JP6841480B2 - 誘電体組成物及びこれを含む積層電子部品 - Google Patents
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Description
本発明は、誘電率が高く、且つＤＣ‐ｂｉａｓ特性に優れた誘電体組成物及びこれを含む積層電子部品に関する。
一般的に、キャパシター、インダクター、圧電素子、バリスター、又はサーミスターなどのセラミック材料を使用する電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、セラミック本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続するようにセラミック本体の表面に設置された外部電極と、を備える。
積層電子部品のうち、積層セラミックキャパシターは、積層された複数の誘電体層と、一つの誘電体層を挟んで対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続した外部電極と、を含む。
積層セラミックキャパシターは、小型でありながら高容量が保証され、実装が容易であるという利点から、コンピューター、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く使用されている。
積層セラミックキャパシターは、通常、内部電極用ペーストと誘電体層用ペーストをシート法又は印刷法などにより積層し同時焼成して製造される。
近年、高容量積層セラミックキャパシターの開発が進むにつれて、誘電体層の厚さが薄くなり、信頼性、高温耐電圧及びショート不良（ｓｈｏｒｔ ｆａｉｌｕｒｅ）の問題が発生している。
これを解決するために、より微粒のチタン酸バリウム粉末を適用して、成形シート（ｓｈｅｅｔ）の表面粗さを高めることが効果的な方法であると言えるが、結晶粒のサイズが小さくなるにつれて誘電率が減少するため、微粒粉末の適用により結晶粒のサイズが小さくなる場合、容量の具現が困難であるという問題が発生する。
したがって、微粒のチタン酸バリウム粉末を適用するとともに結晶粒のサイズを所望の通りに調節することにより、薄層誘電体のショート不良を防止し、且つ高い容量を具現できる誘電体材料の開発が求められている。
本発明の目的は、誘電率が高く、且つＤＣ‐ｂｉａｓ特性に優れた誘電体組成物及びこれを含む積層電子部品を提供することにある。
本発明は、結晶粒のサイズを小さく維持するとともに高い誘電率を具現することにより、誘電率が高く、且つＤＣ‐ｂｉａｓ特性が良好な誘電体組成物及びこれを含む積層電子部品を提供する。
本発明の一実施形態は、ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、及び（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分とし、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表される母材主成分を含み、上記第２主成分のモル比ｘが０．００２５≦ｘ＜０．４の範囲に該当し、上記第３主成分のモル比ｙが０．００２５≦ｙ≦０．０４の範囲に該当する誘電体組成物を提供する。
本発明の他の実施形態は、複数の内部電極が積層された積層構造と誘電物質とを含む本体と、上記内部電極と電気的に連結される外部電極と、を含み、上記誘電物質は、ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、及び（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表される母材主成分を含み、上記第２主成分のモル比ｘが０．００２５≦ｘ＜０．４の範囲に該当し、上記第３主成分のモル比ｙが０．００２５≦ｙ≦０．０４の範囲に該当する誘電体組成物から形成される積層電子部品を提供する。
本発明によると、高容量積層電子部品の誘電物質の主材料であるＢａＴｉＯ３と、自発分極の大きさが大きいＰｂＴｉＯ３と、高温耐電圧特性に優れた（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３とを適正量複合化して、小さい結晶粒のサイズでも高い誘電率を具現することにより、誘電率及びＤＣ‐ｂｉａｓ特性を同時に改善する誘電体組成物及びこれを含む積層電子部品を提供することができる。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
本発明は、誘電体組成物に関し、誘電体組成物を含む電子部品としては、キャパシター、インダクター、圧電素子、バリスター、又はサーミスターなどがあり、以下では、誘電体組成物及び電子部品の一例として積層キャパシターについて説明する。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、及び（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分とし、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表される母材主成分を含み、上記第２主成分のモル比ｘが０．００２５≦ｘ＜０．４の範囲に該当し、上記第３主成分のモル比ｙが０．００２５≦ｙ≦０．０４の範囲に該当する。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物によると、常温誘電率特性とＤＣ‐ｂｉａｓ特性を同時に満たすことができる。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物によると、静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）及び高温耐電圧特性を改善することができる。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、ＥＩＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格に明示されているＸ５Ｒ（−５５℃〜８５℃）、Ｘ７Ｒ（−５５℃〜１２５℃）、Ｘ８Ｒ（−５５℃〜１５０℃）、及びＸ９Ｒ（−５５℃〜１７５℃）特性を満たすことができる。
また、本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物を焼結して形成された誘電材料及び上記誘電体組成物を用いた積層電子部品を提供する。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、母材主成分と副成分とを含み、上記副成分は、第１〜第５副成分を含むことができる。
以下、本発明の一実施形態に係る誘電体組成物の各成分についてより具体的に説明する。
ａ）母材主成分
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、及び（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分とし、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表される母材主成分を含む。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、及び（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分とし、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表される母材主成分を含む。
上記母材主成分内の上記第２主成分のモル比ｘが０．００２５≦ｘ＜０．４の範囲に該当し、上記第３主成分のモル比ｙが０．００２５≦ｙ≦０．０４の範囲に該当する。
上記第１主成分は、ＢａＴｉＯ３で表され、上記ＢａＴｉＯ３は、一般的に、誘電体母材として使用される材料であり、キュリー温度が約１２５℃程度の強誘電体材料である。
また、上記第２主成分は、ＰｂＴｉＯ３で表され、上記第２主成分であるＰｂＴｉＯ３は、第１主成分であるＢａＴｉＯ３に比べて自発分極の大きさが大きい。ただし、上記第２主成分であるＰｂＴｉＯ３は、分域壁（ｄｏｍａｉｎ ｗａｌｌ）の移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が低くて誘電率が低いという問題があり、これは、誘電率が高いＢａＴｉＯ３により補完されることができる。
また、上記第３主成分は、（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表され、上記第３主成分は、高温耐電圧特性に優れる。
一般的に、強誘電体材料が高い誘電率を有するためには、自発分極の大きさが大きく、且つ分域壁（ｄｏｍａｉｎ ｗａｌｌ）の移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が大きく、このような分極が外部電界方向によって容易にスイッチング（ｓｗｉｃｈｉｎｇ）されることができなければならない 。
本発明の一実施形態によると、ＢａＴｉＯ３で表される第１主成分と、上記第１主成分に比べて自発分極の大きさが大きいＰｂＴｉＯ３で表される第２主成分と、高温耐電圧特性に優れた（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３とを適正量複合化して、自発分極の大きさ及び分域壁の移動度を同時に向上させることにより、ＢａＴｉＯ３で表される組成物に比べてより小さい結晶粒のサイズでも高い誘電率を具現し、且つ良好なＤＣ‐ｂｉａｓ特性を具現することができる。
本発明の一実施形態によると、上記第１主成分のモル比を１−ｘ−ｙ、第２主成分のモル比をｘ、第３主成分のモル比をｙと規定したときに、上記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、上記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たす。
上記ｘが０．００２５未満である場合には、ＤＣ‐ｂｉａｓ特性が劣化するという問題がある。これに対し、上記ｘが０．４以上である場合には、常温誘電率が３０００未満と低くなるという問題がある。
一方、上記ｙが０．００２５未満である場合には、ＤＣ‐ｂｉａｓ及び高温耐電圧の特性が改善しないという問題があり、上記ｙが０．４を超える場合には、高温耐電圧特性が劣化するという問題がある。
また、上記誘電体組成物の母材主成分は、第１主成分〜第３主成分の固溶体の形態であってもよい。
上記母材主成分が互いに固溶された形態である場合には、上記母材主成分は、単相の形態であってもよく、誘電率、温度特性、静電容量変化率（ＴＣＣ）、ＤＣ‐ｂｉａｓ特性及び損失率などが、上記第１主成分〜第３主成分が混合された形態よりも優れることができる。
上記母材主成分の平均粒径は、特に制限されるものではないが、１０００ｎｍ以下であってもよい。
ｂ）第１副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、第１副成分として、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち少なくとも一つ以上を含む元素、これらの酸化物及びこれらの炭酸塩のうち一つ以上を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、第１副成分として、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち少なくとも一つ以上を含む元素、これらの酸化物及びこれらの炭酸塩のうち一つ以上を含むことができる。
上記第１副成分は、上記母材主成分（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を１００モルとしたときに、０．１〜２．０モル含まれることができる。
上記第１副成分の含有量は、酸化物又は炭酸塩のような添加形態を区分せず、第１副成分に含まれたＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち少なくとも一つ以上の元素の含有量を基準とすることができる。
例えば、上記第１副成分に含まれたＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち少なくとも一つの原子価可変アクセプター元素の含有量の合計は、上記母材主成分１００モルに対して０．１〜２．０モルであってもよい。
上記第１副成分の含有量及び後述する第２〜第４副成分の含有量は、母材粉末１００モルに対する相対的な量であり、特に、各副成分が含む金属又は半金属のモルとして定義されることができる。上記金属又は半金属のモルは、イオン状の金属又は半金属のモルを含むことができる。
上記第１副成分の含有量が母材主成分１００モルに対して０．１モル未満である場合には、ＲＣ値及び高温（１５０℃）耐電圧が非常に低いという問題がある。これに対し、上記第１副成分の含有量が母材主成分１００モルに対して２．０モル未満である場合には、常温誘電率が３０００未満と低くなるという問題がある。
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、母材主成分１００モルに対して０．１〜２．０モルの含有量を有する第１副成分を含むことができ、これにより、改善したＲＣ値、高温耐電圧特性及び常温誘電率特性を具現することができる。
ｃ）第２副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、第２副成分として、Ｓｉを含む酸化物、Ｓｉを含む炭酸塩、及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、第２副成分として、Ｓｉを含む酸化物、Ｓｉを含む炭酸塩、及びＳｉ元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含むことができる。
上記第２副成分は、上記母材主成分１００モルに対して０．５〜３．０モル含まれることができる。
上記第２副成分の含有量は、酸化物、炭酸塩或いはガラスのような添加形態を区分せず、第２副成分に含まれたＳｉ元素の含有量を基準とする。
例えば、上記第２副成分に含まれたＳｉ元素の含有量は、上記母材主成分１００モルに対して０．５〜３．０モルであってもよい。
上記第２副成分の含有量が誘電体母材主成分１００モルに対して０．５モル未満である場合には、焼結性が低下する可能性があり、３．０モルを超える場合には、二次相の生成によって高温耐電圧特性が低下する恐れがあり、また、高温部（１２５℃）ＴＣＣ特性の改善に限界がある。
ｄ）第３副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち一つ以上の元素、これらの酸化物及びこれらの炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３副成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち一つ以上の元素、これらの酸化物及びこれらの炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３副成分を含むことができる。
上記第３副成分は、上記母材主成分１００モルに対して３．０モル未満含まれることができる。
上記第３副成分の含有量は、金属又は塩のような添加形態を区分せず、第３副成分に含まれたＤｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち少なくとも一つ以上の元素の含有量を基準とすることができる。
例えば、上記第３副成分に含まれたＤｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち少なくとも一つ以上の元素の含有量の合計は、上記母材主成分１００モルに対して３．０モル未満であってもよい。
上記第３副成分に含まれる金属の塩は、特に限定されず、例えば、酸化物、炭酸化物（ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、塩化物（ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アセテート（ａｃｅｔａｔｅ）、アルコキシド（ａｌｋｏｘｉｄｅ）及び窒化物（ｎｉｔｒｉｄｅ）からなる群から選択される１種以上である。
上記第３副成分は、本発明の一実施形態において、誘電体組成物の誘電率及び高温耐電圧特性を改善する役割をする。
上記第３副成分の含有量が上記母材主成分１００モルに対して３．０モル以上である場合には、誘電率が３０００未満と低くなり、高温耐電圧特性が低下するという問題が発生する。
ｅ）第４副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｂａ元素酸化物或いは炭酸塩のうち一つ以上を含む第４副成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｂａ元素酸化物或いは炭酸塩のうち一つ以上を含む第４副成分を含むことができる。
上記第４副成分は、上記母材主成分１００モルに対して０．３２〜９．６モル含まれることができる。
上記第４副成分の含有量は、酸化物又は塩のような添加形態を区分せず、第４副成分に含まれたＢａ元素の含有量を基準とすることができる。
例えば、上記第４副成分に含まれたＢａ元素の含有量が上記母材主成分１００モルに対して０．３２〜９．６モルであってもよい。
上記第４副成分の含有量が上記母材主成分１００モルに対して０．３２モル未満である場合には、焼結性が不十分で誘電率が低くなり、高温耐電圧特性が低くなるという問題が発生する。これに対し、上記第４副成分の含有量が上記母材主成分１００モルに対して９．６モルを超える場合には、高温耐電圧特性が低くなるという問題が発生する。
ｆ）第５副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩、及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩、及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含むことができる。
上記第５副成分は、上記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モル含まれることができる。
上記第５副成分の含有量は、酸化物、塩又はフッ化物のような添加形態を区分せず、第５副成分に含まれたＬｉ元素の含有量を基準とすることができる。
例えば、上記第５副成分に含まれたＬｉ元素の含有量は、上記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルであってもよい。
上記第５副成分は、誘電体組成物が適用された積層セラミックキャパシターの焼成温度を低下させ、高温耐電圧特性を向上させる役割をする。
上記第５副成分の含有量が上記母材主成分１００モルに対して０．４モル未満である場合には、焼成温度が高くなる可能性があり、誘電率及び高温耐電圧特性が低下する可能性がある。これに対し、上記第５副成分の含有量が上記母材主成分１００モルに対して１２モルを超える場合には、二次相の生成などによって高温耐電圧特性が低下する可能性がある。
ｇ）第２副成分及び第４副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物において、上記第２副成分のＳｉ含有量に対する上記第４副成分のＢａ含有量の割合であるＢａ／Ｓｉが０．６４〜３．２であってもよい。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物において、上記第２副成分のＳｉ含有量に対する上記第４副成分のＢａ含有量の割合であるＢａ／Ｓｉが０．６４〜３．２であってもよい。
上記第２副成分のＳｉ含有量に対する上記第４副成分のＢａ含有量の割合であるＢａ／Ｓｉが０．６４〜３．２の範囲内である場合に、本発明が具現しようとする目標特性が同時に具現されることができる。具体的には、誘電体組成物の誘電率が３０００以上であり、且つ高温耐電圧が６０Ｖ／ｍｍ以上である特性が同時に具現されることができる。
図１は本発明の他の実施形態に係る積層電子部品を示す概略的な斜視図であり、図２は図１のＡ‐Ａ´に沿って切断した積層電子部品を示す概略的な断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の他の実施例による積層電子部品１００は、複数の内部電極が積層された積層構造と誘電物質とを含む本体と、上記内部電極と連結される外部電極と、を含む。上記本体１１０の両端部には、セラミック本体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ導通する第１及び第２外部電極１３１、１３２が形成されることができる。
本体１１０は、一般的に、六面体の形状であってもよい。また、その寸法も特に制限されず、用途に応じて適切な寸法にしてもよく、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）であってもよい。
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０の対向する両端部にそれぞれ露出するように積層されることができる。上記第１及び第２外部電極１３１、１３２は、本体１１０の両端部に形成され、第１及び第２内部電極１２１、１２２の露出端面に電気的に連結されてキャパシター回路を構成する。
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２に含有される導電性材料としては、特に限定されないが、好ましくは、ニッケル（Ｎｉ）を用いてもよい。
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、０．１〜５μｍ又は０．１〜２．５μｍであってもよい。
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２に含有される導電性材料としては、特に限定されないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金を用いてもよい。
上記本体１１０を構成する誘電物質１１１は、本発明の一実施形態に係る誘電体組成物を含むことができる。
上記本体１１０を構成する誘電物質は、本発明の一実施形態に係る誘電体組成物を焼結して形成されることができる。
その他、上記誘電体組成物に関する具体的な説明は、上述の本発明の一実施形態に係る誘電体組成物の特徴と同一であるため、ここでは省略する。
以下、実験例により本発明について詳細に説明するが、これは、発明の具体的な理解を助けるためのものであって、本発明の範囲は実験例により限定されるものではない。
実験例
母材主成分としては、平均粒径が３００ｎｍであるＢａＴｉＯ３粉末を使用した。
母材主成分としては、平均粒径が３００ｎｍであるＢａＴｉＯ３粉末を使用した。
下記表１、表３及び表５に明示されている組成比を満たす組成物と、溶媒としてのエタノール及びトルエンを使用してこれらを分散剤とともに混合した後、バインダーを混合してセラミックシートを作製した。成形されたセラミックシートには、Ｐｄ内部電極を印刷した。上下部カバー層は、１０〜１３μｍの厚さを有するカバー用シートを２５層に積層して作製し、内部電極が印刷された活性シートを２１層加圧して積層しバー（ｂａｒ）を製造した。圧着バーは、切断機を用いて３２１６（長さ×幅×厚さが３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズのチップに切断した。作製が完了した上記３２１６サイズのチップに対してか焼を行った後、下記表１及び表３に該当する試験片に対しては、大気中で（Ａｉｒ雰囲気）１１８０〜１２５０℃の範囲で焼成を行い、下記表５に該当する試験片に対しては、還元雰囲気中で（Ｎ２雰囲気）１１００℃以下の温度で焼成を行った。焼成されたチップに対して、Ｃｕペーストでターミネーション工程及び電極焼成を経て外部電極を完成した。
上記のように完成されたプロトタイプ積層セラミックキャパシター（Ｐｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣ）サンプルに対して、容量、ＤＦ、絶縁抵抗、ＴＣＣ、高温１５０℃での電圧ステップ（ｓｔｅｐ）の増加による抵抗劣化挙動などを評価した。
積層セラミックキャパシターチップ（ＭＬＣＣ Ｃｈｉｐ）の常温静電容量及び誘電損失は、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒを用いて、１ｋＨｚ、ＡＣ０．２Ｖ／μｍの条件で容量を測定した。静電容量と積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ）チップの誘電体の厚さ、内部電極の面積、積層数から積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ）チップの誘電体の誘電率を計算した。
常温絶縁抵抗（ＩＲ）は、１０個ずつサンプルを取り、ＤＣ１０Ｖ／μｍを印加した状態で、６０秒経過後に測定した。
温度による静電容量の変化は、−５５から１５０℃の温度範囲で測定された。
高温ＩＲ昇圧実験は、１５０℃で電圧ステップを５Ｖ／μｍずつ増加させながら抵抗劣化挙動を測定したが、各ステップの時間は１０分であり、５秒間隔で抵抗値を測定した。
高温ＩＲ昇圧実験から高温耐電圧を導き出したが、これは、焼成後、７μｍ厚さの２０層の誘電体を有する３２１６サイズのチップにおいて１５０℃で ５Ｖ／μｍのＤＣ電圧を１０分間印加し、電圧ステップ（ｓｔｅｐ）を増加させ続けながら測定したときに、ＩＲが１０５Ω以上になる電圧を意味する。
誘電体組成物の微細構造をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）イメージで観察し、ここから結晶粒のサイズを算出した。
以下の表１、表３及び表５は、実験例の組成表であり、表２、表４及び表６は、それぞれ、表１、表３及び表５に明示されている組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター（Ｐｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣ）チップの特性を示している。
上記表１の実験例１〜１１は、母材主成分（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３（以下、「ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ」ともいう）１００モルに対して、第１副成分としてＭｎＯ２の含有量が０．５モル、第２副成分としてＳｉＯ２の含有量が０．５モルであるときに、第１主成分ＢａＴｉＯ３（以下、「ＢＴ」ともいう）のモル比（１−ｘ−ｙ）と、第２主成分ＰｂＴｉＯ３（以下、「ＰＴ」ともいう）のモル比ｘによる実験例を示しており、上記表２の実験例１〜１１は、上記表１の実験例１〜１１に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの特性を示している。
上記ＰｂＴｉＯ３のモル比ｘが増加するにつれて結晶粒のサイズが小さくなってから一定になる傾向を示しており、常温誘電率は、比較的一定の値を維持してから減少する傾向を示すことを確認することができる。
ＰｂＴｉＯ３が添加されていない実験例１の場合、常温誘電率が５６２４と比較的高い水準で具現されるが、結晶粒のサイズが１．８μｍと小さくてＤＣ‐ｂｉａｓ変化率が−６６．０％と大きいという問題がある。
これに対し、ＰｂＴｉＯ３のモル比ｘが０．０５である実験例６の場合、常温誘電率が５７３２であり、実験例１に比べて同等以上の常温誘電率を示し、且つ結晶粒のサイズも０．３μｍと小さくて、ＤＣ‐ｂｉａｓ変化率が−３２．７％と非常に良好な特性が具現されることを確認することができる。
しかし、ＰｂＴｉＯ３のモル比ｘが０．４以上と過量である実験例１１の場合には、常温誘電率が３０００未満と低くなるという問題がある。
また、表１の実験例１２〜１７は、母材主成分（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３１００モルに対して、第１副成分としてのＭｎＯ２の含有量が０．５モル、第２副成分としてのＳｉＯ２の含有量が０．５モルであるときに、第１主成分ＢａＴｉＯ３のモル比（１−ｘ−ｙ）と第３主成分（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３のモル比ｙによる実験例を示しており、上記表２の実験例１２〜１７は、上記表１の実験例１２〜１７に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの実験例の特性を示している。
上記（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３モル比ｙが増加するにつれて常温誘電率は、比較的一定の値を維持してから減少する傾向を示すことを確認することができる。
（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３のモル比ｙが０．０１である実験例１４の場合、（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３が含まれていない実験例６に比べて同等以上の常温誘電率６２０３を示し、且つＤＣ‐ｂｉａｓ及び高温耐電圧特性が改善した。
これに対し、（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３のモル比ｙが０．０５以上と過量の場合には、高温耐電圧特性が劣化するという問題がある。
一方、ＰｂＴｉＯ３のモル比ｘが０．００５（実験例３）〜０．３（実験例１０）の範囲であり、（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３のモル比ｙが０．００２５（実験例１２）〜０．０４（実験例１６）の範囲で、本発明の目標特性である常温誘電率：３０００以上、ＲＣ値：１０００Ｏｈｍ‐ｃｍ以上、ＴＣＣ（１２５）：±１５％未満、ＤＣ‐ｂｉａｓ変化率：±５０％未満、高温（１５０℃）耐電圧：５０Ｖ／μｍ以上の特性が同時に具現されることができる。
次に、表１の実験例１８〜２３は、第１主成分のモル比（１−ｘ−ｙ）が０．９６５であり、第２及び第３主成分のモル比であるｘ及びｙがそれぞれ０．０２５及び０．０１であり、母材主成分（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３１００モルに対して第２副成分ＳｉＯ２の含有量が０．５モルであるときに、第１副成分Ｍｎの含有量による実験例を示しており、表２の実験例１８〜２３は、上記表１の実験例１８〜２３に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの実験例の特性を示している。
上記第１副成分Ｍｎの含有量が０である場合（実験例１８）には、ＲＣ値及び高温（１５０℃）耐電圧が低いという問題があり、これに対し、上記第１副成分Ｍｎの含有量が母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して３．０モルと過量含まれた場合（実験例２３）には、常温誘電率が３０００未満と低くなるという問題がある。
上記第１副成分Ｍｎの含有量が母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して０．１モル（実験例１９）〜２．０モル（実験例２２）の範囲では、本発明の目標特性の具現が可能であることが分かる。
一方、表１の実験例２４〜３０は、第１副成分において、ＭｎＯ２の一部をＶ２Ｏ５に変更したりＭｎＯ２全てをＶ２Ｏ５に変更して第１副成分として添加したときの実験例を示しており、表２の実験例２４〜３０は、上記表１の実験例２４〜３０に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの実験例の特性を示している。
第１副成分は、Ｍｎ或いはＶ種類に関係なく母材主成分に対して同じ含有量が含まれる場合、ほぼ同じ特性が具現される。
上記表１及び表２から分かるように、第１副成分の含有量が母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルを基準として３．０モルである実験例２３の場合には、常温誘電率が３０００未満であるという問題が発生することが分かる。
したがって、第１副成分の含有量は、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルを基準として０．１〜２．０モルであることが好ましいと言える。
次に、下記表３の実験例３１〜３５は、母材主成分（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３において、第１主成分のモル比（１−ｘ−ｙ）が０．９６５であり、第２及び第３主成分のモル比ｘ、ｙがそれぞれ０．０２５、０．０１０であり、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して、第１副成分ＭｎＯ２の含有量が０．５モル、第２副成分ＳｉＯ２の含有量が０．５モルであるときに、第４副成分Ｂａの含有量或いは第２副成分Ｓｉの含有量に対する第４副成分Ｂａの含有量の割合Ｂａ／Ｓｉの変化による実施例を示しており、表４の実験例３１〜３５は、上記表３の実験例３１〜３５に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの実験例の特性を示している。
上記表３及び表４から分かるように、第２副成分Ｓｉに対する第４副成分Ｂａの割合Ｂａ／Ｓｉが０．３２と小さいか（実験例３１）、又は３．６と大きい場合（実験例３５）には、誘電率が３０００未満と低くなる可能性があり、高温耐電圧も６０Ｖ／ｍｍ未満と低くなるという問題が発生し得る。
上記の割合Ｂａ／Ｓｉが増加するにつれて誘電率及び高温耐電圧特性が増加してからまた低くなる傾向を示すことを確認することができる。
上記の割合Ｂａ／Ｓｉが０．６４〜３．２の範囲に属する場合（実験例３２〜３４）、本発明の目標特性がすべて具現されることができる。
また、上記表３の実験例３６は、第１主成分のモル比（１−ｘ−ｙ）が０．９６５であり、第２、第３主成分のモル比ｘ、ｙがそれぞれ０．０２５、０．０１０であり、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して、第１副成分ＭｎＯ２の含有量が０．５モル、ＳｉＯ２の含有量が０．２モルであるとき、第４副成分Ｂａの含有量が０．３５モル、或いは第２副成分Ｓｉの含有量に対する第４副成分Ｂａの含有量の割合Ｂａ／Ｓｉが１．７６であるときによる実験例を示しており、表４の実験例３６は、これに該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣ特性を示している。
ここで、上記実験例３６は、第２副成分Ｓｉに対する第４副成分Ｂａの割合Ｂａ／Ｓｉが１．７６であり、割合Ｂａ／Ｓｉは、０．６４〜３．２という数値範囲内に属するが、第２副成分Ｓｉの含有量が０．２モル部と小さいことから焼結性が不十分で誘電率が３０００未満と低く、高温耐電圧特性も６０Ｖ／ｍｍ未満と低くなることが分かる。
また、上記表３の実験例３７〜４３は、第２副成分ＳｉＯ２の含有量が、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して１．２５モルであるときに、第４副成分Ｂａの含有量、又は第２主成分ＳｉＯ２の含有量に対する第４副成分Ｂａの含有量の割合Ｂａ／Ｓｉによる実施例を示しており、上記表４の実験例３７〜４３は、上記表３の実験例３７〜４３に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣ特性を示している。
上記Ｂａ／Ｓｉの割合が０．６４〜３．２０の範囲内に該当する実験例３８〜４２は、本発明のすべての目標特性を同時に具現することができ、上記Ｂａ／Ｓｉの割合がこの範囲から離脱する実験例３７及び実験例４３は、本発明のすべての目標特性を同時に具現することはできないということが分かる。
また、上記表３の実験例４４〜４８は、第２副成分ＳｉＯ２の含有量が母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して３．０モルであるときに、第４副成分Ｂａの含有量、又は第２副成分Ｓｉの含有量に対する第４副成分Ｂａの含有量の割合Ｂａ／Ｓｉによる実験例を示しており、上記表４の実験例４４〜４８は、上記表３の実験例４４〜４８に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの特性を示している。
上記の割合Ｂａ／Ｓｉが０．６４〜３．２０の範囲内に該当する実験例４５〜４７は、本発明のすべての目標特性を同時に具現することができ、上記Ｂａ／Ｓｉの割合がこの範囲から離脱する実験例４４及び実験例４８は、本発明のすべての目標特性を同時に具現することはできないということが分かる。
一方、上記表３の実験例４９は、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して、第２副成分ＳｉＯ２の含有量が４．０モルであり、第４副成分Ｂａの含有量が７．０４モルであり、第２副成分Ｓｉの含有量に対して第４副成分Ｂａ含有量の割合Ｂａ／Ｓｉが１．７６であるときの実験例であり、上記表４の実験例３９は、これに該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣの特性を示している。
ここで、上記実験例４９は、第２副成分Ｓｉに対する第４副成分Ｂａの割合Ｂａ／Ｓｉが１．７６であり、割合Ｂａ／Ｓｉは、０．６４〜３．２の数値範囲内に属するが、第２副成分Ｓｉの含有量が４．０モルと過量であるため、二次相の過多生成によって高温耐電圧特性が６０Ｖ／ｍｍ未満と低くなることが分かる。
また、上記表３の実験例５０〜５６は、第１主成分のモル比（１−ｘ−ｙ）が０．９６５であり、第２及び第３主成分のモル比ｘ、ｙがそれぞれ０．０２５、０．０１０であり、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して、第１副成分ＭｎＯ２のモルが０．５０、第２副成分ＳｉＯ２のモルが０．５０であるときに、第３副成分Ｄｙの含有量による実験例を示しており、上記表４の実験例５０〜５６は、上記表３の実験例５０〜５６に該当するＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣ特性を示している。
上記第３副成分Ｄｙの含有量が増加するにつれて誘電率及び高温耐電圧特性が増加してから減少する傾向を示すことを確認することができる。
上記第４副成分Ｄｙの含有量が母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して３．０モルと過量の場合（実験例５６）には、誘電率が３０００未満と低くなり、高温耐電圧が６０Ｖ／μｍ未満と低くなるという問題が発生することが分かる。
次に、下記表５の実験例５７〜６３は、第１主成分のモル比（１−ｘ−ｙ）が０．９６５であり、第２及び第３主成分のモル比ｘ、ｙが０．０２５、０．０１０であり、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して、第１副成分ＭｎＯ２の含有量が０．５０モル、第２副成分ＳｉＯ２の含有量が０．５０モルであるときに、第５副成分Ｌｉ２ＣＯ３含有量の変化による実験例を示しており、下記表６の実験例５７〜６３は、Ｎ２雰囲気で１１００℃以下で焼成したＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ＭＬＣＣ特性を示している。
上記表５の実験例５７は、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して第５副成分Ｌｉ２ＣＯ３の含有量が０．０５モルと低いが、この場合、１１００℃で焼成時、焼結性が低下して誘電率が３０００未満と低く、高温耐電圧が５０Ｖ／μｍ未満と低くなるという問題が発生する。
反対に、上記表５の実験例６３は、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して第５副成分Ｌｉ２ＣＯ３の含有量が８．００モルと過量の場合には、二次相の生成などによって高温耐電圧が５０Ｖ／μｍ未満と低くなるという問題が発生する。
一方、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して第５副成分Ｌｉ２ＣＯ３の含有量が０．２モルである実験例５８から６．０モルである実験例６２の場合には、１１００以下の温度で焼成して本発明の目標特性の具現が可能であることを確認することができる。
また、上記表５の実験例６４〜７０は、第５副成分ＬｉＦの含有量の変化による実験例を示しており、上記表６の実験例６４〜７０は、Ｎ２雰囲気で１１００℃以下で焼成したＰｒｏｔｏ‐ｔｙｐｅ ｃｈｉｐの特性を示している。
上記実験例６０と実験例６６とを対比することにより、第５副成分としてのＬｉの含有量が、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して同じモルで含まれる場合、第５副成分としてＬｉ２ＣＯ３を適用する場合とＬｉＦを適用する場合の特性がほぼ同様に具現されるということが分かる。
また、１１００℃以下の温度で焼成して本発明の目標特性を具現することができる第５副成分の適正含有量は、母材主成分（ＢＴ‐ＰＴ‐ＢＮＴ）１００モルに対して０．４〜１２モルであることが好ましい。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
１００ 積層電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電物質
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
１１０ 本体
１１１ 誘電物質
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
Claims (15)
- ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表される母材主成分を含み、前記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、前記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たし、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む元素、その酸化物及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１副成分を含み、
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．１〜２．０モルであり、
Ｓｉを含む酸化物、Ｓｉを含む炭酸塩及びＳｉを含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第２副成分を含み、
前記第２副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．５〜３．０モルである、誘電体組成物。 - Ｂａを含む酸化物又はＢａを含む炭酸塩のうち一つ以上を含む第４副成分を含み、
前記第４副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．３２〜９．６モルであり、
前記第２副成分の含有量に対する前記第４副成分の含有量の割合をＢａ／Ｓｉとしたときに、前記Ｂａ／Ｓｉは、０．６４≦Ｂａ／Ｓｉ≦３．２の範囲を満たす、請求項１に記載の誘電体組成物。 - Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち一つ以上を含む元素、その酸化物、及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３副成分を含み、
前記第３副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して３．０モル未満である、請求項１又は２に記載の誘電体組成物。 - Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルである、請求項１から３のいずれか一項に記載の誘電体組成物。 - ＢａＴｉＯ ３ を第１主成分、ＰｂＴｉＯ ３ を第２主成分、（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ ３ ＋ｘＰｂＴｉＯ ３ ＋ｙ（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ で表される母材主成分を含み、前記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、前記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たし、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む元素、その酸化物及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１副成分を含み、
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．１〜２．０モルであり、
Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち一つ以上を含む元素、その酸化物、及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３副成分を含み、
前記第３副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して３．０モル未満である、誘電体組成物。 - Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルである、請求項５に記載の誘電体組成物。 - ＢａＴｉＯ ３ を第１主成分、ＰｂＴｉＯ ３ を第２主成分、（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ ３ ＋ｘＰｂＴｉＯ ３ ＋ｙ（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ で表される母材主成分を含み、前記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、前記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たし、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む元素、その酸化物及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１副成分を含み、
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．１〜２．０モルであり、
Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルである、誘電体組成物。 - 前記母材主成分は、ＢａＴｉＯ３の第１主成分、ＰｂＴｉＯ３の第２主成分、及び（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３の第３主成分が固溶体の形態である、請求項１から７のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
- 複数の内部電極が積層された積層構造と誘電物質とを含む本体と、
前記本体の外部面に形成され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、を含み、
前記誘電物質は、母材主成分を含む誘電体組成物で形成され、
前記母材主成分は、ＢａＴｉＯ３を第１主成分、ＰｂＴｉＯ３を第２主成分、（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＰｂＴｉＯ３＋ｙ（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３で表され、前記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、前記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たし、
前記誘電体組成物は、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む元素、その酸化物及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１副成分をさらに含み、
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００モル部に対して０．１〜２．０モル部であり、
前記誘電体組成物は、
Ｓｉを含む酸化物、Ｓｉを含む炭酸塩及びＳｉを含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第２副成分を含み、
前記第２副成分の含有量は、前記母材主成分１００モル部に対して０．５〜３．０モルである、積層電子部品。 - 前記誘電体組成物は、
Ｂａを含む酸化物又はＢａを含む炭酸塩のうち一つ以上を含む第４副成分を含み、
前記第４副成分の含有量は、前記母材主成分１００モル部に対して０．３２〜９．６モルであり、
前記第２副成分の含有量に対する前記第４副成分の含有量の割合をＢａ／Ｓｉとしたときに、前記Ｂａ／Ｓｉは、０．６４≦Ｂａ／Ｓｉ≦３．２の範囲を満たす、請求項９に記載の積層電子部品。 - 前記誘電体組成物は、
Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち一つ以上を含む元素、その酸化物、及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３副成分を含み、
前記第３副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して３．０モル未満である、請求項９又は１０に記載の積層電子部品。 - 前記誘電体組成物は、
Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルである、請求項９から１１のいずれか一項に記載の積層電子部品。 - 複数の内部電極が積層された積層構造と誘電物質とを含む本体と、
前記本体の外部面に形成され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、を含み、
前記誘電物質は、母材主成分を含む誘電体組成物で形成され、
前記母材主成分は、ＢａＴｉＯ ３ を第１主成分、ＰｂＴｉＯ ３ を第２主成分、（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ ３ ＋ｘＰｂＴｉＯ ３ ＋ｙ（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ で表され、前記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、前記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たし、
前記誘電体組成物は、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む元素、その酸化物及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１副成分をさらに含み、
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００モル部に対して０．１〜２．０モル部であり、
前記誘電体組成物は、
Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち一つ以上を含む元素、その酸化物、及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第３副成分を含み、
前記第３副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して３．０モル未満である、積層電子部品。 - 前記誘電体組成物は、
Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルである、請求項１３に記載の積層電子部品。 - 複数の内部電極が積層された積層構造と誘電物質とを含む本体と、
前記本体の外部面に形成され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、を含み、
前記誘電物質は、母材主成分を含む誘電体組成物で形成され、
前記母材主成分は、ＢａＴｉＯ ３ を第１主成分、ＰｂＴｉＯ ３ を第２主成分、（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ を第３主成分として含み、（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ ３ ＋ｘＰｂＴｉＯ ３ ＋ｙ（Ｂｉ ０．５ Ｎａ ０．５ ）ＴｉＯ ３ で表され、前記ｘは、０．００２５≦ｘ＜０．４を満たし、前記ｙは、０．００２５≦ｙ≦０．０４を満たし、
前記誘電体組成物は、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｎのうち一つ以上を含む元素、その酸化物及びその炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第１副成分をさらに含み、
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００モル部に対して０．１〜２．０モル部であり、
前記誘電体組成物は、
Ｌｉを含む酸化物、Ｌｉを含む炭酸塩及びＬｉを含むフッ化物からなる群から選択される一つ以上を含む第５副成分を含み、
前記第５副成分の含有量は、前記母材主成分１００モルに対して０．４〜１２モルである、積層電子部品。
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