KR102243472B1 - 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물에 관한 것으로, 제1금속분말, 제2금속분말 및 나노세라믹분말의 혼합분말을 포함하며, 상기 혼합분말의 비표면적이 0.1m2/g 이상 10m2/g 이하인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물을 제공하여 고온의 접합온도에서 장시간 높은 신뢰성을 유지할 수 있다.

Description

전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물{Sintering paste composition for bonding power semiconductor}
본 발명은 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전력반도체를 고온에서 장시간 안정적으로 사용할 수 있도록 한 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물에 관한 것이다.
전력반도체(Power Semiconductor)는 전기에너지(Electric Energy)를 활용하기 위해 직류·교류 변환, 전압, 주파수 변화 등의 제어처리를 수행하는 반도체로서 현재 Si 전력반도체가 주로 사용되고 있으나 최근 사용온도 증가에 따른 효율성 저하로 차세대 Si 전력반도체 및 SiC 전력반도체가 개발되고 있다.
차세대 Si 전력반도체는 사용온도가 170℃~200℃이고, SiC 전력반도체는 220℃ 이상의 온도에서 사용되기 때문에 종래 Si 전력반도체에 사용되는 접합소재인 솔더페이스트는 재용해(Remelting)에 의한 효율성 및 신뢰성 저하 문제가 발생한다.
종래기술 1 내지 3은 150℃~300℃의 온도에서 소결 후 접합이 가능한 은 페이스트의 제조에 관한 기술을 제안하고 있다. 이러한 은 페이스트를 이용하면 낮은 온도에서 접합한 후 높은 온도에서 사용이 가능하지만 제조단가가 비싸고, 고온 사용시 이온 마이그레이션(Ion Migration)에 의해 신뢰성이 저하될 수 있는 문제가 있다.
이러한 이유로 종래기술 4는 은과 유사한 구리를 이용한 소결 페이스트를 제안하고 있다. 하지만 용융온도가 1083℃인 구리를 이용해 300℃ 이하의 온도에서 소결해 접합하기 위해서는 나노입자의 함유량이 높아져야 하며, 입자크기가 작을수록 산화피막제거가 어렵고 제조단가가 비싼 문제점이 있다.
종래기술 5는 은과 구리입자에 저융점 솔더금속을 혼합해 낮은 온도에서 용융 후 입자 계면에 IMC(InterMetallic Compounds)를 형성하여 높은 온도에서 사용할 수 있는 접합재에 관한 기술을 제안하고 있다. 하지만 접합온도(junction temperature)가 220℃ 이상인 SiC 전력반도체에 장시간 사용할 경우 IMC 성장에 의한 접합부 크랙(Crack) 발생으로 효율성 저하 문제가 있다.
한국공개특허 제10-2008-0052582호(2008.06.11. 공개) 일본특허 제6323587호(2018.04.20. 등록) 일본특허 제6380792호(2018.08.10. 등록) 일본공개특허 제2017-103180호(2017.06.08. 공개) 한국특허 제10-1381249호(2014.03.28. 등록)
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 저렴한 비용으로 제조 가능하고, 고온에서 장시간 사용할 수 있는 고신뢰성의 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물을 제공하는 데 목적이 있다.
전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서,
본 발명은 제1금속분말, 제2금속분말 및 나노세라믹분말의 혼합분말을 포함하며, 상기 혼합분말의 비표면적이 0.1m2/g 이상 10m2/g 이하인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물을 제공한다.
이 경우, 상기 제1금속분말은 Cu(구리), Ag(은), Au(금) 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 제1금속분말은 10nm 이상 300nm 이하의 나노입자를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제2금속분말은 Pt(백금), Ni(니켈), Sn(주석), Al(알루미늄), Ag(은), Zn(아연), Bi(비스무스), P(인), B(보론), In(인듐), 무연솔더합금, 알루미늄합금 및 이들 금속 중 어느 하나가 코팅된 Cu(구리) 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 제2금속분말은 0.1㎛ 이상 50㎛ 이하의 마이크로입자를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 나노세라믹분말은 B(보론), V(바나듐), Cr(크롬), Mn(망간), Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Zr(지르코늄), Nb(나이오븀), Mo(몰리브덴), Y(이트륨), La(란타늄), Sn(주석), Si(실리콘), Ag(은), Bi(비스무스), Cu(구리), Au(금), Mg(마그네슘), Pd(팔라듐), Pt(백금), Zn(아연), Al(알루미늄) 중 어느 하나 이상으로 이루어진 산화물, 질화물 및 탄화물 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 나노세라믹분말은 0.005wt% 이상 10wt% 이하가 포함될 수 있다.
이 경우, 상기 나노세라믹분말의 크기는 30nm 이상 300nm 이하일 수 있다.
이 경우, 상기 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물은 150℃ 이상 600℃ 이하의 소결온도에서 사용 가능하다.
또한, 본 발명은 상기 소결 페이스트 조성물과, 용매와, 바인더와, 분산제 및 환원제를 포함하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트를 제공한다.
이 경우, 상기 용매는 알콜류, 글리콜류, 알킬계 중 비점이 300℃ 이하의 군에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
이 경우, 상기 바인더는 에폭시수지, 페놀수지, 폴리우레탄수지, 폴리아미드수지, 아크릴수지, 우레아/멜라민수지, 실리콘수지 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
이 경우, 상기 분산제는 스테아린산, 올레인산, 고급 지방산, 지방산 아미드, 지방산 금속염, 인산 에테르, 술폰산 에테르, 알킬아민, 카르복실산아미드, 아미노카르복실산 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
이 경우, 상기 환원제는 지방산, 카복실산, 아민계 화합물, 브롬계 화합물, 수소화 붕소 화합물, 수소화 알루미늄 화합물, 알킬아민보란, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 아인산 화합물, 차아인산 화합물 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
본 발명에 따르면, 페이스트가 나노입자와 함께 마이크로입자를 포함하지만 150℃~600℃의 저온에서 소결이 가능한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 소결 후 제2금속분말 입자가 공극에 충진되면서 보이드를 감소시켜 접합강도를 향상시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 나노세라믹분말의 분산으로 소결 후 입자 사이의 보이드를 감소시킬 수 있고, 입자 표면에 형성된 IMC층을 미세화하는 동시에 성장을 억제하며, 저융점 금속의 그레인이 조대화하는 것을 방지(분산강화)하여 고온에서 장시간 사용하더라도 높은 신뢰성을 유지할 수 있다.
아울러, 제1금속분말, 제2금속분말 및 나노세라믹분말이 혼합되어 구성됨으로써 나노입자의 함량을 낮출 수 있고, 이로 인해 기존 페이스트 대비 1/3 이하의 비용으로 제조 가능하여 가격경쟁력을 갖출 수 있다.
도 1은 접합강도 시험 시편의 모식도,
도 2는 열충격 시험 시편의 모식도,
도 3은 페이스트 접합부의 미세조직 비교 사진,
도 4는 열충격 전후의 접합강도 측정 결과를 나타낸 그래프.
본 발명에 따른 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물은 제1금속분말과, 제2금속분말 및 나노세라믹분말을 포함한다.
제1금속분말은 페이스트가 높은 접합온도(Tj)에서 사용될 수 있도록 열전도성이 우수한 Cu(구리), Ag(은), Au(금) 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어진다. 또한, 제1금속분말은 페이스트가 250℃~500℃의 온도에서 소결될 수 있도록 벌크소재 대비 융점이 낮은 10nm 내지 300nm의 나노입자를 포함한다. 하지만, 제1금속분말의 입자크기가 미세해질수록 제조단가가 상승하여 사용에 제한이 따를 수 있으므로 본 발명은 제2금속분말을 혼합하여 사용한다.
제2금속분말은 Pt(백금), Ni(니켈), Sn(주석), Al(알루미늄), Ag(은), Zn(아연), Bi(비스무스), P(인), B(보론), In(인듐), 무연솔더합금, 알루미늄합금 및 이들 금속 중 어느 하나가 코팅된 Cu(구리)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
제2금속분말의 경우 0.1㎛ 내지 50㎛의 마이크로입자를 포함하여 페이스트의 제조단가를 낮출 수 있으며, 제1금속분말과의 혼합을 통해 혼합분말의 공극률을 감소시킨다.
이처럼 본 발명의 페이스트 조성물은 나노 사이즈의 제1금속분말에 마이크로 사이즈의 제2금속분말이 혼합되어 벌크소재의 융점보다 낮은 150℃~600℃의 저온에서 소결이 가능하며, 소결 후에는 제2금속분말이 공극에 충진되어 보이드(Void)를 감소시킴으로써 접합강도를 향상시킬 수 있다.
나노세라믹분말은 B(보론), V(바나듐), Cr(크롬), Mn(망간), Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Zr(지르코늄), Nb(나이오븀), Mo(몰리브덴), Y(이트륨), La(란타늄), Sn(주석), Si(실리콘), Ag(은), Bi(비스무스), Cu(구리), Au(금), Mg(마그네슘), Pd(팔라듐), Pt(백금), Zn(아연), Al(알루미늄) 중 어느 하나 이상으로 이루어진 산화물, 질화물 및 탄화물 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어진다.
이러한 나노세라믹분말은 제1금속분말 및 제2금속분말과 함께 혼합되어 IMC와 그레인(Grain)의 성장을 억제하고, 소결중 그레인을 미세화함으로써 높은 접합온도에서 장시간 사용시 고신뢰성을 유지하는 데 기여한다.
나노세라믹분말은 30nm 이상 300nm 이하의 입자크기를 가지고 0.005wt% 이상 10wt% 이하 포함된다. 나노세라믹분말의 입자크기가 30nm 미만이면 응집된 분말의 분산이 어렵고, 분산되지 않은 응집 분말의 계면에서 크랙이 발생할 가능성이 높으며, 300nm 초과이면 기지와 나노세라믹분말의 계면에서 크랙이 발생할 가능성이 높다. 또한, 나노세라믹분말의 함량이 0.005wt% 미만이면 IMC와 그레인의 성장을 억제하는 효과가 떨어지고, 10wt% 초과이면 열전도도 및 접합강도 저하요인으로 작용한다.
상술한 제1금속분말, 제2금속분말 및 나노세라믹분말의 혼합분말은 비표면적이 0.1m2/g 이상 10m2/g 이하인 것이 바람직하다. 혼합분말의 비표면적이 10m2/g 초과이면 소결 후 접합부위에 공극이 다수 존재하여 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
이상에서 설명한 페이스트 조성물을 분산제와 함께 용매에 분산시키면 전력반도체 접합용 소결 페이스트를 얻을 수 있다. 이 경우, 페이스트의 특성 개선을 위해 바인더와 환원제가 추가될 수 있는데, 이러한 첨가제는 다량으로 첨가될 경우 소결과정에서 제거되지 않아 특성을 저하시킬 수 있고, 소량이 첨가되면 특성 개선 효과가 미비하기 때문에 소결 페이스트 총 중량 대비 0.01wt% 이상 5wt% 이하의 함량으로 첨가되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 용매는 알콜류, 글리콜류, 알킬계 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상을 포함할 수 있다. 이러한 용매는 소결과정에서 전량 제거되어야 높은 특성을 구현할 수 있기 때문에 비등점이 300℃이하인 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 예컨대, 테르피네올(terpineol), 에틸 알코올(ethyl-alcohol), 메틸 알코올(methyl-alcohol), 이소프로필 알코올(isopropyl-alcohol), 2-메톡시 에탄올(2-methoxy-ethanol), 1-옥탄올(1-octanol), 프로필 알코올(propyl-alcohol), 디에탄올 아민(DEA), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 다이에틸렌 글리콜(diethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 디프로필렌 글리콜(dipropylene glycol), 헥실렌 글리콜(hexylene glycol), 부틸카비톨(Butyl Carbitol), 글리세롤(glycerol), 부틸셀로솔브(butyl cellosolve), n-메틸피롤리돈(n-methylpyrrolidone), 디에틸렌 글리콜 모노에테르(Diethylene glycol monobutyl ether), 디베이식 에스테르(dibasic ester), 카르비톨 아세테이트(carbitol acetate), 프로필렌 글리콜 메틸에테르(propylene glycol methyl ether), 부틸카비톨 아세테이트(Butyl Carbitol acetate) 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
바인더는 에폭시수지, 페놀수지, 폴리우레탄수지, 폴리아미드수지, 아크릴수지, 우레아/멜라민수지, 실리콘수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상을 포함할 수 있으며, 보다 상세하게는 PVP, PVA, PVC, 셀룰로오스계 수지, 폴리 염화비닐수지, 공중합 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리비닐피롤 리돈계 수지, 아크릴 수지, 아세트산비닐-아크릴산에스테르 공중합 수지, 부티랄 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 로진에스테르 수지, 폴리에스테르 수지 등을 사용할 수 있다.
이러한 바인더의 함량이 0.01wt% 미만이면 점도, 점착력, 칙소지수 특성이 현저하게 떨어지고, 5wt% 초과이면 점도가 높아져 인쇄성 저하의 요인으로 작용할 수 있으므로 0.01wt%~5wt%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다.
분산제는 스테아린산, 올레인산, 고급 지방산, 지방산 아미드, 지방산 금속염, 인산 에테르, 술폰산 에테르, 알킬아민, 카르복실산아미드, 아미노카르복실산 중에서 선택되는 어느 1종 이상을 사용할 수 있다.
환원제는 나노분말 표면의 산화피막을 제거해 입자 표면확산을 촉진하고 소결을 원활하게 만들어주는 역할을 하는 것으로 지방산(뷰티르산, 발레르산, 카프로산, 에난트산, 카프릴산, 펠라르곤산, 카르프산 등)과, 카복실산(폼산, 아크릴산, 락트산, 아미노산, 벤조산, 살리실산, 옥살산, 말론산, 석신산 등) 이외에 아민계 화합물, 브롬계 화합물, 수소화 붕소 화합물, 수소화 알루미늄 화합물, 알킬아민보란, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 아인산 화합물, 차아인산 화합물으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 1종 이상을 포함할 수 있다.
이러한 환원제가 미량 첨가되면 효과가 없고, 다량 첨가되면 분말 표면의 피막 제거에는 효과적이지만 진공 또는 불활성 분위기 중 미량 존재하는 산소와 반응해 신뢰성을 저하시키는 요인으로 작용 할 수 있으므로 총 중량 대비 0.01wt% 이상 5wt% 이하 첨가되는 것이 바람직하다.
이상으로 본 발명에 따른 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물에 대해 설명하였다. 이하에서는 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
실시예 1
소결 페이스트 제조
용매에 바인더, 환원제 및 극소량의 접착증진제를 혼합하고, 임펠라로 3시간 동안 교반하여 용매를 제조하였다. 이후, 구리(Cu)(제1금속분말)와, SAC305, Sn coated Cu(제2금속분말) 및 TiN(나노세라믹분말)을 혼합하여 고속 분산기를 이용해 용매에 1차적으로 분산하였다. 마지막으로, 1차적으로 제조된 금속 페이스트를 Roll Mill을 이용해 2차 분산하여 소결 페이스트를 제조하였다.
소결 페이스트 접합강도 시편 제조
제조된 소결 페이스트를 DBC 기판에 도포하여 SiC chip을 마운트하고, 150N으로 가압하며 탄화로를 이용하여 350℃에서 약 1시간 동안 소결시킨 후 공랭하여 접합강도 시편을 제조하였다. 소결은 350℃까지 10℃/min의 조건으로 불활성 분위기에서 진행하였고, 150℃ 이하의 온도에서 공랭하였다. 참고적으로, 도 1에는 이러한 접합강도 시편의 모식도를 나타내었다.
실시예 2
소결 페이스트 전력구동 시편 제조
실시예 1에서 제조된 소결 페이스트를 TO-247 패키지 형태의 Cu frame에 도포한 뒤 SiC Chip을 실시예 1과 동일하게 제작하였다. 이후, 도 2에 도시된 바와 같이 SiC Chip(2)이 부착된 Frame을 15mil의 Al Wire(3)로 본딩(Bonding)한 후 에폭시 몰딩(4)하여 다이오드 형태의 패키지(1)를 제조하였다.
비교예 1
은(Ag) 페이스트 접합강도 시편 제조
은 페이스트를 DBC 기판에 도포하여 SiC chip을 마운트하고, 약 100N으로 가압하며 탄화로를 이용하여 350℃에서 약 1시간 동안 유지시킨 후 공랭하여 접합강도 시편을 제조하였다. 소결은 350℃까지 10℃/min의 조건으로 불활성 분위기에서 진행하였고, 150℃ 이하의 온도에서 공랭하였다.
비교예 2
은(Ag) 페이스트 전력구동 시편 제조
은 페이스트를 이용하여 실시예 2와 동일한 방법으로 다이오드 형태의 패키지를 제조하였다.
비교예 3
구리(Cu) 페이스트 접합강도 시편 제조
구리 페이스트를 DBC 기판에 도포하여 SiC chip을 마운트하고, 약 300N으로 가압하며 탄화로를 이용하여 350℃에서 약 1시간 동안 소결시킨 후 공랭하여 접합강도 시편을 제조하였다. 소결은 350℃까지 10℃/min의 조건으로 불활성 분위기에서 진행하였고 150℃ 이하의 온도에서 공랭하였다.
비교예 4
구리(Cu) 페이스트 전력구동 시편 제조
구리 페이스트를 이용하여 실시예 2와 동일한 방법으로 다이오드 형태의 패키지를 제조하였다.
비교예 5
TLPs 접합소재 접합강도 시편 제조
TLPs 접합소재를 DBC 기판에 도포하여 SiC chip을 마운트하고, Reflow로를 이용하여 250℃에서 약 10분간 접합하여 접합강도 시편을 제조하였다. 접합은 250℃까지 80℃/min의 조건으로 불활성 분위기에서 진행하였다.
비교예 6
TLPs 접합소재 전력구동 시편 제조
TLPs 접합소재를 이용하여 실시예 2와 동일한 방법으로 다이오드 형태의 패키지를 제조하였다.
실험예 1
실시예 1과, 비교예 1, 3, 5에 따라 제조된 시편의 DBC 기판과 SiC Chip의 접합부를 비교하기 위해 폴리싱 후 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 미세조직을 촬영하였으며, 그 결과를 도 3에 나타내었다. 도 3으로부터 구리 페이스트와 은 페이스트의 경우 접합부에 큰 보이드가 존재하나, TPLs 접합소재와 소결 페이스트의 경우에는 보이드가 미세한 것을 확인할 수 있다. 이는 도 4의 전단강도 평가 결과와 연관이 있으며, 접합부의 보이드가 클수록 접합성이 낮은 것을 알 수 있다.
실험예 2
실시예 2와, 비교예 2, 4, 6에 따라 제조된 시편의 고온에서의 장기신뢰성을 평가하기 위해 -45℃에서 150℃까지 1000cycle, 1500cycle, 2000cycle 조건으로 열충격 시험평가를 진행하였으며, 그 결과를 하기의 [표 1]에 나타내었다.
도 4 및 [표 1]로부터 TLPs 접합소재는 1500cycle에서 급격히 접합강도가 저하되며 전력구동이 되지 않는 것을 확인할 수 있다. 또한, 은 페이스트와 구리 페이스트는 1500cycle까지 전단강도가 5MPa 이상으로 유지되어 전력구동이 가능하고, 2000Cycle 이상일 경우 은 페이스트가 구리 페이스트보다 초기 접합강도 대비 감소폭이 커 전단강도가 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 한편, 소결 페이스트는 2000cycle까지도 약 10MPa 수준의 접합성을 유지하고 있으며, 전력구동이 원활하게 이루어지는 것을 확인할 수 있다.
[표 1]
Figure 112018126557425-pat00001
1 : 패키지 기판 2 : SiC Chip
3 : 알루미늄 와이어 4 : 에폭시 몰딩
5 : 구리 6 : 알루미나
7 : 접합소재

Claims (14)

10nm 이상 300nm 이하의 나노입자를 포함하는 제1금속분말, 0.1㎛ 이상 50㎛ 이하의 마이크로입자를 포함하는 제2금속분말 및 30nm 이상 300nm 이하의 크기를 갖는 나노세라믹분말의 혼합분말을 포함하되, 소결 후 접합부위에 존재하는 공극을 최소화할 수 있도록 상기 혼합분말의 비표면적이 0.1m2/g 이상 10m2/g 이하인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물.
제1항에 있어서,
상기 제1금속분말은 Cu(구리), Ag(은), Au(금) 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물.
삭제
제1항에 있어서,
상기 제2금속분말은 Pt(백금), Ni(니켈), Sn(주석), Al(알루미늄), Ag(은), Zn(아연), Bi(비스무스), P(인), B(보론), In(인듐), 무연솔더합금, 알루미늄합금 및 이들 금속 중 어느 하나가 코팅된 Cu(구리) 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물.
삭제
제1항에 있어서,
상기 나노세라믹분말은 B(보론), V(바나듐), Cr(크롬), Mn(망간), Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Zr(지르코늄), Nb(나이오븀), Mo(몰리브덴), Y(이트륨), La(란타늄), Sn(주석), Si(실리콘), Ag(은), Bi(비스무스), Cu(구리), Au(금), Mg(마그네슘), Pd(팔라듐), Pt(백금), Zn(아연), Al(알루미늄) 중 어느 하나 이상으로 이루어진 산화물, 질화물 및 탄화물 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물.
제1항에 있어서,
상기 나노세라믹분말은 0.005wt% 이상 10wt% 이하가 포함되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물.
삭제
제1항에 있어서,
상기 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물은 150℃ 이상 600℃ 이하의 소결온도에서 사용 가능한 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트 조성물.
제1항, 제2항, 제4항, 제6항, 제7항 및 제9항 중 어느 한 항에 따른 소결 페이스트 조성물과, 용매와, 바인더와, 분산제 및 환원제를 포함하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트.
제10항에 있어서,
상기 용매는 알콜류, 글리콜류, 알킬계 중 비점이 300℃ 이하의 군에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트.
제10항에 있어서,
상기 바인더는 에폭시수지, 페놀수지, 폴리우레탄수지, 폴리아미드수지, 아크릴수지, 우레아/멜라민수지, 실리콘수지 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트.
제10항에 있어서,
상기 분산제는 스테아린산, 올레인산, 고급 지방산, 지방산 아미드, 지방산 금속염, 인산 에테르, 술폰산 에테르, 알킬아민, 카르복실산아미드, 아미노카르복실산 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트.
제10항에 있어서,
상기 환원제는 지방산, 카복실산, 아민계 화합물, 브롬계 화합물, 수소화 붕소 화합물, 수소화 알루미늄 화합물, 알킬아민보란, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 아인산 화합물, 차아인산 화합물 중에서 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전력반도체 접합용 소결 페이스트.
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