JP2011519112A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- ａ）導電性銀と；
ｂ）１０〜１００重量％のＰｂ ２ ＳｉＯ ４ を含む、１つまたは複数のフラックス材料と；
ｃ）有機ビヒクルと
を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は前記有機ビヒクル中に分散されていることを特徴とする伝導性組成物。 - 前記伝導性組成物の重量を基準にして０．５〜１３重量％のフラックス材料を含む請求項１に記載の組成物。
- １つまたは複数の亜鉛含有添加剤をさらに含む請求項１に記載の組成物。
- 前記組成物の総重量を基準として０．５〜４重量％の１つまたは複数のガラスフリットをさらに含む請求項１に記載の組成物。
- 前記１つまたは複数のフラックス材料は、５０〜９０重量％のＰｂ２ＳｉＯ４を含み、および、４ＰｂＯ−ＳｉＯ２、２ＰｂＯ−ＳｉＯ２、５ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＺｎＰｂＯ３、Ｚｎ２ＰｂＯ４、ＣｕＰｂ２Ｆ６、ＣｓＰｂ（ＰＯ３）３、２ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３および４ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３からなる群から選択される１つまたは複数の成分をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
- （ａ）厚膜組成物であって、
１）導電性銀と；
２）１０〜１００重量％のＰｂ ２ ＳｉＯ ４ を含む、１つまたは複数のフラックス材料と；
３）有機媒体と
を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は前記有機媒体に分散されている厚膜組成物と；
（ｂ）１つまたは複数の絶縁膜と；
（ｃ）１つまたは複数の半導体基板と
を含む太陽電池であって；
前記厚膜組成物が、前記１つまたは複数の絶縁膜上に形成され、焼成の際に、前記１つまたは複数の絶縁膜に前記厚膜組成物の成分が浸透し、前記有機媒体が除去される構造物。 - 半導体デバイスの製造方法であって、
（ａ）１つまたは複数の半導体基材、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜組成物を提供するステップであって、前記厚膜組成物が、１）導電性銀と、２）１０〜１００重量％のＰｂ ２ ＳｉＯ ４ を含む、１つまたは複数のフラックス材料と、３）有機媒体を含み、前記導電性銀および前記１つまたは複数のフラックス材料は前記有機媒体中に分散されているステップと、
（ｂ）前記半導体基材上に前記絶縁膜を適用するステップと、
（ｃ）前記半導体基材の前記絶縁膜上に前記厚膜組成物を適用するステップと、
（ｄ）前記半導体、絶縁膜および厚膜組成物を焼成するステップとを含み、
焼成の際に、前記有機ビヒクルが除去され、前記銀とガラスフリットとが焼結される方法。
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