NL2000999C2 - Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. - Google Patents
Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. Download PDFInfo
- Publication number
- NL2000999C2 NL2000999C2 NL2000999A NL2000999A NL2000999C2 NL 2000999 C2 NL2000999 C2 NL 2000999C2 NL 2000999 A NL2000999 A NL 2000999A NL 2000999 A NL2000999 A NL 2000999A NL 2000999 C2 NL2000999 C2 NL 2000999C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- phosphorus
- boron
- film
- sides
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 109
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003930 SiCb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
WERKWIJZE VOOR HET FABRICEREN VAN KRISTALLIJN SILICIUM ZONNECELLEN MET GEBRUIKMAKING VAN CO-DIFFUSIE VAN BOOR EN FOSFOR
5 De onderhavige uitvinding heeft betrekking op de fabricage van een zonnecel met gebruikmaking van een substraat uit kristallijn silicium (Si). Een voorbeeld van een dergelijke zonnecel is een boor-emitter n-basis zonnecel met een back side field dat resulteert uit een fosfordiffusie.
Wanneer twee soorten diffusieprocessen (boor en fosfor) vereist zijn, wordt de 10 boor-diffusiestap bij hogere temperatuur gewoonlijk uitgevoerd vóór de fosfor-diffusiestap bij lagere temperatuur, zie bijvoorbeeld T. Buck e.a., Proceedings of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference (4-8 september 2006, Dresden, Duitsland), pagina’s 1264-1267. Een dergelijke processequentie vereist een speciale beschermende laag om te verhinderen dat fosfor diffundeert in de met boor gediffundeer-15 de zijde gedurende de tijd van de fosfor-diffiisiestap. Soms diffundeert boor uit de met boor gediffundeerde laag naar deze beschermende laag en is uitgeput nabij het grensvlak. Dit veroorzaakt een verhoging van de laagweerstand van de emitter, wat leidt tot een verhoging van de serieweerstand van de zonnecel die door middel van dit proces werd gefabriceerd. Verder zijn aanvullende processtappen nodig om de beschermende 20 laag te verwijderen, of worden de optimale eigenschappen van de beschermende laag in gevaar gebracht indien hij behouden blijft op het silicium substraat (bijvoorbeeld als passiverings- en antireflectie-bekleding).
Aan de andere kant moet, indien de fosfor-diffiisiestap wordt verwerkt vóór de boor-diffusiestap, de met fosfor gediffundeerde zijde worden beschermd tegen boor 25 gedurende de boor-diffusiestap. Verder moet voldoende worden verhinderd dat fosfor in de boorzijde diffundeert gedurende de fosfordiffusie omdat het niet gemakkelijk kan worden gecompenseerd door boor. Verder ontsnapt fosfor uit de met fosfor gediffundeerde laag bij de temperatuur van de boordiffusie en daarom wordt fosfor samen met boor gediffundeerd in het oppervlak van de met boor gediffundeerde laag. Dit belem-30 mert het verkrijgen van goede eigenschappen van de met boor gedoteerde emitter. Vanwege deze moeilijkheden is de fosfordiffusie voorafgaand aan de boordiffusie nauwelijks geprobeerd, of is, wanneer het al geprobeerd is, niet succesvol geweest bij het fabriceren van een zonnecel.
2
Hoewel het mogelijk is om door middel van een aantal werkwijzen tegelijkertijd zowel boor- als fosfordiffusies te vormen, zoals drukken van elke diffusiebron op één zijde voorafgaand aan het diffusieproces, leidt een dergelijke werkwijze tot een compensatie van boor door fosfor ten minste aan de rand van de boorzijde, omdat fosfor 5 sneller diffundeert en beter oplosbaar is in silicium, en daarom gemakkelijk boor compenseert.
Er zijn andere werkwijzen bekend waarbij afzonderlijke diffusies voor boor en fosfor worden gebruikt, met wafers die samen in paren zijn geplaatst. Twee zijden van twee substraten raken elkaar om hen gedeeltelijk te beschermen tegen diffusie. Dit zal 10 de problemen beperken van compensatie van boor door fosfor, en vice versa, aan de rand van de wafers. De randen van de wafers moeten echter vervolgens worden afgesneden, wat de kosten per geproduceerde Wp aanzienlijk verhoogt.
Het is een doelstelling van de onderhavige uitvinding om een werkwijze te verschaffen voor het fabriceren van een zonnecel uit een Si-substraat met gebruikmaking 15 van zowel boor- als fosfor-diffusie waarbij ten minst één van de hierboven vermelde problemen wordt opgelost.
De doelstelling wordt bereikt door een werkwijze voor het fabriceren van een kristallijn silicium zonnecel, welke werkwijze achtereenvolgens omvat: - verschaffen van een kristallijn silicium substraat dat een eerste zijde en een tweede 20 zijde tegenover de eerste zijde omvat; - pre-diffunderen van fosfor in de eerste zijde van het substraat, zodat een met fosfor gediffundeerde laag ontstaat die een begindiepte heeft; - blokkeren van de eerste zijde van het substraat; - blootstellen van de tweede zijde van het substraat aan een boor-diffusiebron; 25 - verhitten van het substraat gedurende een bepaalde tijdsperiode en tot een bepaalde temperatuur om zo boor te diffunderen in de tweede zijde van het substraat en om tegelijkertijd het fosfor verder in het substraat te diffunderen.
De onderhavige uitvinding behelst het stabiliseren en reduceren van het afgescheiden fosfor in de atmosfeer gedurende het boor-diffusieproces, door het fosfor 30 reeds in een zekere mate in het oppervlak te diffunderen voorafgaand aan de boor-diffusie. Dit maakt het mogelijk om de fosfor-diffusiebron te verwijderen vóór de boor-diffusie. De hoeveelheid afgescheiden fosfor uit de diffusiebron is groter dan en fluctueert meer dan die van het silicium oppervlak waar fosfor reeds is ingediffundeerd.
3
Daarom verbetert dit proces de kwaliteit en reproduceerbaarheid van de met boor gediffundeerde p-type emitter. Het vermijdt tevens de vorming van een n-type rand aan de met boor gediffundeerde zijde en verhindert daarom shunting van de zonnecel.
In een aspect heeft de uitvinding ook betrekking op een zonnecel die wordt gefa-5 briceerd door de hierboven beschreven werkwijze.
Verdere voordelen en kenmerken van de onderhavige uitvinding zullen duidelijk worden op basis van een beschrijving van een aantal uitvoeringsvormen, waarin wordt verwezen naar de bijgevoegde tekeningen, waarin:
Figuur 1 een voorbeeld toont van de structuur van een zonnecel die wordt gepro-10 duceerd door een werkwijze volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Figuur 2 een ander voorbeeld toont met een substraat van p-type silicium;
Figuren 3A-3D schematisch verwerkingsstappen tonen voor het maken van een P-gediffundeerde laag aan één zijde van een substraat;
Figuren 4A-4F schematisch verwerkingsstappen tonen van een alternatieve 15 werkwijze voor het fabriceren van een P-gediffundeerde laag aan één zijde van een substraat;
Figuren 5A-5D schematisch verwerkingsstappen tonen voor een mogelijke derde werkwijze voor het fabriceren van de P-gediffundeerde laag aan één zijde van het substraat; 20 Figuren 6A, 6B twee mogelijke configuraties tonen voor het blokkeren van één zijde van het substraat gedurende een boor-diffusiestap;
Figuur 7 schematisch een rug-aan-rug-configuratie toont gedurende een boor-difïusiestap;
Figuur 8 een grafiek is die de gemeten efficiëntie toont van zonnecellen die wor-25 den geproduceerd door de werkwijze volgens de uitvinding vergeleken met zonnecellen uit de stand van de techniek.
Figuur 1 toont een voorbeeld van de structuur van een zonnecel die wordt geproduceerd door een werkwijze volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding. Een zonnecel 10 omvat een n-type silicium substraat 11 dat een met boor gediffundeerde laag 30 12 aan één zijde en een met fosfor gediffundeerde laag 13 aan de andere zijde omvat.
Opgemerkt wordt dat een praktische zonnecelstructuur ook metalen contacten en een antireflectie-bekleding omvat, maar deze componenten zijn niet getoond in de figuren. Figuur 2 toont een ander voorbeeld waarin een substraat 21 van p-type silicium wordt 4 verwerkt om zo een met fosfor gediffundeerde laag 22 aan één zijde en een met boor gediffundeerde laag 23 aan de andere zijde te produceren. De zonnecel van figuur 1 is de voorkeursuitvoeringsvorm omdat zijn inrichting-prestatievermogen beter is dan dat uit figuur 2. In de onderstaande beschrijving worden uitvoeringsvormen besproken van 5 de fabricagewerkwijze van de zonnecel die in figuur 1 is getoond (dat wil zeggen n-type substraat).
De eerste stap van deze werkwijze is het maken van een P-gediffündeerde laag aan één zijde van het substraat. Volgens een uitvoeringsvorm wordt een substraat 30 verhit tot 800-900° C gedurende 5-50 minuten in een atmosfeer die een O2 en P2O5 10 damp omvat. Dan worden alle oppervlakken van het substraat 30 bedekt met een Si02 film 31 die P2O5 omvat (hierna, SiCh^Os). Dit S1O2 groeit uit Si van het substraat 30 en zuurstof, en P2O5 wordt opgenomen in de S1O2 film 31. Aan het grensvlak van silicium 33 en de SiCE^Os film 31 wordt P2O5 gereduceerd in P en P diffundeert in de kem van het substraat 30 (zie kern 33 in figuur 3B) tot aan een diepte van 0,01-1,0 μιη. 15 Tot dusver worden de SiCh^Os film 31 en een P-gediffundeerde laag 32 gevormd aan het gehele oppervlak van het silicium substraat 30. Vervolgens wordt de Si¢)2^2()5 film 31 verwijderd door het substraat 30 te dompelen in een 1-50% HF-oplossing gedurende circa 0,5-10 minuten, of door het substraat 30 bloot te stellen aan een HF-damp, of door het te etsen met gebruikmaking van reactieve ionenetsing, zie figuur 3C. Vervol-20 gens wordt de P-gediffimdeerde laag 32 uitgeëtst, met uitzondering van één zijde, met gebruikmaking van een gemengde oplossing van 1-30% HF en 0,1-50% HNO3, of door etsing hiervan met gebruikmaking van reactieve ionenetsing. Het etsen van één zijde is mogelijk door de andere zijde van het substraat 30 af te dichten met een ets-blokkeerbekleding of door het substraat 30 net op de oplossing te laten drijven. Als 25 resultaat omvat het substraat 30 nu een P-gediffimdeerde laag 32’ aan één zijde, zie figuur 3D.
Een alternatieve werkwijze voor het fabriceren van een P-gediffundeerde laag aan één zijde van een substraat wordt uiteengezet met verwijzing naar de figuren 4A-4F. Eerst wordt één zijde van het oppervlak van een substraat 40 bekleed met een willekeu-30 rige van vloeistof, pasta of gel 41 die fijne deeltjes van P2O5 en S1O2 omvat door middel van ofwel spin-coating, spray-coating, ofwel bedrukken, zie figuur 4B. De andere zijden van het substraat zouden evengoed bekleed kunnen worden, maar dit beïnvloedt niet het eindresultaat van deze fabricagewerkwijze. Vervolgens wordt de bekleding 41 5 verhit tot 250-500 °C. Het oplosmiddel verdampt of brandt uit wanneer het organische stof omvat. Het P2O5 en Si02 blijven in de bekleding, zie figuur 4C, die een bekleding 4Γ toont. Dan wordt, in een verdere verhittingsstap, het substraat 40 verhit tot 800-900° C gedurende 2-50 minuten. Als resultaat worden alle oppervlakken bedekt 5 met Si02:P205, zie figuur 4D. Zuurstof uit de atmosfeer, en P2O5 uit de eerste bekle-dingsfilm 4Γ die uitgaat in de atmosfeer. Het P diffundeert in de Si-kem net zoals in figuur 3B, en een Si02:P205 film 42 en een P-gediffimdeerde laag 43 worden gevormd aan alle oppervlakken van siliciumsubstraat 40. Nu wordt de SiC^^Os film 42 verwijderd met gebruikmaking van een 1-50% HF-oplossing of een andere bekende werkwij-10 ze. De P-gediffimdeerde laag wordt uitgeëtst, behalve de zijde die het eerst werd bekleed, met gebruikmaking van een gemengde oplossing van 1-30% HF en 0,1-50% HNO3, of reactieve ionenetsing. Etsen van één zijde is mogelijk door de andere zijde af te dichten met ets-blokkeerbekleding of door het substraat net op de oplossing te laten drijven. Het resultaat is getoond in figuur 4F, die het substraat 40 afbeeldt dat een 15 P-gediffimdeerde laag 44 aan één zijde omvat.
Een mogelijke derde werkwijze voor het fabriceren van de P-gediffimdeerde laag aan één zijde van het substraat wordt uiteengezet met verwijzing naar de figuren 5A-5D. Eerst wordt één zijde van een substraat 50 geblokkeerd met gebruikmaking van een diffusieblokkeerlaag aan één zijde, zie blokkeerlaag 51. De blokkeerlaag 51 kan wor-20 den gevormd met gebruikmaking van verschillende processen die hieronder worden opgesomd: • Bekleed het oppervlak met een vloeistof, pasta of gel, die S1O2 of T1O2 omvat of alles wat niet diffundeert in silicium door middel van spin-coating of spray-coating of bedrukken. Verhit de bekleding tot 200 - 700 °C, dan verdampt het 25 oplosmiddel.
• Verhit het substraat 50 tot 850 - 1100 °C in een 02 of O2+H2O atmosfeer gedurende 0,5 - verscheidene uren. Dan wordt een SiCVfilm die dikker is dan 0,1 pm gevormd op alle oppervlakken. Verwijder de film aan slechts één zijde door het substraat 50 te dompelen in een 1 -10% HF-oplossing.
30 · Breng > 0,1 pm dik S1O2 of SiN of T1O2 of iets dergelijks aan met gebruikma king van chemische dampdepositie.
In een volgende stap wordt P gediffundeerd in een Si-kem 54 met gebruikmaking van de werkwijze zoals beschreven met verwijzing naar de figuren 3B of 4D. Een 6
SiC>2:P205-laag 52 wordt gevormd en P diffundeert erin, maar de blokkeerlaag 51 verhindert aan één zijde dat het P in de Si-kem 54 diffundeert, zie figuur 5C. Dan worden de SiC>2:P205-laag 52 en de blokkeerlaag 51 verwijderd door het substraat 50 te dompelen in een 1%~50% HF-oplossing.
5 Overeenkomstig een andere uitvoeringsvorm wordt de diffusie van P aan slechts één zijde van het substraat bereikt met gebruikmaking van een rug-aan-rug-diffusiewerkwijze waarbij twee substraten contact met elkaar maken aan hun oppervlak.
Na de pre-diffusie van fosfor in de eerste zijde van het substraat, wat hierboven 10 werd beschreven, wordt diezelfde eerste zijde van het substraat geblokkeerd voordat het substraat in een oven wordt geplaatst voor verdere verwerking. In een uitvoeringsvorm wordt de eerste zijde 61 van het substraat 60 geblokkeerd door een eerste zijde 62 van een ander substraat 63. Dat andere substraat kan een op soortgelijke wijze behandeld substraat zijn, zie figuur 6A. Naar deze wijze van blokkeren wordt verwezen als 15 rug-aan-rug. Eén van de voordelen van een rug-aan-rug-confïguratie is dat minder ruimte nodig is in de oven vergeleken met het individueel blokkeren van elk substraat. Verder wordt de ontsnapping van fosfor uit de eerste zijde 61 zeer effectief verhinderd omdat het hiernaar toe gewende substraat ook een hoge fosforconcentratie heeft, waardoor de fosforconcentratie in betere conditie wordt gehouden. Figuur 6B toont een al-20 tematief waarin het substraat 60 wordt geblokkeerd door een substraat 65 dat nog niet is behandeld (dat wil zeggen een nieuw substraat).
In de oven wordt de tweede zijde van het substraat blootgesteld aan een boor-diffiisiebron. Deze boor-diflusiebron kan een dampbron of een bekledingsbron zijn. In de oven wordt het substraat verhit gedurende een bepaalde tijdsperiode en tot een be-25 paalde temperatuur, om zo boor te diffunderen in de tweede zijde van het substraat en om gelijktijdig het fosfor verder in het genoemde substraat te diffunderen (dat wil zeggen dieper dan de genoemde begindiepte). Er zijn succesvolle resultaten bereikt met een boor-dampbron voor de diffusie. Hieronder wordt een specifieke beschrijving van een uitvoeringsvorm beschreven met verwijzing naar figuur 7. Twee substraten 70, 71 30 worden rug aan rug in de oven geplaatst en verhit tot 900-1000 °C gedurende 30-120 minuten in een atmosfeer die een O?- en B203-damp omvat, die geproduceerd kan worden door N2 te leiden door BBr3 vloeistof. Andere vloeistofbronnen van boor zoals BCI3 of tremethylboraat kunnen ook worden gebruikt in plaats van BBr3. Dan worden 7 de blootliggende oppervlakken (dat wil zeggen de oppervlakken die niet zijn geblokkeerd) bedekt met een S1O2 film 72 die B2O3 omvat (hierna, SiCb^Cb). Aan het grensvlak van Si-kemen 70, 71 en de SiC^BaCh-film 72 diffundeert B in Si tot aan de diepte van 0,01 —1,0 pm om B-gediffundeerde lagen 73, 74 te verkrijgen. Een deel van 5 het B2O3 kan in de smalle tussenruimte tussen de substraten 70, 71 glippen, maar de invloed is zeer klein vanwege het bestaan van zwaar gediffundeerd P aan die gebieden. Tegelijkertijd diffundeert het P dat aanwezig is in de P-gediffundeerde lagen 76, 77 ook verder in de respectieve Si-kemen 70, 71, aangedreven door de gebmikte hitte. Dit zal leiden tot P-gediffundeerde lagen die dieper zijn dan hun oorspronkelijke diepte.
10 De boor-diffusie uit het voorbeeld van figuur 7 maakte gebruik van dampbron- difFusie, het zal voor de vakman duidelijk zijn dat deze werkwijze ook effectief is in het geval van een bekledingsbrondiffusie zoals beschreven in de fosfordiffusiestap van de figuren 4A-4F.
De combinatie van een pre-diffusie van fosfor met een verdere diffusie gedurende 15 de gelijktijdige diffusie van boor en fosfor, leidt tot een zonnecel die zeer goede eigenschappen heeft, zoals te zien is uit figuur 8. Figuur 8 toont een grafiek van efficiëntie-waarden van zonnecellen die zijn gefabriceerd op n-type multikristallijne substraten met gebruikmaking van de nieuwe werkwijze (zoals hier gepresenteerd) en de werkwijze uit de stand van de techniek (zie bijvoorbeeld T. Buck e.a., Proceedings of 21st 20 European Photovoltaic Solar Energy Conference (4-8 september 2006, Dresden, Duitsland), pagina’s 1264-1267).
Als een consequentie van de hierboven beschreven fabricagewerkwijze wordt fosfor dieper ingediffundeerd dan wanneer fosfor individueel wordt ingediffundeerd (niet in een gelijktijdige diffusie met boor). Wanneer de uitvinding wordt gebruikt kan 25 een fosforconcentratie in het substraat bij 0,5 μτη diepte meer dan 100 maal hoger zijn dan bij 5 pm diepte.
Bij de werkwijze volgens de uitvinding kan fosfor ook diffunderen in het silicium aan de boorzijde omdat een kleine hoeveelheid fosfor vanuit de fosforzijde zal uitstromen naar de tegenoverliggende zijde (dat wil zeggen de met boor gediffundeerde zij-30 de). Aan de boorzijde is de hoeveelheid ingedififimdeerd fosfor echter kleiner dan de hoeveelheid ingediffundeerd boor, en de gediffundeerde laag kan gemakkelijk voldoen aan de juiste voorwaarden voor een p-type emitter.
8
De hoeveelheid ingediffundeerd fosfor is nog steeds groter dan de achtergronddo-tering van het substraat. De fosforconcentratie bij 0,2 μπι diep kan meer dan 100 maal groter zijn dan bij 5 pm diep.
De uitvinding maakt de fabricage mogelijk van een boor-doteerprofiel dat voldoet 5 aan de vereiste voorwaarden voor een emitter, zonder het toe te staan dat fosfor van een grotere hoeveelheid dan boor diffundeert in de met boor gediffundeerde zijde en zonder het toe te staan dat boor van een grotere hoeveelheid dan fosfor diffundeert in de met fosfor gediffundeerde zijde.
Het zal voor de vakman die bekwaam is op het gebied uit de stand van de tech-10 niek bij het lezen van de bovenstaande tekst duidelijk zijn dat varianten zullen optreden. Deze varianten worden geacht om te liggen binnen de reikwijdte van de uitvinding zoals beschreven in de bijgevoegde conclusies.
Claims (15)
1. Werkwijze voor het fabriceren van een kristallijn silicium zonnecel, achtereenvolgens omvattend: 5. verschaffen van een kristallijn silicium substraat dat een eerste zijde en een tweede zijde tegenover de eerste zijde omvat; - pre-diffimderen van fosfor in de eerste zijde van het substraat, zodat een met fosfor gediffundeerde laag ontstaat die een begindiepte heeft; - blokkeren van de eerste zijde van het substraat; 10. blootstellen van de tweede zijde van het substraat aan een boor-diffusiebron; - verhitten van het substraat gedurende een bepaalde tijdsperiode en tot een bepaalde temperatuur om zo boor te diffunderen in de tweede zijde van het substraat en om tegelijkertijd het fosfor verder in het substraat te diffunderen.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het pre-dififunderen van fosfor in een eerste zijde van het substraat omvat: - verhitten van het substraat in een atmosfeer die O? en P2O5 omvat om zo een film te produceren die S1O2 en P2O5 omvat en een tussenliggende met fosfor gediffundeerde laag op alle zijden van het substraat; 20. verwijderen van de Si02:P205-film van alle zijden van het substraat; - wegetsen van een met fosfor gediffundeerde laag behalve de eerste zijde.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het pre-diffimderen van fosfor in een eerste zijde van het substraat omvat: 25. vormen van een bekleding op de eerste zijde met gebruikmaking van een zeefdruk- werkwijze, een enkelzijdige opcentrifugeerwerkwijze, of een enkelzijdige opsproei-werkwijze, waarbij de bekleding P2O5 en S1O2 omvat; - verhitten van het substraat om zo een film te produceren die S1O2 en P2O5 omvat en een tussenliggende met fosfor gediffundeerde laag op alle zijden van het substraat; 30. verwijderen van de Si02:P20s-film van alle zijden van het substraat; - wegetsen van een met fosfor gediffundeerde laag behalve de eerste zijde.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het pre-diffunderen van fosfor in een eerste zijde van het substraat omvat: - blokkeren van de tweede zijde van het substraat; - verhitten van het substraat in een atmosfeer die O2 en P2O5 omvat om zo een film te 5 produceren die S1O2 en P2O5 omvat en een tussenliggende met fosfor gediffundeerde laag op alle zijden van het substraat; - verwijderen van de SiCb^Os-film van alle zijden van het substraat.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het pre-diffunderen van fosfor in een 10 eerste zijde van het substraat omvat: - blokkeren van de tweede zijde van het substraat; - vormen van een bekleding op de eerste zijde met gebruikmaking van een zeefdruk-werkwijze, een enkelzijdige opcentrifugeerwerkwijze, of een enkelzijdige opsproei-werkwijze, waarbij de bekleding P2O5 en S1O2 omvat; 15. verhitten van het substraat om zo een film te produceren die S1O2 en P2O5 omvat en een met fosfor gediffundeerde laag op alle zijden van het substraat; - verwijderen van de Si02:P2C>5-film van alle zijden van het substraat.
6. Werkwijze volgens conclusie 4 of 5, waarbij de tweede zijde van het substraat 20 wordt geblokkeerd door het vormen van een diffusieblokkeerlaag op de tweede zijde.
7. Werkwijze volgens conclusie 4 of 5, waarbij de tweede zijde van het substraat wordt geblokkeerd door een ander substraat.
8. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij de eerste zijde van het substraat wordt geblokkeerd door een eerste zijde van een ander substraat.
9. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het andere substraat een verwerkt substraat omvat dat op het moment van de blokkering op soortgelijke wijze is behandeld 30 als het genoemde substraat.
10. Werkwijze volgens één van de conclusies 1 - 7, waarbij de eerste zijde van het substraat wordt geblokkeerd door de eerste zijde van het substraat te bedekken met een bekledingslaag.
11. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het blootstel len van de tweede zijde van het substraat aan een boor-diffusiebron het blootstellen omvat van het substraat aan een atmosfeer die O2 en B2O3 omvat.
12. Werkwijze volgens conclusie 11, waarbij de bepaalde tijdsperiode tussen 10 30-120 minuten ligt.
13. Werkwijze volgens conclusie 11 of 12, waarbij de bepaalde temperatuur tussen 900-1000 °C ligt.
14. Werkwijze volgens conclusie 11 of 12, waarbij het B2O3 wordt geproduceerd door N2 door een BBr3 vloeistof te leiden.
15. Zonnecel die wordt gefabriceerd door een werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies. 20
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2000999A NL2000999C2 (nl) | 2007-11-13 | 2007-11-13 | Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. |
| CN2008801241277A CN101919070B (zh) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | 通过硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法 |
| JP2010533981A JP2011503896A (ja) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | ホウ素とリンの共拡散を用いた結晶性シリコン太陽電池の製造方法 |
| KR1020107012964A KR101515255B1 (ko) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | 보론과 인의 공동 확산을 사용한 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법 |
| AT08849334T ATE529897T1 (de) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | Verfahren zur herstellung von solarzellen aus kristallinem silicium anhand der gemeinsamen diffusion von bor und phosphor |
| EP08849334.1A EP2210283B2 (en) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of boron and phosphorus |
| PCT/NL2008/050724 WO2009064183A1 (en) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of boron and phosphorus |
| AU2008321599A AU2008321599A1 (en) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of boron and phosphorus |
| ES08849334T ES2375324T3 (es) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | Método para la producción de células solares de silicio cristalino usando una codifusión de boro y fósforo. |
| US12/742,682 US8445312B2 (en) | 2007-11-13 | 2008-11-13 | Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of Boron and Phosphorus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2000999 | 2007-11-13 | ||
| NL2000999A NL2000999C2 (nl) | 2007-11-13 | 2007-11-13 | Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2000999C2 true NL2000999C2 (nl) | 2009-05-14 |
Family
ID=39473196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2000999A NL2000999C2 (nl) | 2007-11-13 | 2007-11-13 | Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8445312B2 (nl) |
| EP (1) | EP2210283B2 (nl) |
| JP (1) | JP2011503896A (nl) |
| KR (1) | KR101515255B1 (nl) |
| CN (1) | CN101919070B (nl) |
| AT (1) | ATE529897T1 (nl) |
| AU (1) | AU2008321599A1 (nl) |
| ES (1) | ES2375324T3 (nl) |
| NL (1) | NL2000999C2 (nl) |
| WO (1) | WO2009064183A1 (nl) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8518170B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks |
| KR101119916B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전극과 유기물/무기물 복합소재를 사용한 전자 소자 및 그 제조 방법 |
| JP4868079B1 (ja) * | 2010-01-25 | 2012-02-01 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| US20130089944A1 (en) * | 2010-06-11 | 2013-04-11 | Amtech Systems, Inc. | Solar cell silicon wafer process |
| US20120122265A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for producing photovoltaic cell |
| WO2012108766A2 (en) | 2011-02-08 | 2012-08-16 | Tsc Solar B.V. | A method of manufactering a solar cell and a solar cell |
| CN102191562B (zh) * | 2011-04-25 | 2012-08-29 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型晶体硅太阳电池的硼扩散方法 |
| CN102263159A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-30 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺 |
| US20150099352A1 (en) * | 2011-07-19 | 2015-04-09 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | COMPOSITION FOR FORMING n-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING n-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELL ELEMENT |
| JPWO2013015173A1 (ja) * | 2011-07-25 | 2015-02-23 | 日立化成株式会社 | 太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池 |
| US8629294B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-01-14 | Honeywell International Inc. | Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants |
| US8975170B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-03-10 | Honeywell International Inc. | Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions |
| DE102013102574A1 (de) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | centrotherm cell & module GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Rückkontaktsolarzelle |
| DE102013102573A1 (de) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | centrotherm cell & module GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
| CN104205361B (zh) | 2012-03-20 | 2017-07-04 | 泰姆普雷斯艾普公司 | 制造太阳能电池的方法 |
| CN102683492B (zh) * | 2012-05-27 | 2014-10-15 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN102797040B (zh) * | 2012-08-22 | 2015-08-12 | 中国科学院电工研究所 | 一种硼(b)扩散掺杂的方法 |
| US8722545B2 (en) * | 2012-08-27 | 2014-05-13 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Method of selectively deglazing P205 |
| JP6114108B2 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| KR20150007394A (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-21 | 현대중공업 주식회사 | 양면수광형 태양전지의 제조방법 |
| CN104157740B (zh) * | 2014-09-03 | 2017-02-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型双面太阳能电池的制备方法 |
| DE102015226516B4 (de) * | 2015-12-22 | 2018-02-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses |
| JP6356855B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-07-11 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| TW201903851A (zh) * | 2017-06-13 | 2019-01-16 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 太陽電池元件用矽基板之製造方法 |
| CN109301031B (zh) * | 2018-09-12 | 2021-08-31 | 江苏林洋光伏科技有限公司 | N型双面电池的制作方法 |
| CN110085699A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-02 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 |
| CN110233180A (zh) * | 2019-06-02 | 2019-09-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665175A (en) * | 1990-05-30 | 1997-09-09 | Safir; Yakov | Bifacial solar cell |
| EP0999598A1 (en) * | 1998-11-04 | 2000-05-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell and method for fabricating a solar cell |
| US20050133084A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-06-23 | Toshio Joge | Silicon solar cell and production method thereof |
| EP1575087A2 (en) * | 2000-11-29 | 2005-09-14 | Origin Energy Solar Pty.Ltd | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4451969A (en) * | 1983-01-10 | 1984-06-05 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| US4557037A (en) * | 1984-10-31 | 1985-12-10 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| US5082791A (en) * | 1988-05-13 | 1992-01-21 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| US5468652A (en) † | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
| US5792280A (en) * | 1994-05-09 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Method for fabricating silicon cells |
| JP4812147B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2011-11-09 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池の製造方法 |
| DE10021440A1 (de) * | 2000-05-03 | 2001-11-15 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle |
| JP2002057352A (ja) † | 2000-06-02 | 2002-02-22 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP4657068B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
| US20080057220A1 (en) * | 2006-01-31 | 2008-03-06 | Robert Bachrach | Silicon photovoltaic cell junction formed from thin film doping source |
| JP2008112847A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
| EP2191479A1 (en) * | 2007-10-18 | 2010-06-02 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: flux materials |
| DE102008019402A1 (de) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur selektiven Dotierung von Silizium sowie damit behandeltes Silizium-Substrat |
| US8183081B2 (en) * | 2008-07-16 | 2012-05-22 | Applied Materials, Inc. | Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a metal layer mask |
| US7838400B2 (en) * | 2008-07-17 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal oxide passivated solar cell with improved junction |
| US8231934B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for solar cell electrode |
| US20120227794A1 (en) * | 2009-09-18 | 2012-09-13 | Applied Materials, Inc. | Threshold adjustment implants for reducing surface recombination in solar cells |
| WO2011050399A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Newsouth Innovations Pty Limited | Improved metallization method for silicon solar cells |
| US8586862B2 (en) * | 2009-11-18 | 2013-11-19 | Solar Wind Technologies, Inc. | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof |
| KR101141578B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2012-05-17 | (주)세미머티리얼즈 | 태양전지 제조방법. |
| WO2012145060A1 (en) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | Applied Materials, Inc. | Method of forming p-n junction in solar cell substrate |
-
2007
- 2007-11-13 NL NL2000999A patent/NL2000999C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-11-13 EP EP08849334.1A patent/EP2210283B2/en active Active
- 2008-11-13 KR KR1020107012964A patent/KR101515255B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-13 JP JP2010533981A patent/JP2011503896A/ja active Pending
- 2008-11-13 AU AU2008321599A patent/AU2008321599A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-13 CN CN2008801241277A patent/CN101919070B/zh active Active
- 2008-11-13 AT AT08849334T patent/ATE529897T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-11-13 US US12/742,682 patent/US8445312B2/en active Active
- 2008-11-13 WO PCT/NL2008/050724 patent/WO2009064183A1/en active Application Filing
- 2008-11-13 ES ES08849334T patent/ES2375324T3/es active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665175A (en) * | 1990-05-30 | 1997-09-09 | Safir; Yakov | Bifacial solar cell |
| EP0999598A1 (en) * | 1998-11-04 | 2000-05-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell and method for fabricating a solar cell |
| EP1575087A2 (en) * | 2000-11-29 | 2005-09-14 | Origin Energy Solar Pty.Ltd | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| US20050133084A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-06-23 | Toshio Joge | Silicon solar cell and production method thereof |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Fabrication of large area silicon solar cells by rapid thermal processing", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, vol. 67, no. 16, 16 October 1995 (1995-10-16), pages 2335 - 2337, XP012013804, ISSN: 0003-6951 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2210283B2 (en) | 2015-07-15 |
| AU2008321599A1 (en) | 2009-05-22 |
| WO2009064183A1 (en) | 2009-05-22 |
| ES2375324T3 (es) | 2012-02-28 |
| US8445312B2 (en) | 2013-05-21 |
| KR101515255B1 (ko) | 2015-04-24 |
| KR20100102113A (ko) | 2010-09-20 |
| US20100319771A1 (en) | 2010-12-23 |
| JP2011503896A (ja) | 2011-01-27 |
| CN101919070A (zh) | 2010-12-15 |
| EP2210283B1 (en) | 2011-10-19 |
| EP2210283A1 (en) | 2010-07-28 |
| CN101919070B (zh) | 2012-10-10 |
| ATE529897T1 (de) | 2011-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL2000999C2 (nl) | Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. | |
| US20100032012A1 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| AU2013200622B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| JP2007521668A5 (nl) | ||
| Ebong et al. | High efficiency inline diffused emitter (ILDE) solar cells on mono‐crystalline CZ silicon | |
| JP4846219B2 (ja) | 結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
| KR101541660B1 (ko) | n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 | |
| CN106133922B (zh) | 太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 | |
| JP6114108B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US9330917B2 (en) | Passivation layer for workpieces formed from a polymer | |
| CN105914239B (zh) | 一种n型双面电池的制备方法 | |
| JP2018092982A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2011171600A (ja) | 不純物拡散成分の拡散方法、および太陽電池の製造方法 | |
| JP5715509B2 (ja) | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 | |
| CN103715310B (zh) | 一种太阳能电池用多晶硅片的钝化处理方法 | |
| JP6114170B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TWI501292B (zh) | 形成圖案化摻雜區的方法 | |
| JP6356855B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPWO2017099020A1 (ja) | 半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法 | |
| Stüwe et al. | Inkjet-printed diffusion barrier for structured doping areas from doped PECVD silicate glasses | |
| KR101161805B1 (ko) | 후면접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN107078178A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| JP2012151383A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| KR20150024485A (ko) | Perl형 태양전지의 제조방법 | |
| TW201019493A (en) | Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of Boron and phosphorus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| MM | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20171201 |