JP2000090733A - 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 - Google Patents
導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
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- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
Abstract
(57)【要約】
【課題】 裏面電極とｐ型Ｓｉ半導体基板の界面に、Ａ
ｌ−Ｓｉ共晶組織層を隙間なく均一に形成させることが
可能で、太陽電池の変換効率を向上させることが可能な
導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成した
電極を有する太陽電池を提供する。 【解決手段】 Ａｌ粉末と、ガラスフリットと、ビヒク
ルとを配合してなる導電性ペーストにおいて、ガラスフ
リットとして、Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０mol％、Ｂ2Ｏ3：
２０〜６０mol％、ＳｉＯ2：１０〜５０mol％を配合し
たものを用いる。また、ガラスフリットの含有量を、Ａ
ｌ粉末に対して０．５〜１０vol％とする。また、太陽
電池の電極を、上記導電性ペーストを塗布して焼き付け
ることにより形成する。
ｌ−Ｓｉ共晶組織層を隙間なく均一に形成させることが
可能で、太陽電池の変換効率を向上させることが可能な
導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成した
電極を有する太陽電池を提供する。 【解決手段】 Ａｌ粉末と、ガラスフリットと、ビヒク
ルとを配合してなる導電性ペーストにおいて、ガラスフ
リットとして、Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０mol％、Ｂ2Ｏ3：
２０〜６０mol％、ＳｉＯ2：１０〜５０mol％を配合し
たものを用いる。また、ガラスフリットの含有量を、Ａ
ｌ粉末に対して０．５〜１０vol％とする。また、太陽
電池の電極を、上記導電性ペーストを塗布して焼き付け
ることにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体用電極、
特に結晶系Ｓｉ太陽電池のｐ型Ｓｉ半導体基板に電極を
形成する場合に用いるのに適した導電性ペースト、及び
該導電性ペーストを用いて形成した電極を備えた太陽電
池に関する。
特に結晶系Ｓｉ太陽電池のｐ型Ｓｉ半導体基板に電極を
形成する場合に用いるのに適した導電性ペースト、及び
該導電性ペーストを用いて形成した電極を備えた太陽電
池に関する。
【０００２】
【従来の技術】ｐ型Ｓｉ半導体基板上に電極が形成され
た電子部品の一つに、Ｓｉ単結晶を用いたｐｎ接合型太
陽電池がある。この太陽電池は、図２に示すように、一
方の面（受光面）にＰ、Ｓｂなどのドナー元素を拡散さ
せて所定深さのｎ型不純物層２を形成したｐｎ接合を有
するｐ型Ｓｉ半導体基板１の受光面１１に、グリッド状
の受光面電極３を形成するとともに、ｐ型Ｓｉ半導体基
板１の裏面１２側のほぼ全面に裏面電極４が形成された
構造を有している。なお、受光面電極３としては、Ｔｉ
電極やＡｇ電極などが一般的に用いられており、裏面電
極としてはＡｌ電極が一般的に用いられている。そし
て、裏面電極４としてＡｌ電極を形成した場合、ｐ型Ｓ
ｉ半導体基板１と裏面電極（Ａｌ電極）４の界面には、
Ａｌ−Ｓｉ共晶組織層５が形成され、さらに、Ａｌ−Ｓ
ｉ共晶組織層５とｐ型Ｓｉ半導体基板１との界面にはｐ
＋層６が形成されている。
た電子部品の一つに、Ｓｉ単結晶を用いたｐｎ接合型太
陽電池がある。この太陽電池は、図２に示すように、一
方の面（受光面）にＰ、Ｓｂなどのドナー元素を拡散さ
せて所定深さのｎ型不純物層２を形成したｐｎ接合を有
するｐ型Ｓｉ半導体基板１の受光面１１に、グリッド状
の受光面電極３を形成するとともに、ｐ型Ｓｉ半導体基
板１の裏面１２側のほぼ全面に裏面電極４が形成された
構造を有している。なお、受光面電極３としては、Ｔｉ
電極やＡｇ電極などが一般的に用いられており、裏面電
極としてはＡｌ電極が一般的に用いられている。そし
て、裏面電極４としてＡｌ電極を形成した場合、ｐ型Ｓ
ｉ半導体基板１と裏面電極（Ａｌ電極）４の界面には、
Ａｌ−Ｓｉ共晶組織層５が形成され、さらに、Ａｌ−Ｓ
ｉ共晶組織層５とｐ型Ｓｉ半導体基板１との界面にはｐ
＋層６が形成されている。
【０００３】ところで、上記受光面電極３及び裏面電極
４は、太陽電池の開発当初においては蒸着法により形成
されていたが、近年、高価な設備を必要とせず低コスト
で裏面電極を形成することが可能な厚膜電極が一般的に
用いられるに至っている。なお、厚膜電極は、通常、導
電成分である金属粉末と結合材であるガラス粉末（ガラ
スフリット）、及び各種の添加物をビヒクルに分散させ
た導電性ペーストをスクリーン印刷などの方法により基
板上に塗布した後、焼成することにより形成される。
４は、太陽電池の開発当初においては蒸着法により形成
されていたが、近年、高価な設備を必要とせず低コスト
で裏面電極を形成することが可能な厚膜電極が一般的に
用いられるに至っている。なお、厚膜電極は、通常、導
電成分である金属粉末と結合材であるガラス粉末（ガラ
スフリット）、及び各種の添加物をビヒクルに分散させ
た導電性ペーストをスクリーン印刷などの方法により基
板上に塗布した後、焼成することにより形成される。
【０００４】なお、ｐ層用（裏面電極用）の厚膜電極と
しては、上述のように、Ａｌを導電成分とするものが一
般的であるが、これは、導電性ペースト中のＡｌが焼成
時にｐ型Ｓｉ半導体基板１中のＳｉと反応して、裏面電
極４とｐ型Ｓｉ半導体基板１の界面にＡｌ−Ｓｉ共晶組
織層５を形成すると同時に、このＡｌ−Ｓｉ共晶組織層
５とｐ型Ｓｉ半導体基板１の界面の、ｐ型Ｓｉ半導体基
板１側にｐ＋層６を形成し、このｐ＋層６の存在によっ
て裏面電極４のオーミック性が向上し、低接触抵抗の裏
面電極４が得られるとともに、ｐ＋層６が少数キャリア
に対する電位障壁として働くため、欠陥密度の高い電極
界面部での再結合を抑制する効果が得られることによ
る。
しては、上述のように、Ａｌを導電成分とするものが一
般的であるが、これは、導電性ペースト中のＡｌが焼成
時にｐ型Ｓｉ半導体基板１中のＳｉと反応して、裏面電
極４とｐ型Ｓｉ半導体基板１の界面にＡｌ−Ｓｉ共晶組
織層５を形成すると同時に、このＡｌ−Ｓｉ共晶組織層
５とｐ型Ｓｉ半導体基板１の界面の、ｐ型Ｓｉ半導体基
板１側にｐ＋層６を形成し、このｐ＋層６の存在によっ
て裏面電極４のオーミック性が向上し、低接触抵抗の裏
面電極４が得られるとともに、ｐ＋層６が少数キャリア
に対する電位障壁として働くため、欠陥密度の高い電極
界面部での再結合を抑制する効果が得られることによ
る。
【０００５】したがって、太陽電池において、高い変換
効率を得るためには、これらの効果を最大限に引き出す
ことが必要であり、そのためには、均一なｐ＋層を形成
させること、すなわち、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織層を隙間な
く均一に形成させることが望ましい。
効率を得るためには、これらの効果を最大限に引き出す
ことが必要であり、そのためには、均一なｐ＋層を形成
させること、すなわち、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織層を隙間な
く均一に形成させることが望ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＰｂＯ系のガ
ラスフリットを用いた、従来の導電性ペーストを用いて
裏面電極を形成した場合、図５に示すように、Ａｌ−Ｓ
ｉ共晶組織（層）５が島状に形成され、裏面を隙間なく
均一にｐ＋層６で被覆することができず、太陽電池特性
を最大限に引き出すことができないという問題点があ
る。
ラスフリットを用いた、従来の導電性ペーストを用いて
裏面電極を形成した場合、図５に示すように、Ａｌ−Ｓ
ｉ共晶組織（層）５が島状に形成され、裏面を隙間なく
均一にｐ＋層６で被覆することができず、太陽電池特性
を最大限に引き出すことができないという問題点があ
る。
【０００７】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、ｐ型Ｓｉ半導体基板上に塗布して焼成することに
より厚膜電極を形成した場合に、電極と基板の界面にＡ
ｌ−Ｓｉ共晶組織層を隙間なく均一に形成させることが
可能で、太陽電池の変換効率を向上させることが可能な
導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成した
電極を備えた変換効率の高い太陽電池を提供することを
目的とする。
あり、ｐ型Ｓｉ半導体基板上に塗布して焼成することに
より厚膜電極を形成した場合に、電極と基板の界面にＡ
ｌ−Ｓｉ共晶組織層を隙間なく均一に形成させることが
可能で、太陽電池の変換効率を向上させることが可能な
導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成した
電極を備えた変換効率の高い太陽電池を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の導電性ペーストは、ｐ型Ｓ
ｉ半導体基板上への電極形成用の導電性ペーストであっ
て、Ａｌ粉末と、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有
し、かつ、ガラスフリットが、 Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０mol％ Ｂ2Ｏ3 ：２０〜６０mol％ ＳｉＯ2 ：１０〜５０mol％ を含有するものであることを特徴としている。
に、本願発明（請求項１）の導電性ペーストは、ｐ型Ｓ
ｉ半導体基板上への電極形成用の導電性ペーストであっ
て、Ａｌ粉末と、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有
し、かつ、ガラスフリットが、 Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０mol％ Ｂ2Ｏ3 ：２０〜６０mol％ ＳｉＯ2 ：１０〜５０mol％ を含有するものであることを特徴としている。
【０００９】上記のように、Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０mol
％、Ｂ2Ｏ3：２０〜６０mol％、ＳｉＯ2：１０〜５０mo
l％を含有するガラスフリットを配合した導電性ペース
トを塗布、焼き付けして電極を形成することにより、焼
成時に導電性ペースト（電極）とｐ型Ｓｉ半導体基板と
の間にＡｌ−Ｓｉ共晶組織層が隙間なく均一に形成さ
れ、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋層を形成すること
が可能になる。したがって、本願発明の導電性ペースト
を用いて裏面電極を形成することにより、従来のＰｂＯ
系ガラスフリットを用いた導電性ペーストを用いて裏面
電極を形成した場合に比べて、太陽電池特性を向上させ
ることが可能になる。
％、Ｂ2Ｏ3：２０〜６０mol％、ＳｉＯ2：１０〜５０mo
l％を含有するガラスフリットを配合した導電性ペース
トを塗布、焼き付けして電極を形成することにより、焼
成時に導電性ペースト（電極）とｐ型Ｓｉ半導体基板と
の間にＡｌ−Ｓｉ共晶組織層が隙間なく均一に形成さ
れ、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋層を形成すること
が可能になる。したがって、本願発明の導電性ペースト
を用いて裏面電極を形成することにより、従来のＰｂＯ
系ガラスフリットを用いた導電性ペーストを用いて裏面
電極を形成した場合に比べて、太陽電池特性を向上させ
ることが可能になる。
【００１０】なお、ガラスフリットの各成分の割合を上
記の範囲にしたのは、 Ｂｉ2Ｏ3の割合が３０mol％未満の領域、及びＢ2Ｏ3
の割合が６０mol％を超える領域では、溶融温度が高い
ため、ガラスの作製が困難であること、 Ｂ2Ｏ3の割合が２０mol％未満の領域では、結晶化し
やすい不安定なガラスしか得られないこと、 ＳｉＯ2の割合が５０mol％を超える領域では、ガラス
の軟化点が高いため、焼成中に導電性ペーストが軟化流
動せず、ガラスの添加効果が不十分になることなどの理
由による。
記の範囲にしたのは、 Ｂｉ2Ｏ3の割合が３０mol％未満の領域、及びＢ2Ｏ3
の割合が６０mol％を超える領域では、溶融温度が高い
ため、ガラスの作製が困難であること、 Ｂ2Ｏ3の割合が２０mol％未満の領域では、結晶化し
やすい不安定なガラスしか得られないこと、 ＳｉＯ2の割合が５０mol％を超える領域では、ガラス
の軟化点が高いため、焼成中に導電性ペーストが軟化流
動せず、ガラスの添加効果が不十分になることなどの理
由による。
【００１１】また、請求項２の導電性ペーストは、前記
ガラスフリットの含有量が、Ａｌ粉末に対して０．５〜
１０vol％であることを特徴としている。
ガラスフリットの含有量が、Ａｌ粉末に対して０．５〜
１０vol％であることを特徴としている。
【００１２】ガラスフリットの含有量をＡｌ粉末に対し
て０．５〜１０vol％の範囲とすることにより、焼成時
に、電極とｐ型Ｓｉ半導体基板の界面に、均一なＡｌ−
Ｓｉ共晶組織層を確実に生成させて、電極塗布部の全面
に隙間なくｐ＋層を形成することが可能になり、本願発
明をより実効あらしめることができる。
て０．５〜１０vol％の範囲とすることにより、焼成時
に、電極とｐ型Ｓｉ半導体基板の界面に、均一なＡｌ−
Ｓｉ共晶組織層を確実に生成させて、電極塗布部の全面
に隙間なくｐ＋層を形成することが可能になり、本願発
明をより実効あらしめることができる。
【００１３】また、本願発明（請求項３）の太陽電池
は、請求項１又は２記載の導電性ペーストを塗布して焼
き付けることにより形成された電極を備えていることを
特徴としている。
は、請求項１又は２記載の導電性ペーストを塗布して焼
き付けることにより形成された電極を備えていることを
特徴としている。
【００１４】請求項１又は２記載の導電性ペーストを塗
布して焼き付けることにより形成した電極を備えた太陽
電池においては、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋層が
形成されるため、従来のＰｂＯ系ガラスフリットを含む
導電性ペーストを用いて電極を形成した太陽電池に比べ
て、変換効率を向上させることが可能になる。
布して焼き付けることにより形成した電極を備えた太陽
電池においては、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋層が
形成されるため、従来のＰｂＯ系ガラスフリットを含む
導電性ペーストを用いて電極を形成した太陽電池に比べ
て、変換効率を向上させることが可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
なお、この実施形態では、太陽電池用のｐ型Ｓｉ半導体
基板に電極を形成する場合に用いられる導電性ペースト
を例にとって説明する。
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
なお、この実施形態では、太陽電池用のｐ型Ｓｉ半導体
基板に電極を形成する場合に用いられる導電性ペースト
を例にとって説明する。
【００１６】［ガラスフリットの調製］以下の手順で、
表１及び図１に示す各種のガラスフリットを調製した。
まず、表１及び図１に示す組成となるように、ガラスフ
リットの出発原料であるＨ3ＢＯ3、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3
を調合し、アルミナ製のるつぼに入れて１１００℃の炉
中に一時間放置し、完全に溶融させた。その後、溶融し
た原料を炉から取り出し、直ちに純水中に投入してガラ
ス化させた。そして、得られたビーズ状のガラスをボー
ルミルで湿式で微粉砕し、乾燥させることにより、表１
に示すような組成を有するガラスフリット（試料番号１
〜６）を得た。なお、図１に●で示した組成の試料も作
成したが、試料が完全に溶融せず、ガラス化が困難であ
ったため、評価の対象とはしなかった。
表１及び図１に示す各種のガラスフリットを調製した。
まず、表１及び図１に示す組成となるように、ガラスフ
リットの出発原料であるＨ3ＢＯ3、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3
を調合し、アルミナ製のるつぼに入れて１１００℃の炉
中に一時間放置し、完全に溶融させた。その後、溶融し
た原料を炉から取り出し、直ちに純水中に投入してガラ
ス化させた。そして、得られたビーズ状のガラスをボー
ルミルで湿式で微粉砕し、乾燥させることにより、表１
に示すような組成を有するガラスフリット（試料番号１
〜６）を得た。なお、図１に●で示した組成の試料も作
成したが、試料が完全に溶融せず、ガラス化が困難であ
ったため、評価の対象とはしなかった。
【００１７】
【表１】
【００１８】図１は、表１の各試料の、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ
2、Ｂｉ2Ｏ3の割合を示す三成分系状態図であり、図１
の番号は、表１の試料番号と対応している。
2、Ｂｉ2Ｏ3の割合を示す三成分系状態図であり、図１
の番号は、表１の試料番号と対応している。
【００１９】［導電性ペーストの調製］次に、上記のガ
ラスフリット（試料番号１〜６）を用い、以下に示す手
順で導電性ペーストを調製した。まず、Ａｇ粉末、上記
のガラスフリット、ビヒクルを以下の割合で配合する。 Ａｇ粉末 ：２０vol％ ガラスフリット： ３vol％ ビヒクル ：７６vol％ そして、上記の割合で配合された原料を、３本ロールミ
ルで分散して評価用試料である導電性ペースト（電極ペ
ースト）を得た。
ラスフリット（試料番号１〜６）を用い、以下に示す手
順で導電性ペーストを調製した。まず、Ａｇ粉末、上記
のガラスフリット、ビヒクルを以下の割合で配合する。 Ａｇ粉末 ：２０vol％ ガラスフリット： ３vol％ ビヒクル ：７６vol％ そして、上記の割合で配合された原料を、３本ロールミ
ルで分散して評価用試料である導電性ペースト（電極ペ
ースト）を得た。
【００２０】なお、この実施形態では、Ａｇ粉末とし
て、粒径３〜５μmのものを用い、ビヒクルとしては、
ターピネオールにエチルセルロースを１５重量％の割合
で溶解させたものを使用した。
て、粒径３〜５μmのものを用い、ビヒクルとしては、
ターピネオールにエチルセルロースを１５重量％の割合
で溶解させたものを使用した。
【００２１】［太陽電池の作製］まず、図３(ａ)に示す
ように、浅いｐｎ接合を形成し、１４mm×１４mm×０．
５mmのサイズにカットしたｐ型Ｓｉ半導体基板（Ｓｉウ
エハ）１の受光面（ｎ＋層側）１１に、Ａｇ粉末を導電
成分とする導電性ペースト３ａをスクリーン印刷法によ
り印刷するとともに、図３(ｂ)に示すように、ｐ型Ｓｉ
半導体基板（Ｓｉウエハ）１の裏面１２のほぼ全面にＡ
ｌ粉末を導電成分とする上記導電性ペースト４ａをスク
リーン印刷法により印刷した。そして、受光面１１及び
裏面１２に導電性ペースト３ａ，４ａが印刷されたｐ型
Ｓｉ半導体基板（Ｓｉウエハ）１を、１５０℃で乾燥し
た後、近赤外炉において７５０℃で焼成して受光面電極
３及び裏面電極４を形成することにより、図２及び図３
に示すような太陽電池（太陽電池セル）を作製した。な
お、この太陽電池は、図２に示すように、受光面１１側
にＰ、Ｓｂなどのドナー元素を拡散させて所定深さのｎ
型不純物層２を形成したｐｎ接合を有するｐ型Ｓｉ半導
体基板１の受光面１１に、グリッド状の受光面電極３が
形成されているとともに、ｐ型Ｓｉ半導体基板１の裏面
１２側のほぼ全面に裏面電極４が形成されており、ｐ型
Ｓｉ半導体基板１と裏面電極４の界面には、Ａｌ−Ｓｉ
共晶組織層５が形成され、さらに、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織
層５とｐ型Ｓｉ半導体基板１との界面にはｐ＋層６が形
成された構造を有している。それから、特性測定のた
め、受光面電極３及び裏面電極４に導電接着剤を用いて
リード線（図示せず）を取り付けた。
ように、浅いｐｎ接合を形成し、１４mm×１４mm×０．
５mmのサイズにカットしたｐ型Ｓｉ半導体基板（Ｓｉウ
エハ）１の受光面（ｎ＋層側）１１に、Ａｇ粉末を導電
成分とする導電性ペースト３ａをスクリーン印刷法によ
り印刷するとともに、図３(ｂ)に示すように、ｐ型Ｓｉ
半導体基板（Ｓｉウエハ）１の裏面１２のほぼ全面にＡ
ｌ粉末を導電成分とする上記導電性ペースト４ａをスク
リーン印刷法により印刷した。そして、受光面１１及び
裏面１２に導電性ペースト３ａ，４ａが印刷されたｐ型
Ｓｉ半導体基板（Ｓｉウエハ）１を、１５０℃で乾燥し
た後、近赤外炉において７５０℃で焼成して受光面電極
３及び裏面電極４を形成することにより、図２及び図３
に示すような太陽電池（太陽電池セル）を作製した。な
お、この太陽電池は、図２に示すように、受光面１１側
にＰ、Ｓｂなどのドナー元素を拡散させて所定深さのｎ
型不純物層２を形成したｐｎ接合を有するｐ型Ｓｉ半導
体基板１の受光面１１に、グリッド状の受光面電極３が
形成されているとともに、ｐ型Ｓｉ半導体基板１の裏面
１２側のほぼ全面に裏面電極４が形成されており、ｐ型
Ｓｉ半導体基板１と裏面電極４の界面には、Ａｌ−Ｓｉ
共晶組織層５が形成され、さらに、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織
層５とｐ型Ｓｉ半導体基板１との界面にはｐ＋層６が形
成された構造を有している。それから、特性測定のた
め、受光面電極３及び裏面電極４に導電接着剤を用いて
リード線（図示せず）を取り付けた。
【００２２】［太陽電池特性の評価］上記のようにして
作製した太陽電池について、ソーラーシミュレータを用
いて、２５℃、ＡＭ−１．５の条件で、太陽電池の変換
効率を測定した。
作製した太陽電池について、ソーラーシミュレータを用
いて、２５℃、ＡＭ−１．５の条件で、太陽電池の変換
効率を測定した。
【００２３】表１に、ガラスフリットの組成と、そのガ
ラスフリットを配合した導電性ペーストを用いて裏面電
極を形成してなる太陽電池の変換効率との関係を示す。
なお、比較のため、ガラスフリットとして従来のＰｂＯ
系のガラスフリットを配合した導電性ペーストを用いて
裏面電極を形成した太陽電池（従来品）の変換効率を表
１に併せて示す。
ラスフリットを配合した導電性ペーストを用いて裏面電
極を形成してなる太陽電池の変換効率との関係を示す。
なお、比較のため、ガラスフリットとして従来のＰｂＯ
系のガラスフリットを配合した導電性ペーストを用いて
裏面電極を形成した太陽電池（従来品）の変換効率を表
１に併せて示す。
【００２４】表１に示すように、本願発明の実施形態に
かかる導電性ペーストを用いて裏面電極を形成した太陽
電池の場合、従来のＰｂＯ系のガラスフリットを配合し
た導電性ペーストを用いて裏面電極を形成した太陽電池
に比べて変換効率が向上しており、特にＢ2Ｏ3の割合が
高い領域では、変換率が２０％近く向上することが確認
された。
かかる導電性ペーストを用いて裏面電極を形成した太陽
電池の場合、従来のＰｂＯ系のガラスフリットを配合し
た導電性ペーストを用いて裏面電極を形成した太陽電池
に比べて変換効率が向上しており、特にＢ2Ｏ3の割合が
高い領域では、変換率が２０％近く向上することが確認
された。
【００２５】なお、図４(ａ)に、本願発明の実施形態に
かかる導電性ペーストを用いて裏面電極４を形成した太
陽電池の切断研磨断面を示し、図４(ｂ)に、従来のＰｂ
Ｏ系のガラスフリットを配合した導電性ペーストを用い
て裏面電極４を形成した太陽電池の切断研磨断面を示
す。
かかる導電性ペーストを用いて裏面電極４を形成した太
陽電池の切断研磨断面を示し、図４(ｂ)に、従来のＰｂ
Ｏ系のガラスフリットを配合した導電性ペーストを用い
て裏面電極４を形成した太陽電池の切断研磨断面を示
す。
【００２６】図４(ａ)，(ｂ)より、本願発明の実施形態
にかかる導電性ペーストを用いて裏面電極４を形成した
太陽電池の場合、従来の導電性ペーストを用いて裏面電
極を形成した従来の太陽電池に比べて、Ａｌ−Ｓｉ共晶
組織層５が隙間なく均一に形成されており、ｐ＋層の被
覆率が向上することにより変換効率が向上したものと考
えられる。
にかかる導電性ペーストを用いて裏面電極４を形成した
太陽電池の場合、従来の導電性ペーストを用いて裏面電
極を形成した従来の太陽電池に比べて、Ａｌ−Ｓｉ共晶
組織層５が隙間なく均一に形成されており、ｐ＋層の被
覆率が向上することにより変換効率が向上したものと考
えられる。
【００２７】［導電性ペースト中のガラスフリット量と
変換効率の関係について］次に、ガラスフリットの含有
量を変化させた導電性ペーストを用いて、上記実施形態
の場合と同様にして太陽電池を作製し、その変換効率を
測定した。表２に、導電性ペースト中のガラスフリット
の含有量と変換効率の関係を示す。なお、表２では、ガ
ラスフリットとして、表１の試料番号１，２及び３の組
成のものを用いた。なお、表２のガラスフリットの種類
の欄の下側の欄の数値が表１の試料番号に対応してい
る。
変換効率の関係について］次に、ガラスフリットの含有
量を変化させた導電性ペーストを用いて、上記実施形態
の場合と同様にして太陽電池を作製し、その変換効率を
測定した。表２に、導電性ペースト中のガラスフリット
の含有量と変換効率の関係を示す。なお、表２では、ガ
ラスフリットとして、表１の試料番号１，２及び３の組
成のものを用いた。なお、表２のガラスフリットの種類
の欄の下側の欄の数値が表１の試料番号に対応してい
る。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２に示すように、ガラスフリットの含有
量が０．５vol％未満になると、ガラスフリットの添加
効果が不十分になり、また、１０vol％を超えると、電
極膜の比抵抗が高くなるため、ともに変換効率は劣化す
る。したがって、ガラスフリットの添加量は、０．５〜
１０vol％の範囲が好ましいことがわかる。
量が０．５vol％未満になると、ガラスフリットの添加
効果が不十分になり、また、１０vol％を超えると、電
極膜の比抵抗が高くなるため、ともに変換効率は劣化す
る。したがって、ガラスフリットの添加量は、０．５〜
１０vol％の範囲が好ましいことがわかる。
【００３０】なお、本願発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、導電性ペーストを構成する各材料の
配合割合などに関し、発明の要旨の範囲内において、種
々の応用、変形を加えることが可能である。
れるものではなく、導電性ペーストを構成する各材料の
配合割合などに関し、発明の要旨の範囲内において、種
々の応用、変形を加えることが可能である。
【００３１】
【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
導電性ペーストは、上述のように、Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７
０mol％、Ｂ2Ｏ3：２０〜６０mol％、ＳｉＯ2：１０〜
５０mol％を含有するガラスフリットを用いているの
で、ｐ型Ｓｉ半導体基板に塗布して焼成した場合に、導
電性ペースト（電極）とｐ型Ｓｉ半導体基板との間にＡ
ｌ−Ｓｉ共晶組織層が隙間なく均一に形成され、電極塗
布部の全面に隙間なくｐ＋層を形成することが可能にな
る。したがって、本願発明の導電性ペーストを用いて裏
面電極を形成することにより、従来のＰｂＯ系ガラスフ
リットを用いた導電性ペーストを用いて裏面電極を形成
した場合に比べて、太陽電池特性を向上させることが可
能になる。
導電性ペーストは、上述のように、Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７
０mol％、Ｂ2Ｏ3：２０〜６０mol％、ＳｉＯ2：１０〜
５０mol％を含有するガラスフリットを用いているの
で、ｐ型Ｓｉ半導体基板に塗布して焼成した場合に、導
電性ペースト（電極）とｐ型Ｓｉ半導体基板との間にＡ
ｌ−Ｓｉ共晶組織層が隙間なく均一に形成され、電極塗
布部の全面に隙間なくｐ＋層を形成することが可能にな
る。したがって、本願発明の導電性ペーストを用いて裏
面電極を形成することにより、従来のＰｂＯ系ガラスフ
リットを用いた導電性ペーストを用いて裏面電極を形成
した場合に比べて、太陽電池特性を向上させることが可
能になる。
【００３２】また、請求項２の導電性ペーストのよう
に、ガラスフリットの含有量をＡｌ粉末に対して０．５
〜１０vol％の範囲とした場合、焼成時に、電極とｐ型
Ｓｉ半導体基板の界面に、均一なＡｌ−Ｓｉ共晶組織層
を確実に生成させて、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋
層を形成することが可能になり、本願発明をより実効あ
らしめることができる。
に、ガラスフリットの含有量をＡｌ粉末に対して０．５
〜１０vol％の範囲とした場合、焼成時に、電極とｐ型
Ｓｉ半導体基板の界面に、均一なＡｌ−Ｓｉ共晶組織層
を確実に生成させて、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋
層を形成することが可能になり、本願発明をより実効あ
らしめることができる。
【００３３】また、本願発明（請求項３）の太陽電池
は、請求項１又は２記載の導電性ペーストを塗布して焼
き付けることにより形成した電極を備えた太陽電池にお
いては、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋層が形成され
るため、従来のＰｂＯ系ガラスフリットを含む導電性ペ
ーストを用いて電極を形成した太陽電池に比べて、変換
効率を向上させることができる。
は、請求項１又は２記載の導電性ペーストを塗布して焼
き付けることにより形成した電極を備えた太陽電池にお
いては、電極塗布部の全面に隙間なくｐ＋層が形成され
るため、従来のＰｂＯ系ガラスフリットを含む導電性ペ
ーストを用いて電極を形成した太陽電池に比べて、変換
効率を向上させることができる。
【図１】本願発明の導電性ペーストに用いられているガ
ラスフリットを構成するＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2の
割合を示す三成分系状態図である。
ラスフリットを構成するＢｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2の
割合を示す三成分系状態図である。
【図２】太陽電池の構造を示す図である。
【図３】本願発明の一実施形態にかかる導電性ペースト
を用いて作製した太陽電池を示す図であり、(ａ)は受光
面側を示す図、(ｂ)は裏面側を示す図である。
を用いて作製した太陽電池を示す図であり、(ａ)は受光
面側を示す図、(ｂ)は裏面側を示す図である。
【図４】(ａ)は本願発明の実施形態にかかる導電性ペー
ストを用いて裏面電極を形成した太陽電池の切断研磨断
面を示す顕微鏡写真であり、(ｂ)は従来の導電性ペース
トを用いて裏面電極を形成した太陽電池の切断研磨断面
を示す顕微鏡写真である。
ストを用いて裏面電極を形成した太陽電池の切断研磨断
面を示す顕微鏡写真であり、(ｂ)は従来の導電性ペース
トを用いて裏面電極を形成した太陽電池の切断研磨断面
を示す顕微鏡写真である。
【図５】従来の導電性ペーストを用いて裏面電極を形成
した太陽電池を模式的に示す図である。
した太陽電池を模式的に示す図である。
１ ｐ型Ｓｉ半導体基板 ２ ｎ型不純物層 ３ 受光面電極 ４ 裏面電極 ５ Ａｌ−Ｓｉ共晶組織層 ６ ｐ＋層 １１ ｐ型Ｓｉ半導体基板の受光面 １２ ｐ型Ｓｉ半導体基板の裏面
Claims (3)
- 【請求項１】ｐ型Ｓｉ半導体基板上への電極形成用の導
電性ペーストであって、 Ａｌ粉末と、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有し、
かつ、 ガラスフリットが、 Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０mol％ Ｂ2Ｏ3 ：２０〜６０mol％ ＳｉＯ2 ：１０〜５０mol％ を含有するものであることを特徴とする導電性ペースト - 【請求項２】前記ガラスフリットの含有量が、Ａｌ粉末
に対して０．５〜１０vol％であることを特徴とする請
求項１記載の導電性ペースト - 【請求項３】請求項１又は２記載の導電性ペーストを塗
布して焼き付けることにより形成された電極を備えてい
ることを特徴とする結晶系Ｓｉ太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279356A JP2000090733A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10279356A JP2000090733A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000090733A true JP2000090733A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17610040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10279356A Withdrawn JP2000090733A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000090733A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400987A2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste, method for manufacturing solar battery, and solar battery |
| JP2006041309A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の接続構造及びこれを含む太陽電池モジュール |
| JP2006313744A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-11-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | 導電性厚膜組成物、電極、およびそれから形成される半導体デバイス |
| EP1873790A1 (en) * | 2005-03-29 | 2008-01-02 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Paste composition, electrode and solar cell device comprising same |
| JP2008543080A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | フエロ コーポレーション | 鉛フリー太陽電池コンタクト |
| JP2009530845A (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | フエロ コーポレーション | アルミニウム−ボロン太陽電池コンタクト |
| JP2010010495A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Noritake Co Ltd | シリコン系太陽電池の製造方法および該製造方法に用いるアルミニウムペースト |
| WO2010026952A1 (ja) | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| JP2010083748A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| WO2010098297A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| KR20100111411A (ko) * | 2009-04-07 | 2010-10-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 알루미늄 전극 페이스트 및 이를 이용한 태양전지소자 |
| WO2010123967A2 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| JP2010251138A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| WO2010117207A3 (en) * | 2009-04-07 | 2011-01-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
| WO2011013469A1 (ja) | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
| WO2012111477A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
| WO2012111478A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
| JP2012527739A (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-08 | ビーワイディー カンパニー リミテッド | 太陽電池用の導電性スラリーおよびその調製方法 |
| EP2315728B1 (en) * | 2008-06-26 | 2013-04-24 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| CN103177792A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 太阳能电池用无铅背铝浆料及其制备方法 |
| WO2013083680A3 (de) * | 2011-12-06 | 2013-08-01 | Dbfz Deutsches Biomasseforschungszentrum Gemeinnützige Gmbh | Elektronisch leitfähige email-zusammensetzung |
| JP2017222543A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP10279356A patent/JP2000090733A/ja not_active Withdrawn
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400987A3 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste, method for manufacturing solar battery, and solar battery |
| EP1400987A2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste, method for manufacturing solar battery, and solar battery |
| JP2006041309A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の接続構造及びこれを含む太陽電池モジュール |
| JP4557622B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の接続構造及びこれを含む太陽電池モジュール |
| EP1873790A4 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-03 | Toyo Aluminium Kk | PASTE COMPOSITION, ELECTRODE AND SOLAR CELL DEVICE THEREWITH |
| EP1873790A1 (en) * | 2005-03-29 | 2008-01-02 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Paste composition, electrode and solar cell device comprising same |
| JP2006313744A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-11-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | 導電性厚膜組成物、電極、およびそれから形成される半導体デバイス |
| JP2008543080A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | フエロ コーポレーション | 鉛フリー太陽電池コンタクト |
| JP2009530845A (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | フエロ コーポレーション | アルミニウム−ボロン太陽電池コンタクト |
| EP2315728B1 (en) * | 2008-06-26 | 2013-04-24 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| JP2010010495A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Noritake Co Ltd | シリコン系太陽電池の製造方法および該製造方法に用いるアルミニウムペースト |
| WO2010026952A1 (ja) | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| JP2010083748A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| EP2330084A1 (en) * | 2008-09-04 | 2011-06-08 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass composition for electrode formation and electrode formation material |
| EP2330084A4 (en) * | 2008-09-04 | 2014-07-30 | Nippon Electric Glass Co | GLASS COMPOSITION FOR ELECTRODE FORMATION AND ELECTRODE FORMING MATERIAL |
| CN102317227A (zh) * | 2009-02-24 | 2012-01-11 | 日本电气硝子株式会社 | 电极形成用玻璃组合物和电极形成材料 |
| JP2010222238A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| WO2010098297A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| WO2010117207A3 (en) * | 2009-04-07 | 2011-01-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
| KR101587267B1 (ko) | 2009-04-07 | 2016-01-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 알루미늄 전극 페이스트 및 이를 이용한 태양전지소자 |
| KR20100111411A (ko) * | 2009-04-07 | 2010-10-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 알루미늄 전극 페이스트 및 이를 이용한 태양전지소자 |
| EP2417609A2 (en) * | 2009-04-07 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
| CN102460602A (zh) * | 2009-04-07 | 2012-05-16 | Lg伊诺特有限公司 | 浆料和采用该浆料的太阳能电池 |
| US8906269B2 (en) | 2009-04-07 | 2014-12-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste and solar cell using the same |
| EP2417609A4 (en) * | 2009-04-07 | 2012-09-26 | Lg Innotek Co Ltd | PASTE AND SOLAR CELL USING THE SAME |
| JP2010251138A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電極形成用ガラス組成物および電極形成材料 |
| WO2010123967A3 (en) * | 2009-04-22 | 2011-03-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| WO2010123967A2 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| JP2012527739A (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-08 | ビーワイディー カンパニー リミテッド | 太陽電池用の導電性スラリーおよびその調製方法 |
| US8758651B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-06-24 | Byd Company Limited | Conductive slurry for solar battery and preparation method thereof |
| WO2011013469A1 (ja) | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
| WO2012111478A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
| WO2012111477A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
| WO2013083680A3 (de) * | 2011-12-06 | 2013-08-01 | Dbfz Deutsches Biomasseforschungszentrum Gemeinnützige Gmbh | Elektronisch leitfähige email-zusammensetzung |
| US9546282B2 (en) | 2011-12-06 | 2017-01-17 | Dbfz Deutsches Biomasseforschungszentrum Gemeinnuetzige Gmbh | Electronically conductive enamel composition |
| EP3153480A1 (de) * | 2011-12-06 | 2017-04-12 | DBFZ Deutsches Biomasseforschungszentrum Gemeinnützige GmbH | Elektronisch leitfähige email-zusammensetzung |
| CN103177792A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 太阳能电池用无铅背铝浆料及其制备方法 |
| JP2017222543A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス粉末、導電ペーストおよび太陽電池 |
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