KR20170005646A - 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents

유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 Download PDF

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KR20170005646A
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박연정
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김창훈
조수경
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Abstract

본 발명은 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터{DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR COMPRISING THE SAME}
본 발명은 직류(dc) 전계가 인가될 경우 유전율의 변화가 없는 고유전율 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인덕터, 압전 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 바디, 바디 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 세라믹 바디 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극, 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
종래의 적층 세라믹 커패시터 등에 이용되는 유전체 재료는 티탄산바륨(BaTiO3)에 기초한 강유전체 재료로서 상온에서 높은 유전율을 가지면서 손실율(Dissipation Factor)이 비교적 작고 절연 저항 특성이 우수한 특징이 있다.
그러나, 상기 유전체 재료를 강유전체(Ferroelectric) 재료로 사용할 경우 입자 크기가 작아짐에 따라 유전율이 감소하고, 시간의 경과에 따른 유전율이 감소하는 에이징(Aging) 특성이 있으며, 온도 변화에 따른 유전율의 변화가 커서 125℃ 이상의 고온에서 유전율이 급격히 감소하며, 절연저항이 낮아 150℃ 이상의 고온에서 사용하기 어려운 문제가 있다.
또한, 실제 device 회로에서 커패시터는 대부분 dc 전압이 인가된 환경에서 사용되고 있으므로, dc 전계에서 높은 용량을 구현하는 것이 중요하다.
커패시터의 개발이 진행됨에 따라 단위두께당 인가되는 dc 전계의 크기는 점점 커지고 있는 상황에서 BaTiO3와 같은 강유전체 재료를 적용하는 경우 박층화에 의한 커패시터의 고용량화가 진행될수록 동일 dc 전압하에서의 유효 용량 감소폭도 그에 따라 점점 커지는 문제가 있다.
이러한 문제를 근본적으로 해결하기 위해서는 dc 전계에 따른 유전율의 변화가 없는 상유전체(Paraelectric) 재료를 적용하는 것이다.
이와 같이 dc-bias 특성이 우수한 유전체 재료는 ESD (Electrostatic discharge) 환경에서도 내구성이 강할 뿐만 아니라 어쿠스틱 노이즈(Acoustic noise)도 작은 장점이 있어 이러한 특성이 요구되는 커패시터 제품에 유용하게 적용이 가능하다.
그런데 현재 커패시터 산업에서 널리 쓰이고 있는 C0G계 상유전체의 경우 유전율이 30 정도로 지나치게 낮아 고용량 MLCC를 제작하기가 어려운 문제가 있다.
따라서, 상기 특성을 구현하면서 MLCC 고용량화를 위해서는 유전율이 높은 상유전체 재료가 필요하다.
일본공개특허공보 2012-156386
본 발명은 직류(dc) 전계가 인가될 경우 유전율의 변화가 없는 고유전율 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 형태는 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함하는 유전체 자기 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 실시형태는 유전체층과 제1 및 제2 내부전극이 교대로 적층된 세라믹 바디를 포함하고, 상기 유전체층은 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함하는 유전체 자기 조성물을 포함하는 적층 세라믹 커패시터를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물을 이용한 적층 세라믹 커패시터는 DC-bias 특성이 우수한, 즉 직류(DC) 전계가 인가될 경우 유전율의 변화가 없어 용량 감소가 없으므로 고용량 특성을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 AC 전계 대비 유전율의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 DC 전계 대비 용량의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 온도 대비 유전율의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 5는 도 4의 A-A'를 따라 취한 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
본 발명은 유전체 자기 조성물에 관한 것으로, 유전체 자기 조성물을 포함하는 전자부품은 커패시터, 인덕터, 압전체 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등이 있으며, 이하에서는 유전체 자기 조성물 및 전자부품의 일례로서 적층 세라믹 커패시터에 관하여 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 모재 분말에서 Zr/Ti 비율 혹은 y값을 조절하여 C0G계 상유전체의 유전율의 대략 3배인 90 이상의 높은 유전율을 얻을 수 있다.
또한, X8R 이상(-55℃~175℃)에서의 정전용량 변화율(temperature coefficient of capacitance, TCC), 그리고 ac 전계 및 dc 전계에 따른 유전율의 변화가 매우 작은 특성을 구현할 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이 상기 모재 분말에 SiO2를 포함하는 소결 조제 및 MnO2 및 Y2O3를 첨가하여 Ni 내부전극이 사용 가능한 내환원 특성, 높은 절연 저항, 그리고 양호한 신뢰성 구현이 가능하다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물의 각 성분을 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
a) 모재 분말
본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물은 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함한다.
상기 식에서, x는 0≤x≤1.0을 만족할 수 있으며, y는 0.3≤y≤0.8을 만족할 수 있다.
일반적으로 ESD(Electrostatic Discharge) 보호 특성을 갖는 적층 세라믹 커패시터에 적용되는 유전체 자기 조성물은 강유전체로서 X7R 특성을 만족하는 유전체 재료 혹은 COG 계열의 상유전체 재료가 사용되고 있다.
그러나, 강유전체 재료를 적용할 경우 높은 유전율 확보가 가능하기 때문에 유전체 두께를 두껍게 설계할 수 있는 장점이 있으나, ESD(Electrostatic Discharge) 평가시 고전계 환경에서 전왜 크랙 발생 또는 DC-bias 특성에 의한 실용량 감소에 의해 실제 칩에는 더 높은 전압이 인가되므로 ESD 특성에 취약한 문제가 있다.
또한, COG 계열의 상유전체 재료를 적용할 경우 유전율이 낮아 커패시터의 용량 확보를 위해서는 유전체의 박층화가 수반되어야 하며, 이에 따라 내전압 특성이 저하되는 문제가 있어 ESD 특성을 만족하지 못하는 문제가 있다.
또한, 일반적으로 커패시터 산업에서 널리 쓰이고 있는 C0G계 상유전체의 경우 유전율이 30 정도로 지나치게 낮아 고용량 적층 세라믹 커패시터를 제작하기가 어려운 문제가 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체 자기 조성물은 DC-bias 특성이 우수한 상유전체 재료를 사용하되, 상온 유전율을 일반적인 상유전체 재료에 비해 약 3배 이상 향상시킨 모재 분말을 포함한다.
즉, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 조성물은 DC-bias 특성이 우수한, 즉 직류(DC) 전계가 인가될 경우 유전율의 변화가 없어 용량 감소가 없어 고용량 특성을 구현할 수 있다.
상기 상유전체 재료의 상온 유전율을 높이기 위하여, 상기 재료의 고용 원소 중 Zr/Ti의 비율을 조절함으로써, 이를 구현할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 Zr/Ti의 비율을 나타내는 y가 0.3≤y≤0.8의 범위를 만족하도록 조절함으로써, 일반적인 상유전체 재료에 비해 유전율을 3배 이상 높일 수 있다.
구체적으로, 상기 Zr/Ti의 비율을 나타내는 y가 0.3≤y≤0.8의 범위를 만족하도록 조절함으로써, 기존 C0G 재료에 비해 유전율이 높고, dc-bias 특성이 우수하며, 절연저항과 내전압이 높으며, 신뢰성이 우수하면서 X8R 이상(-55℃~175℃)의 온도 특성의 구현이 가능하다.
상기 y가 0.3 미만일 경우에는 유전율이 낮아 목표 유전율인 90 이상의 유전율을 얻을 수 없으며, 이러한 용량을 얻기 위해 박막으로 유전체층을 형성할 경우 내전압 특성이 저하되는 문제가 있다.
상기 y가 0.8을 초과하는 경우 X8R 이상(-55℃~175℃)의 온도 특성을 구현할 수 없다.
특히, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 Zr/Ti의 비율을 나타내는 y가 0.2≤y≤0.9의 범위를 만족하도록 조절함으로써, 상온 절연 저항이 우수할 수 있다.
다만, 상기 x와 y의 값이 동일할 경우 상온 절연 저항이 저하될 수 있으므로, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 x와 y는 서로 다른 값을 가질 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물의 모재 분말은 DC-bias 특성이 우수한 상유전체 재료에서 각 성분의 조성비를 일정 범위로 조절함으로써, 상온 유전율이 높으며, DC-bias 특성이 우수할 수 있다.
상온 유전율이 종래의 상유전체 재료보다 높으므로, 유전체층의 두께는 보다 후막으로 설계 가능하며, 우수한 DC-bias 특성이 발현되므로 ESD 보호 특성 역시 우수할 수 있다.
상기 모재 분말은 특별히 제한되는 것은 아니나, 모재 분말의 평균 입경은 1000 nm 이하일 수 있다.
b)제1 부성분
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체 자기 조성물은 제1 부성분으로서, Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 중 적어도 하나 이상을 포함하는 산화물 혹은 탄산염을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부성분으로서, Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 중 적어도 하나 이상을 포함하는 산화물 혹은 탄산염은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, 0.2 내지 4.0 at%의 함량으로 포함될 수 있다.
상기 제1 부성분은 유전체 자기 조성물이 적용된 적층 세라믹 커패시터의 소성 온도 저하 및 고온 내전압 특성을 향상시키는 역할을 한다.
상기 제1 부성분의 함량 및 후술하는 제2 부성분의 함량은 모재 분말 100 at%에 대하여 포함되는 양으로서, 특히 각 부성분이 포함하는 금속 이온의 원자%로 정의될 수 있다.
상기 제1 부성분의 함량이 0.2 at% 미만이면 내환원성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 제1 부성분의 함량이 4.0 at%를 초과하는 경우에는 소성 온도 증가 및 고온 내전압 저하 등의 부효과가 발생할 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물은 모재 분말 100 at%에 대하여, 0.2 내지 4.0 at%의 함량을 갖는 제1 부성분을 더 포함할 수 있으며, 이로 인하여 저온 소성이 가능하며 높은 고온 내전압 특성을 얻을 수 있다.
c)제2 부성분
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Y, Dy, Ho, La, Ce, Nd, Sm, Gd 및 Er 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 0 내지 4.0 at%의 제2 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 부성분은 상기 모재 주성분 100 at%에 대하여 4.0 at% 이하로 포함될 수 있다.
상기 제2 부성분의 함량은 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제2 부성분에 포함된 Y, Dy, Ho, La, Ce, Nd, Sm, Gd 및 Er 중 적어도 하나 이상의 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 부성분에 포함된 Y, Dy, Ho, La, Ce, Nd, Sm, Gd 및 Er 중 적어도 하나 이상의 원소의 함량의 총합은 상기 모재 주성분 100 at%에 대하여 4.0 at% 이하일 수 있다.
상기 제2 부성분은 본 발명의 일 실시형태에서 유전체 자기 조성물이 적용된 적층 세라믹 커패시터의 신뢰성 저하를 막는 역할을 수행할 수 있으며, 상기 제2 부성분이 상기 모재 주성분 100 at%에 대하여 4.0 at% 이하로 포함되는 경우 높은 유전율이 구현되면서 고온 내전압 특성이 양호한 유전체 자기 조성물을 제공할 수 있다.
상기 제2 부성분의 함량이 상기 모재 주성분 100 at%에 대하여 4.0 at%를 초과하여 포함되는 경우, 신뢰성이 저하되거나, 유전체 자기 조성물의 유전율이 낮아지고 고온내전압 특성이 나빠지는 문제가 발생할 수 있다.
d) 제3 부성분
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Si를 포함하는 산화물 또는 탄산염 혹은 Si를 포함하는 글라스(Glass) 화합물인 0.5 내지 4.0 at%의 제3 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 Si를 포함하는 산화물 또는 탄산염 혹은 Si를 포함하는 글라스(Glass) 화합물 형태인 제3 부성분은 상기 유전체 자기 조성물에 첨가됨으로써, 소결 온도를 낮출 수 있으며 소결성을 촉진할 수 있다.
상기 제2 부성분의 함량이 0.5 at% 미만이면 유전체층의 치밀도가 낮아져 내전압 특성이 저하될 수 있다.
상기 제2 부성분의 함량이 4.0 at%를 초과하는 경우에는 2차상 생성에 의해 내전압 특성이 저하될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 AC 전계 대비 유전율의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 1은 강유전체 BaTiO3 재료를 적용한 X7R(-55℃~125℃) 특성의 적층 세라믹 커패시터 시편인 비교예와 본 발명의 실시예인 유전율 130의 상유전체 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3를 적용한 적층 세라믹 커패시터 시편의 AC 전계 크기에 따른 유전율 변화를 나타낸다.
도 1을 참조하면, BaTiO3 재료를 적용한 비교예의 경우에 비해 상유전체 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3를 적용한 실시예의 경우 AC 전계 크기에 따른 유전율의 변화가 거의 없음을 확인할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 DC 전계 대비 용량의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 2는 강유전체 BaTiO3 재료를 적용한 X7R(-55℃~125℃) 특성의 적층 세라믹 커패시터 시편인 비교예와 본 발명의 고유전율 상유전체 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3를 적용한 적층 세라믹 커패시터 시편의 DC 전계 크기에 따른 용량 변화를 나타낸다.
도 2를 참조하면, BaTiO3 재료를 적용한 비교예의 경우에 비해 상유전체 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3를 적용한 실시예의 경우 DC 전계 크기에 따른 유전율의 변화가 거의 없어 용량의 변화가 없음을 확인할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 온도 대비 유전율의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 강유전체 BaTiO3 재료를 적용한 X7R(-55℃~125℃) 특성의 적층 세라믹 커패시터 시편인 비교예와 본 발명의 고유전율 상유전체 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3를 적용한 적층 세라믹 커패시터 시편의 온도에 따른 유전율의 변화를 나타낸다.
도 3을 참조하면, BaTiO3 재료를 적용한 비교예의 경우에 비해 상유전체 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3를 적용한 실시예의 경우 150℃ 이상의 정전용량 변화율(temperature coefficient of capacitance, TCC)이 우수하여, X8R 이상(-55℃~175℃)의 특성 구현이 가능함을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터(100)를 나타내는 개략적인 사시도이고, 도 5는 도 4의 A-A'를 따라 취한 적층 세라믹 커패시터(100)를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층 세라믹 커패시터(100)는 유전체층(111)과 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층된 세라믹 바디(110)를 가진다. 세라믹 바디(110)의 양 단부에는 세라믹 바디(110)의 내부에 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 도통하는 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 형성되어 있다.
세라믹 바디(110)의 형상에 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 직방체 형상일 수 있다. 또한, 그 치수도 특별히 제한은 없고, 용도에 따라 적절한 치수로 할 수 있고, 예를 들면 (0.6∼5.6mm)×(0.3∼5.0mm)×(0.3∼1.9mm)일 수 있다.
유전체층(111)의 두께는 커패시터의 용량 설계에 맞추어 임의로 변경할 수 있는데, 본 발명의 일 실시예에서 소성 후 유전체층의 두께는 1층당 바람직하게는 0.1㎛ 이상일 수 있다.
너무 얇은 두께의 유전체층은 한층 내에 존재하는 결정립 수가 작아 신뢰성에 나쁜 영향을 미치기 때문에 유전체층의 두께는 0.1 ㎛ 이상일 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 각 단면이 세라믹 바디(110)의 대향하는 양 단부의 표면에 교대로 노출되도록 적층되어 있다.
상기 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)은 세라믹 바디(110)의 양 단부에 형성되고, 교대로 배치된 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 노출 단면에 전기적으로 연결되어 커패시터 회로를 구성한다.
상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)에 함유되는 도전성 재료는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체층의 구성 재료가 상유전체 재료를 가지므로, 귀금속을 통상 이용할 수 있으나, 본 발명의 일 실시형태에서는 니켈(Ni) 내부전극을 이용할 수도 있다.
상기 도전성 재료로서 이용하는 귀금속으로는 은(Ag) 또는 팔라듐(Pd) 합금일 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 두께는 용도 등에 따라 적절히 결정할 수 있으며 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 0.1 내지 5㎛ 또는 0.1∼2.5㎛일 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)에 함유되는 도전성 재료는 특별히 한정되지 않지만, 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 이들 합금을 이용할 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)의 두께는 용도 등에 따라 적절히 결정할 수 있으며 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 10 내지 50㎛ 일 수 있다.
상기 세라믹 바디(110)를 구성하는 유전체층(111)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 유전체 자기 조성물은 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함할 수 있다.
상기 유전체 자기 조성물에 대한 구체적인 설명은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체 자기 조성물의 특징과 동일하므로 여기서는 생략하도록 한다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이는 발명의 구체적인 이해를 돕기 위한 것으로 본 발명의 범위가 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
모재 파우더인 주성분 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　분말은 다음과 같이 고상법을 적용하여 제조하였다.
출발원료는 CaCO3, SrCO3, ZrO2, TiO2　이다.
먼저, 이들 분말들을 설계한 비율대로 칭량하여 볼밀로 혼합하고 800~900℃ 범위에 하소하여 평균입자 크기 300nm의 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　파우더를 준비하였다.
하기 표 1과 표 2의 각 실험예에 명시된 조성비에 맞게 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3　모재 분말 주성분과 각각의 부성분 MnO2, Y2O3, SiO2 를 칭량하고, 주성분과 부성분이 포함된 원료 분말을 지르코니아 볼을 혼합/분산 메디아로 사용하고 에탄올/톨루엔과 분산제 및 바인더를 혼합 후, 20 시간 동안 볼밀링 하였다.
제조된 슬러리는 닥터 블레이드 방식의 코터를 이용하여 5.0 ㎛와 10~13 ㎛ 의 두께로 성형 시트를 제조하였다.
성형 시트에 Ni 내부전극 인쇄를 하였다.
상하 커버는 커버용 시트(10~13 ㎛ 의 두께)를 25 층으로 적층하여 제작하였고, 21 층의 인쇄된 활성시트를 가압하며 적층하여 바(bar)를 제작하였다.
압착바는 절단기를 이용하여 3216(길이×폭×두께가 3.2mm×1.6mm×1.6mm) 크기의 칩으로 절단하였다. 　
제작이 완료된 칩을 가소한 뒤에 환원 분위기(1% H2/99% N2, H2O/H2/N2 분위기)에서 1230 ~ 1270℃의 온도에서 2시간 소성한 후, 1000℃에서 질소(N2) 분위기에서 재산화를 3시간 동안 실시하여 열처리 하였다.
소성된 칩에 대하여 구리(Cu) 페이스트로 터미네이션 공정 및 전극 소성을 거쳐 외부전극을 완성하였다.
상기와 같이 완성된 프로토 타입 적층 세라믹 커패시터(Proto-type MLCC) 시편에 대해 용량, DF, 절연저항, TCC 및 고온 150℃에서 전압 step 증가에 따른 저항 열화 거동 등을 평가하였다.
적층 세라믹 커패시터(MLCC) 칩의 상온 정전 용량 및 유전 손실은 LCR-meter를 이용하여 1 kHz, AC 0.5 V/㎛ 조건에서 용량을 측정하였다.
정전 용량과 적층 세라믹 커패시터(MLCC) 칩의 유전체 두께, 내부전극 면적, 적층수로부터 적층 세라믹 커패시터(MLCC) 칩의 유전율을 계산하였다.
상온 절연 저항(IR)은 10 개씩의 샘플을 취하여 DC 10 V/㎛ 를 인가한 상태에서 60초 경과 후 측정하였다.
온도에 따른 정전용량의 변화는 -55℃에서 175℃의 온도 범위에서 측정되었다.
고온 IR 승압 실험은 170℃에서 전압 단계를 10 V/㎛ 씩 증가시키면서 저항 열화 거동을 측정하였는데, 각 단계의 시간은 10분이며 5초 간격으로 저항값을 측정하였다.
고온 IR 승압 실험으로부터 고온 내전압을 도출하였는데, 이는 소성 후 3.2㎛ 두께의 20층의 유전체를 가지는 3216 크기 칩에서 175℃에서 전압 스텝(Voltage step) dc 5 V/㎛를 10분간 인가하고 이 전압 스텝을 계속 증가시키면서 측정할 때, IR이 105Ω 이상을 견디는 전압을 의미한다.
Figure pat00001
Figure pat00002
상기 표 1을 참조하면, 실험예 1 내지 10은 주성분 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　 분말　대비 제1 부성분 MnO2 및 제3 부성분 SiO2 함량이 　각각 0.5 at % 및 0.5 at % 이고, 제1 주성분의 Sr 함량 x = 0　 일 때, Ti 함량 y의 변화 예를 나타내고, 표 2의 1 내지 10은 이들 실험예에 따른 proto-type 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타낸다.
표 1 및 표 2를 참조하면, Ti 함량 y가 증가함에 따라 증가함에 따라 상온 유전율이 증가하며, 동시에 고온부 175℃에서의 TCC인 TCC(175℃)가 저하되고 고온 175℃에서의 내전압 특성이 낮아지는 경향을 알 수 있다.
Ti 함량 y가 0.3 이상부터 90 이상의 유전율을 얻을 수 있으나, 0.9 이상으로 과량인 경우에는 TCC(175℃)가 ± 15% 범위를 벗어나는 문제가 발생한다.
Ti 함량 y가 0.3≤y≤0.8 범위에서 본 발명의 목표 특성인 90 이상의 유전율, 1000 이상의 RC값, X9R 온도 특성, 그리고 고온(175℃) 내전압 50V/um 이상의 모든 특성을 동시에 구현할 수 있으므로 적정 y 함량 범위가 0.3≤y≤0.8 임을 알 수 있다.
표 1의 실험예 11 내지 15는 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　분말　대비 제1 부성분 MnO2 및 제3 부성분 SiO2 함량이　각각 0.5 at % 및 0.5 at % 이고, 제1 주성분의 Ti 함량 y = 0.6　일 때, Sr 함량 x의 변화 예를 나타내고 표 2의 11 내지 15는 이들 실험예에 따른 proto-type 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타낸다
Sr 함량 전 범위 0≤x≤1.0 에서 유전율, DF, 상온 RC값, TCC(175℃), 그리고 고온(175℃) 내전압의 특성이 비슷한 수준으로 구현되고 본 발명의 목표 특성을 만족하는 것을 알 수 있다.
따라서, 적정 Sr 함량의 x 범위가 0≤x≤1.0 을 만족함을 알 수 있다.
Figure pat00003
Figure pat00004
표 3의 실험예 16 내지 22는 주성분 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　파우더에서 x=0.4, y=0.6 이고 제3 부성분 SiO2의 함량이 0.5일 때, 제1 부성분 Mn 함량 변화에 따른 실험예를 나타내고 표 4의 16 내지 22는 이들 실험예에 따른 proto-type 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타낸다.
Mn의 함량이 0.1 at% 로 적은 경우에는 (실험예 16), 고온(175℃) 내전압이 35V/um로 낮아지는 문제가 있고, Mn 함량이 0.2 at% 이상 증가하면 고온(175℃) 내전압이 50 V/um 이상으로 상승하며 (실험예 17 내지 21), Mn의 함량이 5 at% 로 지나치게 과량인 경우에는 (실험예 22), 2차상 등이 생성되어 고온(175℃) 내전압이 50V/um 미만으로 다시 낮아지는 문제가 발생한다.
따라서, 제1 부성분 Mn의 적정 함량은 0.2 ~ 4 at% 임을 알 수 있다.
표 3의 실험예 27 내지 30은 주성분 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　파우더에서 x=0.4, y=0.6 이고, 제1 부성분 Mn의 함량이 2.0 at% 이고, 제3 부성분 SiO2의 함량이 0.5 at% 일 때, 제2 부성분 Y2O3 함량 변화에 따른 실험예를 나타내고, 표 4의 27 내지 30은 이들 실험예에 따른 proto-type 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타낸다.
Y의 함량이 증가함에 따라 고온(175℃) 내전압이 상승하다가 다시 감소하며 at% 기준으로 6 at% 로 지나치게 과량인 경우에는 (실험예 30), 2차상 등의 생성에 의해 고온(175℃) 내전압이 50 V/um 미만으로 낮아지는 문제가 있다.
따라서 제2 부성분 Y의 적정 함량은 at% 기준으로 0 ~ 4 at% 임을 알 수 있다.
표 3의 실험예 31 내지 34는 주성분 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　분말에서 x=0.4, y=0.6 이고, 제1 부성분 Mn의 함량이 2.0 at% 이고, 제3 부성분 SiO2의 함량이 0.5 at% 일 때, 제2 부성분 Y2O3를 Dy2O3로 변경하거나 Y2O3와 Dy2O3를 함께 첨가했을 때의 실험예를 나타내고, 표 4의 31 내지 34는 이들 실험예에 따른 proto-type 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타낸다.
at% 기준으로 제2 부성분 전체의 함량이 동일하면 Y 혹은 Dy 단독인 경우 혹은 Y와 Dy가 함께 첨가된 경우의 특성은 거의 동일함을 확인할 수 있으며, 제2 부성분 Dy 함량이 6 at%로 지나치게 과량인 경우에는 (실험예 33) 마찬가지로 고온(175℃) 내전압이 50 V/um 미만으로 낮아지는 것을 알 수 있다.
표 3의 실험예 35 내지 39는 주성분 (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3　분말에서 x=0.4, y=0.6 이고 제1 부성분 Mn의 함량이 2.0, 제2 부성분 Y2O3가 at%로 2.0 at% 일 때, 제3 부성분 SiO2의 함량 변화 실험예를 나타내고, 표 4의 35 내지 39는 이들 실험예에 따른 proto-type 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타낸다.
SiO2 함량이 0.25 at%로 매우 작은 경우에는 (실험예 35), 유전체층의 치밀도가 낮아 고온(175℃) 내전압이 50 V/um 미만으로 낮아지는 문제가 있다.
SiO2 함량이 증가함에 따라 고온(175℃) 내전압이 증가하다가 감소하는 경향성을 확인할 수 있는데, SiO2 함량이 5 at%로 지나치게 과량인 경우에는 2차상 생성 등에 의해 역시 고온(175℃) 내전압이 50 V/um 미만으로 낮아지는 문제가 있음을 알 수 있다.
SiO2 함량 0.5 ~ 4.0 at% 범위에서 본 발명의 모든 목표 특성을 동시에 구현할 수 있으므로, 제3 부성분 SiO2의 적정 함량은 0.5 ~ 4.0 at% 임을 알 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
100: 적층 세라믹 커패시터 110: 세라믹 바디
111: 유전체층 121, 122: 제1 및 제2 내부전극
131, 132: 제1 및 제2 외부전극

Claims (8)

  1. (Ca1 - xSrx)(Zr1 - yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함하는 유전체 자기 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 0.2 내지 4.0 at%의 제1 부성분을 더 포함하는 유전체 자기 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Y, Dy, Ho, La, Ce, Nd, Sm, Gd 및 Er 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 0 내지 4.0 at%의 제2 부성분을 더 포함하는 유전체 자기 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Si를 포함하는 산화물 또는 탄산염 혹은 Si를 포함하는 글라스(Glass) 화합물인 0.5 내지 4.0 at%의 제3 부성분을 더 포함하는 유전체 자기 조성물.
  5. 유전체층과 제1 및 제2 내부전극이 교대로 적층된 세라믹 바디를 포함하고,
    상기 유전체층은 (Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3으로 표시되는 모재 분말 (상기 x의 범위는 0≤x≤1.0, y의 범위는 0.3≤y≤0.8)을 포함하는 유전체 자기 조성물을 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 0.2 내지 4.0 at%의 제1 부성분을 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Y, Dy, Ho, La, Ce, Nd, Sm, Gd 및 Er 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 또는 탄산염인 0 내지 4.0 at%의 제2 부성분을 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 상기 모재 분말 100 at%에 대하여, Si를 포함하는 산화물 또는 탄산염 혹은 Si를 포함하는 글라스(Glass) 화합물인 0.5 내지 4.0 at%의 제3 부성분을 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034977A (ko) * 2018-08-06 2020-04-01 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 이용한 전자 부품
US10832867B2 (en) 2018-08-06 2020-11-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric composition and electronic component using the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102538902B1 (ko) 2016-02-24 2023-06-01 삼성전기주식회사 전자부품 및 그의 제조방법
CN116635348A (zh) * 2020-09-10 2023-08-22 基美电子公司 介电陶瓷组合物和使用该介电陶瓷组合物的陶瓷电容器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012156386A (ja) 2011-01-27 2012-08-16 Taiyo Yuden Co Ltd 可変容量コンデンサ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3389220B2 (ja) * 2000-02-09 2003-03-24 ティーディーケイ株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品および電子部品の製造方法
TW492017B (en) * 2000-06-29 2002-06-21 Tdk Corp Dielectrics porcelain composition and electronic parts
JP2004075452A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Taiyo Yuden Co Ltd 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ
WO2012046554A1 (ja) * 2010-10-04 2012-04-12 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012156386A (ja) 2011-01-27 2012-08-16 Taiyo Yuden Co Ltd 可変容量コンデンサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034977A (ko) * 2018-08-06 2020-04-01 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 이용한 전자 부품
US10832867B2 (en) 2018-08-06 2020-11-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric composition and electronic component using the same

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