electrode 35 (2) corresponds to the electrode wiring 2 of the first embodiment.
  • the semiconductor substrate 31 (3) a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate is used.
  • the semiconductor substrate 31 (3) contains boron (B) or the like to be a p-type semiconductor.
  • Asperities are formed on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 31 (3) shown in FIG. 4A by etching or the like in order to suppress the reflection of sunlight.
  • phosphorus (P) or the like is doped on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 31 (3), and a diffusion layer 32 of n-type semiconductor is formed with a thickness of submicron order.
  • a pn junction is formed by the n-type semiconductor of the diffusion layer 32 and the p-type semiconductor of the semiconductor substrate 31 (3).
  • a light receiving surface electrode wiring 34 is provided on the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3).
  • the light receiving surface electrode wiring 34 is arranged in a grid shape (comb-teeth-like and ladder-like shape) with respect to the thick wiring arranged in parallel so as to longitudinally cross the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3) It has thin wires and can collect current from the entire surface of the light receiving surface.
  • an antireflection layer 33 such as a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film is formed to a thickness of about 100 nm on the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3).
  • the light-receiving surface electrode wiring 34 is formed by firing a conductive paste containing glass powder and silver particles.
  • a back electrode 35 (2) and an output electrode 36 are provided on the back surface of the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3).
  • the back surface electrode 35 (2) is disposed to cover substantially the entire back surface of the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3), and can collect current from substantially the entire back surface of the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3) There is.
  • the output electrodes 36 are disposed in parallel so as to longitudinally cross the rear surface of the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3), and can collect current from the rear surface electrode 35 (2).
  • the output power 36 is formed by firing a conductive paste containing an oxide powder and silver particles.
  • the back electrode 35 (2) is formed by firing a conductive paste containing an oxide powder and aluminum particles, as described in detail later.
  • a p-type silicon substrate was prepared as the semiconductor substrate 31 (3).
  • the semiconductor substrate 31 (3) although not shown, is a mixture of 1% caustic soda (sodium hydroxide: NaOH) and 10% isopropyl alcohol (CH 3 CH (OH) CH 3 ) to improve the light incident efficiency.
  • the light receiving surface side of the semiconductor substrate 31 (3) was etched using a liquid to form a texture.
  • a solution containing phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ) is applied to the light receiving surface side of the semiconductor substrate 31 (3), and treated for 30 minutes at 900 ° C. to convert phosphorus pentoxide to the semiconductor substrate 31 (3) (P) was diffused to form a diffusion layer 32 of an n-type semiconductor on the light receiving surface side.
  • an antireflective film 33 of a silicon nitride film was formed on the diffusion layer 32 to a uniform thickness.
  • the silicon nitride film can be formed by a plasma CVD method using a mixed gas of silane (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ) as a raw material.
  • the antireflective film 33 on the light receiving surface is removed in a grid shape in which the light receiving surface electrode wiring 34 is disposed.
  • a commercially available conductive paste (silver paste) containing oxide powder and silver particles was applied in a grid shape on the light receiving surface side by screen printing, and heated at 150 ° C. for drying for 30 minutes.
  • a commercially available conductive paste (silver paste) containing oxide powder and silver particles on the back surface side of the light receiving surface of the semiconductor substrate 31 (3) for the output electrode 36 so as to have a pattern shown in FIG. 4B.
  • the same conductive paste (aluminum paste) as in the above was applied by screen printing. Then, the output electrode 36 and the back electrode 35 (2) were dried by heating at 150 ° C. for 30 minutes.
  • the conductive paste may be applied first on either the light receiving surface side or the back surface side.
  • the conductive paste (silver paste and aluminum paste) together with the semiconductor substrate 31 (3) is heated to 850 ° C. in the air and baked for 2 seconds to perform light reception.
  • the electrode wiring 34, the output electrode 36, and the back surface electrode 35 (2) were formed, and the solar battery cell 30 (1) was completed.
  • the aluminum particles 4 (see FIG. 2) of the back surface electrode 35 (2) are applied to the semiconductor substrate 31 (3) under the back surface electrode 35 (2).
  • Aluminum is diffused to a high concentration to form an alloy layer 37 of the p + -type semiconductor.
  • the oxide (glass composition) contained in the light receiving surface electrode wiring 34 reacts with the antireflective layer 33 on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 31 (3), and the light receiving surface electrode wiring 34 and The diffusion layer 32 is ohmically connected.
  • a solar battery cell 30 (1) was produced, which was different only in that the back surface electrode 35 (2) was formed using the same conductive paste as the conductive paste used in Comparative Example 4 of Table 1.
  • the conductive paste containing the lead-based glass composition which is a low melting point glass is used for the back electrode 35 (2) of the solar battery cell for comparison, the lead component in the glass composition at the time of firing is used. Is reduced by aluminum particles, and precipitated as metal particles of lead between the particles of aluminum particles, etc., the transition temperature of the glass composition rises, and as a result, it becomes difficult to cover the surface of the aluminum particles by the glass composition, The water resistance of the back electrode 35 (2) was reduced. In the back surface electrode 35 (2) of the solar battery cell of the present application, since the surface of the aluminum particles is covered with the compound layer 7, the water resistance of the back surface electrode 35 (2) can be improved.
  • the solar battery cell 30 (1) of the present invention has higher conversion efficiency than the solar battery cell for comparison. This is because the electric resistance value of back surface electrode 35 (2) can be reduced, and aluminum is diffused from aluminum particles 4 (see FIG. 2) of back surface electrode 35 (2) to form an alloy layer 37 of the p + -type semiconductor. Is considered to have been formed with an appropriate impurity (aluminum) concentration. From this, it was found that the compound layer 7 not only enhances the water resistance of the aluminum particles, but also does not inhibit the electrical conduction between the aluminum particles and does not inhibit the supply of aluminum from the aluminum particles to the alloy layer 37. From the above, it was confirmed that the electrode wiring 2 (see FIG.
  • the back electrode 35 (2) is the electrode wiring 2 ohmically connected to the p-type semiconductor, and can be applied to the electrode wiring 2 ohmically connected to the p-type semiconductor of the electronic component 1 other than the solar battery cell 30 (1) Conceivable.
  • the back surface electrode 35 (2) can also be used simply as the electrode wiring 2 for connecting the electrodes, since the specific resistance is low and the water resistance is high.
  • FIG. 5 shows a part of a cross-sectional view of a plasma display panel (PDP: electronic component) 11 (1) according to a fifth embodiment of the present invention.
  • a plasma display panel 11 will be described as an example as an electronic component 1 to which the present invention can be applied.
  • the electrode wiring 2 of the electronic component 1 of the present invention is applied to the display electrode 20 and the address electrode 21 of the plasma display panel 11 (1).
  • the plasma display panel 11 (1) is disposed such that the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3) are opposed to each other with a gap of 100 to 150 .mu.m, and the plasma display panel 11 (1) is made of the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3).
  • the gap is maintained by the partition wall 14.
  • the periphery of the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3) is hermetically sealed with the sealing material 15, and the inside of the gap between the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3) is rare. It is filled with gas.
  • a display electrode 20 (2) is formed on the front plate 12 (3).
  • the front plate 12 (3) corresponds to the substrate 3 of the first embodiment, and the display electrode 20 (2) corresponds to the electrode wiring 2 of the first embodiment.
  • a dielectric layer 23 is formed on the display electrode 20 (2), and a protective layer 25 (for example, a deposited film of magnesium oxide (MgO) for protecting the display electrode 20 (2) etc. from discharge on the dielectric layer 23 ) Is formed.
  • MgO magnesium oxide
  • An address electrode 21 (2) is formed on the back plate 13 (3).
  • the back plate 13 (3) corresponds to the substrate 3 of the first embodiment, and the address electrode 21 (2) corresponds to the electrode wiring 2 of the first embodiment.
  • the address electrode 21 (2) is formed to be orthogonal to the display electrode 20 (2).
  • a dielectric layer 24 is formed on the address electrode 21 (2), and a partition 14 for forming a cell 16 is provided on the dielectric layer 24.
  • the partition wall 14 is a stripe or lattice (box) structure.
  • a minute space divided by the partition wall 14 becomes a cell 16.
  • the cell 16 is filled with phosphors 17, 18 and 19.
  • One pixel is configured by three cells 16 corresponding to the three primary colors of the cell 16 filled with the red fluorescent substance 17, the cell 16 filled with the green fluorescent substance 18, and the cell 16 filled with the blue fluorescent substance 19 There is. Each pixel can emit various colors in accordance with signals applied to the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2).
  • the remaining particles that is, the aluminum particles after removing large particles and small particles by sieving, have a volume fraction of about 95% or more within the range of 1.5 ⁇ m or more and less than 8 ⁇ m, and average particles
  • the diameter (D50) was 5 ⁇ m.
  • glass composition (powder of oxide) 5 a glass composition (powder of oxide) 5 having the same composition of the glass system as that of Example 10 in Table 1 was prepared and used. Iron and lithium are added as additives to the glass composition (powder of oxide) 5 of Example 10 with respect to the main components of vanadium and phosphorus.
  • a powder of 0.1 parts by weight of the glass composition (oxide) 5 is mixed with 100 parts by weight of the produced flake-like aluminum particles 4, and further, a binder resin and a solvent are added to this mixture and mixed. I was mixed up. The binder resin was dissolved in the solvent, and the aluminum particles 4 and the powder of the glass composition (oxide) 5 were dispersed in the binder resin dissolved in the solvent to complete the conductive paste. In addition, ethyl cellulose was used as a binder resin, and ⁇ -terpineol was used as a solvent.
  • a plasma display panel was produced.
  • a conductive paste was applied to the entire surface of the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3) by screen printing, and dried at 150 ° C. in the atmosphere. Excess portions of the coating film of the conductive paste were removed by the photolithography method and the etching method, and the patterning of the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2) was performed. Thereafter, the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2) are completed by baking in the air at a baking temperature of 600 ° C. for a baking time of 30 minutes. In this firing, the firing atmosphere is an acidic atmosphere, but the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2) are particularly susceptible to a chemical reaction due to a chemical reaction between the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2). It was not.
  • dielectric pastes to be the dielectric layers 23 and 24 were applied to the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3), respectively, and fired in the air at a firing temperature of 610 ° C. for a firing time of 30 minutes.
  • the firing atmosphere is an acidic atmosphere
  • the dielectric layer 23 is in direct contact with the display electrode 20 (2)
  • the dielectric layer 24 is in direct contact with the address electrode 21 (2).
  • the body layer 23 did not chemically react with the display electrode 20 (2)
  • the dielectric layer 24 did not chemically react with the address electrode 21 (2).
  • the protective layer 25 was vapor-deposited from the side of the dielectric layer 23 of the front plate 12 (3).
  • the partition wall 14 was produced by forming a material containing at least a powdery glass composition and a filler into a stripe or lattice, and sintering the formed structure at 500 to 600.degree.
  • the partition wall 14 was disposed on the dielectric layer 24 to constitute the cell 16. Then, each cell 16 is filled with a paste for phosphors corresponding to the three primary colors, and fired at 450 to 500 ° C., whereby the red phosphors 17, the green phosphors 18 and the blue phosphors 19 are contained in the cells 16. It formed.
  • the sealing material 15 was applied to the peripheral portion of either the front plate 12 (3) or the back plate 13 (3) by a dispenser method, a printing method, or the like. Then, the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3) were sealed. In sealing the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3), the front plate 12 (3) and the back plate 13 (3) are disposed facing each other with accurate alignment, Heated. During this heating, the gas in the cell 16 was exhausted and a noble gas was sealed instead.
  • the sealing material 15 may be temporarily fired simultaneously with the firing of the phosphor paste at the time of forming the phosphors 17-19. By temporarily baking the sealing material 15, air bubbles contained in the sealing material 15 can be reduced. Although the sealing material 15 and the address electrode 21 (2) are in direct contact with each other in FIG.
  • the display electrode 20 (2) is also in direct contact with the sealing material 15 in order to draw out the electrode to the outside.
  • the sealing material 15 is heated at the time of temporary firing and at the time of glass sealing, and in this heating, the firing atmosphere becomes an acidic atmosphere. By this heating, the sealing material 15 becomes a display electrode 20 (2) and an address electrode. There was no chemical reaction with 21 (2). Thus, the plasma display panel 11 (1) is completed.
  • the specific resistance of the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2) did not increase. Further, the electrical withstand voltage does not decrease between the adjacent display electrodes 20 (2), the adjacent address electrodes 21 (2), etc., and the voltage can be boosted to light the cell 16. The In addition, no migration phenomenon such as silver thick film electrode wiring occurred, and any other problem was not observed. Since expensive silver is not used for the display electrode 20 (2) and the address electrode 21 (2) of the plasma display panel 11 (1) of the fifth embodiment, the cost can be greatly reduced.
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of a ceramic multilayer wiring board (electronic component) 41 (1) according to a sixth embodiment of the present invention.
  • a ceramic multilayer wiring board (electronic component) 41 (1) according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 shows a multilayer wiring board 41 (1) composed of five layers of low temperature co-fired ceramics (LTCC: Low Temperature Co-fired Ceramics) as an example of the multilayer wiring board.
  • the electrode wiring 2 of the electronic component 1 of the present invention is used for the through hole electrode 43 (2) and the wiring 44 (2) of the multilayer wiring board 41 (1).
  • Wirings 44 (2) are formed on the upper and lower surfaces of each of the ceramic substrates 42 (3).
  • the wiring 44 (2) of each layer is connected by the through hole electrode 43 (2).
  • the through hole electrode 43 (2) penetrates the ceramic substrate 42 (3).
  • the wiring 44 (2) and the through hole electrode 43 (2) are three-dimensionally formed.
  • the ceramic substrate 42 (3) corresponds to the substrate 3 of the first embodiment, and the through-hole electrode 43 (2) and the wiring 44 (2) correspond to the electrode wiring 2 of the first embodiment.
  • a plurality of green sheets in which glass powder, ceramic powder and a binder were kneaded were prepared.
  • the green sheet becomes the ceramic substrate 42 (3) of each layer by firing described later.
  • through holes are made at desired positions of the green sheet.
  • the same conductive paste as that used in Example A5 is applied to the desired wiring pattern by printing on the green sheet having the through holes.
  • the conductive paste is also filled in the through holes.
  • the conductive paste applied to the wiring pattern becomes the through hole electrode 43 (2) and the wiring 44 (2) by baking described later.
  • a conductive paste is applied to the back surface of the lowermost green sheet shown in FIG. 6 by a printing method to form a wiring pattern. When applying on the back surface of a green sheet, it is performed after drying the conductive paste applied on the surface.
  • a plurality of green sheets on which predetermined wiring patterns are formed are stacked and integrally fired.
  • An example of the temperature schedule at the time of baking is shown in FIG. As shown in FIG. 7, the heating process from room temperature to 700 ° C. is in the atmosphere, and the process in the temperature range of 700 ° C. to 900 ° C. (including the holding time at 900 ° C. for 60 minutes) is in a nitrogen atmosphere, The temperature was lowered from 700 ° C. to room temperature again in the air. The heating rate and the cooling rate were 5 ° C./min.
  • the temperature schedule of baking is not limited to FIG. The reason why the nitrogen atmosphere is in the temperature range of 700 ° C. to 900 ° C. is to suppress the oxidation of the particles 4 in the conductive paste.
  • the glass powder of the green sheet did not chemically react with the through hole electrode 43 (2) and the wiring 44 (2), and no void was generated in the vicinity of each other's interface. From the above, it was confirmed that the electrode wiring 2 (see FIG. 2) of the present invention can be applied as the wiring 44 (2) and the through hole electrode 43 (2) of the multilayer wiring board 41 (1). There is no need to use expensive silver thick film electrode wiring as the wiring 44 (2) and the through-hole electrode 43 (2), which can greatly contribute to cost reduction.
  • the electronic component 1 is the solar battery cell 30, the plasma display panel 11, and the ceramic mounting substrate 41 has been described, but the electronic component 1 is not limited thereto.
  • the scope of application can be extended to 1.

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Abstract

　アルミニウム及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子（４）と、酸化物からなる粉末とが、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に分散している導電性ペーストであって、その酸化物は、ガラス相を有し、かつ、価数が４価以下のバナジウムを含む。電子部品１の製造方法では、この導電性ペーストを基板（３）に塗布し焼成して電極配線（２）を形成する。その電子部品（１）では、アルミニウム（Ａｌ）及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子（４）と、粒子（４）を基板（３）に固定する酸化物（５）とを有する電極配線（２）を具備し、酸化物（５）は価数が４価以下のバナジウム（Ｖ）を含む。粒子（４）の表面には、バナジウムとアルミニウムを含む化合物層（７）が形成され、化合物層（７）に含まれるバナジウムは、価数が４価以下のバナジウムを含む。これにより、耐水性・耐湿性が高く高信頼性の電極配線を具備する電子部品（１）を提供する。

Description

電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法
　本発明は、電極配線を具備する電子部品と、その電極配線の形成に用いる導電性ペーストと、その電子部品の製造方法に関する。
　太陽電池セル、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や、セラミック多層配線基板等の電子部品には、電極配線が形成されている。その電極配線は導電性ペーストを用いて形成されている。導電性ペーストには、金属粒子として、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）が用いられている。電極配線は、導電性ペーストを大気中、高温で焼成することによって形成されるが、導電性ペーストは金属粒子の他にもガラス粒子を有しており、導電性ペーストの焼成時には、そのガラス粒子の軟化点以上の温度に加熱されることで、ガラス粒子が軟化流動し、電極配線は緻密になるとともに基板に強固に接着する。
　アルミニウムを金属粒子とする導電性ペーストでは、アルミニウムの表面に形成されている酸化皮膜に起因して高抵抗化する場合があり、バナジウム（Ｖ）や酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）を添加することで、金属粒子の焼結性を改善し、電極配線を低抵抗化させる手法が提案されている（特許文献１等参照）。また、炭素（Ｃ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、水素化金属化合物及びリン化金属化合物等を添加することで耐酸化性を向上させ、低抵抗化させる手法が提案されている（特許文献２等参照）。
特開平７－７３７３１号公報 特開平５－２９８９１７号公報
　アルミニウムを金属粒子とする導電性ペーストでは、低抵抗化が進められ、電子部品の電極配線に用いられることで、例えば、太陽電池セルの電極配線に用いられることで、太陽電池セル（電子部品）の高性能化に寄与した。
　一方で、太陽電池セル等の電子部品では、経時的な性能劣化を抑制し、長寿命化させ、高い信頼性を獲得することが求められている。その性能劣化としては、電極配線の性能劣化（高抵抗化）が挙げられる。この原因として、大気中に含まれる水分がアルミニウムの酸化皮膜と反応し、水酸化アルミニウムが生成するためであることがわかった。大気中に含まれる水分がアルミニウムの酸化皮膜に達しないように、アルミニウムの金属粒子を緻密な部材で覆えば、耐水性（耐湿性）が向上し、電極配線の性能劣化を抑制できると考えられる。
　そこで、本発明の目的は、耐水性が高く高信頼性の電極配線を具備する電子部品と、導電性ペーストと、その電子部品の製造方法を提供することにある。
　前記目的を達成するために、本発明は、アルミニウム（Ａｌ）及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子と、前記粒子を基板に固定する酸化物とを有する電極配線を具備する電子部品であって、
　前記酸化物は、価数が４価以下のバナジウム（Ｖ）を含むことを特徴としている。
　また、本発明は、アルミニウム及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子と、酸化物からなる粉末とが、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に分散している導電性ペーストであって、
　前記酸化物は、ガラス相を有し、かつ、価数が４価以下のバナジウムを含むことを特徴としている。
　また、本発明は、アルミニウム及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子と、ガラス相を有しかつ価数が４価以下のバナジウムを含む酸化物からなる粉末とが、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に分散している導電性ペーストを基板に塗布し、
　塗布した前記導電性ペーストを焼成して、電極配線を形成する電子部品の製造方法であることを特徴としている。
　本発明によれば、耐水性が高く高信頼性の電極配線を具備する電子部品と、導電性ペーストと、その電子部品の製造方法を提供することができる。
ガラス組成物（酸化物の粉末）のＤＴＡ測定で得られるＤＴＡカーブの１例である。 本発明の第１の実施形態に係る電子部品が具備する電極配線の断面図の一部である。 電極配線の比抵抗と、ガラス量（ガラス組成物（酸化物の粉末）のアルミニウム粒子に対する重量分率）との関係を示すグラフである。 本発明の第４の実施形態に係る太陽電池セル（電子部品）の平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る太陽電池セル（電子部品）の底面図である。 図４ＡのＡ－Ａ′方向の矢視断面図である。 本発明の第５の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル（電子部品）の断面図の一部である。 本発明の第６の実施形態に係るセラミック多層配線基板（電子部品）の断面図である。 本発明の第６の実施形態に係るセラミック多層配線基板（電子部品）を焼成する際の温度スケジュールの一例である。
　次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。また、本発明は、ここで取り上げた複数の実施形態の個々に限定されることはなく、適宜組み合わせてもよい。
（第１の実施形態）
［導電性ペーストのガラス組成物（酸化物の粉末）の組成に関する検討］
　第１の実施形態では、導電性ペーストのガラス組成物（酸化物の粉末）の組成に関して検討した。
　表１に示すように、第１の実施形態では、実施例１～３０と比較例１～５の計３５種類の導電性ペーストのガラス組成物（酸化物の粉末）を作製し、それぞれのガラス組成物を使って導電性ペーストを作製し、さらに、それらそれぞれの導電性ペーストを使って電極配線を作製し、各種特性を評価している。ガラス組成物（酸化物の粉末）の作製に当っては、実施例１～３０と比較例１～５毎に、ガラス系の組成を変えて製造している。また、評価した特性としては、ガラス組成物（酸化物の粉末）に対して、特性温度測定を行い、電極配線に対して、密着性試験（ピール試験）と、耐水性試験と、比抵抗の計測を行っている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
（１－１、ガラス組成物（酸化物の粉末）の作製）
　表１の実施例１～３０と比較例１～５に示すガラス系の組成を有するガラス組成物（酸化物の粉末）を作製した。実施例１～３０と比較例１～３と比較例５のガラス系の組成には、RoHS指令の禁止物質である鉛（Ｐｂ）を含ませていない。比較例４にのみ、主成分として鉛を含ませている。
　実施例１～３０のガラス系の組成の主成分は、バナジウム（Ｖ）とリン（Ｐ）にしている。さらに、実施例１、実施例１９～２６と実施例２９では、バナジウムとリンに加え、バリウム（Ｂａ）も主成分としている。
　実施例１では、バナジウムとリンとバリウムの主成分以外に添加物は加えていない。
　実施例２では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモン（Ｓｂ）を加えている。
　実施例３では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモンとタングステン（Ｗ）を加えている。
　実施例４では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモンとカリウム（Ｋ）を加えている。
　実施例５では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモンとバリウムを加えている。
　実施例６では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモン、バリウム、亜鉛とタングステンを加えている。
　実施例７では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモン、マンガン（Ｍｎ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム、バリウムとテルル（Ｔｅ）を加えている。
　実施例８では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、マンガン、ナトリウム、カリウム、バリウム、亜鉛とタングステンを加えている。
　実施例９では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、マンガン、バリウム、亜鉛とタングステンを加えている。
　実施例１０では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄（Ｆｅ）とリチウム（Ｌｉ）を加えている。
　実施例１１では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄を加えている。
　実施例１２では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄、バリウム、亜鉛とタングステンを加えている。
　実施例１３では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄とバリウムを加えている。
　実施例１４では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄、タングステンとバリウムを加えている。
　実施例１５では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄、亜鉛とバリウムを加えている。
　実施例１６では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、ビスマス（Ｂｉ）、バリウム、亜鉛とタングステンを加えている。
　実施例１７では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、リチウムを加えている。
　実施例１８では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、リチウムとバリウムを加えている。
　実施例１９では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、亜鉛を加えている。
　実施例２０では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、亜鉛とタングステンを加えている。
　実施例２１では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、テルルを加えている。
　実施例２２では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、テルルと銅（Ｃｕ）を加えている。
　実施例２３では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、亜鉛、タングステンとホウ素（Ｂ）を加えている。
　実施例２４では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、タングステン、モリブデン（Ｍｏ）とカリウムを加えている。
　実施例２５では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、タングステンと銅を加えている。
　実施例２６では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、亜鉛、銅とホウ素を加えている。
　実施例２７では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄、バリウム、タングステンと銅を加えている。
　実施例２８では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄、リチウム、バリウムとタングステンを加えている。
　実施例２９では、バナジウムとリンとバリウムの主成分に対して、添加物として、テルル、カリウムとタングステンを加えている。
　実施例３０では、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、アンチモン、バリウム、テルル、カリウムとタングステンを加えている。
　比較例１～５では、ガラス系の組成に、バナジウムを加えていない。比較例１～３ではリンを主成分とし、比較例４では鉛を主成分とし、比較例５ではビスマスを主成分としている。
　比較例１では、リンの主成分に対して、添加物として、カリウム、バリウム、亜鉛、タングステンとホウ素を加えている。
　比較例２では、リンの主成分に対して、添加物として、カリウム、バリウム、亜鉛、モリブデンとホウ素を加えている。
　比較例３では、リンの主成分に対して、添加物として、鉄、カリウム、バリウム、亜鉛、タングステンとホウ素を加えている。
　比較例４では、鉛の主成分に対して、添加物として、ホウ素、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛とアルミニウム（Ａｌ）を加えている。なお、比較例４では、市販の鉛系ガラスを用いた。
　比較例５では、ビスマスの主成分に対して、添加物として、ホウ素、シリコン、バリウムと亜鉛を加えている。なお、比較例５では、市販のビスマス系ガラスを用いた。
　なお、バナジウム成分の原料化合物としては、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）を用いた。リン成分の原料化合物としては、五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）を用いた。バリウム成分の原料化合物としては、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）を用いた。リチウム成分の原料化合物としては、炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３）を用いた。ナトリウム成分の原料化合物としては、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）を用いた。カリウム成分の原料化合物としては、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）を用いた。アンチモン成分の原料化合物としては、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）を用いたが、四酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ４）を用いてもよい。マンガン成分の原料化合物としては、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を用いたが、酸化マンガン（ＭｎＯ）を用いてもよい。鉄成分の原料化合物としては、三酸化二鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を用いたが、酸化鉄（ＦｅＯ）や四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）などを用いてもよい。ビスマス成分の原料化合物としては、三酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を用いた。亜鉛成分の原料化合物としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた。タングステン成分の原料化合物としては、三酸化タングステン（ＷＯ３）を用いた。テルル成分の原料化合物としては、二酸化テルル（ＴｅＯ２）を用いた。銅成分の原料化合物としては、酸化銅（ＣｕＯ）を用いた。モリブデン成分の原料化合物としては、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を用いた。ホウ素成分の原料化合物としては、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を用いた。
　また、バリウム成分の原料化合物としては、リン酸バリウム（Ｂａ(ＰＯ３)２）を用いてもよく、鉄成分の原料化合物としては、リン酸鉄（ＦｅＰＯ４）を用いてもよい。これらの原料化合物には、リンも含まれているので、ガラス組成物におけるリンの組成比を考慮して、リン成分の原料化合物となる五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）の添加量を調整することが望ましい。
　そして、ガラス組成物の具体的な作製は、前記の原料化合物を用いて以下の手順で行った。
　まず、実施例１～３０と比較例１～３毎に、ガラス系の組成が所定の組成になるように、粉末状の原料化合物を配合し混合した。混合した粉末を白金ルツボに入れ、電気炉を用いて加熱し溶融させた。加熱条件としては、５～１０℃／ｍｉｎの昇温速度で１０００～１１００℃まで加熱し、その１０００～１１００℃の加熱温度で２時間保持した。この保持中には、均一なガラス組成物とするために、溶融物が均一になるように攪拌した。
　次に、白金ルツボを高温のまま電気炉から取り出し、予め２００～３００℃に加熱しておいたステンレス板上に溶融物を流し込んだ。溶融物は、急冷されガラス化し、バルク状のガラス組成物となって固形化した。そのバルク状のガラス組成物を、スタンプミルを用い粉砕して、粒径１～３μｍ程度のガラス組成物の粉末（酸化物の粉末）を作製した。
　また、比較例４では、市販の鉛系ガラスを、バルク状のガラス組成物として、スタンプミルを用い粉砕して、ガラス組成物の粉末（酸化物の粉末）を作製した。比較例５では、市販のビスマス系ガラスを、バルク状のガラス組成物として、スタンプミルを用い粉砕して、ガラス組成物の粉末（酸化物の粉末）を作製した。
（１－２、ガラス組成物の特性温度測定）
　実施例１～３０と比較例１～５のそれぞれで作製したガラス組成物の特性温度の測定を行った。特性温度の測定では、示差熱分析（ＤＴＡ）装置（真空理工株式会社製、型式：ＤＴ－１５００）を用いた。標準試料としてα-アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用い、標準試料と供試材（実施例１～３０と比較例１～５毎のガラス組成物の粉末）の質量を、それぞれ１ｇとした。測定では、大気雰囲気中で標準試料と供試材を昇温し、昇温速度を５℃／ｍｉｎとした。
　図１に、ガラス組成物の特性温度の測定（ＤＴＡ測定）で得られたＤＴＡカーブの一例を示す。図１のＤＴＡカーブでは、第１吸熱ピークＰＡと、第２吸熱ピークＰＢと、発熱ピークＰＣが測定された。第１吸熱ピークＰＡの開始温度（接線法による、第１吸熱ピークＰＡの開始前のＤＴＡカーブの接線と、第１吸熱ピークＰＡの前半において降下するＤＴＡカーブの接線とが交わるときの温度）をガラス組成物の転移点と定義した。実施例１～３０と比較例１～５毎に、特性温度の測定（ＤＴＡ測定）を行い、測定結果であるＤＴＡカーブからガラス組成物の転移点を求めた。求めた転移点を表１に併記した。温度が転移点以上になると、ガラス組成物の剛性と粘度が低下して軟化し、流動性が増す。耐水性・耐湿性を向上させるために、ガラス組成物で、アルミニウムの金属粒子を緻密に覆うためには、転移点は、できるだけ低いほうがよいと考えられる。
　比較例１～３（リン主成分）では、転移点が５２８℃、５０２℃、４９３℃であり、概ね５００℃であった。実施例１～３０において、転移点が５００℃以下を達成できたのは、実施例１～２４、実施例２７～３０であった。
　比較例４（鉛主成分）では、転移点が３７５℃であり、比較例５（ビスマス主成分）では、転移点が４１３℃であった。これらは、流動性の高いガラス組成物として知られているので、高い流動性を確保するためには、転移点として、概ね４００℃以下であればよいと考えられる。実施例１～３０において、転移点が４００℃以下を達成できたのは、実施例１～１５、実施例１７～２０、実施例２７～３０であった。さらに、転移点が３００℃以下を達成できたのは、実施例２、実施例１０、実施例１１、実施例１７、実施例１８、実施例２８～３０であった。
　なお、第１吸熱ピークＰＡのピーク温度（接線法による、第１吸熱ピークＰＡの前半において降下するＤＴＡカーブの接線と、第１吸熱ピークＰＡの後半において上昇するＤＴＡカーブの接線とが、交わるときの温度）を、図１に示すようにガラス組成物の屈伏点と定義できる。また、第２吸熱ピークＰＢのピーク温度（接線法による、第２吸熱ピークＰＢの前半において降下するＤＴＡカーブの接線と、第２吸熱ピークＰＢの後半において上昇するＤＴＡカーブの接線とが、交わるときの温度）を、図１に示すようにガラス組成物の軟化点と定義することができる。また、発熱ピークＰＣでは、ガラス組成物の結晶化が起こっている。この結晶化では、ガラス組成物のガラス相中に、微結晶の結晶相が分散した状態で生じている。
（１－３、導電性ペーストの作製）
　導電性ペーストに含有させる金属粒子として、平均粒径（D50）１μｍの粒子群Ａと、平均粒径（D50）５μｍの粒子群Ｂとの２種類のアルミニウム粒子を用意した。まず、アルミニウムを溶融し、水アトマイズ法にて球状のアルミニウム粒子を形成した。このアルミニウム粒子から、粒径０．５μｍ未満の粒子を篩いによって除去し、粒径１．５μｍ以上の粒子を篩いによって除去して残った粒子群を粒子群Ａとした。粒子群Ａは、平均粒径（D50）が１μｍであり、粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ未満の範囲内に約９５％以上の体積分率を有していた。先の篩いによって除去された粒径１．５μｍ以上の粒子から、粒径８μｍ以上の粒子を篩いによって除去して残った粒子群を粒子群Ｂとした。粒子群Ｂは、平均粒径（D50）が５μｍであり、粒径が１．５μｍ以上８μｍ未満の範囲内に約９５％以上の体積分率を有していた。
　粒子群Ａのアルミニウム粒子が５０重量％になり、粒子群Ｂのアルミニウム粒子が５０重量％になるように、すなわち、粒子群Ａと粒子群Ｂの混合比率が１：１になるように、粒子群Ａと粒子群Ｂのアルミニウム粒子を配合して使用した。
　実施例１～３０と比較例１～５毎に、配合したアルミニウム粒子の１００重量部に対して、１０重量部のガラス組成物（酸化物）の粉末を混合し、さらに、この混合物にバインダ樹脂と溶剤とを添加・混合し、混錬した。バインダ樹脂は溶剤に溶け、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に、アルミニウム粒子とガラス組成物（酸化物）の粉末とが分散し、導電性ペーストが完成した。なお、バインダ樹脂にはエチルセルロースを用い、溶剤にはα-テルピネオールを用いた。
（１－４、電極配線の形成）
　太陽電池セル等の電子部品に用いられる多結晶シリコン基板上に、実施例１～３０と比較例１～５毎の導電性ペーストを、スクリーン印刷法にてそれぞれ塗布した。塗布後、大気中において温度１５０℃で数分間加熱し乾燥させた。その後、電気炉にて、大気中で８５０℃の焼成温度で２秒間の熱処理を施して、電極配線を焼成し完成させた。焼成された電極配線の膜厚はどれも、約４０μｍであった。
（１－５、電極配線の特性、比抵抗測定）
　実施例１～３０と比較例１～５毎に、完成した電極配線の比抵抗を四探針法で測定した。比抵抗測定では、電極配線の電気抵抗と膜厚を測定し、この電気抵抗と膜厚に基づいて比抵抗を算出した。実施例１～３０の電極配線の比抵抗は、比較例４（鉛系のガラス組成物を使用）と、比較例５（ビスマス系のガラス組成物を使用）の電極配線の比抵抗に比べ、同程度かそれより小さい値であった。
（１－６、電極配線の特性、密着性試験（ピール試験））
　実施例１～３０と比較例１～５毎に、完成した電極配線の基板に対する接着（密着性）の強さを、ピール試験にて評価した。ピール試験では、市販のセロハンテープを、電極配線に貼り付けた後に引き剥がした。そして、剥がした後に電極配線を観察し評価した。評価基準としては、アルミニウム粒子のほとんど全てが剥がれ電極配線が断線状態となったものを「×」とし、アルミニウム粒子の一部が薄く剥がれたが断線状態にならなかったものを「○」とし、アルミニウム粒子が全く剥がれなかったものを「◎」とする基準を用いた。表１に示すように、ピール試験の結果は、実施例１～１５と実施例１７～２０と実施例２７～３０と比較例４で「◎」であり、実施例１６と実施例２１～２４と比較例５で「○」であり、実施例２５と実施例２６と比較例１～３で「×」であった。
　表１において、転移点と密着性試験（ピール試験）とを比較すると、転移点が４００℃以下の場合に、「◎」となり、転移点が４００℃を超え概ね５００℃以下の場合に、「○」となり、転移点が概ね５００℃を超えた場合に、「×」となった。転移点が下がる程、焼成時（焼成温度）におけるガラス組成物の軟化流動特性が向上し、ガラス組成物はアルミニウム粒子の表面を容易に覆えるようになる。ガラス組成物によってアルミニウム粒子の表面が覆われると、必然的に、隣接するアルミニウム粒子間にガラス組成物が配置されるので、ガラス組成物が接着剤となり、隣接するアルミニウム粒子を強固に接着させることができる。また、ガラス組成物によってアルミニウム粒子の表面が覆われると、基板と基板に隣接するアルミニウム粒子の間にも、必然的に、ガラス組成物が配置されることになるので、ガラス組成物が接着剤となり、基板に隣接するアルミニウム粒子を、基板に強固に接着させることができる。このため、転移点が低い程、密着性試験（ピール試験）で高い密着性が得られたと考えられる。
（１－７、電極配線の特性、耐水性試験）
　実施例１～３０と比較例１～５毎の電極配線に対し、耐水性試験として、温度８５℃、湿度８５％の条件の環境下に、１０００時間、放置するという加速試験を行った。評価基準としては、試験後に電極配線が黒色化したものは「×」とし、電極配線の色の変化がわずかにあるものは「○」とし、色がほとんど変わらないものを「◎」とする基準を用いた。表１に示すように、耐水性試験の結果は、実施例１～５と実施例８～１１と実施例１３と実施例１７～２０と実施例２７～３０で「◎」であった。実施例６と実施例７と実施例１２と実施例１４～１６と実施例２１～２６で「○」であった。比較例１～５で「×」であった。実施例１～３０の方が、比較例１～５よりも耐水性に優れていることがわかった。
　実施例１～３０において、密着性試験の結果と、耐水性試験の結果を比較すると、耐水性試験で「◎」であると、密着性試験でも「◎」となることがわかった。逆に、密着性試験で「◎」であると、耐水性試験では「◎」か「○」となることがわかった。このことから、実施例１～３０においては、耐水性試験の「◎」であることと、密着性試験の「◎」であることとは、密接に関係していると考えられる。
　実施例１～３０において、転移点と、耐水性試験の結果を比較すると、転移点が３８０℃以上だと、耐水性試験で「○」になり、転移点が３８０℃未満だと、耐水性試験で「◎」になることがわかった。このことから、実施例１～３０においては、転移点と耐水性試験の結果とは密接に関係しており、転移点が低い程、耐水性が向上すると考えられる。
　また、ガラス組成物単体の特性としては比較例４（鉛系のガラス）と比較例５（ビスマス系のガラス）よりも耐水性で劣る実施例１～３０であっても、アルミニウム粒子と混合して導電性ペーストとして焼成し、電極配線を作製すると、実施例１～３０では、比較例４（鉛系のガラス）と比較例５（ビスマス系のガラス）よりも耐水性に優れた電極配線を作製できることが判明した。このことは、高い耐水性を得るにはアルミニウム粒子を緻密な膜で覆うことが肝要であるが、その緻密な膜は、ガラス組成物単体ではなく、ガラス組成物とアルミニウム粒子との存在によって形成されていることが想起された。
　また、実施例２５と実施例２６では、密着性試験は「×」となり、耐水性試験は「○」となった。実施例２５と実施例２６の転移点は５０２℃と５５０℃で、５００℃を超えており、ガラス組成物は、アルミニウム粒子を接着するのに十分なだけ覆ってはいないと考えられる。それにも関わらず、耐水性試験で「○」となったのは、接着に必要な量より少ない量のガラス組成物がアルミニウム粒子を覆うだけでも、そのアルミニウム粒子とガラス組成物によって薄くても緻密な膜がアルミニウム粒子の表面に形成され、耐水性を向上させたからであると考えられた。
　図２に、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１が具備する電極配線２の断面図の一部を示す。この断面図は、実施例１～３０、例えば、実施例１０で作製した電極配線２を、走査型電子顕微鏡－エネルギ分散型Ｘ線分析装置（SEM-EDX）を用いて観察した結果に基づいている。
　電子部品１は、シリコン基板３と、シリコン基板３上に接着し固定された電極配線２を有している。電極配線２は、アルミニウム（Ａｌ）及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の、いわゆるアルミニウム粒子４と、アルミニウム粒子４をシリコン基板３に固定させるガラス組成物（酸化物）５とを有している。
　複数のアルミニウム粒子４同士は、焼結によってネッキング結合部６にて結合（ネッキング）している。アルミニウム粒子４には、アルミニウムだけでなく、アルミニウムを含む合金からなるアルミニウム粒子４を用いることができる。アルミニウムを含む合金は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）のうち少なくとも一種の元素を含んでいる。例えば、銀が添加されることで、合金（Al-Ag）の導電率を高めることができる。また、銅が添加されることで、合金（Al-Cu）の強度を高めることができる。シリコンが添加されることで、合金（Al-Si）の耐磨耗性を高めることができる。マグネシウムやカルシウムが添加されることで、合金（Al-Mg、Al-Ca）の強度や耐食性を高めることができる。
　アルミニウム粒子４は、粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ未満の範囲内に約９５％の体積分率を有する粒子群Ａ（４Ａ）と、粒径が１．５μｍ以上８μｍ未満の範囲内に約９５％の体積分率を有する粒子群Ｂ（４Ｂ）とから構成されている。粒子群Ａ（４Ａ）の複数の粒子４の総重量と、粒子群Ｂ（４Ｂ）の複数のアルミニウム粒子４の総重量とは、略等しくなっている。これによれば、粒径の大きな粒子群Ｂ（４Ｂ）のアルミニウム粒子４間の隙間に、粒径の小さな粒子群Ａ（４Ａ）の粒子４が入り、アルミニウム粒子４の密度を高めることができるので、緻密な電極配線２を形成することができる。
　酸化物（ガラス組成物）５は、アルミニウム粒子４を覆い、アルミニウム粒子４をシリコン基板３に接着している。酸化物（ガラス組成物）５は、表１の実施例１～３０に示すように、バナジウム（Ｖ）とリン（Ｐ）を含んでいる。酸化物５は、ガラス組成物であるので、ガラス相５ａを有し、ガラス相５ａ内に分散するように結晶相（微結晶）５ｂが形成している。結晶相（微結晶）５ｂの粒径は１０～６０ｎｍ程度であった。
　アルミニウム粒子４の表面には、バナジウムとアルミニウムを含む化合物層７が形成されている。化合物層７のアルミニウム粒子４の側には、アルミニウムの酸化被膜があってもよい。化合物層７は、アルミニウム粒子４の表面上に、均一の厚さで形成されている。化合物層７の厚さは、１０～１００ｎｍ程度であった。アルミニウム粒子４は、表面を、化合物層７で覆われ、さらに、酸化物（ガラス組成物）５で覆われている。
　また、酸化物（ガラス組成物）５と化合物層７のバナジウムの価数状態を、Ｘ線光電子分光分析（ESCA）により分析した。分析は、電極配線２の表面の汚染状態を考慮し、アルゴン（Ａｒ）エッチングを３０秒間、実施してから行った。その分析結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表２に示すように、分析は、実施例５、実施例１０、実施例１９、実施例２０、実施例２７～３０の電極配線２のアルミニウム粒子４を覆っている酸化物（ガラス組成物）５と化合物層７について行った。これらの実施例は、表１に示したように、転移点は３７５℃以下であり、密着性試験は「◎」であり、耐水性試験も「◎」である。そして、表２に示すように、これらの実施例では、４価以下のバナジウム（Ｖ４＋以下、すなわち、Ｖ４＋、Ｖ３＋、Ｖ２＋、Ｖ１＋、Ｖ０）の原子を個数割合で６０％以上含んでいることがわかった。これに対して、これらの実施例では、５価のバナジウム（Ｖ５＋）の原子を個数割合で４０％以下含んでいることがわかった。そして、耐水性試験は、実施例５、実施例１０、実施例１９、実施例２０、実施例２７～３０ではみな「◎」であるが、その中でも、４価以下のバナジウム（Ｖ４＋以下）原子の個数割合が増加するほど、すなわち、実施例２０の６０％よりは、実施例１０の８４％や、実施例２７の８９％の方が、電極配線２の耐水性が向上することがわかった。
　また、実施例１～３０の化合物層７についてＸ線回折（XRD）の分析を行った。この分析から、化合物層７には、Ａｌ３Ｖ、ＡｌＶ３、Ａｌ０．８Ｓｂ１．０Ｖ０．２Ｏ４、Ａｌ０．５Ｓｂ１．０Ｖ０．５Ｏ４、ＡｌＶ２Ｏ４、ＡｌＶＯ３、ＶＯ２・ＡｌＯ２・ＰＯ２、Ａｌ０．０２Ｖ０．９８Ｏ２、Ａｌ０．０７Ｖ１．９３Ｏ４が形成されていることが確認できた。Ａｌ３Ｖ、ＡｌＶ３のバナジウムは０価（Ｖ０）を取りうる。Ａｌ０．８Ｓｂ１．０Ｖ０．２Ｏ４のバナジウムは３価（Ｖ＋３）を取りうる。Ａｌ０．５Ｓｂ１．０Ｖ０．５Ｏ４のバナジウムは３価（Ｖ＋３）と４価（Ｖ＋４）を取りうる。ＡｌＶ２Ｏ４のバナジウムは１価（Ｖ＋１）と２価（Ｖ＋２）と３価（Ｖ＋３）と４価（Ｖ＋４）を取りうる。ＡｌＶＯ３のバナジウムは３価（Ｖ＋３）を取りうる。ＶＯ２・ＡｌＯ２・ＰＯ２のバナジウムは４価（Ｖ＋４）を取りうる。Ａｌ０．０２Ｖ０．９８Ｏ２のバナジウムは４価（Ｖ＋４）を取りうる。Ａｌ０．０７Ｖ１．９３Ｏ４のバナジウムは４価（Ｖ＋４）を取りうる。
　化合物層７は、アルミニウムとバナジウムを含んでいることがわかった。そして、このバナジウムは、４価以下のバナジウムを含んでいることがわかった。また、実施例１～３０の電極配線２は、どれも優れた耐水性試験の結果「◎と○」となっており、これと対応するように、アルミニウム粒子４の表面には、アルミニウムとバナジウムを含む化合物層７が形成されていた。そして、この化合物層７のバナジウムは、４価以下のバナジウムを含んでいた。４価以下のバナジウムは、酸化物（ガラス組成物）５にも含まれていた。以上から、耐水性向上の要因としては、酸化物（ガラス組成物）５中の４価以下のバナジウムと、アルミニウム粒子４のアルミニウムとが焼成時に反応し、アルミニウムと４価以下のバナジウムの化合物層７が、緻密にアルミニウム粒子４の表面を覆うように形成されたために、電極配線２の耐水性が向上したものと推察された。
　なお、耐水性が向上したのは、アルミニウム粒子４の表面に、化合物層７を形成したためであるので、この化合物層７が形成できるのであれば、前記の製造方法に限らない。例えば、アルミニウム粒子４ではなく、アルミニウム箔やアルミニウム膜といったバルクのアルミニウム表面に、４価以下のバナジウムを含む化合物層７を均一に形成しても、耐水性向上の効果が期待できる。また、４価以下のバナジウムを含む化合物層７を形成する方法も、前記導電性ペーストを熱処理（焼成）する方法以外にも、前記ガラス組成物をターゲットとしたスパッタ法によりアルミニウム表面に化合物層７を成膜してもよい。また、プラズマＣＶＤ法等のアルミニウム表面を化合物層７で被覆できる成膜方法を用いてもよい。
　一方、表１に示す比較例４と比較例５で作製した電極配線２も、走査型電子顕微鏡－エネルギ分散型Ｘ線分析装置（SEM-EDX）で観察した。鉛（Ｐｂ）やビスマス（Ｂｉ）といった金属が、アルミニウムの粒子４同士の界面に析出しており、ガラス組成物のガラス成分（鉛、ビスマス）の偏析が観察された。これは、Ｐｂ系ガラスやＢｉ系ガラスによるアルミニウムの粒子４の酸化によって、Ｐｂ系ガラスの鉛やＢｉ系ガラスのビスマスが還元されて析出したものと考えられる。このため、アルミニウム表面に均一な化合物層７はできず、耐水性が向上し難かったと推察された。
　また、比較例４と比較例５で作製した電極配線２について、Ｘ線回折（XRD）の分析を行った。分析の結果から、変色した電極配線２からは水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）の生成が確認できた。これが電極変色の原因と推察される。一方で、実施例１～３０の電極配線２では、水酸化アルミニウムが生成しておらず、替わりに、化合物層７が生成していることがわかった。その化合物層７はいずれも４価以下のバナジウムを含む化合物により形成されていた。
（第２の実施形態）
［導電性ペースト中のガラス組成物（酸化物の粉末）とアルミニウム粒子の重量比に関する検討］
　第２の実施形態では、導電性ペーストのガラス組成物（酸化物の粉末）５（図２参照）とアルミニウム粒子４（図２参照）の重量比に関して検討した。
　表３に示すように、第２の実施形態では、実施例Ａ１～Ａ９において、導電性ペーストのガラス組成物（酸化物の粉末）５とアルミニウム粒子４の重量比を変えて、導電性ペーストを作製し、さらに、それらそれぞれの導電性ペーストを使って電極配線２（図２参照）を作製し、各種特性を評価している。評価した特性としては、電極配線２に対して、密着性試験（ピール試験）と、耐水性試験と、比抵抗の計測を行っている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
（２－１、ガラス組成物（酸化物の粉末）の作製）
　ガラス組成物（酸化物の粉末）５としては、表１の実施例１０と同じガラス系の組成を有するガラス組成物（酸化物の粉末）５を作製し使用した。実施例１０のガラス組成物（酸化物の粉末）５には、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄とリチウムが加えられている。
（２－２、導電性ペーストの作製）
　導電性ペーストに含有させる金属粒子としては、第１の実施形態と同様に、平均粒径（D50）１μｍの粒子群Ａ（４Ａ、図２参照）と平均粒径（D50）５μｍの粒子群Ｂ（４Ｂ、図２参照）との２種類のアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）を用意し、粒子群Ａ（４Ａ）と粒子群Ｂ（４Ｂ）の混合比率が１：１になるように、粒子群Ａと粒子群Ｂのアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）を配合して使用した。
　実施例Ａ１～Ａ９毎に、配合したアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）と、ガラス組成物（酸化物の粉末）５の重量比を変えて混合し、この混合物にバインダ樹脂と溶剤とを添加・混合し、混錬した。バインダ樹脂は溶剤に溶け、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に、アルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）とガラス組成物（酸化物）５の粉末とが分散し、導電性ペーストが完成した。なお、バインダ樹脂にはエチルセルロースを用い、溶剤にはブチルカルビトールアセテートを用いた。
　表３のアルミニウム量には、実施例Ａ１～Ａ９毎に、混合したアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）の重量とガラス組成物（酸化物の粉末）５の重量の和に対する、アルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）の重量の比を、重量％で記載している。
　表３のガラス量には、実施例Ａ１～Ａ９毎に、混合したアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）の重量とガラス組成物（酸化物の粉末）５の重量の和に対する、ガラス組成物（酸化物の粉末）５の重量の比を、重量％で記載している。よって、どの実施例Ａ１～Ａ９でも、アルミニウム量とガラス量の和は、１００重量％になる。
　表３に示すように、実施例Ａ１では、アルミニウム量を９９．９５重量％とし、ガラス量を０．０５重量％とした。
　実施例Ａ２では、アルミニウム量を９９．９重量％とし、ガラス量を０．１重量％とした。
　実施例Ａ３では、アルミニウム量を９９．５重量％とし、ガラス量を０．５重量％とした。
　実施例Ａ４では、アルミニウム量を９９重量％とし、ガラス量を１重量％とした。
　実施例Ａ５では、アルミニウム量を９７重量％とし、ガラス量を３重量％とした。
　実施例Ａ６では、アルミニウム量を９５重量％とし、ガラス量を５重量％とした。
　実施例Ａ７では、アルミニウム量を９０重量％とし、ガラス量を１０重量％とした。
　実施例Ａ８では、アルミニウム量を８５重量％とし、ガラス量を１５重量％とした。
　実施例Ａ９では、アルミニウム量を８０重量％とし、ガラス量を２０重量％とした。
（２－３、電極配線の形成）
　第１の実施形態と同様に、太陽電池セル等の電子部品１（図２参照）に用いられる多結晶シリコン基板３（図２参照）上に、実施例Ａ１～Ａ９毎の導電性ペーストを、スクリーン印刷法にてそれぞれ塗布した。塗布後、大気中において温度１５０℃で数分間加熱し乾燥させた。その後、電気炉にて、大気中で８５０℃の焼成温度で２秒間の熱処理を施して、電極配線２（図２参照）を焼成し完成させた。焼成された電極配線２の膜厚はどれも、約４０μｍであった。
（２－４、比抵抗測定）
　実施例Ａ１～Ａ９毎に、完成した電極配線２の比抵抗を四探針法で測定した。比抵抗測定では、電極配線２の電気抵抗と膜厚を測定し、この電気抵抗と膜厚に基づいて比抵抗を算出した。
　図３のガラス量に対する比抵抗のグラフに、実施例Ａ１～Ａ９毎の、電極配線２の比抵抗と、ガラス量（ガラス組成物のアルミニウム粒子に対する重量分率）とに対応する点をプロットしている。図３に示すように、実施例Ａ１～Ａ６ではどれも、比抵抗は、略２×１０－５Ωｃｍであり、略一定であった。すなわち、ガラス量が、０．０５重量％～５重量％の範囲では、比抵抗は、略２×１０－５Ωｃｍで略一定であった。
　実施例Ａ６～Ａ９では、ガラス量が増加するほど、比抵抗も大きくなった。すなわち、ガラス量が、５重量％～２０重量％の範囲では、ガラス量が増加するほど、比抵抗も大きくなった。そして、ガラス量が２０重量％を超えてさらに増加すると、比抵抗もさらに大きくなると考えられた。太陽電池セル等の電子部品１の電極配線２の比抵抗としては、１．０×１０－４Ωｃｍ以下であることが要求されるところ、実施例Ａ９（ガラス量２０重量％）において、比抵抗が１．０×１０－４Ωｃｍになったので、比抵抗を１．０×１０－４Ωｃｍ以下の電極配線２を作製するためには、ガラス量を０．０５重量％～２０重量％の範囲に設定すればよいことがわかった。
（２－５、密着性試験（ピール試験））
　実施例Ａ１～Ａ９毎に、完成した電極配線２の基板３に対する接着（密着性）の強さを、ピール試験にて評価した。ピール試験は、第１の実施形態と同様な方法と同様の評価基準で行った。表３に示すように、ピール試験の結果は、実施例Ａ５～Ａ９で「◎（剥がれなし）」であり、実施例Ａ２～Ａ４で「○（薄剥がれあり）」であり、実施例Ａ１で「×（剥がれる）」であった。
　表３において、ガラス量と密着性試験（ピール試験）とを比較すると、ガラス量が０．０５重量％以下の場合に、「×」となり、ガラス量が０．０５重量％を超え、より確実には０．１重量％以上、１重量％以下の場合に、「○」となり、ガラス量が１重量％を超え、より確実には３重量％以上の場合に、「◎」となった。ガラス量が増加する程、基板３に電極配線２を接着させる接着剤となるアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）に対するガラス組成物５の重量比が増えるので、アルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）の密着性が向上し、結果として電極配線２の密着性が向上したと考えられる。
（２－６、耐水性試験）
　実施例Ａ１～Ａ９毎の電極配線２に対し、耐水性試験として、第１の実施形態と同様に、温度８５℃、湿度８５％の条件の環境下に、１０００時間、放置するという加速試験を行った。評価基準も、第１の実施形態と同様とした。表３に示すように、耐水性試験の結果は、実施例Ａ１～Ａ９で「○（変色わずか）」であった。
　表３において、密着性試験と耐水性試験を比較すると、両方の試験が「○」以上の評価になるのは、ガラス量が０．１重量％以上の実施例Ａ２～Ａ９であり、電極配線２としては、ガラス量が０．１重量％以上であることが好ましいことがわかった。
　なお、ガラス量が０．０５重量％の実施例１では、密着性試験は「×」であったが、耐水性試験は「○」であった。これは、０．０５重量％のガラス量では、アルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）の接着剤の量としては不足しているが、第１の実施形態で説明した薄い化合物層７（図２参照）をアルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）の表面に形成するだけなら十分であったからと考えられる。また、アルミニウム粒子４（４Ａ、４Ｂ）は、平均粒径（D50）１μｍの粒子群Ａ（４Ａ）と、平均粒径（D50）５μｍの粒子群Ｂ（４Ｂ）を混合したものであるが、粒径の大きい粒子群Ｂ（４Ｂ）の粒子群Ａ（４Ａ）に対する重量比を大きくした場合には、アルミニウム粒子４間の空隙が増え、アルミニウム粒子４の密度が低下し、アルミニウム粒子４の表面積も減少するため、耐水性試験の「○」の評価が得られるガラス量は、実施例Ａ１の０．０５重量％よりさらに小さくできると考えられる。
（第３の実施形態）
［導電性ペースト中のアルミニウム粒子のアルミニウム合金に関する検討］
　第３の実施形態では、導電性ペーストのアルミニウム粒子４の材料とするアルミニウム合金に関して検討した。第３の実施形態では、各種アルミニウム合金で、アルミニウム粒子４を作製し、さらに、導電性ペーストを作製し、それらそれぞれの導電性ペーストを使って電極配線２を作製し、耐水性試験を行っている。
（３－１、アルミニウム合金製のアルミニウム（合金）粒子の作製）
　まず、所望の組成となるように、アルミニウム金属（純アルミニウム）と、添加金属の重量を計量した。計量したアルミニウム金属と添加金属を均一に溶解し、これを水アトマイズ法のようなノズル噴霧によってアルミニウム（合金）粒子４を形成した。このアルミニウム（合金）粒子４を乾燥させ、このアルミニウム（合金）粒子４から、篩いを用いて、平均粒径(D50)が、１．５μｍ～５μｍの範囲に入るように分級したアルミニウム（合金）粒子４を取得した。
　アルミニウム合金として、実施例Ｂ１で、銅が９２重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－９２重量％Ｃｕ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ２で、銅が９０重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－９０重量％Ｃｕ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ３で、銅が６６重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－６６重量％Ｃｕ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ４で、銅が３２．５重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－３２．５重量％Ｃｕ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ５で、銅が１０重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－１０重量％Ｃｕ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ６で、銅が３重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－３重量％Ｃｕ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ７で、マグネシウムが３重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－３重量％Ｍｇ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ８で、カルシウムが３重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－３重量％Ｃａ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ９で、シリコンが７重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－７重量％Ｓｉ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
　実施例Ｂ１０で、銀が１０重量％含有しているアルミニウム合金（Ａｌ－１０重量％Ａｇ）のアルミニウム（合金）粒子４を作製した。
（３－２、ガラス組成物（酸化物の粉末）の作製）
　ガラス組成物（酸化物の粉末）５としては、表１の実施例１０と同じガラス系の組成を有するガラス組成物（酸化物の粉末）５を作製し使用した。実施例１０のガラス組成物（酸化物の粉末）５には、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄とリチウムが加えられている。
（３－３、導電性ペーストの作製）
　実施例Ｂ１～Ｂ１０毎に、表３の実施例Ａ５と同様に、作製したアルミニウム（合金）粒子４の９７重量部に対して、３重量部のガラス組成物（酸化物）５の粉末を混合し、さらに、この混合物にバインダ樹脂と溶剤とを添加・混合し、混錬した。バインダ樹脂は溶剤に溶け、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に、アルミニウム（合金）粒子４とガラス組成物（酸化物）５の粉末とが分散し、導電性ペーストが完成した。なお、バインダ樹脂にはエチルセルロースを用い、溶剤にはブチルカルビトールアセテートを用いた。
（３－４、電極配線の形成）
　第１の実施形態と同様に、太陽電池セル等の電子部品１に用いられる多結晶シリコン基板３上に、実施例Ｂ１～Ｂ１０毎の導電性ペーストを、スクリーン印刷法にてそれぞれ塗布した。塗布後、大気中において温度１５０℃で数分間加熱し乾燥させた。その後、電気炉にて、大気中で８５０℃の焼成温度で２秒間の熱処理を施して、電極配線２を焼成し完成させた。焼成された電極配線２の膜厚はどれも、約４０μｍであった。
（３－５、耐水性試験）
　実施例Ｂ１～Ｂ１０毎の電極配線２に対し、耐水性試験として、第１の実施形態と同様に、温度８５℃、湿度８５％の条件の環境下に、１０００時間、放置するという加速試験を行った。評価基準も、第１の実施形態と同様とした。耐水性試験の結果は、実施例Ｂ１～Ｂ１０のすべてで「○（変色わずか）」であった。これより、アルミニウム粒子４に、アルミニウム合金を使用した場合にも、第１の実施形態で説明した化合物層７が形成され、耐水性が向上したと考えられた。耐水性の向上に関しては、アルミニウム粒子４は純アルミニウムに限定されるものではなく、アルミニウムを含む、いわゆるアルミニウム合金粒子４であれば耐水性が向上することがわかった。
（第４の実施形態）
［高耐水性の電極配線の太陽電池セルへの適用に関する検討］
　図４Ａに、本発明の第４の実施形態に係る太陽電池セル（電子部品）３０（１）の平面図を示し、図４Ｂに、その底面図を示し、図４Ｃに、図４ＡのＡ－Ａ′方向の矢視断面図を示している。第４の実施形態では、本願発明を適用可能な電子部品１として、太陽電池セル３０を例に挙げ説明する。
　図４Ｂと図４Ｃに示す太陽電池セル３０（１）の裏面電極３５（２）に、本願発明の電子部品１の電極配線２を適用している。また、ｐ型のシリコン基板からなる半導体基板３１（３）の裏面上に裏面電極３５（２）が形成されている。半導体基板３１（３）が、第１の実施形態の基板３に相当し、裏面電極３５（２）が、第１の実施形態の電極配線２に相当する。
　半導体基板３１（３）には、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板などが使用される。この半導体基板３１（３）は、ホウ素（Ｂ）等を含有しｐ型半導体となっている。図４Ａに示される半導体基板３１（３）の受光面側には、太陽光の反射を抑制するために、エッチング等により凹凸（図示省略）が形成されている。また、図４Ｃに示すように、半導体基板３１（３）の受光面側には、リン（Ｐ）等がドーピングされ、サブミクロンオーダの厚みでｎ型半導体の拡散層３２が形成されている。この拡散層３２のｎ型半導体と、半導体基板３１（３）のｐ型半導体とにより、ｐｎ接合部が形成されている。このｐｎ接合部では、太陽光が吸収されて生成した電子・正孔対が、電子と正孔に分離し、電圧が発生することになる。半導体基板３１（３）の受光面の裏面側には、アルミニウムが高濃度にドーピングされ、サブミクロンオーダの厚みでｐ＋型半導体の合金層（Back Surface Field :BSF層）３７が形成されている。合金層３７が形成されることにより、半導体基板３１（３）内部で発生したキャリアが裏面で再結合するのを防止し、太陽電池セルの性能を向上させることができる。
　図４Ａに示すように、半導体基板３１（３）の受光面上には、受光面電極配線３４が設けられている。受光面電極配線３４は、半導体基板３１（３）の受光面を縦断するように平行に配置された太い配線と、この太い配線に対してグリッド状（櫛歯状及び梯子状）に配置された細い配線とを有し、受光面の全面から集電可能になっている。また、半導体基板３１（３）の受光面上には、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜等の反射防止層３３が、厚さ１００ｎｍ程度形成されている。受光面電極配線３４は、ガラス粉末と銀粒子とを含む導電性ペーストを焼成して形成されている。
　図４Ｂと図４Ｃに示すように、半導体基板３１（３）の受光面の裏面上には、裏面電極３５（２）と出力電極３６が設けられている。裏面電極３５（２）は、半導体基板３１（３）の受光面の裏面の略全面を覆うように配置され、半導体基板３１（３）の受光面の裏面の略全面から集電可能になっている。出力電極３６は、半導体基板３１（３）の受光面の裏面を縦断するように平行に配置され、裏面電極３５（２）から集電可能になっている。出力電力３６は、酸化物の粉末と銀粒子とを含む導電性ペーストを焼成して形成されている。裏面電極３５（２）は、後記で詳述するが、酸化物の粉末とアルミニウム粒子とを含む導電性ペーストを焼成して形成されている。
　次に、太陽電池セル３０（１）の製造方法について説明する。
（導電性ペーストの作製）
　第４の実施形態では、裏面電極３５（２）用の導電性ペーストとして、表３の実施例Ａ５で使用した導電性ペーストと同じものを作製し使用した。
（太陽電池セルの作製）
　半導体基板３１（３）として、ｐ型のシリコン基板を用意した。次に、半導体基板３１（３）、図示は省略したが、光入射効率を向上させるため１％苛性ソーダ（水酸化ナトリウム：ＮａＯＨ）と１０％イソプロピルアルコール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）の混合液を用い、半導体基板３１（３）の受光面側をエッチングしてテクスチャを形成した。
　半導体基板３１（３）の受光面側に、五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）を含む液を塗布し、９００℃で３０分間処理することで、五酸化リンから半導体基板３１（３）へリン（Ｐ）を拡散させ、受光面側にｎ型半導体の拡散層３２を形成した。五酸化リンを除去した後、拡散層３２上に、窒化シリコン膜の反射防止膜３３を一様な厚さに形成した。この窒化シリコン膜は、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法等により形成することができる。
　次に、受光面電極配線３４を形成するために、受光面電極配線３４の配置されるグリッド状に受光面上の反射防止膜３３を除去する。酸化物の粉末と銀粒子とを含む市販の導電性ペースト（銀ペースト）をスクリーン印刷法により、受光面側に、グリッド状に塗布し、１５０℃に加熱して３０分間乾燥させた。
　半導体基板３１（３）の受光面の裏面側には、出力電極３６用に、図４Ｂに示すパターンになるように、酸化物の粉末と銀粒子とを含む市販の導電性ペースト（銀ペースト）をスクリーン印刷法により塗布し、また、裏面電極３５（２）用に、図４Ｂに示すパターンになるように、酸化物の粉末とアルミニウム粒子とを含む、表３の実施例Ａ５で使用したのと同じ導電性ペースト（アルミニウムペースト）をスクリーン印刷法により塗布した。そして、出力電極３６と裏面電極３５（２）を、１５０℃で３０分間加熱して乾燥させた。なお、導電性ペーストの塗布は、受光面側と裏面側のどちらを先に塗布してもかまわない。
　次に、トンネル炉を用いて、導電性ペースト（銀ペーストとアルミニウムペースト）を、半導体基板３１（３）ごと、大気中で８５０℃まで加熱し、２秒間保持する焼成を行うことで、受光面電極配線３４と出力電極３６と裏面電極３５（２）を形成し、太陽電池セル３０（１）を完成させた。なお、この焼成により、半導体基板３１（３）の裏面側では、裏面電極３５（２）の下部の半導体基板３１（３）に、裏面電極３５（２）のアルミニウム粒子４（図２参照）からアルミニウムが高濃度に拡散し、ｐ＋型半導体の合金層３７が形成されている。また、この焼成により、半導体基板３１（３）の受光面側では、受光面電極配線３４に含まれる酸化物（ガラス組成物）と反射防止層３３とが反応して、受光面電極配線３４と拡散層３２とがオーミック接続されている。
　また、比較として、表１の比較例４で用いた導電性ペーストと同じ導電性ペーストを使用して裏面電極３５（２）を形成した点だけが異なる太陽電池セル３０（１）を作製した。
（太陽電池セルの評価）
　前記で作製した本発明と比較のための太陽電池セルに対し、裏面電極３５（２）について、密着性試験（ピール試験）と耐水性試験を行い、また、太陽電池セルの変換効率を計測した。密着性試験（ピール試験）と耐水性試験では、第１の実施形態と同様な方法と同様の評価基準で行った。密着性試験（ピール試験）は、どちらも良好な結果「◎」を示した。また、耐水性試験では、本発明の太陽電池セルは「○」の評価となり、比較ための太陽電池セルは「×」の評価となった。比較ための太陽電池セルの裏面電極３５（２）には、低融点ガラスである鉛系のガラス組成物とを含む導電性ペーストが使用されているため、焼成時に、ガラス組成物中の鉛成分がアルミニウム粒子によって還元され、アルミニウム粒子の粒間などに鉛の金属粒子として析出し、ガラス組成物の転移点が高温化し、結果的に、ガラス組成物によってアルミニウム粒子の表面を被覆し難くなり、裏面電極３５（２）の耐水性が低下していた。本願の太陽電池セルの裏面電極３５（２）では、化合物層７によってアルミニウム粒子の表面を被覆するので、裏面電極３５（２）の耐水性を向上できる。
　また、本発明の太陽電池セル３０（１）は、比較のための太陽電池セルよりも変換効率が高効率となることが判明した。これは、裏面電極３５（２）の電気抵抗値を低下できたためと、裏面電極３５（２）のアルミニウム粒子４（図２参照）からアルミニウムが拡散して形成されるｐ＋型半導体の合金層３７が、適切な不純物（アルミニウム）濃度で形成されたためと考えられる。これより、化合物層７は、アルミニウム粒子の耐水性を高めるだけでなく、アルミニウム粒子間の電気伝導を阻害せず、アルミニウム粒子から合金層３７へのアルミニウムの供給も阻害しないことがわかった。以上のことから、本発明の電子部品１の電極配線２（図２参照）は、太陽電池せる３０（１）のｐ型電極３７（２）として適用できることが確認された。なお、前記で説明した太陽電池セル３０（１）の裏面電極３５（２）に適用できることが確認された。裏面電極３５（２）は、ｐ型半導体にオーミック接続する電極配線２であり、太陽電池セル３０（１）以外の、電子部品１のｐ型半導体にオーミック接続する電極配線２にも適用できると考えられる。もちろん、裏面電極３５（２）は、比抵抗が低く、耐水性が高いことから、単に、電極間を接続する電極配線２として用いることもできる。
（第５の実施形態）
［高耐水性の電極配線のプラズマディスプレイパネルへの適用に関する検討］
　図５に、本発明の第５の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：電子部品）１１（１）の断面図の一部を示す。第５の実施形態では、本願発明を適用可能な電子部品１として、プラズマディスプレイパネル１１を例に挙げ説明する。プラズマディスプレイパネル１１（１）の表示電極２０とアドレス電極２１に、本願発明の電子部品１の電極配線２を適用いている。プラズマディスプレイパネル１１（１）は、前面板１２（３）と背面板１３（３）とが１００～１５０μｍの間隙をもって対向させて配置され、前面板１２（３）と背面板１３（３）の間隙は隔壁１４で維持されている。前面板１２（３）と背面板１３（３）との周縁部は封着材料１５で気密に封止され、前面板１２（３）と背面板１３（３）の間隙のパネル内部には希ガスが充填されている。
　前面板１２（３）上には表示電極２０（２）が形成されている。前面板１２（３）が、第１の実施形態の基板３に相当し、表示電極２０（２）が、第１の実施形態の電極配線２に相当する。表示電極２０（２）上に誘電体層２３が形成され、誘電体層２３上に放電から表示電極２０（２）等を保護するための保護層２５（例えば、酸化マグネシウム（MgO）の蒸着膜）が形成されている。
　背面板１３（３）上にはアドレス電極２１（２）が形成されている。背面板１３（３）が、第１の実施形態の基板３に相当し、アドレス電極２１（２）が、第１の実施形態の電極配線２に相当する。平面視において、アドレス電極２１（２）は、表示電極２０（２）に対して直交するように形成されている。アドレス電極２１（２）上に誘電体層２４が形成され、誘電体層２４上にセル１６を構成するための隔壁１４が設けられている。隔壁１４は、ストライプ状あるいは格子（ボックス）状の構造体になっている。
　前面板１２（３）と背面板１３（３）の間の間隙において、隔壁１４により区切られた微小空間はセル１６となる。セル１６には蛍光体１７、１８、１９が充填されている。赤色蛍光体１７が充填されたセル１６と緑色蛍光体１８が充填されたセル１６と青色蛍光体１９が充填されたセル１６の３原色に対応する３個のセル１６で１画素が構成されている。各画素は、表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）に印加される信号に応じて種々の色を発光することができる。
　次に、プラズマディスプレイパネル１１（１）の製造方法について説明する。
（導電性ペーストの作製）
　まず、アルミニウムを溶融し、水アトマイズ法にて球状のアルミニウム粒子を形成した。このアルミニウム粒子を、有機溶媒中でボールミルで処理し、フレーク状（板状）のアルミニウム粒子を形成した。さらに、このフレーク状のアルミニウム粒子の熱的安定性を向上させるために、還元雰囲気中で温度７００℃のアニール処理を行った。この板状の粒子から、粒径８μｍ以上の粒子を篩いによって除去し、かつ、粒径１．５μｍ未満の粒子も篩いによって除去した。残った粒子は、つまり、篩いによって大きな粒子と小さな粒子を除去した後のアルミニウム粒子は、粒径が１．５μｍ以上８μｍ未満の範囲内に約９５％以上の体積分率を有し、平均粒径（D50）が５μｍであった。
　また、ガラス組成物（酸化物の粉末）５としては、表１の実施例１０と同じガラス系の組成を有するガラス組成物（酸化物の粉末）５を作製し使用した。実施例１０のガラス組成物（酸化物の粉末）５には、バナジウムとリンの主成分に対して、添加物として、鉄とリチウムが加えられている。
　作製したフレーク状のアルミニウム粒子４の１００重量部に対して、０．１重量部のガラス組成物（酸化物）５の粉末を混合し、さらに、この混合物にバインダ樹脂と溶剤とを添加・混合し、混錬した。バインダ樹脂は溶剤に溶け、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に、アルミニウム粒子４とガラス組成物（酸化物）５の粉末とが分散し、導電性ペーストが完成した。なお、バインダ樹脂にはエチルセルロースを用い、溶剤にはα－テルピネオールを用いた。
（プラズマディスプレイパネルの作製）
　次に、プラズマディスプレイパネルを作製した。まず、導電性ペーストを、スクリーン印刷法によって、前面板１２（３）と背面板１３（３）の全面に塗布し、大気中１５０℃で乾燥させた。フォトリソグラフィ法とエッチング法によって導電性ペーストの塗布膜の余分な箇所を除去して、表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）のパターニングを行った。その後、大気中、焼成温度６００℃、焼成時間３０分間で焼成して、表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）を完成させた。この焼成では、焼成雰囲気は酸性雰囲気になるのであるが、この焼成によって、表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）とは、特にアルミニウムの金属粒子が化学反応して変色等することはなかった。
　次に、誘電体層２３、２４となる誘電性ペーストを前面板１２（３）と背面板１３（３）のそれぞれに塗布し、大気中、焼成温度６１０℃、焼成時間３０分間で焼成した。なお、この焼成では、焼成雰囲気は酸性雰囲気になり、誘電体層２３は表示電極２０（２）に直接接し、誘電体層２４はアドレス電極２１（２）に直接接するが、この焼成によって、誘電体層２３が、表示電極２０（２）とで化学反応することはなく、誘電体層２４が、アドレス電極２１（２）とで化学反応することはなかった。前面板１２（３）の誘電体層２３の側から保護層２５を蒸着した。
　隔壁１４は、少なくとも粉末状のガラス組成物とフィラーとを含む材料を、ストライプ状あるいは格子状に成形し、この成形した構造体を５００～６００℃で焼結して作製した。この隔壁１４を、誘電体層２４の上に配置し、セル１６を構成させた。そして、それぞれのセル１６に、三原色に対応する蛍光体用のペーストを充填し４５０～５００℃で焼成することによって、赤色蛍光体１７と緑色蛍光体１８と青色蛍光体１９を、セル１６内に形成した。
　次に、封着材料１５を、ディスペンサー法や印刷法等により、前面板１２（３）または背面板１３（３）のどちらか一方の周縁部に塗布した。そして、前面板１２（３）と背面板１３（３）を封着した。前面板１２（３）と背面板１３（３）の封着では、前面板１２（３）と背面板１３（３）とを正確に位置合わせしながら対向させて配置し、４２０～５００℃に加熱した。この加熱時には、セル１６内のガスを排気して替わりに希ガスを封入した。なお、封着材料１５は、蛍光体１７～１９の形成時の蛍光体用のペーストの焼成と同時に仮焼成してもよい。封着材料１５を仮焼成することによって、封着材料１５内に含まれる気泡を低減できる。なお、図２では、封着材料１５とアドレス電極２１（２）とが直接接しているが、表示電極２０（２）も外部に電極を引き出すために封着材料１５と直接接している。封着材料１５は、仮焼成時とガラス封着時に加熱され、この加熱では焼成雰囲気は酸性雰囲気になるのであるが、この加熱によって、封着材料１５が、表示電極２０（２）およびアドレス電極２１（２）とで化学反応することはなかった。以上で、プラズマディスプレイパネル１１（１）が完成した。
（プラズマディスプレイパネルの評価）
（外観検査）
　表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）の周りの外観検査を行った。表示電極２０（２）と前面板１２（３）との界面部や、表示電極２０（２）と誘電体層２３との界面部には、空隙の発生や変色は認められなかった。また、アドレス電極２１（２）と背面板１３（３）の界面部や、アドレス電極２１（２）と誘電体層２４の界面部には、空隙の発生や変色は認められなかった。外観上良好な状態でプラズマディスプレイパネル１１（１）を作製することができた。
（点灯実験）
　続いて、作製したプラズマディスプレイパネル１１（１）の点灯実験を行った。プラズマディスプレイパネル１１（１）のセル１６を点灯（発光）させるために、点灯させたいセル１６の表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）との間に電圧を印加してセル１６内にアドレス放電を行い、希ガスをプラズマ状態に励起してセル１６内に壁電荷を蓄積させた。次に、表示電極２０（２）の対に一定の電圧を印加することで、壁電荷が蓄積されたセル１６のみに表示放電が起こり紫外線２２を発生させた。そして、この紫外線２２を利用して蛍光体１７～１９を発光させ、画像（情報）を表示させた。
　この画像情報の表示の前後で、表示電極２０（２）及びアドレス電極２１（２）の比抵抗が増加することはなかった。また、隣接する表示電極２０（２）同士、及び、隣接するアドレス電極２１（２）同士等で、電気的耐圧性が低下することはなく、電圧を昇圧でき、セル１６を点灯することができた。また、銀厚膜の電極配線のようなマイグレーション現象も生じず、その他特に支障があるような点は認められなかった。第５の実施形態のプラズマディスプレイパネル１１（１）の表示電極２０（２）とアドレス電極２１（２）には、高価な銀を使っていないので、コスト低減にも大きく貢献できる。
（第６の実施形態）
　図６に、本発明の第６の実施形態に係るセラミック多層配線基板（電子部品）４１（１）の断面図を示す。第６の実施形態では、本発明に係る電子部品１（図２参照）を多層配線基板へ適用した例について説明する。図６では、多層配線基板の１例として、低温焼成セラミック（LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics）の５層からなる多層配線基板４１（１）を示している。多層配線基板４１（１）のスルーホール電極４３（２）と配線４４（２）に、本願発明の電子部品１の電極配線２を用いている。セラミック基板４２（３）それぞれの上面と下面に配線４４（２）が形成されている。図６では、配線４４（２）は、６層形成されている。各層の配線４４（２）は、スルーホール電極４３（２）で接続されている。スルーホール電極４３（２）は、セラミック基板４２（３）を貫通している。多層配線基板４１（１）では、配線４４（２）とスルーホール電極４３（２）が三次元的に形成されている。セラミック基板４２（３）が、第１の実施形態の基板３に相当し、スルーホール電極４３（２）と配線４４（２）が、第１の実施形態の電極配線２に相当する。
　次に、多層配線基板４１（１）の製造方法について説明する。
（導電性ペーストの作製）
　第６の実施形態では、スルーホール電極４３（２）と配線４４（２）用の導電性ペーストとして、表３の実施例Ａ５で使用した導電性ペーストと同じものを作製し使用した。
（多層配線基板の作製）
　まず、ガラス粉末とセラミックス粉末とバインダとが混練された複数枚のグリーンシートを用意した。グリーンシートは、後記する焼成によって各層のセラミック基板４２（３）となる。次に、グリーンシートの所望の位置に貫通孔を開ける。貫通孔の開いたグリーンシートに対し、実施例Ａ５で使用したものと同じ導電性ペーストを、所望の配線パターンに印刷法で塗布する。このとき、貫通孔にも導電性ペーストが充填される。配線パターンに塗布された導電性ペーストが、後記する焼成によってスルーホール電極４３（２）と配線４４（２）になる。必要に応じて、例えば、図６に示す最下層のグリーンシートの裏面にも導電性ペーストを印刷法にて塗布し配線パターンを形成する。グリーンシートの裏面に塗布する場合には、表面に塗布した導電性ペーストを乾燥させてから行うことになる。
　所定の配線パターンを形成した複数のグリーンシートを積層し、一体で焼成する。図７に、焼成する際の温度スケジュールの一例を示す。図７に示すように、室温から７００℃までの昇温過程は大気中とし、７００℃～９００℃の温度範囲（６０分間の９００℃での保持時間を含む）の過程は窒素雰囲気中とし、７００℃から室温までの降温過程は再び大気中とした。なお、昇温レートと降温レートとは、５℃／分とした。なお、焼成の温度スケジュールは、図７に限定されるものではない。なお、７００℃～９００℃の温度範囲で窒素雰囲気中としているのは、導電性ペースト中の粒子４の酸化を抑制するためである。
（多層配線基板の評価）
　配線４４（２）の周りの外観検査を行った。配線４４（２）とセラミック基板４２（３）との界面部には、空隙の発生や変色は認められなかった。外観上良好な状態で多層配線基板４１（１）を作製することができた。配線４４（２）とスルーホール電極４３（２）の比抵抗を測定したところ、表１の実施例２と同様の設計通りの値が得られた。次に、作製した多層配線基板４１（１）の断面観察を行った。その結果、作製した多層配線基板４１（１）は十分緻密に焼成されていた。そのため、比抵抗も良好な設計通りの値となったと思われる。これは、グリーンシートで、７００℃までの昇温過程において、略完全に脱バインダが完了していたためと考えられた。また、グリーンシートのガラス粉末が、スルーホール電極４３（２）と配線４４（２）と化学反応することはなく、互いの界面近傍で空隙も発生していないことが確認された。以上のことから、本発明の電極配線２（図２参照）は、多層配線基板４１（１）の配線４４（２）とスルーホール電極４３（２）として適用できることが確認された。配線４４（２）とスルーホール電極４３（２）として、高価な銀厚膜の電極配線を使用する必要が無いので、コスト低減にも大きく貢献できる
　実施形態では、電子部品１が、太陽電池セル３０、プラズマディスプレイパネル１１とセラミック実装基板４１の場合について説明したが、電子部品１はこれらに限らず、アルミニウムの電極配線２が適用可能な電子部品１に適用範囲を広げることができる。
　１　　　電子部品
　２　　　電極配線
　３　　　基板
　４　　　粒子
　４Ａ　　粒子群Ａ（第１粒子群）
　４Ｂ　　粒子群Ｂ（第２粒子群）
　５　　　酸化物
　５ａ　　ガラス相
　５ｂ　　結晶相（微結晶）
　６　　　ネッキング結合部
　７　　　化合物層

Claims (17)

  1. 　アルミニウム（Ａｌ）及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子と、前記粒子を基板に固定する酸化物とを有する電極配線を具備する電子部品であって、
    　前記酸化物は、価数が４価以下のバナジウム（Ｖ）を含むことを特徴とする電子部品。
  2. 　前記粒子の表面には、バナジウムとアルミニウムを含む化合物層が形成され、
    　前記化合物層に含まれるバナジウムは、価数が４価以下のバナジウムを含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の電子部品。
  3. 　前記化合物層は、アルミニウムと価数が０価のバナジウムとを含む合金相を有していることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の電子部品。
  4. 　前記化合物層は、Ａｌ３Ｖ、ＡｌＶ３、Ａｌ０．８Ｓｂ１．０Ｖ０．２Ｏ４、Ａｌ０．５Ｓｂ１．０Ｖ０．５Ｏ４、ＡｌＶ２Ｏ４、ＡｌＶＯ３、ＶＯ２・ＡｌＯ２・ＰＯ２、Ａｌ０．０２Ｖ０．９８Ｏ２、Ａｌ０．０７Ｖ１．９３Ｏ４の内の少なくとも１つを有することを特徴とする請求の範囲第２項に記載の電子部品。
  5. 　前記酸化物は、リン（Ｐ）を含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の電子部品。
  6. 　前記酸化物は、ガラス相を含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の電子部品。
  7. 　前記粒子は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の電子部品。
  8. 　前記電極配線の比抵抗が、１×１０－４Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の電子部品。
  9. 　前記酸化物は、バリウム（Ｂａ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、テルル（Ｔｅ）の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の電子部品。
  10. 　アルミニウム及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子と、酸化物からなる粉末とが、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に分散している導電性ペーストであって、
    　前記酸化物は、ガラス相を有し、かつ、価数が４価以下のバナジウムを含むことを特徴とする導電性ペースト。
  11. 　前記酸化物は、リンを含むことを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の導電性ペースト。
  12. 　前記酸化物は、バリウム（Ｂａ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、テルル（Ｔｅ）の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の導電性ペースト。
  13. 　前記ガラス相の転移点は、５００℃以下であることを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の導電性ペースト。
  14. 　前記ガラス相の転移点は、４００℃以下であることを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の導電性ペースト。
  15. 　前記粉末は、前記粒子の１００重量部に対して、０．１～２０重量部の割合で含まれていることを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の導電性ペースト。
  16. 　請求の範囲第１項に記載の電子部品において、電子部品が、ディスプレイパネル、太陽電池セル、セラミック実装基板のいずれかであることを特徴とする電子部品。
  17. 　アルミニウム及び/又はアルミニウムを含む合金からなる複数の粒子と、ガラス相を有し、かつ、価数が４価以下のバナジウムを含む酸化物からなる粉末とが、溶剤に溶けたバインダ樹脂中に分散している導電性ペーストを基板に塗布し、
    　塗布した前記導電性ペーストを焼成して、電極配線を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
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