KR102538902B1 - 전자부품 및 그의 제조방법 - Google Patents

전자부품 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102538902B1
KR102538902B1 KR1020160021743A KR20160021743A KR102538902B1 KR 102538902 B1 KR102538902 B1 KR 102538902B1 KR 1020160021743 A KR1020160021743 A KR 1020160021743A KR 20160021743 A KR20160021743 A KR 20160021743A KR 102538902 B1 KR102538902 B1 KR 102538902B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mol
glass
oxide
metal particles
electronic component
Prior art date
Application number
KR1020160021743A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170099544A (ko
Inventor
김정렬
강범석
강효민
조항규
김창훈
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020160021743A priority Critical patent/KR102538902B1/ko
Priority to US15/291,794 priority patent/US10305018B2/en
Publication of KR20170099544A publication Critical patent/KR20170099544A/ko
Priority to US15/975,131 priority patent/US11031185B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102538902B1 publication Critical patent/KR102538902B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G31/00—Compounds of vanadium
    • C01G31/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G45/00—Compounds of manganese
    • C01G45/02—Oxides; Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/053—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/063—Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/1006—Thick film varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2847—Sheets; Strips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F37/00—Fixed inductances not covered by group H01F17/00
    • H01F37/005—Fixed inductances not covered by group H01F17/00 without magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/10—Connecting leads to windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials
    • H10N30/878—Conductive materials the principal material being non-metallic, e.g. oxide or carbon based

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)

Abstract

본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품은 내부전극과 전기적으로 연결되도록 바디의 외부면에 형성되며, 금속 입자와 글래스를 포함하는 외부전극을 포함하며, 금속 입자는 다면체 형상인 입자를 포함함으로써, 외부전극과 내부전극 및 바디의 접촉성을 개선시켜 전극 간의 전기적 연결성 및 외부전극의 기계적 강도가 향상될 수 있다.

Description

전자부품 및 그의 제조방법{ELECTRONIC COMPONENT AND MANUFACTIURING METHOD OF THE SAME}
본 개시는 전자부품 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인덕터, 압전체 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 바디, 바디 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 바디 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
최근 전자 제품의 소형화 및 다기능화됨에 따라 전자부품 또한 소형화 및 고기능화되는 추세이며, 이에 맞추어 전자부품의 외부전극의 박층화가 요구되고 있다.
외부전극은 외부전극용 페이스트를 도포하여 형성될 수 있으며, 외부전극용 페이스트는 주재료로서 구리(Cu)와 같은 금속 입자를 사용하며, 보조재료로서 글래스(glass) 재료를 사용한다. 외부전극에 글래스가 포함됨으로 인하여, 글래스의 들뜸 현상 또는 뭉침 현상이 발생할 수 있으며, 이로 인해 외부전극과 내부전극과의 접촉성이 감소될 수 있으며, 블리스터(blister)와 같은 불량이 발생되어 바디와의 접촉성 또한 감소될 수 있다.
따라서, 외부전극과 내부전극 및 바디의 접촉성이 개선될 수 있으며, 소형화 및 대용량화를 구현할 수 있는 외부전극이 개발되어야 한다.
하기의 선행기술문헌에 기재된 특허문헌은 전자부품에 관한 설명이다.
한국특허공개공보 제2015-0128309호
한편, 외부전극에 포함된 글래스로 인하여 들뜸 현상 또는 뭉침 현상에 의해 외부전극과 내부전극 및 바디의 접촉성을 감소시킬 수 있다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 외부전극과 내부전극 및 바디의 접촉성이 개선될 수 있는 전자부품 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 내부전극과 전기적으로 연결되도록 바디의 외부면에 형성되며, 금속 입자와 글래스를 포함하는 외부전극을 포함하며, 금속 입자는 다면체 형상인 입자를 포함함으로써, 외부전극과 내부전극 및 바디의 접촉성을 개선시켜 전극 간의 전기적 연결성 및 외부전극의 기계적 강도가 향상될 수 있도록 하는 것이다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품은 외부전극에 다면체 형상의 구리 입자를 포함하며, 이로 인해 외부전극과 내부전극 및 바디의 접촉성이 개선될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품의 개략적인 사시도를 나타낸 것이다.
도 2 는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 절단면을 개략적으로 도시한 것으로, 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품의 개략적인 단면도를 나타낸 것이다.
도 3은 도 2의 A의 개략적인 확대도를 나타낸 것이다.
도 4는 도 2의 B의 개략적인 확대도를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대하여 보다 상세히 설명한다. 도면에서 요소등의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 의한 전자부품에 대하여 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품의 개략적인 사시도를 나타낸 것이고, 도 2 는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 절단면을 개략적으로 도시한 것으로, 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품의 개략적인 단면도를 나타낸 것이고, 도 3은 도 2의 A의 개략적인 확대도를 나타낸 것이며, 도 4는 도 2의 B의 개략적인 확대도를 나타낸 것이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품은 복수의 유전체층 및 내부전극을 포함하는 바디 및 내부전극과 전기적으로 연결되도록 상기 바디의 외부면에 형성되며 금속 입자와 글래스를 포함하는 외부전극을 포함하며, 금속 입자는 다면체 형상인 입자를 포함한다.
상기 바디(110)는 복수의 유전체층(111)이 적층되어 형성된다.
상기 바디(110)를 구성하는 복수의 유전체층은 소결된 상태로서, 인접하는 유전체층의 경계는 육안으로 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
상기 유전체층(111)은 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
상기 세라믹 재료는 높은 유전율을 갖는 물질로서 페로브스카이트(perovskite) 재료를 일 수 있다. 상기 페로브스카이트 재료는 이에 제한되는 것은 아니나 티탄산바륨(BaTiO3)계 재료, 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 재료 등 일 수 있다.
상기 바디(110)의 내부에는 내부전극(120)이 형성된다.
상기 내부전극(120)은 제1 극성의 제1 내부전극(121)과 제2 극성의 제2 내부전극(122)을 한 쌍으로 포함하며, 일 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치될 수 있다.
상기 내부전극(120)은 커패시터의 양 측면으로 노출되어 외부전극(131, 132)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부전극(120)은 도전성 금속을 포함할 수 있다.
상기 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 외부전극(131, 132)은 바디(110)의 일측면으로 노출된 제1 내부전극(121)과 전기적으로 연결되도록 일측면에 형성된 제1 외부전극(131) 및 타측면으로 노출된 제2 내부전극(122)과 전기적으로 연결되도록 타측면에 형성된 제2 외부전극(132)을 포함한다.
상기 외부전극(131, 132)은 각각 제1 및 제2 내부전극(120)과 연결되기 위하여 상기 바디(110)의 양측면에 형성된다.
즉, 상기 외부전극(131, 132)은 양 측면을 연결하는 상기 바디(110)의 상하면 및 양단면 및 양 단면 중 하나 이상으로 연장 형성될 수 있다.
따라서, 상기 외부전극(131, 132)은 상기 바디(110)의 양 측면으로 노출된 내부전극과 연결되면서, 상기 바디(110)의 양단면 및 상하면을 둘러싸면서 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극(131, 132)은 금속 입자 및 글래스를 포함할 수 있다.
상기 금속 입자는 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 이들의 합금일 수 있으나, 이제 제한되는 것은 아니다.
상기 글래스의 함량은 상기 금속 입자의 전체 함량 대비 5~10%일 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극은 금속 분말 및 글래스를 포함하는 외부전극용 페이스트에 의해 형성될 수 있다.
상기 외부전극용 페이스트를 제조하기 위한 금속 분말의 함량은 본 개시의 실시를 위해 다양하게 정해질 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
일반적으로, 전자부품의 외부전극은 금속 분말 및 글래스를 포함하는 페이스트를 이용하여 형성될 수 있으며, 상기 글래스는 페이스트 도포 후 소성과정에서 연화되어 외부전극을 바디에 단단히 접합시키고, 내부전극이 노출된 본체의 끝단을 밀봉하는 역할을 한다.
그러나 글래스의 종류나 첨가량에 따라 그 성능에 차이가 있으며, 외부전극용 페이스트에 포함된 글래스의 물성이 저하되는 경우, 1) 페이스트 도포 후 소성 과정 중 외부전극과 바디 사이에 글래스가 존재하지 않는 영역의 발생하여 접합 강도가 구현되지 않고, 2) 금속 분말 사이에 발생한 빈 공간을 글래스가 채우지 못하게 되면, 상기 공간을 통해 도금 공정 중 도금액이 침투하여 신뢰성을 저하시킬 수 있으며, 3) 글래스에 기포 또는 기공이 형성되면, 일정 수준 이상의 치밀도 구현이 되지 않아 등가직렬저항(ESR)이 상승할 수 있는 문제점이 있다.
본 개시의 따른 전자부품의 외부전극(131, 132)은 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하는 글래스(140) 및 다면체 형상인 입자(154)를 포함하는 금속 입자(150)를 포함한다. 이로 인해, 금속 입자의 표면적 증가로 인하여, 제1 및 제2 외부전극 내에 금속 입자간의 접촉성 및 내부전극과 외부전극 간의 전기 연결성을 향상시킬 수 있다.
상기 입자는 등축정계(cubic system)인 금속 재료일 수 있으며, 육면체, 팔면체, 십이면체, 십팔면체 등의 결정체 형상을 가질 수 있다. 상기 입자의 형상은 입자의 성장 방향에 따라 다를 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 상기 글래스(140)는 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염, 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물, 붕소(B) 및 규소(Si) 중 적어도 하나 이상의 산화물 및 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함할 수 있다.
상기 글래스가 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하면, 외부전극용 페이스트 소성 공정 중 고온 영역에서 금속 분말을 용해시킨 후 저온 영역에서 금속 입자로 재석출할 수 있다.
즉, 상기 소성 공정에 의해, 상기 제1 및 제2 외부전극(131, 132)은 금속 입자(150) 및 글래스(140)를 포함한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 개시에 의한 전자부품의 외부전극은 팔면체 형상인 입자(154)를 포함하는 금속 입자(150)를 포함할 수 있다.
상기 금속 입자는 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 이들의 합금일 수 있다.
상기 금속 입자(150)는 구형 및 플레이크 형상 중 적어도 하나인 입자와 팔면체 형상인 입자(152)를 포함할 수 있다.
상기 팔면체 형상인 입자(154)는 소성 과정 중 글래스에서 일정 결정 방향으로 성장하여 팔면체 형상을 가질 수 있다. 이로 인해, 제1 및 제2 외부전극 내에 금속 입자간의 접촉성 및 내부전극과 외부전극 간의 전기 연결성을 향상시킬 수 있으며, 글래스의 블리스터에 의한 불량을 억제할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 개시에 따른 전자부품은 상기 바디 중 외부전극(131, 132)과 접하는 영역은 글래스가 확산된 확산층(115)을 포함할 수 있다.
상기 확산층(115)은 소성 공정에서 상기 외부전극에 포함된 글래스와 상기 바디를 구성하는 유전체층(111)의 세라믹 재료의 반응에 의하여 형성될 수 있다.
상기 확산층(115)은 글래스와 세라믹 재료가 포함되는 Ba-V-O 계열의 2차 상을 포함할 수 있으며, 상기 2차 상은 침상 형태일 수 있다.
상기 확산층이 형성됨으로써, 상기 외부전극과 상기 바디 간의 접촉성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 바디 내부로 함몰된 내부전극과 외부전극 간에 접촉성을 개선할 수 있다.
이하, 본 개시에 의한 전자부품의 제조방법에 대하여 설명한다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 전자부품의 제조방법은 복수의 유전체층 및 내부전극을 포함하는 바디를 형성하는 단계, 바디의 외부면에 금속 분말 및 글래스 조성물을 포함하는 외부전극용 페이스트를 도포하는 단계, 외부전극용 페이스트가 도포된 바디를 소성하는 단계 및 금속 입자와 글래스를 포함하는 외부전극이 형성된 바디를 얻는 단계를 포함하며, 금속 입자는 다면체 형상인 입자를 포함한다.
먼저, 복수의 유전체층을 준비한다.
상기 유전체층은 세라믹 재료, 유기 용제 및 유기 바인더를 포함하는 슬러리에 의하여 형성될 수 있다.
상기 세라믹 재료는 높은 유전율을 갖는 물질로서 페로브스카이트(perovskite) 재료를 포함할 수 있다. 상기 페로브스카이트 재료는 이에 제한되는 것은 아니나 티탄산바륨(BaTiO3)계 재료, 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 재료 등 일 수 있다.
다음, 유전체층 상에 내부 전극 패턴을 형성한다.
상기 내부 전극 패턴은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성될 수 있다.
상기 도전성 금속은 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있으며, 예를 들면 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유전체층 상에 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법과 같은 인쇄법을 통하여 도전성 페이스트로 상기 내부 전극 패턴을 인쇄할 수 있다.
상기 내부 전극 패턴이 인쇄된 유전체층을 번갈아가며 적층하고 소성하여 바디를 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 바디의 외부면에 금속 분말 및 글래스를 포함하는 외부전극용 페이스트를 도포한다.
상기 금속 분말은 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 이들의 합금일 수 있으며, 구형 및 플레이크 형상 중 적어도 하나의 형태일 수 있다.
상기 외부전극용 페이스트에 적용되는 글래스는 다양한 산화물들이 혼합된 조성인데, 본 개시의 일 실시형태에 따르면 상술한 문제점을 해결하기 위해 글래스에 포함된 상기 산화물들의 종류나 조성비를 조절한다.
구체적으로, 본 개시의 일 실시형태에 따르면 외부전극용 페이스트에 포함된 글래스는 a(Li, K, Ba)-b(Ca, Zn, Al)-c(Si, B)-d(V, Mn)(a+b+c+d=100)를 포함할 수 있으며, 상기 (Li, K, Ba)는 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염, 상기 (Ca, Zn, Al)은 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물, 상기 (Si, B)는 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물, 상기 (V, Mn)은 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 의미할 수 있다.
상기 글래스 전체 조성을 기준으로, 상기 a는 상기 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba)중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염의 몰비, 상기 b는 상기 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물의 몰비, 상기 c는 상기 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 몰비, 상기 d는 상기 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 몰비를 의미할 수 있다.
본 개시의 일 실시형태에 따르면 상기 a, b, c 및 d 는 5(mol%) ≤ a ≤ 30(mol%), 19(mol%) ≤ b ≤ 31(mol%), 25(mol%) ≤ c ≤ 60(mol%), 2(mol%) ≤ d≤ 15(mol%)를 만족할 수 있다.
즉, 상기 글래스 전체 조성을 기준으로, 상기 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba)중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염의 몰비는 5mol% 내지 30mol%, 상기 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물의 몰비는 19mol% 내지 31mol%, 상기 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 몰 비는 25mol% 내지 60mol%, 상기 바나듐(V) 및 망간(Mn)중 적어도 하나 이상의 산화물의 몰비는 2mol% 내지 15mol% 일 수 있다.
본 개시의 일 실시형태에 따라, 상기 a, b, c 및 d가 5(mol%) ≤ a ≤ 30(mol%), 19(mol%) ≤ b ≤ 31(mol%), 25(mol%) ≤ c ≤ 60(mol%), 2(mol%) ≤ d≤ 15(mol%)를 만족하는 경우, 금속 분말에 대한 젖음성이 높아 치밀도 구현에 유리하며, 소성 과정 중 고르게 융착되어 외부전극을 바디에 단단히 접합시킬 수 있으며, 외부전극이 형성된 세라믹 본체 단면의 기밀 봉지(hermetic sealing)가 가능한 글래스 및 상기 조성의 글래스를 포함하는 외부전극용 페이스트를 제공할 수 있다.
상기 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba)은 각각 Li2O, K2O 및 BaO의 산화물 또는 Li2CO3, K2CO3 및 BaCO3의 탄산염일 수 있다.
상기 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염은 전체 글래스 조성을 기준으로 5 내지 30 mol%로 포함될 수 있다.
상기 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염의 함량이 5 mol% 미만이면 글래스 구성 성분 중 모디파이어(modifier)가 부족하여 글래스의 젖음 온도(Twet)에 대한 연화 온도(Ts)의 비인 Ts/Twet이 상승할 수 있으며, 30 mol%를 초과하면 글래스의 내산성이 저하되서 도금액에 쉽게 침식되는 문제가 발생할 수 있다.
상기 젖음 온도(Twet)는 기판 위에 글래스 파우더로 제작한 펠렛(Pellet)을 승온하여 연화한 후 기판과 이루는 각(angle)이 90°를 이루게 되는 온도를 의미한다.
상기 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물은 CaO, ZnO, Al2O3 일 수 있다.
상기 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물은 전체 글래스 조성을 기준으로 19 내지 31 mol%로 포함될 있다.
상기 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물의 함량이 19 내지 31 mol%이면, 금속 분말에 대한 글래스의 젖음성(wettability)을 증가시켜 외부전극 페이스트 내에 존재하는 기공(pore)을 외부전극용 페이스트 밖으로 밀어냄으로써 치밀도 구현에 유리한 효과를 나타낼 수 있다.
상기 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물의 함량이 19 mol% 미만이면 2차 모디파이어 산화물의 함량 부족으로 인해 치밀도가 일정 수준이상으로 구현되지 않으며, 31 mol%를 초과하면 과량의 2차 모디파이어 산화물로 인해 상 분리 현상이 발생하여 글래스 조성의 국부적 불균일을 발생하여 일정 수준이상의 접합 강도가 구현되지 않을 수 있다.
상기 규소(Si) 및 붕소(B)의 산화물은 SiO2 및 B2O3 일 수 있다.
글래스 내에서 망목 형성물(network former)로 기능하는 상기 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물은 전체 글래스 조성을 기준으로 25 내지 60 mol%로 포함될 수 있다.
상기 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 함량이 25 mol% 미만이면 글래스 상의 안정성이 떨어져 실투현상이 발생할 수 있으며, 60 mol%를 초과하면 글래스가 액상을 형성하는 온도가 높아져 전극 소성 온도에서 적절한 액상을 구현하지 못하는 문제가 발생할 수 있다.
상기 바나듐(V) 및 망간(Mn)의 산화물은 V2O5, MnO2 일 수 있다.
상기 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물은 전체 글래스 조성을 기준으로 2 내지 15 mol%로 포함될 수 있다.
상기 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 함량이 2 mol% 미만이면 글래스의 고온유동성이 향상되는 효과가 나타나기 어려우며, 15 mol%를 초과하면 글래스 상의 안정성 저하로 인해 실투 현상이 발생할 수 있다.
실험예
 글래스 전체 100mol% 중 성분의 함량(mol%) 글래스의연화온도
(Ts,℃)		 글래스의
젖음온도
(Twet,℃)
a b c d
Li2O K2O BaO CaO ZnO Al2O3 B2O3 SiO2 V2O5 MnO
1 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 17.9 6.2 3.0 522 675
2 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 14.9 6.2 6.0 519 665
3* 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 25.9 1.0 - 563 733
4 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 23.9 3.2 - 548 704
5 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 20.9 6.2 - 531 689
6 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 17.9 9.2 - 515 650
7 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 14.9 12.2 - 488 600
8* 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 11.9 15.2 - 480 533
9 14.4 6.2 8.2 2.6 16.8 1.2 23.5 20.9 - 6.2 543 717
10* 7.0 3.0 2.0 5.0 20.0 5.0 35.0 20.0 1.5 1.5 606 782
11 7.0 3.0 2.0 5.0 22.0 5.0 30.0 20.0 3.0 3.0 613 702
12 7.0 3.0 2.0 5.0 22.0 5.0 25.0 25.0 3.0 3.0 596 714
13 7.0 3.0 2.0 5.0 22.0 5.0 25.0 28.0 3.0 3.0 597 709
14 7.0 3.0 2.0 3.0 22.0 3.0 22.0 28.0 5.0 5.0 575 692
15 5.0 2.0 2.0 5.0 22.0 5.0 25.0 25.0 6.0 3.0 592 701
16 3.5 1.5 2.0 5.0 21.0 5.0 30.0 20.0 6.0 6.0 607 689
17 3.5 1.5 5.0 5.0 21.0 5.0 30.0 20.0 6.0 3.0 608 699
18* 1.0 1.0 2.0 5.0 27.0 5.0 30.0 23.0 3.0 3.0 657 791
19* 1.0 1.0 2.0 5.0 27.0 5.0 30.0 24.0 2.5 2.5 658 812
*는 비교 예
상기 표 1은 글래스 조성에 따른 글래스의 연화 온도(Ts; softning point) 및 글래스와 구리의 젖음 온도(Twet)를 나타낸 것이다.
상기 연화 온도(Ts)는 일정 기준의 점성도가 되는 온도에 있어서 변형이 신속하게 제거되는 온도를 말하며, 상기 젖음 온도(Twet)는 상기 젖음 온도(Twet)는 구리(Cu) 기판 위에 글래스로 제작한 펠렛(Pellet)을 승온하여 연화한 후 기판과 이루는 각(angle)이 90°를 이루게 되는 온도를 말한다.
상기 연화 온도가 낮을수록 저온 소결에 유리한 것이며, 상기 젖음 온도가 낮을수록 구리(Cu)와의 젖음성이 좋은 것이다.
이하에서 표 1의 글래스의 조성은 a(Li, K, Ba)-b(Ca, Zn, Al)-c(Si, B)-d(V, Mn)로 표시하여 설명하도록 한다.
[표 1]을 참조하면, 비교예의 경우 조성물의 함량이 본 개시의 조성물의 함량 범위에 있지 않아, 연화 온도 및 젖음 온도가 높은 것을 알 수 있다.
특히, 실험예 3의 경우 본 개시의 실시예와 달리 d의 함량이 1.0으로, 연화 온도가 높지 않으나 젖음 온도가 높은 것을 나타내므로, 구리와의 젖음성이 낮아 전극 소성 후 치밀한 미세 구조를 얻지 못할 수 있다. 또한, d의 함량이 낮으므로 금속 입자의 재석출이 용이하게 발생하지 못할 수 있다.
실험예 8의 경우 d의 함량이 15.2로 높으며 이로 인해 연화 온도 및 젖음 온도가 낮음을 나타낸다. 그러나, 젖음 온도가 지나치게 낮아, 소성 공정 중 저온 영역에서 금속이 글래스에 용해된 상태로 유지될 수 있으며, 이로 인해 금속 입자의 재석출이 용이하게 발생하지 못할 수 있다.
본 개시의 따른 글래스를 포함하는 외부전극용 페이스트를 바디에 도포한 후 소성 공정을 진행하는데, 상기 글래스는 상기 소성 공정 중 고온 영역에서 금속 분말을 용해시킨 후 저온 영역에서 용해된 금속 재료에서 일부를 입자로 재석출할 수 있다.
상기 재석출된 입자로 인하여 고온에서의 글래스의 유동성을 낮게 할 수 있으며, 이로 인해 외부전극과 바디 사이에 블리스터 발생을 억제할 수 있다.
이는 글래스 성분 중 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물에 의해 글래스의 산화수 변화에 의하여 금속 분말의 용해도가 변할 수 있는데, 소성공정 중 고온 영역에서는 금속이 용해도가 높으나, 저온 영역에서는 금속의 용해도가 감소함에 따라 용해되었던 일부 금속이 일정한 결정 방향을 가지고 재석출되는 것이다.
상기 재석출된 입자는 일정 결정 방향으로 성장하며, 팔면체 형상을 가질 수 있다. 이 소성 공정 이후에 형성된 외부전극은 팔면체 형상인 입자를 포함하는 금속 입자 및 글래스를 포함할 수 있다.
상기 금속 분말을 용해시킨 후 상기 금속 입자로 재석출시킴으로써, 균일하게 외부전극의 금속 입자를 위치시켜 금속 입자 간의 접촉성을 개선할 수 있으며, 이로 인해 외부전극의 치밀도 상승으로 인하여 기계적 강도가 증가시킬 수 있다.
또한, 금속 분말이 용해된 글래스 상에서 금속 입자가 재석출되므로, 글래스의 들뜸 현상을 방지할 수 있어, 외부전극 소성 후에 도금 공정에서 발생할 수 있는 도금 불량 현상을 감소시킬 수 있다.
상기 글래스는 소성 공정에서 상기 바디의 세라믹 재료와 반응할 수 있다.
상기 글래스와 세라믹 재료의 반응에 의하여, 상기 글래스는 상기 바디와 접하는 영역에 확산될 수 있다. 이로 인해, 외부전극과 바디 내의 내부전극의 접촉성을 개선할 수 있다.
본 개시의 일 실시형태에 의하면 외부전극용 페이스트에 포함된 글래스의 성능을 강화함으로써, 외부전극 형성 시 높은 치밀도를 구현하여 도금액에 대한 내식성이 높고, 세라믹 본체 단면의 기밀봉지가 가능하며, 외부전극과 내부전극 및 바디의 접착력이 향상되어 등가직렬저항(ESR) 특성이 우수한 외부전극을 제공할 수 있다.
상기 글래스는 글래스 프릿트의 형태로 포함될 수 있으며, 금속 분말 특히 구리(Cu)와의 젖음성이 우수하면서도 도금액에 대한 내식성 강화의 효과를 동시에 얻기 위해 적절한 크기로 조절될 수 있다. 상기 글래스 프릿트의 평균 입자 크기는 0.5μm 내지 5μm일 수 있다.
상기 글래스의 함량은 본 개시의 목적에 따라 다양하게 적용될 수 있으며, 예를 들어, 상기 금속 분말의 함량 대비 5~10%로 포함될 수 있다.
상기 글래스의 함량이 금속 분말의 함량 대비 5% 미만일 경우에는 도금액의 침투를 막아 칩 신뢰성을 향상시키는 효과가 미비하고, 10%를 초과할 경우 글래스 용융시 상 분리가 발생할 수 있어 문제가 된다.
본 개시는 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 개시의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 개시의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 전자부품
110: 바디
111: 유전체층
115: 확산층
121, 122: 내부전극
131, 132: 외부전극
152, 154: 금속 입자

Claims (16)

  1. 복수의 유전체층 및 내부전극을 포함하는 바디; 및
    상기 내부전극과 전기적으로 연결되도록 상기 바디의 외부면에 형성되며, 금속 입자와 글래스를 포함하는 외부전극;을 포함하며,
    상기 금속 입자는 다면체 형상인 입자를 포함하고,
    상기 바디 중 외부전극과 접하는 영역은 글래스가 확산된 확산층을 포함하되, 상기 확산층은 외부 전극과 접하는 바디의 길이방향 끝단부 및 두께방향 끝단부에 배치되고,
    상기 다면체 형상은 팔면체를 포함하며,
    상기 글래스는 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나 이상의 산화물과 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하는 전자부품
  2. 제1항에 있어서,
    상기 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 몰분율은 상기 글래스 대비 2 mol% 이상 15 mol% 이하를 만족하는 전자부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 글래스는 a(Li, K, Ba)-b(Ca, Zn, Al)-c(Si, B)-d(V, Mn)(a+b+c+d=100)를 만족하며, 상기 (Li, K, Ba)는 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염, 상기 (Ca, Zn, Al)은 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물, 상기 (Si, B)는 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물, 상기 (V, Mn)은 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하되, 상기 a, b, c 및 d 는 5 mol% ≤ a ≤ 30 mol%, 19 mol% ≤ b ≤ 31 mol%, 25 mol% ≤ c ≤ 60 mol%, 2 mol% ≤ d ≤ 15 mol% 를 만족하는 전자부품.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자는 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 이들의 합금인 전자부품.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 글래스의 함량은 상기 금속 입자의 전체 함량 대비 5~10%인 전자부품.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 금속 입자는 구형 및 플레이크 형상 중 적어도 하나의 형성인 입자를 포함하는 전자부품.
  8. 복수의 유전체층 및 내부전극을 포함하는 바디를 형성하는 단계;
    상기 바디의 외부면에 금속 분말 및 글래스를 포함하는 외부전극용 페이스트를 도포하는 단계;
    상기 외부전극용 페이스트가 도포된 바디를 소성하는 단계; 및
    금속 입자와 글래스를 포함하는 외부전극이 형성된 바디를 얻는 단계;를 포함하며,
    상기 금속 입자는 다면체 형상인 입자를 포함하고,
    상기 소성하는 단계에서, 상기 글래스는 상기 바디와 접하는 영역에 확산되되, 상기 확산되는 영역은 외부 전극과 접하는 바디의 길이방향 끝단부 및 두께방향 끝단부에 배치되고,
    상기 다면체 형상은 팔면체를 포함하며,
    상기 글래스는 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나 이상의 산화물과 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하는 전자부품의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물의 몰분율은 상기 글래스 대비 2 mol% 이상 15 mol% 이하를 만족하는 전자부품의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 금속 분말은 구형 및 플레이크 형상 중 적어도 하나의 형상을 갖는 전자부품의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 글래스는 a(Li, K, Ba)-b(Ca, Zn, Al)-c(Si, B)-d(V, Mn)(a+b+c+d=100)를 만족하며, 상기 (Li, K, Ba)는 리튬(Li), 칼륨(K) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나 이상의 산화물 또는 탄산염, 상기 (Ca, Zn, Al)은 칼슘(Ca), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al) 적어도 하나 이상의 산화물, 상기 (Si, B)는 규소(Si) 및 붕소(B) 중 적어도 하나 이상의 산화물, 상기 (V, Mn)은 바나듐(V) 및 망간(Mn) 중 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하되, 상기 a, b, c 및 d 는 5 mol% ≤ a ≤ 30 mol%, 19 mol% ≤ b ≤ 31 mol%, 25 mol% ≤ c ≤ 60 mol%, 2 mol% ≤ d ≤ 15 mol% 를 만족하는 전자부품의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 소성하는 단계에서, 상기 글래스는 고온 영역에서 상기 금속 분말을 용해하며, 저온 영역에서 상기 금속 입자를 석출하는 전자부품의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 제8항에 있어서,
    상기 금속 분말은 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 이들의 합금인 전자부품의 제조방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 글래스의 함량은 상기 금속 분말의 전체 함량 대비 5~10%인 전자부품의 제조방법.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 금속 입자는 구형 및 플레이크 형상 중 적어도 하나의 형상인 입자를 포함하는 전자부품의 제조방법.
KR1020160021743A 2016-02-24 2016-02-24 전자부품 및 그의 제조방법 KR102538902B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160021743A KR102538902B1 (ko) 2016-02-24 2016-02-24 전자부품 및 그의 제조방법
US15/291,794 US10305018B2 (en) 2016-02-24 2016-10-12 Manufacturing method of electronic component
US15/975,131 US11031185B2 (en) 2016-02-24 2018-05-09 Electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160021743A KR102538902B1 (ko) 2016-02-24 2016-02-24 전자부품 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170099544A KR20170099544A (ko) 2017-09-01
KR102538902B1 true KR102538902B1 (ko) 2023-06-01

Family

ID=59630641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160021743A KR102538902B1 (ko) 2016-02-24 2016-02-24 전자부품 및 그의 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10305018B2 (ko)
KR (1) KR102538902B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102538902B1 (ko) * 2016-02-24 2023-06-01 삼성전기주식회사 전자부품 및 그의 제조방법
KR102333093B1 (ko) * 2019-07-08 2021-12-01 삼성전기주식회사 커패시터 부품
JP2022191166A (ja) * 2021-06-15 2022-12-27 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品、実装基板配置、およびセラミック電子部品の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5635494A (en) * 1979-08-30 1981-04-08 Showa Denko Kk High heat transfer electric insulating substrate
JP2001185437A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
US20010016252A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Conductive paste and ceramic electronic device using the same
JP4401197B2 (ja) * 2004-03-10 2010-01-20 三井金属鉱業株式会社 亜酸化銅粉末及びその製造方法
JP5525714B2 (ja) 2008-02-08 2014-06-18 日立粉末冶金株式会社 ガラス組成物
JP5497504B2 (ja) * 2010-03-23 2014-05-21 株式会社日立製作所 電子部品
KR102011477B1 (ko) * 2011-03-29 2019-08-16 썬 케미칼 코포레이션 왁스 요변체를 함유하는 고-종횡비 스크린 인쇄성 후막 페이스트 조성물
KR101823160B1 (ko) * 2012-04-26 2018-01-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR101771742B1 (ko) 2012-11-26 2017-08-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102097332B1 (ko) * 2013-02-20 2020-04-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품
KR102083994B1 (ko) 2013-03-14 2020-03-03 삼성전기주식회사 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품
KR101444613B1 (ko) * 2013-07-12 2014-09-26 삼성전기주식회사 복합 도전성 분말, 이를 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트 및 적층 세라믹 커패시터의 제조방법
KR101514559B1 (ko) * 2013-10-30 2015-04-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR102107032B1 (ko) 2014-05-09 2020-05-07 삼성전기주식회사 글래스 조성물, 이를 포함하는 외부전극용 페이스트 및 적층 세라믹 전자부품
KR20170005646A (ko) * 2015-07-06 2017-01-16 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR101699879B1 (ko) * 2015-08-13 2017-01-25 서울대학교산학협력단 금속 미세입자의 형상 제어 방법
KR102538902B1 (ko) * 2016-02-24 2023-06-01 삼성전기주식회사 전자부품 및 그의 제조방법
KR102527715B1 (ko) * 2016-11-21 2023-05-02 삼성전기주식회사 내부전극용 도전성 분말 및 커패시터

Also Published As

Publication number Publication date
US10305018B2 (en) 2019-05-28
US20170244023A1 (en) 2017-08-24
US20180261754A1 (en) 2018-09-13
US11031185B2 (en) 2021-06-08
KR20170099544A (ko) 2017-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5799948B2 (ja) セラミック電子部品及びその製造方法
KR101648392B1 (ko) 세라믹 전자부품 및 유리 페이스트
KR101952843B1 (ko) 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품
KR20120068622A (ko) 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101532114B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
KR101771742B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
WO2010058496A1 (ja) セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
JP5796568B2 (ja) セラミック電子部品
KR102107032B1 (ko) 글래스 조성물, 이를 포함하는 외부전극용 페이스트 및 적층 세라믹 전자부품
KR102089697B1 (ko) 외부전극용 페이스트, 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
KR20120129441A (ko) 적층형 세라믹 전자부품
KR102538902B1 (ko) 전자부품 및 그의 제조방법
KR102004789B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판
US9183987B2 (en) Multilayered ceramic component
KR101558025B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR102083994B1 (ko) 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품
JP2012109488A (ja) 積層セラミック電子部品
KR101594055B1 (ko) 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP2012079864A (ja) セラミック電子部品
KR20160042609A (ko) 적층 세라믹 커패시터
JP2010052970A (ja) セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
JP3985352B2 (ja) 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品
JP5212660B2 (ja) 積層型セラミックｐｔｃ素子の製造方法
WO2024071420A1 (ja) セラミック電子部品、包装体、回路基板、およびセラミック電子部品の製造方法
JP5500029B2 (ja) セラミック電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right